NO322246B1 - Fremgangsmate for fremstilling av rettet storknede silisiumingots - Google Patents
Fremgangsmate for fremstilling av rettet storknede silisiumingots Download PDFInfo
- Publication number
- NO322246B1 NO322246B1 NO20045665A NO20045665A NO322246B1 NO 322246 B1 NO322246 B1 NO 322246B1 NO 20045665 A NO20045665 A NO 20045665A NO 20045665 A NO20045665 A NO 20045665A NO 322246 B1 NO322246 B1 NO 322246B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- silicon
- phosphorus
- boron
- content
- continuously
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
- C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Den foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av retningsorientert størknede Czochralski, flytsone eller multikrystallinske silisium ingots eller tynnplater eller bånd for fremstilling av silisiumskiver for solceller fra et silisiumutgangsmateriale som initielt inneholder mellom 0,2 ppma og 10 ppma bor og mellom 0,1 ppma og 10 ppma fosfor. Dersom bor innholdet i silisiummaterialet er høyere enn fosforinnholdet holdes borinnholdet i det smeltede silisium høyere enn fosforinnholdet under den retningsorienterte størkningsprosessen ved tilsetning av bor diskontinuerlig, kontinuerlig eller tilnærmet kontinuerlig til det smeltede silisium for å utvide den del av den retningsorienterte størknede ingot eller tynnplate eller bånd som størkner som p-typemateriale. Dersom innholdet av fosfor i silisiumutgangsmaterialet er høyere enn borinnholdet holdes fosforinnholdet i det smeltede silisium høyere enn borinnholdet under den retningsorienterte størkningsprosessen ved tilsetning av fosfor til det smeltede silisium diskontinuerlig, kontinuerlig eller tilnærmet kontinuerlig for å utvide den del av ingoten eller tynnplaten eller båndet som størkner som n-typemateriale.
Description
Teknisk område
Den foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av rettet størknede Czochralski, flytsone eller multikrystallinske silisiumingoter, tynne silisiumplater eller bånd for fremstilling av silisiumskiver for fotovoltaiske (PV) solceller.
Teknikkens stilling
I de senere år har fotovoltaiske solceller (PV solceller) blitt fremstilt fra ultraren elektronisk kvalitet polysilisium (EG-Si) komplettert med passende skrap, spon og ikke godkjente deler fra elektronikkindustrien. Som et resultat av den nylige nedgang som har funnet sted i elektronikkindustrien, er overflødig polisilisium produksjonskapasitet blitt benyttet for fremstilling av lavkost kvaliteter av silisium for fremstilling av PV solceller. Dette har gitt en midlertidig lettelse i et ellers vanskelig marked for solcellekvalitet silisium (SoG-Si). Når etterspørselen for elektronikkdeler returnerer til normalt nivå må det forventes at hoveddelen produksjonskapasiteten av polysilisium igjen vil bli rettet mot å forsyne elektronikkindustrien, hvilket vil føre til en mangel av silisium av solcellekvalitet. Mangelen på en dedikert, lavkost kilde for SoG-Si og det resulterende gap som vil utvikle seg, blir i dag ansett for å være en av de viktigste barrierer for en videre økning av PV industrien.
I de senere år er det blitt gjort flere forsøk på å utvikle nye kilder for SoG-Si som er avhengig av elektronikkindustriens verdikjede. Disse forsøkene omfatter introduksjon av ny teknologi i forhold til de eksisterende polysilisium prosessene for vesentlig å redusere kostnadene og utvikling av metallurgiske raffineringsprosesser for å rense tilgjengelig metallurgisk kvalitet silisium (Mg-Si) til en nødvendig renhetsgrad. Ingen har hittil lykkes å vesentlig redusere produksjonskostnadene og samtidig fremstille et silisiummateriale med en renhetsgrad som trengs for å fremstille PV solceller med samme virkningsgrad som PV solceller fremstilt av konvensjonelt silisiummateriale.
