RU2700975C1 - Нагревательное устройство для объектива камеры и способ его изготовления - Google Patents

Нагревательное устройство для объектива камеры и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2700975C1
RU2700975C1 RU2018121983A RU2018121983A RU2700975C1 RU 2700975 C1 RU2700975 C1 RU 2700975C1 RU 2018121983 A RU2018121983 A RU 2018121983A RU 2018121983 A RU2018121983 A RU 2018121983A RU 2700975 C1 RU2700975 C1 RU 2700975C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
metal oxide
substrate
layer
heating device
spherical elements
Prior art date
Application number
RU2018121983A
Other languages
English (en)
Inventor
Чи Хун ПАК
Сын Ён ЛИ
Сон Хван ЛИМ
Ё Чо ЮН
Хё Чин КИМ
Original Assignee
Айэм Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Айэм Ко., Лтд. filed Critical Айэм Ко., Лтд.
Application granted granted Critical
Publication of RU2700975C1 publication Critical patent/RU2700975C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/84Heating arrangements specially adapted for transparent or reflecting areas, e.g. for demisting or de-icing windows, mirrors or vehicle windshields
    • H05B3/86Heating arrangements specially adapted for transparent or reflecting areas, e.g. for demisting or de-icing windows, mirrors or vehicle windshields the heating conductors being embedded in the transparent or reflecting material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/02Materials undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/04Materials undergoing a change of physical state when used the change of state being from liquid to vapour or vice versa
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/18Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/52Elements optimising image sensor operation, e.g. for electromagnetic interference [EMI] protection or temperature control by heat transfer or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/16Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being mounted on an insulating base
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/84Heating arrangements specially adapted for transparent or reflecting areas, e.g. for demisting or de-icing windows, mirrors or vehicle windshields
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/009Heaters using conductive material in contact with opposing surfaces of the resistive element or resistive layer
    • H05B2203/01Heaters comprising a particular structure with multiple layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/017Manufacturing methods or apparatus for heaters
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2214/00Aspects relating to resistive heating, induction heating and heating using microwaves, covered by groups H05B3/00, H05B6/00
    • H05B2214/02Heaters specially designed for de-icing or protection against icing

Abstract

Изобретение относится к нагревательному устройству для объектива камеры и способу его изготовления. Нагревательное устройство содержит подложку, слой оксида металла, образованный на подложке, и образованную на слое оксида металла пленку в виде решетки из располагающихся на расстоянии 10-20 нм друг от друга сферических элементов диаметром 50-100 нм, состоящих из SnF, SnF, фторида никеля-олова (SnNiF), фторида хрома-олова (SnCrF), фторида цинка-олова (SnZnF), фторида никеля-цинка (ZnNiF) и их сочетаний, и слой проводящего клея, образованный на слое оксида металла и указанной пленке, в которой нижние части сферических элементов заглублены в слой оксида металла, а верхние их части заглублены в слой проводящего клея. Способ изготовления нагревательного устройства для объектива камеры включает формирование слоя оксида металла на первой подложке, формирование пленки в виде решетки из располагающихся на расстоянии 10-20 нм друг от друга сферических элементов диаметром 50-100 нм, состоящих из SnF, SnF, фторида никеля-олова (SnNiF), фторида хрома-олова (SnCrF), фторида цинка-олова (SnZnF), фторида никеля-цинка (ZnNiF) и их сочетаний, посредством непрерывного химического процесса, проводимого при комнатной температуре, на слое проводящего клея второй подложки. Затем осуществляют пропускание второй подложки с образованной на ней пленкой и первой подложки с образованным на ней слоем оксида металла через валец с прикреплением ламинированием сферических элементов к слою оксида металла первой подложки и к слою проводящего клея второй подложки, при этом нижние части сферических элементов заглубляют в слой оксида металла, а верхние их части заглубляют в слой проводящего клея. Обеспечивается нагревательное устройство для объектива камеры, способное удалять влагу или иней за короткое время. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 12 ил., 1 табл., 2 пр.

Description

ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННУЮ ЗАЯВКУ
Настоящая заявка испрашивает приоритет Корейской патентной заявки №10-2018-0042904, поданной 12 апреля 2018 года, озаглавленной "Нагревательное устройство с использованием гипертеплового ускорителя и способ его изготовления", которая настоящим включена во всей ее полноте в настоящую заявку посредством ссылки.
ПРЕДПОСЫЛКИ К СОЗДАНИЮ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Область техники
Настоящее изобретение относится к гипертепловому ускорителю, нагревательному устройству с использованием гипертеплового ускорителя и способу изготовления нагревательного устройства. Описание уровня техники
В последнее время компактные камерные модули широко применяются в различных областях промышленности. В частности, компактные камерные модули широко используются в секторе информационных технологий и автомобилестроении - например, в производстве смартфонов, планшетов, игровых приставок, камер наблюдения и т.п.
Камерный модуль, широко используемый в различных отраслях промышленности, выполнен с возможностью наличия в нем объектива, на который попадает наружный свет, блока датчика изображений, который преобразует свет из объектива в цифровое статичное или движущееся изображение, и корпуса, внутри которого помещены объектив и датчик изображений.
Объектив камерного модуля обычно открыт наружу для получения наружного света. Когда объектив камеры открыт указанным образом, наружная или внутренняя сторона объектива могут становиться влажными из-за разницы температур снаружи от камерного модуля и внутри него; кроме того, в холодное время года на объективе может образовываться конденсат.
В случае, когда объектив камерного модуля становится влажным или покрывается конденсатом, свет, проходящий через объектив, попадает на объектив искаженным от влажности или конденсата, в результате чего качество статического или движущегося изображения может существенно ухудшиться.
Для решения вышеупомянутых проблем требуются методы предотвращения влажности объектива или образования на последнем конденсата.
Для предотвращения образования конденсата на объективе и для защиты объектива от замерзания в уровне техники (Корейская патентная заявка №2017-0021088 А) предлагается наматывание на камерный модуль горячего провода или размещение горячего провода внутри камерного модуля. Однако, при простом использовании горячего провода для того, чтобы температура объектива повысилась до желаемого уровня в целях предотвращения покрытия объектива инеем или конденсатом, требуется продолжительное время.
В частности, при крайне низких температурах снаружи повышение температуры объектива до требуемого уровня занимает много времени. С другой стороны, если горячий провод является источником тепла в условиях, когда температура снаружи от камерного модуля или внутри камерного модуля высока, существует риск возгорания камерного модуля.
