RU99115169A - Несущий элемент для полупроводникового кристалла, предназначенный для встраивания в карточку с интегральными схемами - Google Patents

Несущий элемент для полупроводникового кристалла, предназначенный для встраивания в карточку с интегральными схемами

Info

Publication number
RU99115169A
RU99115169A RU99115169/09A RU99115169A RU99115169A RU 99115169 A RU99115169 A RU 99115169A RU 99115169/09 A RU99115169/09 A RU 99115169/09A RU 99115169 A RU99115169 A RU 99115169A RU 99115169 A RU99115169 A RU 99115169A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
element according
terminals
bearing element
semiconductor crystal
coating mass
Prior art date
Application number
RU99115169/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2216042C2 (ru
Inventor
Франк ПЮШНЕР
Юрген ФИШЕР
Йозеф Хайтцер
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19745648A external-priority patent/DE19745648A1/de
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Publication of RU99115169A publication Critical patent/RU99115169A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2216042C2 publication Critical patent/RU2216042C2/ru

Links

Claims (12)

1. Несущий элемент для полупроводникового кристалла (2) по меньшей мере с двумя выводами (1), преимущественно для встраивания в карточку с интегральными схемами (11), в котором упомянутый элемент содержит массу покрытия (5), окружающую и защищающую полупроводниковый кристалл (2), упомянутые выводы (1) выполнены из проводящего материала и имеют обращенные друг к другу концы (1а) уменьшенной толщины, причем в сечении только с одной стороны образуется ступенька, полупроводниковый кристалл (2) размещен на выводах (1) в области указанного участка уменьшенной толщины (1а) и механически связан с ними, отличающийся тем, что выводы (1) размещены на одной из главных поверхностей массы покрытия (5) вдоль только двух противоположных краев, концы выводов с уменьшенной толщиной (1а) выполнены посредством штамповки.
2. Несущий элемент по п.1, отличающийся тем, что свободно лежащая поверхность выводов располагается на одной линии с поверхностью массы покрытия (5).
3. Несущий элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что выводы (1) проходят только в области массы покрытия (5) и там образуют контактные площадки.
4. Несущий элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что выводы (1) выступают над краем массы покрытия (5) и образуют контактные лепестки.
5. Несущий элемент по п.4, отличающийся тем, что контактные лепестки (1) имеют расширенный конец (1b).
6. Несущий элемент по любому из пп.1 - 5, отличающийся тем, что полупроводниковый кристалл (2) своей стороной со структурами схем обращен к выводам (1) и размещен на выводах.
7. Несущий элемент по п. 6, отличающийся тем, что полупроводниковый кристалл (2) размещен на стороне выводов (1), имеющей в сечении ступеньку.
8. Несущий элемент по п.7, отличающийся тем, что механические соединения действуют также в качестве электрических соединений (6).
9. Несущий элемент по п.7, отличающийся тем, что электрические соединения выполнены посредством припаиваемых проволочных выводов (4).
10. Несущий элемент по любому из пп.1 - 5, отличающийся тем, что полупроводниковый кристалл (2) своей стороной со структурами схем ориентирован в сторону от выводов (1) и размещен на стороне выводов (1), имеющей в сечении ступеньку, причем электрические соединения выполнены посредством припаиваемых проволочных выводов (4).
11. Несущий элемент по любому из пп.1 - 10, отличающийся тем, что выводы изогнуты по отношению к полупроводниковому кристаллу (2) примерно под прямым углом.
12. Несущий элемент по п.11, отличающийся тем, что выводы имеют дополнительный изгиб примерно под прямым углом в сторону от полупроводникового кристалла (2).
RU99115169/09A 1997-10-15 1998-09-17 Несущий элемент для полупроводникового кристалла, предназначенный для встраивания в карточку с интегральными схемами RU2216042C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19745648A DE19745648A1 (de) 1997-10-15 1997-10-15 Trägerelement für einen Halbleiterchip zum Einbau in Chipkarten
DE19745648.0 1997-10-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99115169A true RU99115169A (ru) 2001-05-10
RU2216042C2 RU2216042C2 (ru) 2003-11-10

Family

ID=7845667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99115169/09A RU2216042C2 (ru) 1997-10-15 1998-09-17 Несущий элемент для полупроводникового кристалла, предназначенный для встраивания в карточку с интегральными схемами

