RU98105343A - Способ производства кремния для использования в солнечных элементах - Google Patents

Способ производства кремния для использования в солнечных элементах

Info

Publication number
RU98105343A
RU98105343A RU98105343/12A RU98105343A RU98105343A RU 98105343 A RU98105343 A RU 98105343A RU 98105343/12 A RU98105343/12 A RU 98105343/12A RU 98105343 A RU98105343 A RU 98105343A RU 98105343 A RU98105343 A RU 98105343A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
metallurgical grade
liquid
cut
crushed
Prior art date
Application number
RU98105343/12A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2154606C2 (ru
Inventor
Баба Хироюки
Абе Масамити
Ханазава Казухиро
Накамура Наомити
Юге Нориеси
Сакагути Ясухико
Като Есией
Фудзии Тетсуя
Original Assignee
Кавасаки Стил Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP7487697A external-priority patent/JPH10265214A/ja
Priority claimed from JP9313291A external-priority patent/JPH10324515A/ja
Priority claimed from JP9313289A external-priority patent/JPH10324514A/ja
Application filed by Кавасаки Стил Корпорейшн filed Critical Кавасаки Стил Корпорейшн
Publication of RU98105343A publication Critical patent/RU98105343A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2154606C2 publication Critical patent/RU2154606C2/ru

Links

Claims (19)

1. Способ производства кремния для использования в солнечных элементах, отличающийся тем, что содержит следующие стадии:
а/ восстанавливают расплавленную окись кремния углеродом для обеспечения образования расплавленного кремния металлургического сорта,
б/ заливают и дают затвердеть расплавленному кремнию металлургического сорта в форме,
в/ расплавляют кремний металлургического сорта,
г/ рафинируют расплавленный кремний металлургического сорта и
д/ очищают рафинированный кремний металлургического сорта посредством единственной стадии очистки затвердеванием.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный расплавленный кремний металлургического сорта вводят в форму, образуя жидкость, имеющую поверхность жидкости, а указанная форма имеет отношение высота-площадь определяемое по существу уравнением
H/(S/π)1/2≥ 0,4,
где H - высота поверхности и S - средняя площадь поперечного сечения формы, и тем, что введенный расплавленный кремний металлургического сорта постепенно охлаждают до твердого состояния, в то время как нагревая указанную поверхность жидкости или теплоизолируя указанную поверхность жидкости для замедления затвердевания с целью образования затвердевшего, грубо очищенного кремния металлургического сорта.
3. Способ производства кремния по п.2, отличающийся тем, что форму подогревают от около 700 до 1100oC перед введением указанного жидкого кремния металлургического сорта.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что измеряют толщину слоя жидкого кремния металлургического сорта во время затвердевания и сливают жидкий кремний из формы, когда измеренная величина достигает заданной величины.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что измеряют толщину слоя жидкого кремния металлургического сорта во время затвердевания кремния металлургического сорта и сливают жидкий кремний из формы, когда измеренная величина достигает заданной величины.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что толщину слоя жидкого кремния металлургического сорта измеряют ультразвуковым глубиномером.
7. Способ по п.5, отличающийся тем, что толщину слоя жидкого кремния металлургического сорта измеряют ультразвуковым глубиномером.
8. Способ по п.1, кроме того, содержащий стадии:
а/ удаляют P из кремния металлургического сорта плавлением указанного кремния в сосуде при давлении ниже атмосферного,
б/ удаляют B и C из кремния металлургического сорта введением в сосуд кислого газа и инертного газа, тем самым образуя газовую смесь, и контактируют газовую смесь с жидкостью, в то время как поддерживая кремний в жидком состоянии,