Ved fremstilling av PV solceller blir det laget en charge av SoG-Si materiale som smeltes og underkastes retningsorientert størkning i en kvadratisk form i en spesiell type støpeform. Før smelting blir chargen av SoG-Si materiale dopet med enten bor eller fosfor for fremstilling av henholdsvis p-type og n-type ingots. Med få unntak blir kommersielle solceller i dag fremstilt av p-type silisium ingot materiale. Tilsetning av et enkelt dopingmiddel (bor eller fosfor) kontrolleres for å oppnå en foretrukket elektrisk motstand i materialet, for eksempel i området 0,5-1,5 ohm cm. Dette tilsvarer en tilsetning på 0,02-0,2 ppma bor når en p-type ingot er ønsket og en ren silisium kvalitet (praktisk talt rent silisium med et neglisjerbart innhold av dopemidler) SoG feedstock anvendes. Ved denne dopeprosedyren antas det at innholdet av det andre dopemiddelet (i dette tilfelle fosfor) er neglisjerbart (P<1/10 B).
I norsk patentsøknad nr. 20035830 er det beskrevet en fremgangsmåte for fremstilling av retningsorienterte størknede Czochralski, flytsone eller multi-krystallinske silisium ingots eller tynne silisiumplater eller bånd for fremstilling av silisiumskiver basert på et silisiummateriale fremstilt fra metallurgisk kvalitets silisium ved hjelp av metallurgiske raffineringsprosesser. Silisiummaterialet inneholder mellom 0,2 og 10 ppma bor og mellom 0,1 og 10 ppma fosfor.
På grunn av innholdet av bor og fosfor vil ingoten fremstilt i henhold til norsk patentsøknad nr. 20035830 ha en karakteristisk omvandling fra p-type til n-type ved en posisjon mellom 40 og 99% av ingothøyden eller av tykkelsen av platen eller båndet avhengig av forholdet mellom bor og fosfor i silisiumutgangsmaterialet. Ingotene som fremstilles vil derfor inneholde både p-type og n-type silisium.
Det er ønskelig å fremstille kun p-type eller kun n-type materiale fra silisiumutgangsmateriale som inneholder både bor og fosfor, men i eksemplene i norsk patensøknad nr. 20035830 finner omvandlingen fra p-type til n-type sted ved omtrent 3/4 av ingothøyden.
Fra EP 1 061 160 A1 er det kjent fremstilling av høydopet silisium med strukturert oksygen. Silisiumet kan enten dopes med bor eller fosfor på konvensjonell måte. Det er imidlertid ikke angitt i denne publikasjonen at det under størkning av silisiumet tilsettes bor eller fosfor for å hindre omvandlingen fra p-type materiale eller til en n-type materiale under størkningen av silisiumingoten. EP 1 061 160 A1 angir derfor ikke noen løsning på problemet med hvordan man kan øke andelen av enten p-type eller n-type materiale i silisiumingotene som fremstilles i henhold til fremgangsmåten beskrevet i norsk patentsøknad nr. 20035830.
I publikasjonen Australian Research Council, University of New South Wales, "Third Generation Photovoltaics 2002 Annual Report" er det i kapittel 8 under overskriften "Impurity Photovoltaic Effect Solar Cells" er det beskrevet at et lovende materiale for solceller utgjøres av kubisk silisiumkarbid hvor effektiviteten av solceller av dette materialet når en maksimal verdi når borforurensningen i materialet er slik at konsentrasjonen av forurensninger overkompenserer bakgrunnsdonorkonsentrasjonen. Heller ikke i denne publikasjonen finner man noen angivelse av hvordan silisiumingoter kan størknes fra en silisiumsmelte slik som angitt i norsk patentsøknad nr. 20035830 slik at den del av ingoten som størknes som p-type materiale eller av en n-type materiale kan økes.
Beskrivelse av oppfinnelsen
Det er et formål med den foreliggende oppfinnelse å fremskaffe en fremgangsmåte for å øke mengden av enten p-type eller n-type materiale i en retningsorientert størknet silisium ingot eller tynnplate eller bånd fremstilt fra et silisiumutgangsmateriaie som inneholder både bor og fosfor.
