RU98105343A - Способ производства кремния для использования в солнечных элементах - Google Patents
Способ производства кремния для использования в солнечных элементахInfo
- Publication number
- RU98105343A RU98105343A RU98105343/12A RU98105343A RU98105343A RU 98105343 A RU98105343 A RU 98105343A RU 98105343/12 A RU98105343/12 A RU 98105343/12A RU 98105343 A RU98105343 A RU 98105343A RU 98105343 A RU98105343 A RU 98105343A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- metallurgical grade
- liquid
- cut
- crushed
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 41
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 4
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 claims 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims 1
Claims (19)
1. Способ производства кремния для использования в солнечных элементах, отличающийся тем, что содержит следующие стадии:
а/ восстанавливают расплавленную окись кремния углеродом для обеспечения образования расплавленного кремния металлургического сорта,
б/ заливают и дают затвердеть расплавленному кремнию металлургического сорта в форме,
в/ расплавляют кремний металлургического сорта,
г/ рафинируют расплавленный кремний металлургического сорта и
д/ очищают рафинированный кремний металлургического сорта посредством единственной стадии очистки затвердеванием.
а/ восстанавливают расплавленную окись кремния углеродом для обеспечения образования расплавленного кремния металлургического сорта,
б/ заливают и дают затвердеть расплавленному кремнию металлургического сорта в форме,
в/ расплавляют кремний металлургического сорта,
г/ рафинируют расплавленный кремний металлургического сорта и
д/ очищают рафинированный кремний металлургического сорта посредством единственной стадии очистки затвердеванием.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный расплавленный кремний металлургического сорта вводят в форму, образуя жидкость, имеющую поверхность жидкости, а указанная форма имеет отношение высота-площадь определяемое по существу уравнением
H/(S/π)1/2≥ 0,4,
где H - высота поверхности и S - средняя площадь поперечного сечения формы, и тем, что введенный расплавленный кремний металлургического сорта постепенно охлаждают до твердого состояния, в то время как нагревая указанную поверхность жидкости или теплоизолируя указанную поверхность жидкости для замедления затвердевания с целью образования затвердевшего, грубо очищенного кремния металлургического сорта.
H/(S/π)1/2≥ 0,4,
где H - высота поверхности и S - средняя площадь поперечного сечения формы, и тем, что введенный расплавленный кремний металлургического сорта постепенно охлаждают до твердого состояния, в то время как нагревая указанную поверхность жидкости или теплоизолируя указанную поверхность жидкости для замедления затвердевания с целью образования затвердевшего, грубо очищенного кремния металлургического сорта.
3. Способ производства кремния по п.2, отличающийся тем, что форму подогревают от около 700 до 1100oC перед введением указанного жидкого кремния металлургического сорта.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что измеряют толщину слоя жидкого кремния металлургического сорта во время затвердевания и сливают жидкий кремний из формы, когда измеренная величина достигает заданной величины.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что измеряют толщину слоя жидкого кремния металлургического сорта во время затвердевания кремния металлургического сорта и сливают жидкий кремний из формы, когда измеренная величина достигает заданной величины.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что толщину слоя жидкого кремния металлургического сорта измеряют ультразвуковым глубиномером.
7. Способ по п.5, отличающийся тем, что толщину слоя жидкого кремния металлургического сорта измеряют ультразвуковым глубиномером.
8. Способ по п.1, кроме того, содержащий стадии:
а/ удаляют P из кремния металлургического сорта плавлением указанного кремния в сосуде при давлении ниже атмосферного,
б/ удаляют B и C из кремния металлургического сорта введением в сосуд кислого газа и инертного газа, тем самым образуя газовую смесь, и контактируют газовую смесь с жидкостью, в то время как поддерживая кремний в жидком состоянии,
в/ удаляют O последующим раскислением,
г/ отливают жидкий кремний в затвердевший пруток, и
д/ очищают затвердевший кремниевый пруток посредством зонной плавки для удаления Fe, Al, Ti и Ca.