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6719205B1 (ru)
EP (1) EP0951692A1 (ru)
JP (1) JP3839063B2 (ru)
KR (1) KR20000069487A (ru)
CN (1) CN1122942C (ru)
BR (1) BR9806706A (ru)
DE (1) DE19745648A1 (ru)
RU (1) RU2216042C2 (ru)
UA (1) UA46136C2 (ru)
WO (1) WO1999019832A1 (ru)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19918852C1 (de) * 1999-04-26 2000-09-28 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit Flip-Chip und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19940564C2 (de) 1999-08-26 2002-03-21 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul und diesen umfassende Chipkarte, sowie Verfahren zur Herstellung des Chipkartenmoduls
DE19955537B4 (de) * 1999-11-18 2006-04-13 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Trägerelementes für einen IC-Baustein
DE60144452D1 (de) * 2000-02-22 2011-05-26 Toray Eng Co Ltd Verfahren zur Herstellung einer kontaktlosen ID Karte
SG106050A1 (en) * 2000-03-13 2004-09-30 Megic Corp Method of manufacture and identification of semiconductor chip marked for identification with internal marking indicia and protection thereof by non-black layer and device produced thereby
US6606247B2 (en) 2001-05-31 2003-08-12 Alien Technology Corporation Multi-feature-size electronic structures
US7253735B2 (en) 2003-03-24 2007-08-07 Alien Technology Corporation RFID tags and processes for producing RFID tags
FR2857483B1 (fr) * 2003-07-11 2005-10-07 Oberthur Card Syst Sa Carte a puce anti-intrusion
FR2869706B1 (fr) * 2004-04-29 2006-07-28 Oberthur Card Syst Sa Entite electronique securisee, telle qu'un passeport.
WO2006003548A2 (en) * 2004-06-30 2006-01-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Chip card for insertion into a holder
KR20070050428A (ko) * 2004-07-29 2007-05-15 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 모듈 베이스 유닛, 모듈, 및 데이터 캐리어
KR101038493B1 (ko) * 2004-11-12 2011-06-01 삼성테크윈 주식회사 극초단파용 라디오 주파수 인식태그 제조방법
US7688206B2 (en) 2004-11-22 2010-03-30 Alien Technology Corporation Radio frequency identification (RFID) tag for an item having a conductive layer included or attached
FR2888371B1 (fr) * 2005-07-06 2007-10-05 Oberthur Card Syst Sa Support de donnees pliable a puce sans contact tel qu'un passeport
US8608080B2 (en) 2006-09-26 2013-12-17 Feinics Amatech Teoranta Inlays for security documents
DE602007012125D1 (de) * 2006-09-26 2011-03-03 Feinics Amatech Teoranta Verfahren für den anschluss einer antenne an einen transponderchip und entsprechendes einlagensubstrat
US7707706B2 (en) * 2007-06-29 2010-05-04 Ruhlamat Gmbh Method and arrangement for producing a smart card
DE102008016274A1 (de) * 2008-03-28 2009-10-01 Smartrac Ip B.V. Chipträger für ein Transpondermodul sowie Transpondermodul
DE102010041917B4 (de) * 2010-10-04 2014-01-23 Smartrac Ip B.V. Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
CN114823550B (zh) * 2022-06-27 2022-11-11 北京升宇科技有限公司 一种适于批量生产的芯片封装结构及封装方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3019207A1 (de) * 1980-05-20 1981-11-26 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Traegerelement fuer einen ic-chip
DE3123198C2 (de) * 1980-12-08 1993-10-07 Gao Ges Automation Org Trägerelemente für einen IC-Baustein
DE3248385A1 (de) * 1982-12-28 1984-06-28 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Ausweiskarte mit integriertem schaltkreis
JPH02303056A (ja) * 1989-05-17 1990-12-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路の製造方法
FR2659157B2 (fr) 1989-05-26 1994-09-30 Lemaire Gerard Procede de fabrication d'une carte dite carte a puce, et carte obtenue par ce procede.
JPH04148999A (ja) * 1990-10-12 1992-05-21 Dainippon Printing Co Ltd Icカード
US5172214A (en) * 1991-02-06 1992-12-15 Motorola, Inc. Leadless semiconductor device and method for making the same
KR930014916A (ko) * 1991-12-24 1993-07-23 김광호 반도체 패키지
DE19527359A1 (de) * 1995-07-26 1997-02-13 Giesecke & Devrient Gmbh Schaltungseinheit und Verfahren zur Herstellung einer Schaltungseinheit
DE19532755C1 (de) * 1995-09-05 1997-02-20 Siemens Ag Chipmodul, insbesondere für den Einbau in Chipkarten, und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Chipmoduls
FR2741191B1 (fr) * 1995-11-14 1998-01-09 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication d'un micromodule, notamment pour cartes a puces
KR0179925B1 (ko) * 1996-06-14 1999-03-20 문정환 리드프레임 및 그를 이용한 버텀 리드 반도체 패키지
DE29621837U1 (de) * 1996-12-16 1997-02-27 Siemens Ag Trägerelement für Halbleiterchips
US6049463A (en) * 1997-07-25 2000-04-11 Motorola, Inc. Microelectronic assembly including an antenna element embedded within a polymeric card, and method for forming same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU99115169A (ru) Несущий элемент для полупроводникового кристалла, предназначенный для встраивания в карточку с интегральными схемами
ES2125649T3 (es) Elemento de soporte para circuito integrado.
RU97105188A (ru) Несущий элемент
KR930024145A (ko) 적층된 다중칩 모듈 및 그의 제조방법
ATE342582T1 (de) Mikroelektronische montage mit mehrfachen leiterverformungen
RU2152667C1 (ru) Радиатор
KR920001701A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
RU98122611A (ru) Несущий элемент для полупроводниковой микросхемы
KR920010853A (ko) 수지봉지형 반도체장치
EP1005086A3 (en) Metal foil having bumps, circuit substrate having the metal foil, and semiconductor device having the circuit substrate
KR950024311A (ko) 얇은 회로기판과 반도체 장치가 접합되어 있는 열전도성 지지부재를 갖춘 전자 패키지
KR970067810A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR830004676A (ko) 회로 패키지들의 제조방법
KR870011692A (ko) 반도체 장치 패키지
KR970013236A (ko) 금속 회로 기판을 갖는 칩 스케일 패키지
KR930009047A (ko) 개량된 리드를 갖는 반도체장치
RU99108432A (ru) Модуль микросхемы и способ изготовления модуля микросхемы
ATE222387T1 (de) Chipkartenmodul und diesen umfassende chipkarte
KR980006184A (ko) 반도체 집적회로장치
BR9709319A (pt) Elemento de substrato para um chip semicondutor
RU97105179A (ru) Схема с модулем микросхемной карты и связанной с ним катушкой
KR910007096A (ko) Tab 테이프와 반도체 칩을 접속하는 방법 및 그것에 사용하는 범프시이트와 범프부착 tab 테이프
KR970023907A (ko) 반도체 장치
KR930024140A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
EP0987749A3 (en) Semiconductor device, electrode structure therefore, and production thereof