Den foreliggende oppfinnelse vedrører således en fremgangsmåte for fremstilling av retningsorientert størknede Czochralski, flytsone eller multi-krystallinske silisium ingots eller tynnplater eller bånd for fremstilling av silisiumskiver for solceller fra et silisiumutgangsmateriaie som initielt inneholder mellom 0,2 ppma og 10 ppma bor og mellom 0,1 ppma og 10 ppma fosfor hvilken fremgangsmåte er kjennetegnet ved at dersom borinnholdet i silisiummaterialet er høyere enn fosforinnholdet holdes borinnholdet i det smeltede silisium høyere enn fosforinnholdet under den retningsorienterte størkningsprosessen ved tilsetning av bor diskontinuerlig, kontinuerlig eller tilnærmet kontinuerlig til det smeltede silisium for å utvide den del av den retningsorienterte størknede ingot eller tynnplate eller bånd som størkner som p-typemateriale med en forhåndsbestemt resistivitet eller innen et forhåndsbestemt resistivitetsintervall, eller dersom innholdet av fosfor i silisiumutgangsmaterialet er høyere enn borinnholdet holdes fosfor-innholdet i det smeltede silisium høyere enn borinnholdet under den retnings-orienterte størkningsprosessen ved tilsetning av fosfor til det smeltede silisium diskontinuerlig, kontinuerlig eller tilnærmet kontinuerlig for å utvide den del av ingoten eller tynnplaten eller båndet som størkner som n-typemateriale med en forhåndsbestemt resistivitet eller innen et forhåndsbestemt resistivitetsintervall.
Ved fremgangsmåten i henhold til den foreliggende oppfinnelse er det blitt funnet at den retningsorienterte størknede ingot, tynnplate eller bånd kan bli vesentlig utvidet før omvandlingen fra p-typemateriale til n-typemateriale eller fra n-typemateriale til p-typemateriale.
Kort beskrivelse av tegningene
Figur 1 er et diagram som viser resistivitet for en retningsorientert størknet silisium ingot fremstilt i henhold til teknikkens stilling,
og
Figur 2 viser et diagram for resistivitet for en retningsorientert størknet ingot fremstilt i henhold til fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse.
Detaljert beskrivelse av oppfinnelsen
Eksempel 1 (teknikkens stilling)
En retningsorientert størknet silisiumingot ble fremstilt fra et silisiumutgangsmateriaie som inneholdt 0,8 ppma bor og 3,6 ppma fosfor. Omvandlingen fra p-type materiale til n-type materiale i silisiumingoten fant sted ca. 60% av høyden av den størknede ingoten. Resistiviteten i den fremstilte silisiumingoten er vist i figur 1 og det kan sees på figuren at omvandlingen fra p-typemateriale til n-typemateriale fant sted ved omtrent 60% av høyden av silisiumingoten.
Eksempel 2 (oppfinnelsen)
En retningsorientert størknet silisiumingot ble fremstilt fra det samme silisiumutgangsmateriaie som ble benyttet i eksempel 1. Bor ble kontinuerlig tilsatt til det gjenværende smeltede silisium når ca. 50% av ingoten var blitt størknet. Omvandlingen fra p-typemateriale til n-typemateriale fant sted når mer enn 90% av høyden av den størknede silisiumingoten slik det kan sees fra figur 2. Mengden av bor tilsatt til silisiumsmelten er også vist i figur 2.
Ved sammenligning av resultatene fra eksempel 1 og 2 kan det sees at omvandlingen fra p-typemateriale til n-typemateriale ble flyttet fra ca. 60% av høyden av silisiumingoten til mer enn 90% av høyden av silisiumingoten.
Ved den foreliggende oppfinnelsen er det således mulig å vesentlig øke den del av den retningsorienterte størknede silisiumingoten som størkner enten som p-typemateriale eller som n-typemateriale.
