SE533992C2 - Elektrisk anslutning i en struktur med isolerande och ledande lager - Google Patents

Description

30 533 992 2 Häri används termen ”via” för vilken struktur som helst som sträcker sig genom en skiva och har förmåga att överföra elektriska signaler. Vior kan tillverkas på många olika sätt och ha många olika uppbyggnaden Exempelvis kan en via vara en plugg av metall som omges av ett isolerande material eller också kan den vara en dopad eller ej dopad halvledarplugg som omges av ett isolerande mate- rial. Viapluggama kan ha olika tvärsnitt, d.v.s. cirkulärt, rektangulärt, kvadra- tiskt eller orgelbundet, även om i de flesta fall cirkulära tvärsnitt föredras.

Kort beskrivning av ritningarna Fig. l visar schematiskt se spegelstruktur med routingelement; Fig. 2a-b visar hur ventiler-ing av en kavitet under tillverkning åstadkommes; Fig. 3a-e visar schematisk olika sätt att tillhandahålla elektrisk potential inklu- derande jordpotential vid önskade ställen i en skiktad struktur; Fig. 4 visar en gimbalstruktur för en spegel; Fig. 5 visar i tvärsnitt gömda gånärn i en gimbalupphångd spegel; Fig. 6 visar en gimbalupphängd spegel med olika varianter av anslutning till vior; och Fig. 7 visar ytterligare en variant av gimbalstrukturer.

Routing medelst vior I fig. 1 visas således schematiskt (ej skalenligt) en spegelstruktur i en spegelar- ray, som har routing-element.

Speglarna l och 2 år anbringade på en stödpelare 3 via gånämsstmkturer 4 respektive 5, tillverkade medelst MEMS-tekniker i en substratskiva SW. Under varje spegel finns anordnat aktueringselektroder 6, 7 som kommer att förorsaka att speglarna 1 och 2 böjs av när elektroden 6,7 aktiveras med energi.

I anordningar enligt teknikens ståndpunkt routas elektroderna ”bort” från arra- yen medelst elektriska ledningar 8, 9 anordnade på substratytan (antytt med en streckad linjekontur i figur 1). Såsom inses måste ledningen 8 från elektroden 6 10 15 20 25 30 533 992 3 för aktuering av spegeln 1 passera under spegeln 2, och då den aktiveras med energi kommer den att påverka även spegeln 2 i viss utsträckning vilket föror- sakar funktionella fel Det finns anordnat vior 10, 11 genom skivan SW och kopplade till routing- ledningar 12, 13 på skivans SW baksida. Routing-ledningama 12, 13 år natur- ligtvis anordnade intill varandra, lämpligen parallellt med skivans periferi där tråd-bondning 14 kan tillhandahållas om så önskas. Alternativt skulle det kun- na finnas anordnat ett dubbellager av metall på baksidan med ett isolerande skikt mellan de ledande lagren. På detta sätt skulle man kunna undvika korsande ledare och därigenom öka flexibiliteten i routingstrukturema. Genom plätering (eller någon annan lämplig metod som år känd av fackmannen) kan kontakt-bumpar anordnas. Företrâdesvis s.k. Under Bump Metallization (UBM), vilket möjliggör flip-chip-montering av spegelkomponenten. Styrkretsar, t.ex.

ASlCzer kan därvid monteras direkt på. baksidan av spegelkomponenten. För större spegelarrayer, t.ex. > 12 x 12, år en sådan lösning mer kostnadseffektiv än konventionell tråd-bondning enligt teknikens ståndpunkt. Flip-chip- montering är inte möjlig utan via-teknologin.

Metod att tillverka mikrospeglar I en process för tillverkning av avböjbara mikrospeglar och/ eller arrayer av så- dana speglar bondas två skivor samman i ett steg i en sådan process innan den faktiska spegelstmktiiren tillverkas (en första skiva och en andra skiva), i en kontrollerad atmosfär, t.ex. vakuum. En av skivoma (första skivan) har därvid en fördjupning formad i sig för att tillhandahålla ett nödvändigt utrymme i den slutliga strukturen för att de avböjbara speglarna ska kunna röra sig fritt under avböjning. Den andra skivan (lämpligtvis en SOI-skiva) tillhandahåller ett ”lock” över fördjupningen.