а/ удаляют P из кремния металлургического сорта плавлением указанного кремния в сосуде при давлении ниже атмосферного,
б/ удаляют B и C из кремния металлургического сорта введением в сосуд кислого газа и инертного газа, тем самым образуя газовую смесь, и контактируют газовую смесь с жидкостью, в то время как поддерживая кремний в жидком состоянии,
в/ удаляют O последующим раскислением,
г/ отливают жидкий кремний в затвердевший пруток, и
д/ очищают затвердевший кремниевый пруток посредством зонной плавки для удаления Fe, Al, Ti и Ca.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что предусмотрены стадии:
а/ расплавляют кремний металлургического сорта и удаляют P из него при давлении ниже атмосферного, при поддержании кремния в жидком состоянии,
б/ удаляют B и C окислительным рафинированием в атмосфере инертного газа или при давлении ниже атмосферного, и г/ отливают жидкий кремний в пруток.
а/ расплавляют кремний металлургического сорта и удаляют P из него при давлении ниже атмосферного, при поддержании кремния в жидком состоянии,
б/ удаляют B и C окислительным рафинированием в атмосфере инертного газа или при давлении ниже атмосферного, и г/ отливают жидкий кремний в пруток.
10. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что стадия отливки прутка из жидкого кремния включает непрерывное литье в электромагнитную форму.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что затвердевший кремний содержит низкокачественную часть с более высокой концентрацией примесей, чем сравнимая высококачественная часть, содержащий стадии:
а/ отрезают низкокачественную часть от высококачественной части с образованием отрезанной части,
б/ дробят отрезанную часть с получением дробленного кремния,
в/ удаляют примеси посредством выщелачивания примесей кислым раствором из дробленного кремния, и
г/ возвращают в процесс на повторную переработку отрезанную часть в качестве кремния металлургического сорта.
а/ отрезают низкокачественную часть от высококачественной части с образованием отрезанной части,
б/ дробят отрезанную часть с получением дробленного кремния,
в/ удаляют примеси посредством выщелачивания примесей кислым раствором из дробленного кремния, и
г/ возвращают в процесс на повторную переработку отрезанную часть в качестве кремния металлургического сорта.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что отрезанную часть дробят в зерна с максимальным диаметром около 5 мм.
13. Способ производства кремния для использования в солнечных элементах по п.11, отличающийся тем, что в качестве кислого раствора используют раствор из смеси фтористоводородной кислоты и азотной кислоты.
14. Способ по п.2, отличающийся тем, что затвердевший кремний содержит низкокачественную часть с более высокой концентрацией примесей, чем сравнимая высококачественная часть, содержащий стадии:
а/ отрезают низкокачественную часть от высококачественной части, с образованием отрезанной части.
а/ отрезают низкокачественную часть от высококачественной части, с образованием отрезанной части.
б/ дробят отрезанную часть с получением дробленного кремния,
в/ удаляют примеси посредством выщелачивания примесей кислым раствором из дробленного кремния, и
г/ возвращают в процесс на повторную переработку отрезанную часть в качестве кремния металлургического сорта.
в/ удаляют примеси посредством выщелачивания примесей кислым раствором из дробленного кремния, и
г/ возвращают в процесс на повторную переработку отрезанную часть в качестве кремния металлургического сорта.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что отрезанную часть дробят в зерна с максимальным диаметром около 5 мм.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что в качестве кислого раствора используют раствор из смеси фтористоводородной кислоты и азотной кислоты.
17. Способ по п.8, отличающийся тем, что затвердевший кремний содержит низкокачественную часть с более высокой концентрацией примесей, чем сравнимая высококачественная часть, содержащий стадии:
а/ отрезают низкокачественную часть от высококачественной части, с образованием отрезанной части.
а/ отрезают низкокачественную часть от высококачественной части, с образованием отрезанной части.
б/ дробят отрезанную часть с получением дробленного кремния,
в/ удаляют примеси посредством выщелачивания примесей кислым раствором из дробленного кремния, и
г/ возвращают в процесс на повторную переработку отрезанную часть в качестве кремния металлургического сорта.