Claims (1)
1. Fremgangsmåte for fremstilling av retningsorientert størknede Czochralski, flytsone eller multi-krystallinske silisium ingots eller tynnplater eller bånd for fremstilling av silisiumskiver for solceller fra et silisiumutgangsmateriaie som initielt inneholder mellom 0,2 ppma og 10 ppma bor og mellom 0,1 ppma og 10 ppma fosfor, karakterisert ved at dersom borinnholdet i silisiummaterialet er høyere enn fosforinnholdet holdes borinnholdet i det smeltede silisium høyere enn fosforinnholdet under den retningsorienterte størkningsprosessen ved tilsetning av bor diskontinuerlig, kontinuerlig eller tilnærmet kontinuerlig til det smeltede silisium for å utvide den del av den retningsorienterte størknede ingot eller tynnplate eller bånd som størkner som p-typemateriale, eller dersom innholdet av fosfor i silisiumutgangsmaterialet er høyere enn borinnholdet holdes fosforinnholdet i det smeltede silisium høyere enn borinnholdet under den retningsorienterte størkningsprosessen ved tilsetning av fosfor til det smeltede silisium diskontinuerlig, kontinuerlig eller tilnærmet kontinuerlig for å utvide den del av ingoten eller tynnplaten eller båndet som størkner som n-typemateriale.
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20045665A NO322246B1 (no) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Fremgangsmate for fremstilling av rettet storknede silisiumingots |
| BRPI0519503A BRPI0519503B1 (pt) | 2004-12-27 | 2005-11-17 | método para a produção de lingotes de silício direcionalmente solidificado. |
| UAA200708587A UA86295C2 (uk) | 2004-12-27 | 2005-11-17 | Спосіб виготовлення полікристалічного зливка еремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом чохральського, методом зонної плавки |
| ES05858007T ES2357497T1 (es) | 2004-12-27 | 2005-11-17 | Método para producir lingotes de silicio direccionalmente solidificados. |
| CNB2005800450892A CN100567591C (zh) | 2004-12-27 | 2005-11-17 | 制备定向凝固硅锭的方法 |
| AU2005333767A AU2005333767B2 (en) | 2004-12-27 | 2005-11-17 | Method for producing directionally solidified silicon ingots |
| EP05858007A EP1848843A4 (en) | 2004-12-27 | 2005-11-17 | METHOD FOR THE PRODUCTION OF DIRECTED FIRST STAINED SILICON BARS |
| JP2007548115A JP2008525297A (ja) | 2004-12-27 | 2005-11-17 | 指向的に凝固させた珪素インゴットの製造方法 |
| US11/722,813 US20080029019A1 (en) | 2004-12-27 | 2005-11-17 | Method For Producing Directionally Solidified Silicon Ingots |
| PCT/NO2005/000432 WO2007001184A1 (en) | 2004-12-27 | 2005-11-17 | Method for producing directionally solidified silicon ingots |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20045665A NO322246B1 (no) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Fremgangsmate for fremstilling av rettet storknede silisiumingots |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO20045665D0 NO20045665D0 (no) | 2004-12-27 |
| NO322246B1 true NO322246B1 (no) | 2006-09-04 |
Family
ID=35209718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO20045665A NO322246B1 (no) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Fremgangsmate for fremstilling av rettet storknede silisiumingots |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080029019A1 (no) |
| EP (1) | EP1848843A4 (no) |
| JP (1) | JP2008525297A (no) |
| CN (1) | CN100567591C (no) |
| AU (1) | AU2005333767B2 (no) |
| BR (1) | BRPI0519503B1 (no) |
| ES (1) | ES2357497T1 (no) |
| NO (1) | NO322246B1 (no) |
| UA (1) | UA86295C2 (no) |
| WO (1) | WO2007001184A1 (no) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8968467B2 (en) | 2007-06-27 | 2015-03-03 | Silicor Materials Inc. | Method and system for controlling resistivity in ingots made of compensated feedstock silicon |
| US7651566B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-01-26 | Fritz Kirscht | Method and system for controlling resistivity in ingots made of compensated feedstock silicon |
| FR2929960B1 (fr) * | 2008-04-11 | 2011-05-13 | Apollon Solar | Procede de fabrication de silicium cristallin de qualite photovoltaique par ajout d'impuretes dopantes |