Sålunda, efter att skivoma bondats tillsammans kommer fördjupningen i den första skivan att vara förseglad medelst den andra skivan och sålunda skapas en kavitet med en kontrollerad atmosfär (t.ex. valcuum). I efterföljande stegi 10 15 20 25 30 533 952 4 processen utförs bearbetning av den andra skivan för att tillverka de slutliga spegelstrukturerna. Spegelstxukturerna innefattar en faktisk spegeldel som år relativt tjock och styv och en gångjärnsdel.

Emellertid kan spegeln ha olika tjocklekar för att tillhandahålla olika resonans- frekvenser - tjock spegel betyder stor massa och låg frekvens; tunn spegel bety- der liten massa och hög frekvens. Frekvenskraven kan vara motsatta planhets- kraven. Tunnare speglar kan lättare böjas p. g.a. mekanisk påverkan. Det är möjligt att tillverka en spegel med en styv ramdel och kvarvarande områden nedtunnade för att tillhandahålla låg massa och högre styvhet. Även gängjåmen kan tunnas ned i varierande grad.

Gånärnet kommer att vara väsentligt tunnare än spegeln i vissa utföringsfor- mer, för att tillhandahålla den erforderliga flexibiliteten hos gångiärnet för att fungera såsom önskas. Speciellt kan gångjärnet vara anordnat såsom en s.k. girnbalstruktur.

I andra fall, t.ex. når en torsionseffekt är önskvärd, kan emellertid gånärnet ha samma tjocklek som spegeln, men den kommer därvid ha en lateral ut- sträckning (d.v.s. i gångjårnets tvårriktrxing) som är relativt liten.

Tillverkning av dessa strukturer utförs medelst lämplig maskning och etsning av den andra skivan. Emellertid utförs processtegen för tillverkning av spegel- strukturema i en atmosfär som har ett annat tryck (normalt tryck) än trycket som råder inuti kaviteten. Eftersom det kommer att föreligga en tryckskillnad över ”1ocket”, när etsningprocessen ”bryter igenom” SOI-skivan för att tillhanda- hålla de fritt hängande gånärnsupphångda speglarna, kommer det sålunda att uppstå en plötslig tryckutjåmning. Denna tryckutjärnning alstrar starka krafter så att de ömtåliga gån ärnsstrukturerna på speglarna mycket lätt bryts sönder och speglarna faller ut ur anordningar-na, med extremt låga utbyten som resul- tat. 10 15 20 25 30 533 992 5 Enligt uppfinningen åstadkommes kontrollerad ventilering av strukturen så att tryckutjämningen kommer att bli mycket mjuk och inga starka lcrafter kommer att utövas på de delikata gångjårnen.

Lösningen enligt en utföringsform av uppfmningen återges schematiskt i figur 2a-d.

Fig. 2a visar en första skiva 20 (substratskiva) som har en fördjupning 21 for- mad däri, bondad till en SOI-skiva 22 innefattande ett komponentlager 23, ett oxidlager 24 och ett bärarlager 25. I den andra skivans komponentlager 23 har lämpligtvis ett nedtunnat parti 23' orts för att defmiera tjockleken av ett gäng- järn 28 (se fig. 2c) som skall ansluta spegeln till de bärande strukturerna i den slutliga produkten.

Bärarlagret 25 avlägsnas och efter lämplig maskning MV utförs en första ets- ning för att tillhandahålla en ventileringshålprekursorstruktur 26 i resten av komponentlagret 23. Denna prekursorstruktur år väsentligen ett hål eller ett spår, som har ett fördefmierat djup, d.v.s. som sträcker sig nedåt in i kompo- nentlagret.