в/ удаляют примеси посредством выщелачивания примесей кислым раствором из дробленного кремния, и
г/ возвращают в процесс на повторную переработку отрезанную часть в качестве кремния металлургического сорта.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что отрезанную часть дробят в зерна с максимальным диаметром около 5 мм.
19. Способ по п.17, отличающийся тем, что в качестве кислого раствора используют раствор из смеси фтористоводородной кислоты и азотной кислоты.
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-069589 | 1997-03-24 | ||
JP6958997 | 1997-03-24 | ||
JP9-071546 | 1997-03-25 | ||
JP7154697 | 1997-03-25 | ||
JP9-074876 | 1997-03-27 | ||
JP7487697A JPH10265214A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | シリコンの精製方法 |
JP9-313289 | 1997-11-14 | ||
JP9313291A JPH10324515A (ja) | 1997-03-24 | 1997-11-14 | 太陽電池用シリコンの製造方法 |
JP9-313291 | 1997-11-14 | ||
JP9313289A JPH10324514A (ja) | 1997-03-25 | 1997-11-14 | 金属シリコンの再利用方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU98105343A true RU98105343A (ru) | 2000-02-20 |
RU2154606C2 RU2154606C2 (ru) | 2000-08-20 |
Family
ID=27524195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU98105343/12A RU2154606C2 (ru) | 1997-03-24 | 1998-03-23 | Способ производства кремния для использования в солнечных элементах |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6090361A (ru) |
EP (1) | EP0867405B1 (ru) |
CN (1) | CN1119281C (ru) |
BR (1) | BR9800953A (ru) |
CA (1) | CA2232777C (ru) |
NO (1) | NO981311L (ru) |
RU (1) | RU2154606C2 (ru) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3885452B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2007-02-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 結晶シリコンの製造方法 |
DE19962136A1 (de) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur Rauhätzung von Siliziumsolarzellen |
WO2002016265A1 (en) | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Astropower, Inc. | Method and apparatus for purifying silicon |
US6994835B2 (en) * | 2000-12-28 | 2006-02-07 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Silicon continuous casting method |
FR2827592B1 (fr) * | 2001-07-23 | 2003-08-22 | Invensil | Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration |
FR2831881B1 (fr) * | 2001-11-02 | 2004-01-16 | Hubert Lauvray | Procede de purification de silicium metallurgique par plasma inductif couple a une solidification directionnelle et obtention directe de silicium de qualite solaire |
WO2004030044A2 (en) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Astropower, Inc. | Methods and systems for purifying elements |
JP2004140120A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Canon Inc | 多結晶シリコン基板 |
CN100457615C (zh) * | 2003-12-04 | 2009-02-04 | 陶氏康宁公司 | 从冶金级硅中去除杂质以制得太阳能级硅的方法 |
US7638108B2 (en) * | 2004-04-13 | 2009-12-29 | Si Options, Llc | High purity silicon-containing products |
US8470279B2 (en) * | 2004-04-13 | 2013-06-25 | Si Options, Llc | High purity silicon-containing products and method of manufacture |
US7588745B2 (en) * | 2004-04-13 | 2009-09-15 | Si Options, Llc | Silicon-containing products |
JP2005343780A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Iis Materials:Kk | スクラップシリコンのリサイクル方法 |
US20060051670A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte secondary cell negative electrode material and metallic silicon power therefor |
NO322246B1 (no) * | 2004-12-27 | 2006-09-04 | Elkem Solar As | Fremgangsmate for fremstilling av rettet storknede silisiumingots |
JP4689373B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | シリコンの再利用方法 |
MX2008011655A (es) * | 2006-03-15 | 2009-01-14 | Resc Invest Llc | Metodo para hacer silicio para celdas solares y otras aplicaciones. |