| US8758507B2 (en) * | 2008-06-16 | 2014-06-24 | Silicor Materials Inc. | Germanium enriched silicon material for making solar cells |
| US7887633B2 (en) * | 2008-06-16 | 2011-02-15 | Calisolar, Inc. | Germanium-enriched silicon material for making solar cells |
| FR2940806B1 (fr) | 2009-01-05 | 2011-04-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de solidification de semi-conducteur avec ajout de charges de semi-conducteur dope au cours de la cristallisation |
| DE102009034317A1 (de) | 2009-07-23 | 2011-02-03 | Q-Cells Se | Verfahren zur Herstellung durchbruchsicherer p-Typ Solarzellen aus umg-Silizium |
| CN102005505B (zh) * | 2010-10-18 | 2012-04-04 | 浙江大学 | 一种抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池及其制备方法 |
| US20120125254A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-24 | Evergreen Solar, Inc. | Method for Reducing the Range in Resistivities of Semiconductor Crystalline Sheets Grown in a Multi-Lane Furnace |
| WO2012114375A1 (ja) * | 2011-02-23 | 2012-08-30 | 信越半導体株式会社 | Ｎ型シリコン単結晶の製造方法及びリンドープｎ型シリコン単結晶 |
| CN102191542B (zh) * | 2011-04-29 | 2012-08-15 | 张森 | 制备高纯定向结晶多晶硅的设备及其制备方法 |
| CN102560645B (zh) * | 2011-09-02 | 2016-05-18 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法及其装置 |
| NO335110B1 (no) * | 2011-10-06 | 2014-09-15 | Elkem Solar As | Fremgangsmåte for fremstilling av silisiummonokrystall og multikrystalline silisiumingoter |
| CN102560641B (zh) * | 2012-03-20 | 2015-03-25 | 浙江大学 | 一种掺杂电阻率均匀的n型铸造硅多晶及其制备方法 |
| JP7080017B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2022-06-03 | 株式会社Sumco | ｎ型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3804069A1 (de) * | 1988-02-10 | 1989-08-24 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von solarsilizium |
| EP1061160A1 (de) * | 1999-06-17 | 2000-12-20 | Bayer Aktiengesellschaft | Silicium mit struktierter Sauerstoffdotierung, dessen Herstellung und Verwendung |
| WO2004036657A1 (en) * | 2002-10-16 | 2004-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Polycrystalline silicon substrate |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2623413C2 (de) * | 1976-05-25 | 1985-01-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silicium |
| US4134785A (en) * | 1977-04-13 | 1979-01-16 | Western Electric Company, Inc. | Real-time analysis and control of melt-chemistry in crystal growing operations |
| US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
| DE2925679A1 (de) * | 1979-06-26 | 1981-01-22 | Heliotronic Gmbh | Verfahren zur herstellung von siliciumstaeben |
| DE3150539A1 (de) * | 1981-12-21 | 1983-06-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von fuer halbleiterbauelemente, insbesondere fuer solarzellen, verwendbarem silizium |
| US4789596A (en) * | 1987-11-27 | 1988-12-06 | Ethyl Corporation | Dopant coated bead-like silicon particles |
| JPH085740B2 (ja) * | 1988-02-25 | 1996-01-24 | 株式会社東芝 | 半導体の結晶引上げ方法 |
| US4927489A (en) * | 1988-06-02 | 1990-05-22 | Westinghouse Electric Corp. | Method for doping a melt |
| US5156978A (en) * | 1988-11-15 | 1992-10-20 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
| US5106763A (en) * | 1988-11-15 | 1992-04-21 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
| JP3388664B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2003-03-24 | シャープ株式会社 | 多結晶半導体の製造方法および製造装置 |
| JP3437034B2 (ja) * | 1996-07-17 | 2003-08-18 | シャープ株式会社 | シリコンリボンの製造装置及びその製造方法 |
| JPH10251010A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-22 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池用シリコン |
| CA2232777C (en) * | 1997-03-24 | 2001-05-15 | Hiroyuki Baba | Method for producing silicon for use in solar cells |
| US6171389B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-01-09 | Seh America, Inc. | Methods of producing doped semiconductors |
| US6179914B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-01-30 | Seh America, Inc. | Dopant delivery system and method |