Därefter åstadkommes lämplig maskning MMH för att definiera spegeln 27 och dess gånärnsstrukturer 28 och en andra etsning utförs. Detta illustreras schematiskt i fig. 2c. Därvid kommer ventileringshålprekursorstrukturen 26 att öppna upp kaviteten 21 med kontrollerad atmosfär (t.ex. vakuum) innan ets- ningen har avlägsnat så mycket material från komponentlagret att gånärns- strukturen har blivit så tunn att den skulle kunna brytas sönder p.g.a. de kraf- ter som utövas när trycket utjåmnas genom ventileringshålet.

Etsningen fortsättes till dess spegeln 27 är fri-etsad och gångjärnen 28 fram- ställts. Speglarna kan fri-etsas i samma processteg som gånärnen tillverkas genom dimensionering av de ytor på vilka etsningen verkar för att styra etshas- tigheten. Sålunda kommer etsningen att brytas genom i de spår som definierar 10 15 20 25 30 533 992 6 spegeln innan etsningen har trängt ned allt för djupt i de spår som definierar gånärnen.

I en altemativ utföringsform kan hela processen utföras i ett steg. Detta är möj- ligt genom att dimensionera ventileringshålprekursorstrukturen 26 så att den år tillräckligt stor för att etsningen skall awerka material däri vid en snabbare hastighet än i det spår som definierar spegeln, vilket i sin tur kommer att etsas snabbare än gängiärnen, liksom i den tidigare utföringsformen. Detta visas schematiskt i ñg. 2d, som visar ett större ventilationshàl 26 än i ñg. 2c.

Elektrisk anslutning till önskade lager i en struktur innefattande alternerande isolerande och ledande lager Denna uppfinning avser MEMS-anordningar i vilka det är önskvärt att tillhan- dahålla elektrisk potential inkluderande jordpotential vid önskade ställen i en skiktad struktur.

Med hänvisning till ñg. 3a visas däri schematiskt en skiktad struktur innefat- tande tre (första, andra respektive tredje) lager 30, 31 och 32 av exempelvis kisel eller annat halvledande eller ledande material, och mellan dessa lager finns in- fört ett första isolerande lager 33 och ett andra isolerande lager 34. Denna skik- tade struktur tillverkas lämpligen av två SOI-skivor som har bondats samman, varvid det första ledande lagret 30 utgör bärarlagret och det andra ledande lag- ret 3l utgör komponentlagret i en första SOI-skiva.

Det tredje ledande lagret utgör komponentlagret i en andra SOI-skiva. Såsom inses kan sålunda den struktur som visas i ñg. 3a åstadkommas genom att bonda de två SOI-skivoma och avlägsna bärarlagret från den andra SOI-skivan.

Det finns också. anordnat en viastruktur 35 som sträcker som genom det första ledande lagret 30. Viastrukturen kan innefatta kraftigt dopat Si omgivet av en isolerande inneslutning 36 för att på. så sätt tillhandahålla elektrisk isolering 10 15 20 25 30 533 992 7 från det omgivande ledande första lagret 30. Andra material såsom metall kan också användas för vian.

För MEMS-tillämpningar i vilka denna typ av skiktade strukturer används ofta, är det ofta önskvärt att lägga på elektrisk potential på valda skikt, och ibland vid valda punkter eller områden i sådana skikt.

Enligt uppñnningen åstadkommes en smidig metod för att skräddarsy sådana påläggningar av elektrisk potential efter det behov som föreligger.

Sålunda tillhandahåller uppfinningen en metod för att tillverka en elektrisk an- slutning in i önskade lager i en skiktstruktur och samtidigt förhindra elektrisk koppling till intilliggande lager.