[Перечень противопоставленных материалов]
[Патентная литература]
(Патентный документ 1) Корейская патентная заявка №2017-0021088
А КРАТКОЕ ИЗЛОЖЕНИЕ СУЩНОСТИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Соответственно, первым аспектом настоящего изобретения является создание гипертеплового ускорителя для нагревательного устройства.
Вторым аспектом настоящего изобретения является создание нагревательного устройства для объектива камеры с использованием гипертеплового ускорителя, способного удалять влагу или иней за короткое время.
Третьим аспектом настоящего изобретения является способ изготовления нагревательного устройства для объектива камеры.
Для достижения первого аспекта предлагается гипертепловой ускоритель для нагревательного устройства, содержащий материал, выбираемый из группы, в состав которой входят SnF2, SnF4, фторид никеля-олова (SnNiF), фторид хрома-олова (SnCrF), фторид цинка-олова (SnZnF), фторид никеля-цинка (ZnNiF) и их сочетания.
В одном из вариантов осуществления в качестве гипертеплового ускорителя используют гипертепловой ускоритель с элементами сферической формы и диаметром 50-100 нм, которые размещаются на нагревательном устройстве в виде решетки.
В одном из вариантов осуществления элементы сферической формы гипертеплового ускорителя располагаются на расстоянии 10-20 нм друг от друга.
Для достижения второго аспекта заявленного изобретения предлагается нагревательное устройство для объектива камеры, содержащее: подложку; слой оксида металла, образованный на подложке; и образованную на слое оксида металла пленку в виде решетки из располагающихся на расстоянии 10-20 нм друг от друга сферических элементов диаметром 50-100 нм, состоящих из SnF2, SnF4, фторида никеля-олова (SnNiF), фторида хрома-олова (SnCrF), фторида цинка-олова (SnZnF), фторида никеля-цинка (ZnNiF) и их сочетаний; и слой проводящего клея, образованный на слое оксида металла и указанной пленке, в которой нижние части сферических элементов заглублены в слой оксида металла, а верхние их части заглублены в слой проводящего клея.
В одном из вариантов осуществления оксид металла выбирается из группы, в состав которой входят оксид алюминия, оксид меди, оксид железа, оксид олова, оксида кадмия, оксид цинка и их сочетания.
В одном из вариантов осуществления в качестве проводящего клея используется оптически прозрачный клей.
Для достижения третьего аспекта изобретения предлагается способ изготовления нагревательного устройства для объектива камеры, включающий следующие этапы - формирование слоя оксида металла на первой подложке, формирование пленки в виде решетки из располагающихся на расстоянии 10-20 нм друг от друга сферических элементов диаметром 50-100 нм, состоящих из SnF2, SnF4, фторида никеля-олова (SnNiF), фторида хрома-олова (SnCrF), фторида цинка-олова (SnZnF), фторида никеля-цинка (ZnNiF) и их сочетаний, посредством непрерывного химического процесса, проводимого при комнатной температуре, на слое проводящего клея второй подложки; где нижние части сферических элементов заглублены в слой оксида металла, а верхние их части заглублены в слой проводящего клея.
В одном из вариантов осуществления указанный химический процесс, проводимый непрерывно при комнатной температуре, может включать следующие этапы - направление микроволн, испускаемых микроволновым генератором, в пространство магнитного поля, введение в пространство магнитного поля газообразного источника плазмы, выдерживание газообразного источника плазмы в пространстве магнитного поля посредством воздействия на него микроволнами, поддержание плазмы, имеющей высокую энергетическую плотность, за счет электронно-циклотронного резонанса (ЭЦР) электронов и ионов в плазме под действием магнитного поля, подача исходного газа гипертеплового ускорителя для образования осаждаемой пленки в области плазмы, имеющей высокую энергетическую плотность, для отдачи активированных ионов и непрерывное образование сферических элементов гипертеплового ускорителя посредством мгновенной поверхностной химической реакции активированных ионов на поверхности второй подложки.
В одном из вариантов осуществления оксид металла выбирается из группы, в состав которой входят оксид алюминия, оксид меди, оксид железа, оксид олова, оксида кадмия, оксид цинка и их сочетания.
В одном из вариантов осуществления в качестве проводящего клея используется оптически прозрачный клей.
В одном из вариантов осуществления указанного способа после формирования упомянутой пленки в виде решетки осуществляют формирование защитной пленки на сферических элементах, а перед ламинированием упомянутую защитную пленку снимают со сферических элементов. Нагревательное устройство согласно настоящему изобретению может иметь расширенный тепловой диапазон, быстрое время нагрева и высокую максимальную температуру за счет применения гипертеплового ускорителя вместо индия.
Способ изготовления нагревательного устройства согласно настоящему изобретению отличается простотой и экономичностью, так как гипертепловой ускоритель образуется на слое оксида металла с использованием химического процесса, проводимого непрерывно при комнатной температуре, и процесса крепления посредством ламинирования.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
На ФИГ. 1а и 1b показаны в поперечном сечении обычное нагревательное устройство и нагревательное устройство в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения;
На ФИГ. 2а - 2с показаны в поперечном сечении сферические элементы гипертеплового ускорителя с отражением принципа действия гипертеплового ускорителя;
На ФИГ. 3 показан температурный градиент между сферическими элементами гипертеплового ускорителя;
На ФИГ. 4 показан график, на котором отражен эффект повышения температуры, достигаемый нагревательным устройством имеющим гипертепловой ускоритель;
На ФИГ. 5 показана технологическая схема, отражающая процесс изготовления нагревательного устройства в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения;
На ФИГ. 6 показано образование гипертеплового ускорителя на второй подложке в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения;
На ФИГ. 7 показано образование слоя оксида металла на несущей пленке оксида металла (первой подложке) в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения;
На ФИГ. 8 представлены этапы изготовления нагревательного устройства в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения и результаты отдельных этапов;
ФИГ. 9 показано нагревательное устройство для объектива камеры в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения;
ФИГ. 10 показано нагревательное устройство для объектива камеры в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения;
ФИГ. 11 показана схема присоединения нагревательного устройства и объектива камеры в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения; и
На ФИГ. 12 показаны изображения испытаний, выполненных после крепления нагревательного устройства в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения к объективу камеры.