| JP2004140087A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Canon Inc | 太陽電池用多結晶シリコン基板とその製造法、及びこの基板を用いた太陽電池の製造法 |
| NO333319B1 (no) * | 2003-12-29 | 2013-05-06 | Elkem As | Silisiummateriale for fremstilling av solceller |
-
2004
- 2004-12-27 NO NO20045665A patent/NO322246B1/no unknown
-
2005
- 2005-11-17 AU AU2005333767A patent/AU2005333767B2/en active Active
- 2005-11-17 ES ES05858007T patent/ES2357497T1/es active Pending
- 2005-11-17 EP EP05858007A patent/EP1848843A4/en not_active Withdrawn
- 2005-11-17 WO PCT/NO2005/000432 patent/WO2007001184A1/en active Application Filing
- 2005-11-17 CN CNB2005800450892A patent/CN100567591C/zh active Active
- 2005-11-17 BR BRPI0519503A patent/BRPI0519503B1/pt active IP Right Grant
- 2005-11-17 US US11/722,813 patent/US20080029019A1/en not_active Abandoned
- 2005-11-17 JP JP2007548115A patent/JP2008525297A/ja active Pending
- 2005-11-17 UA UAA200708587A patent/UA86295C2/uk unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3804069A1 (de) * | 1988-02-10 | 1989-08-24 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von solarsilizium |
| EP1061160A1 (de) * | 1999-06-17 | 2000-12-20 | Bayer Aktiengesellschaft | Silicium mit struktierter Sauerstoffdotierung, dessen Herstellung und Verwendung |
| WO2004036657A1 (en) * | 2002-10-16 | 2004-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Polycrystalline silicon substrate |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Australian Research Council * |
| Ciszek T. F. et al. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BRPI0519503B1 (pt) | 2016-06-21 |
| BRPI0519503A2 (pt) | 2009-02-03 |
| CN100567591C (zh) | 2009-12-09 |
| EP1848843A4 (en) | 2011-09-28 |
| UA86295C2 (uk) | 2009-04-10 |
| JP2008525297A (ja) | 2008-07-17 |
| CN101091009A (zh) | 2007-12-19 |
| AU2005333767B2 (en) | 2010-05-20 |
| AU2005333767A1 (en) | 2007-01-04 |
| US20080029019A1 (en) | 2008-02-07 |
| EP1848843A1 (en) | 2007-10-31 |
| ES2357497T1 (es) | 2011-04-27 |
| NO20045665D0 (no) | 2004-12-27 |
| WO2007001184A1 (en) | 2007-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU2005333767B2 (en) | Method for producing directionally solidified silicon ingots | |
| EP1699737B1 (en) | Method for making silicon feedstock for solar cells | |
| CN102119444B (zh) | 用于制造太阳能电池的锗富集的硅材料 | |
| CN101999013A (zh) | 通过添加掺杂杂质制造光伏级晶体硅的方法及光伏电池 | |
| Kraiem et al. | High performance solar cells made from 100% UMG silicon obtained via the PHOTOSIL process | |
| Aulich et al. | Crystalline silicon feedstock for solar cells | |
| CN101591807A (zh) | 掺氮的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 | |
| Ciszek | Photovoltaic materials and crystal growth research and development in the Gigawatt era | |
| CN101597787B (zh) | 在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法 | |
| US9352969B2 (en) | Process for manufacturing silicon-based nanoparticles from metallurgical-grade silicon or refined metallurgical-grade silicon | |
| CN101597788B (zh) | 在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法 | |
| Geerligs et al. | solar-grade silicon by a direct route based on carbothermic reduction of silica: requirements and production technology. | |
| CN102312290A (zh) | 一种掺杂的铸造多晶硅及制备方法 | |
| JP2009215135A (ja) | シリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
| CN103975097A (zh) | 用于生产硅单晶和多晶硅锭的方法 | |
| Peter et al. | Analysis of multicrystalline solar cells from solar grade silicon feedstock | |
| CN101752448A (zh) | 一种低品质硅太阳能电池片制造方法 | |
| Pizzini | Polycrystalline silicon as against amorphous silicon for photovoltaic applications: A subject for speculation and a challenge for the late 1980s | |
| NO320217B1 (no) | Silisiumsubstratmateriale for epitaksibelegning for fremstilling av solceller | |
| CN105755538A (zh) | 一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CHAD | Change of the owner's name or address (par. 44 patent law, par. patentforskriften) |
Owner name: REC SOLAR NORWAY AS, NO |