Med hänvisning till fig. 3b, visas där hur i ett första steg ett hål 37 etsas genom det tredje och det andra ledande lagret 32 och 31, och sålunda även genom det isolerande lagret 34, såväl som genom det isolerande lagret 33, och ett kort stycke in i viapluggen 35. Hålet 37 fylls med poly-kisel för att tillhandahålla ledningsförmàga. Uppfinningen begränsar inte materialvalet till poly-kisel även om detta föredrages. Vilken metall eller vilket ledande material som helst skulle kunna användas. Poly-kisel föredras p. g.a. att det har mycket likartad termiska expansionsegenskaper som kisel har. Alltför stora skillnader i expansionsegen- skaper skulle kunna leda till mekanisk spänning som skulle kunna "buckla” spegeln. Såsom visas i fig. 3b, om en potential läggs på vian 35 kommer denna potential att överföras till både det andra 31 och det tredje 32 skiktet.

I en första utföringsform av uppfinningen, som illustreras i fig. 3c, tillhandahål- les emellertid elektrisk potential genom vian 35 och in i det tredje ledande lagret 32 enbart. För att åstadkomma detta har den första SOI-skivan processats in- nan den bondats till den andra SOI-skivan. Det måste nämligen föreligga en iso- lerande inneslutning 38 som omger den del av skivan där poly~kise1pluggen kommer att sträcka sig genom det andra lagret 31 i den skiktade strukturen. 10 15 20 25 30 533 992 8 Detta åstadkommes genom att etsa en trench 38 i en sluten slinga i kompo- nentskiktet i den första SOI-skivan ned till det begravda oxídskiktet, och fylla trenchen åtminstone partiellt med oxid. Å andra sidan skulle trenchema kunna lämnas såsom de är, fyllda med luft, om de år tillräckligt breda så att ingen ”flash-over” kan uppträda. När de två SOI-skivoma har bondats samman och bârarlagret i den andra SOI-skivan har avlägsnats, utförs den procedur som diskuteras med hänvisning till fig. 3b, en poly-kiselplugg 37 tillhandahålles ge- nom den skiktade strukturen, och resultatet som visas i fig. 3c kommer att er- hållas. Om en elektrisk potential läggs på vian i denna struktur kommer poten- tialen att överföras till det tredje lagret 32 utan att påverka det andra lagret.

För att eliminera risken att skada spegelytan under fyllning av hålen med poly- kisel, vilket kräver avlägsnande av poly-kisel från speglarna, kan man meka- niskt slipa bort det mesta av bärarlagret och kvarlämna endast ett tunt lager.

Därefter tillverkas hälen medelst litograñ och etsning och fylls med poly-kisel.

Denna struktur, d.v.s. från botten och upp: spegel - bärarlageråterstod - poly- kisel, utsätts därefter för etsning till dess spegeln exponeras. Poly-kisel- ”pluggarna” kan tillverkas så att de uppvisar låg resistivitet medelst lämplig dopning, med processer som är väl kända för fackmannen.

Om å andra sidan det är önskvärt att tillhandahålla en potential selektivt till det andra lagret 31 görs ånyo en trench 38 medelst etsning, men i detta fall kom- mer det att göras efter att SOI-skivoma har bondats samman och bärarlagret avlägsnats från den andra SOI-skivan. Sålunda framställs trenchen 38 i det tredje lagret 32, och ånyo, liksom i utföringsfonnen i fig. 3c, fylls åuninstone partiellt med isolerande material. Även i detta fall är det möjligt att lämna tren- cherna ofyllda. Därefter etsas ett hål 37 genom den skiktade strukturen, såsom beskrivs med hänvisning till fig. 3b, och den resulterande strukturen visas i fig. 3d. Här kommer en pålagd potential överföras till enbart det andra lagret 31 och lämna det tredje lagret opåverkat.

I de visade utföringsformerna har det visats hur den pålagda potentialen över- förs till hela skikt. Emellertid kan också principen användas för att routa signa- 10 15 20 25 30 533 992 9 ler eller elektrisk potential lokalt inom skikt. Om exempelvis den pålagda poten- tialen skall användas för aktueringssyfte vid ett specifikt läge inom ett skikt, skulle man kunna åstadkomma isolerande trencher som bildar routing- ”kanaler” inom lagret i fråga, så att vian kan lokaliseras vid någon önskad punkt på skivan och signaler routas till en annan punkt. Detta exemplifieras i fig. 3c, där en sådan routing-”kanal” visas schematiskt vid 39.