Описание условных номеров позиций, используемых на чертежах: 10: электрод 11: гипертепловой ускоритель 12: проводящий клей
ОПИСАНИЕ ЧАСТНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Прежде чем представить более подробное описание настоящего изобретения, необходимо отметить, что термины и слова, используемые в настоящем описании и формуле изобретения, не следует понимать как ограниченные обычными значениями или определениями, приведенными в словарях: напротив, они должны истолковываться как имеющие значения и понятия, соответствующие техническому содержанию настоящего изобретения, на основании правила, согласно которому изобретатель может соответствующим образом определить понятие, подразумеваемое тем или иным термином, для наилучшего описания способа, который, насколько ему известно, обеспечивает раскрытие изобретения. В связи с этим, примеры, представленные в настоящем описании, являются всего лишь предпочтительными вариантами осуществления настоящего изобретения и не отражают всех технических идей настоящего изобретения: таким образом, подразумевается, что по состоянию на момент регистрации настоящего описания могут быть предусмотрены самые различные эквиваленты и модификации, которые могли бы использоваться вместо представленных в описании.
В дальнейшем предпочтительные варианты настоящего изобретения будут описываться подробно таким образом, чтобы специалист в области, к которой относится настоящее изобретение, мог без труда его осуществить. Кроме того, следует отметить, что в тех случаях, когда известные способы, связанные с настоящим изобретением, могут делать неясной сущность изобретения, их подробное описание будет опускаться.
На ФИГ. 1(а) показано в поперечном сечении обычное нагревательное устройство, а на ФИГ. 1(b) показано в поперечном сечении нагревательное устройство в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения.
Как показано на ФИГ. 1(b), нагревательное устройство содержит подложку, слой оксида металла, образованный на подложке, элементы гипертеплового ускорителя, имеющие сферическую форму и образованные на слое оксида металла в виде решетки, и спой проводящего клея, образованный на слое оксида металла и элементах сферической формы гипертеплового ускорителя, где нижние части указанных элементов заглублены в слой оксида металла, а верхние их части заглублены в слой проводящего клея.
Подложка представляет собой пластмассовую подложку, обладающую изоляционными свойствами, и изготавливается из материала, обладающего электроизоляционными и теплоизоляционными свойствами для предотвращения выхода наружу энергии и тепла, прилагаемых к нагревательному устройству. Примерами материала для несущей подложки 30 являются, среди прочих, полиимид, полиэфирсульфон (ПЭС), полиакрилат (ПА), полиэфиримид (ПЭИ), полиэтиленнафталат (ПЭН), полиэтилентерефталат (ПЭТ), полифениленсульфид (ПФС), полиарилат, поликарбонат (ПК), триацетат целлюлозы (ТАЦ) и ацетат целлюлозы пропионат (АЦП).
Слой оксида металла может быть образован осаждением оксида металла на подложку. Процесс осаждения протекает при комнатной температуре; при этом, может использоваться процесс химического парофазного осаждения. В частности, процесс химического парофазного осаждения может осуществляться таким образом, при котором образуются переконденсированные ионы металла, для чего к прекурсору оксида металла прилагают напряжение, и образовавшиеся ионы металла осаждаются на поверхность подложки посредством химического связывания. Поскольку процесс химического парофазного осаждения проводят при комнатной температуре, становится возможным осаждение на полимер, который обладает высокой функциональностью, но слабо устойчив к нагреву; кроме того, при вышеупомянутом процессе осаждения облегчается осаждение на большую площадь.
В качестве оксида металла может использоваться оксид металла, содержащий любой из нижеперечисленных химических элементов, либо смесь двух или более из них - алюминий (Al), медь (Cu), железо (Fe), олово (Sn), кадмий (Cd) и цинк (Zn). Оксид металла обладает электропроводностью, а слой оксида металла способен выделять тепло за счет тепловой энергии. Что касается выделения тепла тепловым устройством, теплотворная способность оксида металла может определяться по сопротивлению, а изменение в температуре может определяться по теплоемкости объекта, которая таким образом может быть различной и зависит от типа оксида металла. Указанные выше оксиды металлов обладают значениями теплотворной способности, подходящими для нагревателя плоского типа. В одном из вариантов осуществления в качестве оксида металла используют оксид олова (SnO2). Например, оксид олова используют главным образом в виде оксида олова-индия, который представляет собой смесь оксида индия и оксида олова, хотя в настоящем изобретении индий не используется. Толщина и сопротивление слоя оксида металла может регулироваться даже без использования индия, и кроме того, теплотворная способность, подходящая для использования в нагревательном устройстве, может быть получена за счет гипертеплового ускорителя, образуемого на слое оксида металла, как будет описано ниже.
Слой оксида металла может, помимо оксида металла, дополнительно содержать дополнительный функциональный материал. Для улучшения функциональности, относящейся к выделению тепла слоем оксида металла, последний может быть образован смешиванием двух или более оксидов металлов, хотя слой оксида металла может также быть образован добавлением неметаллического материала к оксиду металла. В одном из вариантов осуществления таким функциональным материалом может быть фтор. Добавление фтора к оксиду олова может улучшить химическую стойкость и высокотемпературные свойства, а также оптическую проницаемость и электропроводность.
Гипертепловой ускоритель может содержать по меньшей мере один материал, выбираемый из группы, в состав которой входят SnF2, SnF4, фторид никеля-олова (SnNiF), фторид хрома-олова (SnCrF), фторид цинка-олова (SnZnF) и фторид никеля-цинка (ZnNiF).
Как показано на ФИГ. 1(b), в нагревательном устройстве в соответствии с настоящим изобретением нижние части гипертеплового ускорителя заглублены в слой оксида металла, образуя таким образом диффузионный слой, а верхние его части заглублены в слой проводящего клея.
На ФИГ. 2(a) - 2(c) показаны в поперечном сечении сферические элементы гипертеплового ускорителя с отражением принципа действия гипертеплового ускорителя.
Как показано на ФИГ. 2А и 2В, нижние части сферических элементов гипертеплового ускорителя диффундированы в слой оксида метала с образованием диффузионного слоя. Диффузия сферических элементов гипертеплового ускорителя в слой оксида металла основана на процессе крепления ламинированием, как описано ниже.
Как показано на ФИГ. 2С, в то время как тепло, выделяемое из сферических элементов гипертеплового ускорителя, проходит через область теплового ускорения и область накопления тепла, температура быстро повышается и может поддерживаться в течение продолжительного времени в расширенном диапазоне нагрева. Область накопления тепла, создаваемая за счет усиления области тепловой диффузии существующего нагревательного слоя (слоя оксида металла) с областью теплового ускорения за счет гипертеплового ускорителя, может расширять диапазон нагрева и позволяет достичь повышения температуры за короткое время.