US7682585B2 (en) | 2006-04-25 | 2010-03-23 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Silicon refining process |
CN101085678B (zh) * | 2006-06-09 | 2010-11-10 | 贵阳宝源阳光硅业有限公司 | 太阳能级硅的制备方法 |
WO2008026728A1 (fr) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicium métallique et son procédé de fabrication |
CN101511731B (zh) * | 2006-09-14 | 2012-02-22 | 希利贝坎库公司 | 用于提纯低级硅材料的方法和装置 |
CN101307487B (zh) * | 2007-05-16 | 2010-05-19 | 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 | 一种连续生产多晶硅锭的定向凝固方法及其装置 |
CN100595352C (zh) * | 2007-07-17 | 2010-03-24 | 佳科太阳能硅(龙岩)有限公司 | 太阳能级多晶硅大锭的制备方法 |
US7955433B2 (en) | 2007-07-26 | 2011-06-07 | Calisolar, Inc. | Method and system for forming a silicon ingot using a low-grade silicon feedstock |
ES2530720T3 (es) * | 2007-09-13 | 2015-03-04 | Silicio Ferrosolar S L U | Proceso para la producción de silicio de pureza media y elevada a partir de silicio de calidad metalúrgica |
DE102007050010A1 (de) * | 2007-10-17 | 2009-06-25 | Jan-Philipp Mai | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silizium |
CN101477949A (zh) * | 2008-01-04 | 2009-07-08 | 陈科 | 硅片和其制造方法及装置 |
US20100055020A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Bp Corporation North America Inc | Apparatus and Method for a Crucible Design and Tipping Mechanism for Silicon Casting |
US20120164054A1 (en) * | 2009-01-08 | 2012-06-28 | Bp Corporation North America Inc. | Impurity Reducing Process and Purified Material |
US7888158B1 (en) * | 2009-07-21 | 2011-02-15 | Sears Jr James B | System and method for making a photovoltaic unit |
TWI393805B (zh) | 2009-11-16 | 2013-04-21 | Masahiro Hoshino | Purification method of metallurgical silicon |
CA2779659C (en) * | 2009-11-20 | 2020-05-05 | Kyojiro Kaneko | Silicon electromagnetic casting apparatus |
TWI397617B (zh) | 2010-02-12 | 2013-06-01 | Masahiro Hoshino | Metal silicon purification device |
KR101180353B1 (ko) * | 2010-07-01 | 2012-09-06 | 연세대학교 산학협력단 | 태양전지용 실리콘제조를 위한 acid leaching을 이용한 MG-Si중 불순물의 정련방법 |
TWI403461B (zh) | 2010-07-21 | 2013-08-01 | Masahiro Hoshino | Method and apparatus for improving yield and yield of metallurgical silicon |
BRPI1003984A2 (pt) * | 2010-12-01 | 2012-07-17 | Barra Do Guaicui S A | processo para produção de silìcio metálico grau metalúrgico de elevada pureza a partir da purificação com metais e outros compostos, seguida de lixiviação |
RU2465200C1 (ru) * | 2011-02-14 | 2012-10-27 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭНЕРГИЯ" | Способ рафинирования металлургического кремния |
RU2465201C1 (ru) * | 2011-02-14 | 2012-10-27 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭНЕРГИЯ" | Способ получения слитков поликристаллического кремния |
EP2530187A1 (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-05 | Evonik Solar Norge AS | Refining of silicon by directional solidification in an oxygen-containing atmosphere |
TWI499558B (zh) * | 2012-08-31 | 2015-09-11 | Silicor Materials Inc | 在定向凝固期間以反應蓋玻璃覆蓋熔融矽 |
CN103266349B (zh) * | 2013-05-31 | 2015-07-15 | 大连理工大学 | 高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备 |
EP3434646A1 (en) * | 2017-07-25 | 2019-01-30 | Total Solar International | Method for recycling sub-micron si-particles from a si wafer production process |
RU2707053C1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-11-21 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Способ очистки металлургического кремния от углерода |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2430917A1 (fr) * | 1978-07-11 | 1980-02-08 | Comp Generale Electricite | Procede et dispositif d'elaboration de silicium polycristallin |