Naturligtvis är principen enligt metoden lika tillämpbar om det endast föreligger två lager i strukturen.

Aktuering av avböjbara strukturer I anordningar innefattande avböjbara strukturer, såsom mikrospeglar i projek- torer, fiberoptiska omkopplare, optiska förstärkare etc., är en av de önskade särdragen att göra det möjligt att styra avböjning av strukturerna. Nedan kom- mer hänvisning att göras till speglar även om principerna år tillämpbara på vil- ka avböjbara strukturer som helst, såsom högtalarelement etc.

Det finns ett antal olika sätt tillgängliga för att åstadkomma den önskade styrda avböjningen. Först och främst måste det finnas någon typ av ”gångjärns”- struktur till vilka speglarna är anslutna. En sådan struktur illustreras ovan med hänvisning till fig. 1, och sålunda är spegeln anbringad på en stödstruktur via ett ben eller en arm som har en väsentligt mindre dimension i tvärsnitt för att på så sätt tillhandahålla t.ex. en torsionsavböjníng.

En annan typ av gångjårnsstruktur är en s.k. gimbalstruktur. En gimbal år en vridbart upphängd stödstruktur som medger rotation av ett objekt kring en enda axel. En uppsättning om två gimbaler, en monterad på den andra med vridaxlarna vinkelräta, kan användas för att tillåta ett föremål som monterats på den innersta gimbalen att förbli vertikal oavsett hur dess stödstruktur rör sig. I det föreliggande sammanhanget används en struktur av gimbaltyp för att möjliggöra avböjning av en spegel i väsentligen alla X-Y-riktningar (d.v.s. 2D- aktuering) medelst elektrostatisk aktuering. 10 15 20 25 30 533 992 10 Den elektrostatiska aktueringen kan åstadkommas på ett par olika sått.

Den första som bör nämnas genom att använda vad man hänvisar till såsom ”plattkondensatoraktueringï För en spegel som år upphängd i t.ex. en torsions- arm, finns sålunda anordnat en eller flera elektroder under spegeln vid punkter sådana att når en potential pålåggs elektroden kommer det att uppstå ett elekt- riskt fâlt mellan spegeln och elektroden, vilket förorsakar en attraktion mot elektroden, varvid spegeln kommer att avböjas. Spegeln kan själv verka såsom elektrod eller också kan det anordnas elektrodelement på speglarna.

I en första aspekt påläggs aktueringspotentialen på elektrodema genom att an- ordna viastrukturer som sträcker sig genom substratet från dess baksida. Där- igenom kommer det inte att föreligga något behov att tillhandahålla routing- strukturer i samma plan som elektrodema, vilket har nackdelen att det upptar utrymme, och kan också vara tämligen komplicerat från en tillverkningssynvin- kel.

I en andra aspekt kan aktueringen åstadkommas genom ”kamelektrodstruktu- rer”. Ett exempel på en utformning av sådana kamelektroder visas i fig. 4, till- lâmpat på en avböjbar mikrospegel.

Såsom framgår av fig. 4 finns det hoppassade kamstrukturer på spegeln respek- tive på stödstrukturen. Kamelektroderna på stödstrukturen (aktueringselektro- derna) är kopplade till viastrukturer under strukturen och sträcker sig genom stödstrukturen från dess baksida, liksom i exemplet som diskuteras ovan. Vida- re är dessa kammar anordnade vid olika nivåer, d.v.s. de år tillverkade i olika komponentskikt i de SOI-skivor som används för tillverkningen.