На ФИГ. 3 показан температурный градиент между сферическими элементами гипертеплового ускорителя. Как показано на ФИГ. 3, в области, расположенной ниже границы, имеет место разность температур из-за различий в удельной теплоемкости и скорости накопления энергии между областью существующего нагревательного слоя (слоя оксида металла) и областью, в которой диффундируют сферические элементы гипертеплового ускорителя. В области выше границы, как показано на ФИГ. 2А - 2С, может быть создана область накопления тепла за счет тепла области теплового ускорения.
На ФИГ. 4 показан график, на котором отражен эффект повышения температуры, достигаемый нагревательным устройством, имеющим гипертепловой ускоритель. В соответствии с настоящим изобретением, нагревательное устройство, содержащее сферические элементы гипертеплового ускорителя, способно достичь более высокой температуры за более короткое время, чем нагревательное устройство, которое не содержит сферических элементов гипертеплового ускорителя.
На ФИГ. 5 показана технологическая схема, отражающая процесс изготовления нагревательного устройства в соответствии с настоящим изобретением. На ФИГ. 8 показаны результаты, получаемые на отдельных этапах ФИГ. 5.
<Образование сферических элементов гипертеплового ускорителя>
В соответствии с настоящим изобретением, на слое клея могут быть образованы элементы гипертепловою ускорителя, имеющие сферическую форму, посредством непрерывного химического процесса, проводимого при комнатной температуре.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения указанный непрерывный химический процесс, проводимый при комнатной температуре, включает направление микроволн, испускаемых микроволновым генератором, в пространство магнитного поля; введение в пространство магнитного поля газообразного источника плазмы; выдерживание газообразного источника плазмы в пространстве магнитного поля посредством воздействия на него микроволнами; поддержание плазмы, имеющей высокую энергетическую плотность, за счет электронно-циклотронного резонанса (ЭЦР) электронов и ионов в плазме под действием магнитного поля; подачу исходного газа гипертеплового ускорителя для образования осаждаемой пленки в области плазмы, имеющей высокую энергетическую плотность, для отдачи активированных ионов; и непрерывное образование (осаждение) сферических точек гипертеплового ускорителя посредством мгновенной поверхностной химической реакции активированных ионов на поверхности слоя клея.
Непрерывный химический процесс, проводимый при комнатной температуре, в соответствии с настоящим изобретением, способен образовывать сферические элементы гипертеплового ускорителя, располагающиеся в виде решетки и распределяемые равномерно, в отличие от процесса напыления, при котором образуются рассеянные наноточки.
Сферические элементы гипертеплового ускорителя могут иметь диаметр от 50 до 100 нм, например, 50-90 нм, 50-80 нм, 50-70 нм, 50-60 нм, 60-100 нм, 60-90 нм, 60-80 нм, 60-70 нм, 70-100 нм, 70-90 нм, 70-80 нм, 80-100 нм, 80-90 нм, а также во всех диапазонах и субдиапазонах, находящихся между указанными значениями. Если диаметр сферических элементов выходит за пределы значений соответствующего диапазона, это может привести к снижению структурной устойчивости и, как следствие, ухудшению характеристик теплового ускорения.
Сферические элементы гипертеплового ускорителя могут располагаться на расстоянии друг от друга в пределах от 10-20 нм, например, 10-15 нм, 10-13 нм, 15-20 нм, 18-20 нм, а также во всех диапазонах и субдиапазонах, находящихся между ними. Если расстояние между ними составляет менее 10 нм, это может привести к снижению оптических свойств. С другой стороны, если расстояние между ними превысит 20 нм, оптические свойства могут оставаться хорошими, но способность накопления тепла может ухудшиться, что снизит эффективность теплового ускорения.
На ФИГ. 6 показано образование гипертеплового ускорителя на второй подложке в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения. Как показано на ФИГ. 6, в качестве второй подложки может использоваться клеящая пленка, на которую нанесен_проводящий клей. Как показано на ФИГ. 6, слой сферических элементов_гипертеплового ускорителя образован на слое проводящего клея клеящей пленки (второй подложки).
В одном из вариантов осуществления в качестве проводящего клея может использоваться клей отверждаемого типа, а в поверхность изолирующих частиц полимера на кремниевой основе может быть включен проводящий металл - такой, как Ni, Ag или Ni/Au.
Во время последующей обработки пленка гипертеплового ускорителя может крепиться ламинированием к пленке композитного оксида металла, где предусматривается, что слой оксида металла образуется на электродах и первой подложке. Впоследствии пленку, несущую слой гипертеплового ускорителя, можно снять со слоя проводящего клея посредством перемотки. Здесь процесс снятия пленки не ограничивается процессом перемотки и может представлять собой любой процесс, известный из уровня техники.
<Образование слоя оксида металла>
На ФИГ. 7 показано образование слоя оксида металла на несущей оксид металла_пленке (первой подложке) в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения. Как показано на ФИГ. 7, слой оксида металла может быть образован осаждением оксида металла на первой подложке. Осаждение проводят при комнатной температуре; при этом может использоваться процесс химического парофазного осаждения, хотя изобретение не ограничивается этим процессом, и может использоваться любой процесс парофазного осаждения, известный из уровня техники. В частности, процесс химического парофазного осаждения может проводиться таким образом, при котором образуются переконденсированные ионы металла, для чего к прекурсору оксида металла прилагают напряжение, и образовавшиеся ионы металла осаждаются на поверхность подложки посредством химического связывания. Поскольку процесс химического парофазного осаждения проводят при комнатной температуре, становится возможным осаждение на полимер, который обладает высокой функциональностью, но слабо устойчив к нагреву; кроме того, при вышеупомянутом процессе осаждения облегчается осаждение на большую площадь.
После осаждения слоя оксида металла выполняются процесс образования электрода и процесс ламинирования с использованием пленки гипертеплового ускорителя.
<Процесс теплового связывания>
На ФИГ. 8 показано крепление ламинированием гипертеплового ускорителя, образованного на второй подложке, к слою оксида металла первой подложки, а также представлены этапы изготовления нагревательного устройства в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения и результаты отдельных этапов.
Как показано на ФИГ. 8, вторая подложка с образованными на ней сферическими элементами гипертеплового ускорителя, и первая подложка с образованным на ней слоем оксида металла, пропускаются через валец, посредством чего элементы гипертеплового ускорителя, имеющие сферическую форму, прикрепляются ламинированием к слою оксида металла первой подложки, оставаясь при этом прикрепленными к спою проводящего клея второй подложки, в результате чего изготавливается нагревательное устройство. При креплении ламинированием, нижние части элементов гипертеплового ускорителя, имеющих сферическую форму, заглубляются в слой оксида металла, а верхние их части заглубляются в спой проводящею клея.