в/ удаляют O последующим раскислением,
г/ отливают жидкий кремний в затвердевший пруток, и
д/ очищают затвердевший кремниевый пруток посредством зонной плавки для удаления Fe, Al, Ti и Ca.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что предусмотрены стадии:
а/ расплавляют кремний металлургического сорта и удаляют P из него при давлении ниже атмосферного, при поддержании кремния в жидком состоянии,
б/ удаляют B и C окислительным рафинированием в атмосфере инертного газа или при давлении ниже атмосферного, и г/ отливают жидкий кремний в пруток.
10. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что стадия отливки прутка из жидкого кремния включает непрерывное литье в электромагнитную форму.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что затвердевший кремний содержит низкокачественную часть с более высокой концентрацией примесей, чем сравнимая высококачественная часть, содержащий стадии:
а/ отрезают низкокачественную часть от высококачественной части с образованием отрезанной части,
б/ дробят отрезанную часть с получением дробленного кремния,
в/ удаляют примеси посредством выщелачивания примесей кислым раствором из дробленного кремния, и
г/ возвращают в процесс на повторную переработку отрезанную часть в качестве кремния металлургического сорта.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что отрезанную часть дробят в зерна с максимальным диаметром около 5 мм.
13. Способ производства кремния для использования в солнечных элементах по п.11, отличающийся тем, что в качестве кислого раствора используют раствор из смеси фтористоводородной кислоты и азотной кислоты.
14. Способ по п.2, отличающийся тем, что затвердевший кремний содержит низкокачественную часть с более высокой концентрацией примесей, чем сравнимая высококачественная часть, содержащий стадии:
а/ отрезают низкокачественную часть от высококачественной части, с образованием отрезанной части.
б/ дробят отрезанную часть с получением дробленного кремния,
в/ удаляют примеси посредством выщелачивания примесей кислым раствором из дробленного кремния, и
г/ возвращают в процесс на повторную переработку отрезанную часть в качестве кремния металлургического сорта.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что отрезанную часть дробят в зерна с максимальным диаметром около 5 мм.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что в качестве кислого раствора используют раствор из смеси фтористоводородной кислоты и азотной кислоты.
17. Способ по п.8, отличающийся тем, что затвердевший кремний содержит низкокачественную часть с более высокой концентрацией примесей, чем сравнимая высококачественная часть, содержащий стадии:
а/ отрезают низкокачественную часть от высококачественной части, с образованием отрезанной части.
б/ дробят отрезанную часть с получением дробленного кремния,
в/ удаляют примеси посредством выщелачивания примесей кислым раствором из дробленного кремния, и
г/ возвращают в процесс на повторную переработку отрезанную часть в качестве кремния металлургического сорта.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что отрезанную часть дробят в зерна с максимальным диаметром около 5 мм.
19. Способ по п.17, отличающийся тем, что в качестве кислого раствора используют раствор из смеси фтористоводородной кислоты и азотной кислоты.
RU98105343/12A 1997-03-24 1998-03-23 Способ производства кремния для использования в солнечных элементах RU2154606C2 (ru)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-069589 1997-03-24
JP6958997 1997-03-24
JP9-071546 1997-03-25
JP7154697 1997-03-25
JP9-074876 1997-03-27
JP7487697A JPH10265214A (ja) 1997-03-27 1997-03-27 シリコンの精製方法
JP9-313289 1997-11-14
JP9313291A JPH10324515A (ja) 1997-03-24 1997-11-14 太陽電池用シリコンの製造方法
JP9-313291 1997-11-14
JP9313289A JPH10324514A (ja) 1997-03-25 1997-11-14 金属シリコンの再利用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98105343A true RU98105343A (ru) 2000-02-20
RU2154606C2 RU2154606C2 (ru) 2000-08-20