Når sålunda en potential pålåggs på aktueringselektrodema, kommer kam- strukturen på spegeln att dras nedåt, men i ljuset av att ”fingrarna” på kam- mania passar ihop på ett alternerande, interfolierat sätt, kan avböjningen åstadkommas på ett smidigare sâtt än i fallet då elektroder år anordnade under 10 15 20 25 30 533 992 11 spegeln. Exempelvis blir det möjligt att tillverka mer kompakta strukturer med användning av kamelektrodema.

I fig. 4 illustreras schematiskt en gimbalgångjärnsstruktur innefattande både plattkondensatoraktuering och kamelektrodaktuering.

Sålunda bärs en spegel 50 upp av torsionselement 52 i en ram 54, vilken i sin tur bärs av torsionselement 56 anbringade på en omgivande stödstruktur 58.

Under spegeln 50 finns visat i skugglinjer två elektrodpar 59a respektive 59b.

Dessa elektroder är försedda med vior som sträcker sig genom skivan och som exponerar en ändyta. När elektrodema 59a aktiveras kommer de att förorsaka en avböjning av spegeln i en riktning inåt (vid den vänstra delen sett i figuren) i förhållande till ritningens plan. Motsvarande aktivering av elektroderna 59b kommer att förorsaka en avböjning inåt vid den högra delen. Uppenbarligen kommer motstående del att avböjas utåt.

För avböjning i den andra riktningen finns anordnat två kamelektrodstrukturer 60a och 60b. Fingrarna som är anbringade vid stödstrukturen kommer att ut- göra aktueringselektroder. Sålunda när aktueringselektroderna aktiveras kom- mer gimbalramen 54 att avböjas runt sina torsionsgånärn 56 och orsaka att spegeln avböjs på motsvarandesâtt.

I ytterligare en utföringsform år gånärnen ”gömda” under speglarna, vilket har fördelen att speglarna kan placeras mycket tätt, d.v.s. man kan erhålla en mycket kompakt design. För vissa ljusvåglängder kan också speglarna ofta be- höva beläggas med ett lämpligt material. En sådan reflekterande beläggning be- höver för det mesta endast föreligga på själva spegelytan, och inte på gångjär- nen och /eller gimbalstrukturerna. Med konceptet med gömda gånärn kan hela skivan beläggas. Om gångjärnen inte är gömda måste en selektiv belägg- ning av det reflekterande materialet utföras, t.ex. med användning av ”Iift-ofF, skuggmask, stencilskuggmask och andra tekniker som är mycket mer kompli- cerade och inte ger lika bra utbyte. 10 15 20 25 533 992 12 För att tillverka sådana gömda gånärn kommer processekvensen att skilja sig från den ovan beskrivna. Hänvisning görs till fig. 5.

Samma grundprocess involverande två SOI-skivor kan användas men gångjär- nen tillverkas i komponentlagret DLl i den första SOI-skivan, och spegeln och en pelare som bär upp spegeln tillverkas i komponentlagret i den andra SOI- skivan. Når SGI-skivorna har bondats samman efter de erforderliga strukturer- na har tillverkats i respektive skiva, tillverkas en baksidesdefinerad öppning från baksidan i bärarlagret i det första SOI-skivan för att tillhandahålla ett fritt utrymme i vilket gånänien kan röra sig under avböjning.

Alternativt bondas ytterligare en SOI-skiva till strukturen. Därvid används dess komponentlager för att tillhandahålla ett distanselement för att göra det möjligt att spegeln rör sig (avböjs) såsom önskas. Komponentlagret DLO etsas i detta fall för att åstadkomma en fördjupning som när skivan år bondad tillhandahål- ler utrymmet för rörelse.

De ovan beskrivna processerna är tillåmpbara även för tillhandahållande av kamelektrodstrukturer, arrangerade i dubbelaxelspegeldesigner som innehåller gimbalstrukturer, även om dessa inte är gömda strukturer.