Во время крепления ламинированием сферических элементов гипертепловою ускорителя валец может использоваться при давлении 1-5 кг/см2, 1-4 кг/см2, 1-3 кг/см2, 1-2 кг/см2, 2-6 кг/см2, 2-5 кг/см2, 2-4 кг/см2, 2-3 кг/см2, 3-5 кг/см2, 3-4 кг/см2, 4-5 кг/см2, а также во всех диапазонах и субдиапазонах, находящихся между ними.
Во время крепления ламинированием сферических элементов гипертепловою ускорителя валец может использоваться при температуре 60-80°С, 60-75°С, 60-70°С, 60-65°С, 65-80°С, 65-75°С, 65-70°С, 70-80°С, 70-75°С, 75-80°С, а также во всех диапазонах и субдиапазонах, находящихся между ними.
Если давление составляет менее 1 кг/см2, а температура ниже 60°С, валец не может создать энергию, необходимую для диффузии сферических элементов гипертеплового ускорителя в слой оксида металла, что уменьшает диффузию сферических элементов гипертеплового ускорителя в слой оксида металла и, как следствие, снижает теплотворную способностью нагревательного устройства.
С другой стороны, если давление выше 5 кг/см2, а температура выше 80°С, диффузия сферических элементов гипертеплового ускорителя в слой оксида металла не может быть выполнена в виде решетки, что приводит к ухудшению свойств нагревательного устройства.
<Крепления к объекту адгезии и завершение готового продукта>
На ФИГ. 9 и 10 показаны изображения нагревательного устройства для объектива камеры в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. На ФИГ. 9 показан обычный тип непосредственного крепления к объективу, а на ФИГ. 10 показан тип с монтажным кольцом для косвенного приложения тепла к объективу через крепление к наружному ободу блока объектива камеры. Тип крепления с непосредственным круговым креплением объектива, показанный на ФИГ. 9, и тип крепления посредством крепления к монтажному кольцу, показанный на ФИГ. 10, предусматривают крепление к камере в разных положениях.
На ФИГ. 11 показана схема присоединения нагревательного устройства обычного типа и объектива камеры в соответствии с настоящим изобретением. Изолирующая пленка может крепиться сверху нагревательного устройства. Низ нагревательного устройства может крепиться к объективу камеры с использованием двусторонней клеящей пленки.
На ФИГ. 12 показаны изображения испытаний с нагревом после крепления нагревательного устройства к объективу камеры. Слева на ФИГ. 12 показан обычный тип крепления нагревательного устройства к объективу, а справа на ФИГ. 12 показан тип крепления нагревательного устройства к объективу с использованием монтажного кольца.
Для лучшего понимания настоящего изобретения приводятся следующие пример, которые даны исключительно для иллюстрации и не могут быть истолкованы как ограничивающие объем настоящего изобретения.
Пример 1
На ФИГ. 8 показаны этапы изготовления нагревательного устройства в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения и результаты отдельных этапов.
Слой оксида олова осаждали химическим парофазовым осаждением на первую подложку 1 из ПЭТ толщиной около 150 мкм. Отдельно на вторую подложку 2 толщиной около 10 мкм осаждали сферические элементы гипертеплового ускорителя, состоящие из SnF2, с использованием непрерывного химического процесса, проводимого при комнатной температуре. Как показано на ФИГ. 6, в качестве второй подложки использовали клеящую пленку, выполненную таким образом, чтобы на обеих поверхностях несущей пленки (пленки из ПЭТ) был образован слой проводящего клея. Сферические элементы ипертеплового ускорителя осаждали на одной поверхности слоя проводящего клея. Кроме того, для защиты слоя (сферических элементов) гипертеплового ускорителя до завершения процесса крепления сферических элементов гипертеплового ускорителя ламинированием к слою оксида металла прикрепляли защитную пленку. Перед процессом ламинирования защитную пленку снимали с использованием перематывающего устройства.
Слой (пленка) клея с образованными на нем сферическими элементами гипертеплового ускорителя и первая подложка из ПЭТ с образованным на ней слоем оксида металла пропускались через валец, посредством чего элементы гипертеплового ускорителя, имеющие сферическую форму, крепились ламинированием к слою оксида металла первой подложки, оставаясь при этом прикрепленными к слою проводящего клея второй подложки, в результате чего было изготовлено нагревательное устройство. Валец использовали при давлении около 3 кг/см2 и температуре около 70°С.
Кроме того, нагревательные устройства изготавливались таким же образом, как в Примере 1, при разных значениях давления вальца.
Температуры нагрева изготовленных нагревательных устройств в зависимости от изменений в давлении вальца измеряли. Результаты измерений приведены в Таблице 1 ниже.
Figure 00000001
Figure 00000002
Сопротивление IV обозначает сопротивление устройства. Сопротивление IV - это физическая величина, которая замедляет течение тока в проводнике. В основном, оправку [измерительного прибора] помещают на оба конца устройства, а значение сопротивления измеряют в зависимости от расстояния между двумя электродами, а также площади и длины нагревательной пленки.
Сравнительный пример 1
Нагревательное устройство изготавливали таким же образом, как в Примере 1, за тем исключением, что сферические элементы гипертеплового ускорителя, состоящие из SnF2, не осаждали.
Температуру нагревательных устройств по Примеру 1 и Сравнительному примеру 1 измеряли с течением времени. Результаты показаны на ФИГ. 4.
Пример 2
Нагревательное устройство, изготовленное в Примере 1, предусматривали в виде нагревательного устройства обычного типа Нагревательное устройство обычного типа имеет кольцо, подходящее для покрытия круглого объектива, и две полосы, отходящие от кольца в противоположных направлениях На концах двух полос предусмотрены электроды. На ФИГ. 9 показано нагревательное устройство обычного типа.
Нагревательное устройство, изготовленное в Примере 1, предусматривали в виде нагревательного устройства с монтажным кольцом. Нагревательное устройство с монтажным кольцом представляет собой прямоугольную ленту. На обоих концах ленты предусмотрены электроды. На ФИГ. 10 показано нагревательное устройство с монтажным кольцом.
Нагревательное устройство обычного типа и нагревательное устройство с монтажным кольцом крепили к объективу камеры. На ФИГ. 11 представлен развернутый вид в перспективе конструкции, в которой нагревательное устройство обычного типа крепится к объективу камеры. Клеящую пленку крепили на объектив камеры, а сверху крепили нагревательное устройство обычного типа. Изолирующую пленку крепили на нагревательное устройство. Нагревательное устройство с монтажным кольцом также крепили к объективу камеры описанным выше образом.
