RU94006800A - Фотошаблон и способ его изготовления - Google Patents

Фотошаблон и способ его изготовления

Info

Publication number
RU94006800A
RU94006800A RU94006800/28A RU94006800A RU94006800A RU 94006800 A RU94006800 A RU 94006800A RU 94006800/28 A RU94006800/28 A RU 94006800/28A RU 94006800 A RU94006800 A RU 94006800A RU 94006800 A RU94006800 A RU 94006800A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
step zone
photomask
semiconductor wafer
steps
photoshablon
Prior art date
Application number
RU94006800/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2144689C1 (ru
Inventor
Хан Ву-сунг
Сом Чанг-Джин
Original Assignee
Самсунг Электроникс Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1019930006626A external-priority patent/KR100263900B1/ko
Application filed by Самсунг Электроникс Ко., Лтд. filed Critical Самсунг Электроникс Ко., Лтд.
Publication of RU94006800A publication Critical patent/RU94006800A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2144689C1 publication Critical patent/RU2144689C1/ru

Links

Claims (1)

  1. Фотошаблон и способ его изготовления, который может сформировать верный рисунок на полупроводниковой пластине, имеющей ступени, включающий в себя подложку фотошаблона, имеющую ступени, противоположные ступенчатой структуре указанной полупроводниковой пластины, и рисунок непроницаемого фотошаблона для предотвращения попадания излучения на подложку фотошаблона, где сформированы указанные ступени, чтобы дать возможность экспонирования с таким же фокусным расстоянием в зоне ступени и в зоне без ступени полупроводниковой пластины. Далее чистый и верный рисунок может быть сформирован регулированием величины экспонирования, излученного на зону ступени и зону без ступени на полупроводниковой пластине.
RU94006800A 1993-03-04 1994-03-02 Фотошаблон (варианты) и способ его изготовления (варианты) RU2144689C1 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR930003216 1993-03-04
KR93-3216 1993-03-04
KR93-6626 1993-03-22
KR1019930006626A KR100263900B1 (ko) 1993-03-04 1993-04-20 마스크 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94006800A true RU94006800A (ru) 1995-11-20
RU2144689C1 RU2144689C1 (ru) 2000-01-20

Family

ID=26629554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94006800A RU2144689C1 (ru) 1993-03-04 1994-03-02 Фотошаблон (варианты) и способ его изготовления (варианты)