För kamelektroder finns en ytterligare metod tillgänglig, se fig. 7. Nämligen, för att åstadkomma detta måste man utföra en underets under gàngjårnsstruktur- erna efter att skivorna har bondats samman. Därvid skyddas gångjärnsstruktu- ren av ett oxidskikt och en kiselets utförs varvid material avlägsnas även fràn under gänärnet för att på så. sätt tillhandahålla ett fritt utrymme för avböj- ning. Bärardelen av denna ytterligare skiva avlägsnas genom etsning när den/ de andra skivan/ skivorna har bondats.

Claims (12)

10 15 20 25 30 533 992 13 PATENTKRAV:

1. En i skikt uppbyggd mikro-elektrisk/ mekanisk (MEMS) struktur, innefattan- de åtminstone tre ledande skikt med isolerande skikt däremellan, och ytterligare kännetecknad av: en via (35, 36) i ett första yttre skikt vilken via innefattar en isolerad (36) ledande genomföring (35) genom skiktet; en elektriskt ledande plugg (37) som sträcker sig genom de övriga skikten och in i vian (35, 36) i det första yttre skiktet för att tillhandahålla led- ningsförmåga genom skikten; och en isolerande inneslutning (38) som omger nämnda ledande plugg i åtminstone ett valt skikt av nämnda övriga skikt för att isolera pluggen från ma- terialet i det valda skiktet, och där pluggen (37) är oisolerad från omgivande skivmaterial i åtmin- stone ett övrigt skikt.

2. Struktur enligt krav 1, där den ledande pluggen (37) är av metall eller polyki- sel eller dopat kisel, företrädesvis polykisel.

3. Struktur enligt krav 1, där antalet skikt är tre.

4. Struktur enligt krav 1, där den isolerande inneslutningen (38) innefattar iso- lerande spår som bildar routing-kanaler (39) inuti ett skikt, så att vian (35, 36) år lokaliserad vid en punkt på skivan och signaler kan routas till en annan punkt i skiktet (Fig. 3e).

5. Struktur enligt krav 1, innefattande en kavitet i något av skikten.

6. Metod för att tillverka en struktur enligt krav 1, innefattande stegen att tillhandahålla en första SOl-skiva som har en viastruktur i bä- rarlagret och som sträcker sig genom detta och in i det begravda oxídskiktet; att tillhandahålla en andra SOI-skiva; att bonda samman SOI-skivorna; 10 15 20 25 30 533 992 14 att avlägsna den andra SOl-skivans bårarlager; att skapa en isolerande struktur i form av ett spår som löper i en sluten slinga i en av de två SOI-skivomas komponentlager, och som åtminstone delvis överlappar viastnikturen då. SOI-skivorna bondats samman; att göra ett häl genom de sammanbondade SOI-skivomas kompo- nentlager, vilket hål sträcker sig ned i viastrukturen; och att fylla hålet med ledande material, företrädesvis polykisel, till åstadkommande av elektrisk förbindelse.

7. Metod enligt krav 6, där spåret åtminstone delvis fylls med isolerande materi- al.

8. Anordning innefattande åtminstone en mikrospegelstruktur anordnad på ett substrat och innefattande åtminstone en spegel, vilken spegel år upphångd i en kavitet och är fast anordnad i en ände och kan böjas av i den andra änden, och åtminstone en elektrostatisk elektrod för varje spegel för att åstadkomma avböj- ning av spegeln/ speglarna, där elektroderna är kopplade till viastrukturer som sträcker sig genom substratet, varvid kopplingen mellan elektroder och via- strukturer sker medelst en i skikt uppbyggd mikro-elektrisk/ mekanisk struktur enligt krav 5.

9. Anordning enligt krav 8, där spegeln är upphängd i kaviteten medelst ett för- sta par torsionselement (52).

10. Anordning enligt krav 8, där torsionselementen är anordnade i motstående positioner på spegeln.

11. 1 1. Anordning enligt krav 10, där spegeln är upphängd i en ram (54).

12. Anordning enligt krav 1 1, där ramen (54) är upphängd i kaviteten medelst ett andra par torsionselement (56) anordnade vinkelrätt mot det första paret torsionselement (52).