Нагревательное устройство, прикрепленное к объективу камеры, подвергали испытаниям с нагревом. Результаты испытаний показаны на ФИГ. 12. На ФИГ. 12 представлены изображения, соответствующие испытаниям с нагревом, проводившимся после крепления нагревательного устройства к объективу камеры. Температуру нагрева определяли в зависимости от условий - таких как прилагаемое напряжение, сопротивление устройства и т.п.
Хотя варианты осуществления настоящего изобретения описаны для иллюстрации, специалистам в соответствующей области понятно, что возможны различные их модификации, дополнения и замены, осуществляемые без отступления от содержания и духа изобретения.
Соответственно простые модификации или изменения настоящего изобретения подпадают под объем настоящего изобретения, определяемый в прилагаемой формуле изобретения.

Claims (22)

1. Нагревательное устройство для объектива камеры, содержащее:
подложку,
слой оксида металла, образованный на подложке,
и образованную на слое оксида металла пленку в виде решетки из располагающихся на расстоянии 10-20 нм друг от друга сферических элементов диаметром 50-100 нм, состоящих из SnF2, SnF4, фторида никеля-олова (SnNiF), фторида хрома-олова (SnCrF), фторида цинка-олова (SnZnF), фторида никеля-цинка (ZnNiF) и их сочетаний, и
слой проводящего клея, образованный на слое оксида металла и указанной пленке, в которой
нижние части сферических элементов заглублены в слой оксида металла, а верхние их части заглублены в слой проводящего клея.
2. Нагревательное устройство по п.1, отличающееся тем, что оксид металла выбран из группы, состоящей из оксида алюминия, оксида меди, оксида железа, оксида олова, оксида кадмия, оксида цинка и их сочетаний.
3. Нагревательное устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве проводящего клея использован оптически прозрачный клей.
4. Способ изготовления нагревательного устройства для объектива камеры, характеризующийся тем, что
формируют слой оксида металла на первой подложке,
формируют пленку в виде решетки из располагающихся на расстоянии 10-20 нм друг от друга сферических элементов диаметром 50-100 нм, состоящих из SnF2, SnF4, фторида никеля-олова (SnNiF), фторида хрома-олова (SnCrF), фторида цинка-олова (SnZnF), фторида никеля-цинка (ZnNiF) и их сочетаний, посредством непрерывного химического процесса, проводимого при комнатной температуре, на слое проводящего клея второй подложки и
пропускают вторую подложку с образованной на ней пленкой и первую подложку с образованным на ней слоем оксида металла через валец с прикреплением ламинированием сферических элементов к слою оксида металла первой подложки и к слою проводящего клея второй подложки,
при этом нижние части сферических элементов заглубляют в слой оксида металла, а верхние их части заглубляют в слой проводящего клея.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что упомянутый непрерывный химический процесс осуществляют путем:
направления микроволн, испускаемых микроволновым генератором, в пространство магнитного поля,
введения в пространство магнитного поля газообразного источника плазмы,
выдерживания газообразного источника плазмы в пространстве магнитного поля посредством воздействия на него микроволнами,
поддержания плазмы, имеющей высокую энергетическую плотность, за счет электронно-циклотронного резонанса электронов и ионов в плазме под действием магнитного поля,
подачи исходного газа для формирования осаждаемой упомянутой пленки в виде решетки в области плазмы, имеющей высокую энергетическую плотность, для отдачи активированных ионов и непрерывного формирования сферических элементов посредством мгновенной поверхностной химической реакции активированных ионов на поверхности второй подложки.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что оксид металла выбирают из группы, состоящей из оксида алюминия, оксида меди, оксида железа, оксида олова, оксида кадмия, оксида цинка и их сочетаний.
7. Способ по п.4, отличающийся тем, что в качестве проводящего клея используют оптически прозрачный клей.
8. Способ по п.4, отличающийся тем, что после формирования упомянутой пленки в виде решетки осуществляют формирование защитной пленки на сферических элементах, а перед ламинированием упомянутую защитную пленку снимают со сферических элементов.
RU2018121983A 2018-04-12 2018-06-14 Нагревательное устройство для объектива камеры и способ его изготовления RU2700975C1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0042904 2018-04-12
KR1020180042904A KR102058865B1 (ko) 2018-04-12 2018-04-12 초가속 열소재를 이용한 발열 디바이스 및 이의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2700975C1 true RU2700975C1 (ru) 2019-09-24

Family

ID=62599514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018121983A RU2700975C1 (ru) 2018-04-12 2018-06-14 Нагревательное устройство для объектива камеры и способ его изготовления

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11647568B2 (ru)
EP (1) EP3554191B1 (ru)
JP (1) JP6698749B2 (ru)
KR (1) KR102058865B1 (ru)
CN (1) CN110381617B (ru)
DE (1) DE102018004630A1 (ru)
RU (1) RU2700975C1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102293252B1 (ko) * 2019-12-09 2021-08-25 주식회사 아이엠첨단소재 선박용 항해등 및 이를 위한 제어보드

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5935340A (en) * 1996-11-13 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces
WO2004047421A2 (en) * 2002-11-14 2004-06-03 Donnelly Corporation Imaging system for vehicle
RU2232448C2 (ru) * 1997-06-18 2004-07-10 Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи Способ получения пленки оксидного сверхпроводника и оксидное сверхпроводниковое изделие
WO2017205658A1 (en) * 2016-05-25 2017-11-30 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Atomic layer etching on microdevices and nanodevices

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3710074A (en) * 1970-10-08 1973-01-09 Ppg Industries Inc Electrically heated multiple glazed window having an iridescence masking film
GB2061075B (en) * 1979-10-11 1983-08-10 Tdk Electronics Co Ltd Ptc heating apparatus
US5780313A (en) * 1985-02-14 1998-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
JPS61111939A (ja) * 1984-11-02 1986-05-30 Nippon Sheet Glass Co Ltd 板ガラス
JPS6289873A (ja) * 1985-10-14 1987-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 透明導電膜形成方法
ATE78718T1 (de) 1987-12-17 1992-08-15 Uop Inc Dehydrierungskatalysatorteilchen mit schichtstruktur.