IT1100218B (it) * | 1978-11-09 | 1985-09-28 | Montedison Spa | Procedimento per la purificazione di silicio |
US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
DE2933164A1 (de) * | 1979-08-16 | 1981-02-26 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zum reinigen von rohsilicium |
CA1147698A (en) * | 1980-10-15 | 1983-06-07 | Maher I. Boulos | Purification of metallurgical grade silicon |
DE3220241A1 (de) * | 1982-05-28 | 1983-12-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen polykristalliner, fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe |
DE3241366A1 (de) * | 1982-11-09 | 1984-05-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von fuer halbleiterbauelemente, insbesondere solarzellen, verwendbarem silicium |
DE3403131A1 (de) * | 1984-01-30 | 1985-08-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum reinigen von im lichtbogenofen erzeugtem silicium |
US4643833A (en) * | 1984-05-04 | 1987-02-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for separating solid reaction products from silicon produced in an arc furnace |
DE3611950A1 (de) * | 1986-04-09 | 1987-10-22 | Siemens Ag | Verfahren zum abtrennen von festen raktionsprodukten, wie kohlenstoff, aus carbothermisch erzeugtem silizium |
JPH0320422A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 凝固精製方法及び凝固精製装置 |
JP3005633B2 (ja) * | 1991-05-16 | 2000-01-31 | 株式会社住友シチックス尼崎 | 太陽電池用多結晶シリコン鋳塊の製造方法 |
JPH05270814A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-19 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池用シリコンの製造方法 |
JP2905353B2 (ja) * | 1993-02-04 | 1999-06-14 | 川崎製鉄株式会社 | 金属シリコンの精製方法 |
JP3020422B2 (ja) | 1994-12-22 | 2000-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
1998
- 1998-03-20 CA CA002232777A patent/CA2232777C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-23 NO NO981311A patent/NO981311L/no not_active Application Discontinuation
- 1998-03-23 US US09/046,172 patent/US6090361A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-23 RU RU98105343/12A patent/RU2154606C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-03-24 BR BR9800953-2A patent/BR9800953A/pt not_active Application Discontinuation
- 1998-03-24 EP EP98105340A patent/EP0867405B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-24 CN CN98109237A patent/CN1119281C/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU98105343A (ru) | Способ производства кремния для использования в солнечных элементах | |
EP0867405B1 (en) | Method for producing silicon for use in solar cells | |
JPH04130009A (ja) | 高純度シリコン鋳塊の製造方法 | |
TWI385284B (zh) | 矽之純化方法 | |
EP2480497B1 (en) | Method for producing high purity silicon | |
JPWO2008149985A1 (ja) | 金属珪素の凝固方法 | |
JPH07206420A (ja) | 高純度ケイ素の製造方法 | |
US2240405A (en) | Method of making cast metals | |
US1814584A (en) | Method for purifying steel | |
JP4963271B2 (ja) | シリコン溶融方法ならびにシリコン精製方法 | |
JP3263104B2 (ja) | 金属シリコンの精製方法 | |
JP2000327488A (ja) | 太陽電池用シリコン基板の製造方法 | |
DE3220341A1 (de) | Verfahren zum herstellen polykristalliner, fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe | |
JPH10324515A (ja) | 太陽電池用シリコンの製造方法 | |
JPH10265214A (ja) | シリコンの精製方法 | |
JPS61255757A (ja) | 滴下式鋳造方法 | |
JPH0132165B2 (ru) | ||
SU1560570A1 (ru) | Способ рафинировани ферросилици от алюмини | |
JPH10182286A (ja) | シリコンの連続鋳造方法 | |
JPH0696444B2 (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
KR100197910B1 (ko) | 전극 용해 주조시 불순물 제거 촉진 방법 | |
SU1740115A1 (ru) | Способ получени слитков спокойной стали | |
SU759210A1 (ru) | Способ получения слитков 1 | |
JPS5945068A (ja) | 半連鋳鋳型造塊装置における冷却方法 | |
RU2217515C1 (ru) | Способ получения слитков из сплавов на основе тугоплавких металлов |