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5547788A (ru)
JP (1) JPH075675A (ru)
KR (1) KR100263900B1 (ru)
CA (1) CA2116805C (ru)
DE (2) DE4407044B4 (ru)
GB (1) GB2276952B (ru)
RU (1) RU2144689C1 (ru)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2658959B2 (ja) * 1995-03-31 1997-09-30 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3080023B2 (ja) * 1997-02-20 2000-08-21 日本電気株式会社 露光用フォトマスク
JP2000181048A (ja) 1998-12-16 2000-06-30 Sharp Corp フォトマスクおよびその製造方法、並びにそれを用いた露光方法
US7255978B2 (en) * 2000-05-09 2007-08-14 Shipley Company, L.L.C. Multi-level optical structure and method of manufacture
US6756185B2 (en) * 2000-05-09 2004-06-29 Shipley Company, L.L.C. Method for making integrated optical waveguides and micromachined features
US6894295B2 (en) * 2000-12-11 2005-05-17 Leepl Corporation Electron beam proximity exposure apparatus and mask unit therefor
US6982134B2 (en) * 2003-03-28 2006-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd Multiple stepped aperture repair of transparent photomask substrates
KR100726609B1 (ko) 2004-12-22 2007-06-11 동부일렉트로닉스 주식회사 마스크 및 그 제조 방법
US7601466B2 (en) * 2005-02-09 2009-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for photolithography in semiconductor manufacturing
KR100746825B1 (ko) * 2005-12-29 2007-08-06 동부일렉트로닉스 주식회사 펠리클 및 이를 구비한 노광 장치
KR100822298B1 (ko) * 2006-04-19 2008-04-15 엘지마이크론 주식회사 알루미늄막을 이용한 포토마스크 및 그 제조 방법
KR100791767B1 (ko) 2006-08-30 2008-01-03 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자용 마스크, 그 제조 방법 및 이를 이용한 패턴형성 방법
JP5172316B2 (ja) * 2007-12-19 2013-03-27 株式会社東芝 フォトマスク、フォトマスクの線幅補正方法、線幅補正装置
US20090201474A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-13 Sajan Marokkey Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof
US8420299B2 (en) * 2008-08-06 2013-04-16 Tdk Corporation Forming method of resist pattern and manufacturing method of thin-film magnetic head
CN106154755B (zh) * 2015-04-03 2018-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻胶厚度异常的检测方法
US11181830B2 (en) * 2018-12-28 2021-11-23 Qoniac Gmbh Lithographic apparatus and method of controlling a lithographic apparatus
JP7337014B2 (ja) * 2020-03-23 2023-09-01 キオクシア株式会社 パターン形成方法、フォトマスク作成方法及びフォトマスク
JP7330921B2 (ja) * 2020-03-23 2023-08-22 キオクシア株式会社 パターン検査方法およびフォトマスク作成方法
JP7465185B2 (ja) * 2020-09-16 2024-04-10 キオクシア株式会社 原版の製造方法、および露光方法
KR20220056002A (ko) 2020-10-27 2022-05-04 삼성전자주식회사 포토 마스크, 노광 장치 및 그들을 이용한 3차원 반도체 메모리 소자의 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2801270B2 (ja) * 1989-07-13 1998-09-21 キヤノン株式会社 マスク作成方法
JP2864570B2 (ja) * 1989-10-27 1999-03-03 ソニー株式会社 露光マスク及び露光方法
JPH03203737A (ja) * 1989-12-29 1991-09-05 Hitachi Ltd マスクおよび露光装置
US5130263A (en) * 1990-04-17 1992-07-14 General Electric Company Method for photolithographically forming a selfaligned mask using back-side exposure and a non-specular reflecting layer
CA2037705A1 (en) * 1990-04-18 1991-10-19 Mark C. Hakey Method and apparatus for enhancing the depth of focus in projection lithography
JP2566048B2 (ja) * 1990-04-19 1996-12-25 シャープ株式会社 光露光用マスク及びその製造方法
JPH0467147A (ja) * 1990-07-09 1992-03-03 Matsushita Electron Corp フォトマスク
JPH04221954A (ja) * 1990-12-25 1992-08-12 Nec Corp フォトマスク
JPH04285957A (ja) * 1991-03-15 1992-10-12 Fujitsu Ltd 露光方法及びレチクルの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU94006800A (ru) Фотошаблон и способ его изготовления
FR2662304B1 (fr) Procede de fabrication d'une structure integree guide-detecteur de lumiere en materiau semi-conducteur.
KR930022149A (ko) 에너지 감응 재료와 그 사용 방법
TW232077B (en) Phase-shifting mask
JPS57130430A (en) Pattern formation
CA2116805A1 (en) Mask and method for manufacturing the same
EP0374701A3 (en) Mask for exposing wafer with radiation and its exposing method
DE69229987D1 (de) Röntgenstrahlmaskenstruktur und -belichtungsverfahren sowie damit hergestelltes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für die Röntgenstrahlmaskenstruktur
DE69634075D1 (de) Beliebig breites linsenarray mit einem sich über die breite eines substrats erstreckenden bildfeld
JPS5539672A (en) Manufacturing semiconductor device
KR960005756A (ko) 반도체 소자 제조용 포토 마스크 제작 방법
JPS5754939A (en) Optical mask and its manufacture
TW200502677A (en) Mask blank, mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
GB9310013D0 (en) Method and apparatus for fabricating microlenses
JPS57138638A (en) Photoetching mask
JPS5580323A (en) Pattern forming method for photoresist-film
ATE181427T1 (de) Röntgenstrahlmaske, verfahren zu derer herstellung und belichtungsverfahren
JPS5723257A (en) Multilayered semiconductor integrated circuit device
KR950012596A (ko) 반도체 장치의 제조방법
JPS56140345A (en) Formation of pattern
JPS5636134A (en) Forming method for pattern of semiconductor substrate
JPS566455A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5491183A (en) Production of semiconductor device
JPS6442655A (en) Structure of reticle
JPS5593223A (en) Manufacture of mask for semiconductor device