US4908330A (en) * 1988-02-01 1990-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Process for the formation of a functional deposited film containing group IV atoms or silicon atoms and group IV atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process
US4920254A (en) * 1988-02-22 1990-04-24 Sierracin Corporation Electrically conductive window and a method for its manufacture
US4922024A (en) * 1988-04-14 1990-05-01 The Dow Chemical Company Amination process employing group vib metal catalysts
US4941929A (en) * 1989-08-24 1990-07-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solder paste formulation containing stannous fluoride
US5506037A (en) * 1989-12-09 1996-04-09 Saint Gobain Vitrage International Heat-reflecting and/or electrically heatable laminated glass pane
US5229205A (en) * 1990-12-20 1993-07-20 Ford Motor Company Laminated glazing unit having improved interfacial adhesion
US5069968A (en) * 1990-12-20 1991-12-03 Ford Motor Company Laminated glazing unit having improved interfacial adhesion
JPH07295409A (ja) * 1994-04-25 1995-11-10 Canon Inc 加熱定着装置及びその製造方法
US5582770A (en) * 1994-06-08 1996-12-10 Raychem Corporation Conductive polymer composition
KR0150721B1 (ko) * 1995-04-07 1998-12-15 이진주 고전기저항 투명 발열 도전막의 제조방법 및 장치
DE69635908T2 (de) * 1995-08-03 2006-11-23 Ngk Insulators, Ltd., Nagoya Gesinterte Aluminiumnitridkörper und deren Verwendung als Subtrat in einer Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitern
JP3220635B2 (ja) * 1996-02-09 2001-10-22 松下電器産業株式会社 はんだ合金及びクリームはんだ
DE19844046C2 (de) * 1998-09-25 2001-08-23 Schott Glas Mehrscheibenisolierglas
US6512203B2 (en) * 1999-05-06 2003-01-28 Polymore Circuit Technologies Polymer thick film heating element on a glass substrate
US6204480B1 (en) * 2000-02-01 2001-03-20 Southwall Technologies, Inc. Vacuum deposition of bus bars onto conductive transparent films
JP2001242726A (ja) * 2000-02-25 2001-09-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 定着ヒータおよび画像形成装置
US6625875B2 (en) * 2001-03-26 2003-09-30 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Method of attaching bus bars to a conductive coating for a heatable vehicle window
US20070111094A1 (en) * 2001-08-31 2007-05-17 Thackeray Michael M Synthesis of intermetallic negative electrodes for lithium cells and batteries
US7514654B2 (en) * 2002-03-11 2009-04-07 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass article with metal member joined thereto, and junction structure using the same
JP4441211B2 (ja) * 2003-08-13 2010-03-31 シチズン電子株式会社 小型撮像モジュール
JP2007504615A (ja) 2003-09-05 2007-03-01 キタイ,エイドリアン 球支持薄膜蛍光体エレクトロルミネセンス素子
US20050067681A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Tessera, Inc. Package having integral lens and wafer-scale fabrication method therefor
KR101100625B1 (ko) * 2003-10-02 2012-01-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선 기판 및 그 제조방법, 및 박막트랜지스터 및 그제조방법
JP2005281726A (ja) 2004-03-26 2005-10-13 Ntt Afty Corp プラズマ成膜方法及びその装置
US7632713B2 (en) * 2004-04-27 2009-12-15 Aptina Imaging Corporation Methods of packaging microelectronic imaging devices
US20060042076A1 (en) 2004-08-24 2006-03-02 Fry's Metals, Inc. Bus bar system for heatable glass
FR2875669B1 (fr) 2004-09-17 2007-07-06 Saint Gobain Structure chauffante electrique
US20060154425A1 (en) * 2005-01-10 2006-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US20070272827A1 (en) * 2005-04-27 2007-11-29 Amkor Technology, Inc. Image sensor package having mount holder attached to image sensor die
WO2007000981A1 (ja) * 2005-06-29 2007-01-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 便座装置およびそれを備えるトイレ装置
KR20070096303A (ko) * 2006-03-23 2007-10-02 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈용 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US8658309B2 (en) * 2006-08-11 2014-02-25 California Institute Of Technology Dissociating agents, formulations and methods providing enhanced solubility of fluorides
JP2008141037A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Fujifilm Corp 固体撮像装置
JP5405729B2 (ja) * 2007-03-12 2014-02-05 パナソニック株式会社 便座装置
CN101286520A (zh) * 2007-04-10 2008-10-15 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测晶片封装结构及其封装方法
CN101285921A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 成像模组
KR100909970B1 (ko) * 2007-11-01 2009-07-29 삼성전자주식회사 카메라 모듈
KR100959922B1 (ko) * 2007-11-20 2010-05-26 삼성전자주식회사 카메라 모듈 및 그 제조방법
US8110884B2 (en) * 2007-12-18 2012-02-07 Micron Technology, Inc. Methods of packaging imager devices and optics modules, and resulting assemblies
DE202008017848U1 (de) * 2008-04-10 2010-09-23 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Transparente Scheibe mit einer beheizbaren Beschichtung und niederohmigen leitenden Schichten
JP5425459B2 (ja) * 2008-05-19 2014-02-26 富士フイルム株式会社 導電性フイルム及び透明発熱体
KR20090129927A (ko) * 2008-06-13 2009-12-17 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
US10412788B2 (en) * 2008-06-13 2019-09-10 Lg Chem, Ltd. Heating element and manufacturing method thereof
JP5021842B2 (ja) * 2008-06-13 2012-09-12 エルジー・ケム・リミテッド 発熱体およびその製造方法
JP5478126B2 (ja) * 2008-06-25 2014-04-23 富士フイルム株式会社 導電膜形成用感光材料、導電性材料及びエレクトロルミネッセンス素子
US8048708B2 (en) * 2008-06-25 2011-11-01 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing an imager module with a permanent carrier
US9012073B2 (en) * 2008-11-11 2015-04-21 Envia Systems, Inc. Composite compositions, negative electrodes with composite compositions and corresponding batteries
TWI386970B (zh) * 2008-11-18 2013-02-21 Ind Tech Res Inst 應用氣態硫化物之發光裝置
JP2010153963A (ja) 2008-12-24 2010-07-08 Nikon Corp 冷却カメラ
DE102009012003A1 (de) * 2009-02-26 2010-09-02 Basf Se Schutzbeschichtung für metallische Oberflächen und ihre Herstellung