Family

ID=27524195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98105343/12A RU2154606C2 (ru) 1997-03-24 1998-03-23 Способ производства кремния для использования в солнечных элементах

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6090361A (ru)
EP (1) EP0867405B1 (ru)
CN (1) CN1119281C (ru)
BR (1) BR9800953A (ru)
CA (1) CA2232777C (ru)
NO (1) NO981311L (ru)
RU (1) RU2154606C2 (ru)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3885452B2 (ja) * 1999-04-30 2007-02-21 三菱マテリアル株式会社 結晶シリコンの製造方法
DE19962136A1 (de) * 1999-12-22 2001-06-28 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Rauhätzung von Siliziumsolarzellen
WO2002016265A1 (en) 2000-08-21 2002-02-28 Astropower, Inc. Method and apparatus for purifying silicon
US6994835B2 (en) * 2000-12-28 2006-02-07 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Silicon continuous casting method
FR2827592B1 (fr) * 2001-07-23 2003-08-22 Invensil Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration
FR2831881B1 (fr) * 2001-11-02 2004-01-16 Hubert Lauvray Procede de purification de silicium metallurgique par plasma inductif couple a une solidification directionnelle et obtention directe de silicium de qualite solaire
WO2004030044A2 (en) * 2002-09-27 2004-04-08 Astropower, Inc. Methods and systems for purifying elements
JP2004140120A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Canon Inc 多結晶シリコン基板
CN100457615C (zh) * 2003-12-04 2009-02-04 陶氏康宁公司 从冶金级硅中去除杂质以制得太阳能级硅的方法
US7638108B2 (en) * 2004-04-13 2009-12-29 Si Options, Llc High purity silicon-containing products
US8470279B2 (en) * 2004-04-13 2013-06-25 Si Options, Llc High purity silicon-containing products and method of manufacture
US7588745B2 (en) * 2004-04-13 2009-09-15 Si Options, Llc Silicon-containing products
JP2005343780A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Iis Materials:Kk スクラップシリコンのリサイクル方法
US20060051670A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Non-aqueous electrolyte secondary cell negative electrode material and metallic silicon power therefor
NO322246B1 (no) * 2004-12-27 2006-09-04 Elkem Solar As Fremgangsmate for fremstilling av rettet storknede silisiumingots
JP4689373B2 (ja) * 2005-07-04 2011-05-25 シャープ株式会社 シリコンの再利用方法
MX2008011655A (es) * 2006-03-15 2009-01-14 Resc Invest Llc Metodo para hacer silicio para celdas solares y otras aplicaciones.
US7682585B2 (en) 2006-04-25 2010-03-23 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Silicon refining process
CN101085678B (zh) * 2006-06-09 2010-11-10 贵阳宝源阳光硅业有限公司 太阳能级硅的制备方法
WO2008026728A1 (fr) * 2006-08-31 2008-03-06 Mitsubishi Materials Corporation Silicium métallique et son procédé de fabrication
CN101511731B (zh) * 2006-09-14 2012-02-22 希利贝坎库公司 用于提纯低级硅材料的方法和装置
CN101307487B (zh) * 2007-05-16 2010-05-19 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 一种连续生产多晶硅锭的定向凝固方法及其装置
CN100595352C (zh) * 2007-07-17 2010-03-24 佳科太阳能硅(龙岩)有限公司 太阳能级多晶硅大锭的制备方法
US7955433B2 (en) 2007-07-26 2011-06-07 Calisolar, Inc. Method and system for forming a silicon ingot using a low-grade silicon feedstock
ES2530720T3 (es) * 2007-09-13 2015-03-04 Silicio Ferrosolar S L U Proceso para la producción de silicio de pureza media y elevada a partir de silicio de calidad metalúrgica
DE102007050010A1 (de) * 2007-10-17 2009-06-25 Jan-Philipp Mai Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silizium
CN101477949A (zh) * 2008-01-04 2009-07-08 陈科 硅片和其制造方法及装置
US20100055020A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Bp Corporation North America Inc Apparatus and Method for a Crucible Design and Tipping Mechanism for Silicon Casting
US20120164054A1 (en) * 2009-01-08 2012-06-28 Bp Corporation North America Inc. Impurity Reducing Process and Purified Material
US7888158B1 (en) * 2009-07-21 2011-02-15 Sears Jr James B System and method for making a photovoltaic unit
TWI393805B (zh) 2009-11-16 2013-04-21 Masahiro Hoshino Purification method of metallurgical silicon
CA2779659C (en) * 2009-11-20 2020-05-05 Kyojiro Kaneko Silicon electromagnetic casting apparatus
TWI397617B (zh) 2010-02-12 2013-06-01 Masahiro Hoshino Metal silicon purification device
KR101180353B1 (ko) * 2010-07-01 2012-09-06 연세대학교 산학협력단 태양전지용 실리콘제조를 위한 acid leaching을 이용한 MG-Si중 불순물의 정련방법
TWI403461B (zh) 2010-07-21 2013-08-01 Masahiro Hoshino Method and apparatus for improving yield and yield of metallurgical silicon
BRPI1003984A2 (pt) * 2010-12-01 2012-07-17 Barra Do Guaicui S A processo para produção de silìcio metálico grau metalúrgico de elevada pureza a partir da purificação com metais e outros compostos, seguida de lixiviação
RU2465200C1 (ru) * 2011-02-14 2012-10-27 Общество с ограниченной ответственностью "ЭНЕРГИЯ" Способ рафинирования металлургического кремния
RU2465201C1 (ru) * 2011-02-14 2012-10-27 Общество с ограниченной ответственностью "ЭНЕРГИЯ" Способ получения слитков поликристаллического кремния
EP2530187A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-05 Evonik Solar Norge AS Refining of silicon by directional solidification in an oxygen-containing atmosphere
TWI499558B (zh) * 2012-08-31 2015-09-11 Silicor Materials Inc 在定向凝固期間以反應蓋玻璃覆蓋熔融矽
CN103266349B (zh) * 2013-05-31 2015-07-15 大连理工大学 高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备
EP3434646A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-30 Total Solar International Method for recycling sub-micron si-particles from a si wafer production process
RU2707053C1 (ru) * 2018-12-25 2019-11-21 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" Способ очистки металлургического кремния от углерода

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2430917A1 (fr) * 1978-07-11 1980-02-08 Comp Generale Electricite Procede et dispositif d'elaboration de silicium polycristallin
IT1100218B (it) * 1978-11-09 1985-09-28 Montedison Spa Procedimento per la purificazione di silicio
US4247528A (en) * 1979-04-11 1981-01-27 Dow Corning Corporation Method for producing solar-cell-grade silicon
DE2933164A1 (de) * 1979-08-16 1981-02-26 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zum reinigen von rohsilicium
CA1147698A (en) * 1980-10-15 1983-06-07 Maher I. Boulos Purification of metallurgical grade silicon
DE3220241A1 (de) * 1982-05-28 1983-12-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen polykristalliner, fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe
DE3241366A1 (de) * 1982-11-09 1984-05-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von fuer halbleiterbauelemente, insbesondere solarzellen, verwendbarem silicium
DE3403131A1 (de) * 1984-01-30 1985-08-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum reinigen von im lichtbogenofen erzeugtem silicium
US4643833A (en) * 1984-05-04 1987-02-17 Siemens Aktiengesellschaft Method for separating solid reaction products from silicon produced in an arc furnace
DE3611950A1 (de) * 1986-04-09 1987-10-22 Siemens Ag Verfahren zum abtrennen von festen raktionsprodukten, wie kohlenstoff, aus carbothermisch erzeugtem silizium
JPH0320422A (ja) * 1989-06-19 1991-01-29 Nippon Sheet Glass Co Ltd 凝固精製方法及び凝固精製装置
JP3005633B2 (ja) * 1991-05-16 2000-01-31 株式会社住友シチックス尼崎 太陽電池用多結晶シリコン鋳塊の製造方法
JPH05270814A (ja) * 1992-03-23 1993-10-19 Kawasaki Steel Corp 太陽電池用シリコンの製造方法
JP2905353B2 (ja) * 1993-02-04 1999-06-14 川崎製鉄株式会社 金属シリコンの精製方法
JP3020422B2 (ja) 1994-12-22 2000-03-15 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU98105343A (ru) Способ производства кремния для использования в солнечных элементах
EP0867405B1 (en) Method for producing silicon for use in solar cells
JPH04130009A (ja) 高純度シリコン鋳塊の製造方法
TWI385284B (zh) 矽之純化方法
EP2480497B1 (en) Method for producing high purity silicon
JPWO2008149985A1 (ja) 金属珪素の凝固方法
JPH07206420A (ja) 高純度ケイ素の製造方法
US2240405A (en) Method of making cast metals
US1814584A (en) Method for purifying steel
JP4963271B2 (ja) シリコン溶融方法ならびにシリコン精製方法
JP3263104B2 (ja) 金属シリコンの精製方法
JP2000327488A (ja) 太陽電池用シリコン基板の製造方法
DE3220341A1 (de) Verfahren zum herstellen polykristalliner, fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe
JPH10324515A (ja) 太陽電池用シリコンの製造方法
JPH10265214A (ja) シリコンの精製方法
JPS61255757A (ja) 滴下式鋳造方法
JPH0132165B2 (ru)
SU1560570A1 (ru) Способ рафинировани ферросилици от алюмини
JPH10182286A (ja) シリコンの連続鋳造方法
JPH0696444B2 (ja) 高純度シリコンの製造方法
KR100197910B1 (ko) 전극 용해 주조시 불순물 제거 촉진 방법
SU1740115A1 (ru) Способ получени слитков спокойной стали
SU759210A1 (ru) Способ получения слитков 1
JPS5945068A (ja) 半連鋳鋳型造塊装置における冷却方法
RU2217515C1 (ru) Способ получения слитков из сплавов на основе тугоплавких металлов