JP5375219B2 (ja) * 2009-03-11 2013-12-25 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置
TWI372558B (en) * 2009-04-08 2012-09-11 Flexible thin image-sensing module with anti-emi function and flexible thin pcb module with anti-emi function
EP2278851B1 (de) * 2009-07-24 2013-05-29 THERM-IC Products GmbH Nfg. & Co. KG Elektrisch beheizbare Glasscheibe, Verfahren zu deren Herstellung sowie Fenster
JP2011066560A (ja) 2009-09-15 2011-03-31 Sharp Corp カメラモジュールおよび電子情報機器
JP2012049493A (ja) * 2010-01-29 2012-03-08 Nitto Denko Corp 撮像部品
FR2956556B1 (fr) 2010-02-17 2012-02-03 Saint Gobain Procede d'obtention d'un vitrage chauffant
US9085051B2 (en) * 2010-03-29 2015-07-21 Gaurdian Industries Corp. Fluorinated silver paste for forming electrical connections in highly dielectric films, and related products and methods
JP2013527561A (ja) * 2010-04-01 2013-06-27 エルジー・ケム・リミテッド 発熱体およびその製造方法
US9302451B2 (en) * 2010-05-10 2016-04-05 Saint-Gobain Glass France Transparent panel having heatable coating and production method therefor
KR20110127913A (ko) * 2010-05-20 2011-11-28 삼성전자주식회사 카메라 모듈
TW201210326A (en) * 2010-08-19 2012-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Camera module and manufacturing method of the same
KR101605235B1 (ko) * 2010-09-09 2016-03-21 쌩-고벵 글래스 프랑스 가열가능 코팅을 갖는 투명 창유리
CN103098541B (zh) * 2010-09-14 2015-06-17 Lg化学株式会社 加热元件及其制造方法
US8492737B2 (en) * 2010-11-18 2013-07-23 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Tunable infrared emitter
WO2012096540A2 (ko) * 2011-01-13 2012-07-19 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
WO2012096541A2 (ko) * 2011-01-13 2012-07-19 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
JP5372986B2 (ja) * 2011-03-11 2013-12-18 シャープ株式会社 カメラモジュールおよびその製造方法
US8605211B2 (en) * 2011-04-28 2013-12-10 Apple Inc. Low rise camera module
US9755229B2 (en) * 2011-06-14 2017-09-05 Brookhaven Science Associates, Llc Intermetallic M—Sn5 (M=Fe, Cu, Co, Ni) compound and a method of synthesis thereof
TR201910764T4 (tr) * 2011-08-09 2019-08-21 Saint Gobain Elektrikli kontaklama bileşimleri, elektrikli kontaklama bileşimlerinin üretimine yönelik yöntem.
JP5529820B2 (ja) * 2011-09-22 2014-06-25 富士フイルム株式会社 暖房便座
JP5993725B2 (ja) 2012-05-18 2016-09-14 協立化学産業株式会社 光学部品の製造方法、接着組成物キット及びコーティング組成物
JPWO2014097943A1 (ja) 2012-12-18 2017-01-12 東レ株式会社 金属ドット基板および金属ドット基板の製造方法
KR20140105408A (ko) * 2013-02-22 2014-09-01 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
US20160041312A1 (en) 2013-04-05 2016-02-11 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Optical film and surface light emitting body
JP6415111B2 (ja) * 2013-06-20 2018-10-31 キヤノン株式会社 プリント回路板、半導体装置の接合構造及びプリント回路板の製造方法
WO2015021177A1 (en) * 2013-08-06 2015-02-12 Massachusetts Institute Of Technology Production of non-sintered transition metal carbide nanoparticles
WO2015037182A1 (ja) 2013-09-10 2015-03-19 ロック技研工業株式会社 透明導電性基材及び透明導電性基材の製造方法
JP2015135932A (ja) 2014-01-20 2015-07-27 アイアールスペック株式会社 ペルチェ冷却型icパッケージ
JP5590259B1 (ja) 2014-01-28 2014-09-17 千住金属工業株式会社 Cu核ボール、はんだペーストおよびはんだ継手
JP2015182334A (ja) 2014-03-25 2015-10-22 東レ株式会社 金属ドット基板およびその製造方法
EP2950525B1 (en) 2014-05-28 2020-08-12 ams AG Semiconductor image sensor with integrated pixel heating and method of operating a semiconductor image sensor
KR101865441B1 (ko) * 2014-09-29 2018-06-07 주식회사 엘지화학 발열체 및 이의 제조방법
WO2016080406A1 (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 大日本印刷株式会社 発熱板、導電性パターンシート、乗り物、及び、発熱板の製造方法
US10912155B2 (en) * 2014-11-17 2021-02-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Heating plate, conductive pattern sheet, vehicle, and method of manufacturing heating plate
JP2018504749A (ja) * 2014-12-31 2018-02-15 コーロン インダストリーズ インク 透明面状発熱体
CN104822187A (zh) 2015-03-10 2015-08-05 宁波华尔克应用材料有限公司 一种挡风玻璃高效除霜雾镀膜及其制备方法和装置
KR102441534B1 (ko) 2015-08-17 2022-09-07 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈
KR102452409B1 (ko) 2016-10-19 2022-10-11 삼성전자주식회사 방사 부재를 포함하는 전자 장치
US10645760B2 (en) * 2017-05-16 2020-05-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Heater device and method for producing the same
WO2019108954A1 (en) * 2017-12-01 2019-06-06 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Materials and methods relating to single molecule arrays

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5935340A (en) * 1996-11-13 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces
RU2232448C2 (ru) * 1997-06-18 2004-07-10 Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи Способ получения пленки оксидного сверхпроводника и оксидное сверхпроводниковое изделие
WO2004047421A2 (en) * 2002-11-14 2004-06-03 Donnelly Corporation Imaging system for vehicle
WO2017205658A1 (en) * 2016-05-25 2017-11-30 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Atomic layer etching on microdevices and nanodevices

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190119446A (ko) 2019-10-22
CN110381617B (zh) 2022-02-11
US20190320504A1 (en) 2019-10-17
CN110381617A (zh) 2019-10-25
EP3554191B1 (en) 2020-08-05
DE102018004630A1 (de) 2019-10-17
JP2019186180A (ja) 2019-10-24
US11647568B2 (en) 2023-05-09
KR102058865B1 (ko) 2019-12-24
EP3554191A1 (en) 2019-10-16
JP6698749B2 (ja) 2020-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111240532B (zh) 具有uv防护的基于银纳米结构的光学叠层和触摸传感器
US9202944B2 (en) Polarized light detection system with carbon nanotube structure
RU2700975C1 (ru) Нагревательное устройство для объектива камеры и способ его изготовления
WO2021077838A1 (zh) 基于黑磷/石墨烯/二硫化钼异质结的光电探测器及其制备方法
CN202368004U (zh) 一种隔热/导热复合多层材料
CN109616529A (zh) 一种紫外探测器及其制备方法
Walia et al. Metal mesh-based transparent electrodes as high-performance EMI shields
CN102480004A (zh) 一种具有空间间隙的超材料及其制备方法
US10921192B2 (en) Plane source blackbody
CN105807986B (zh) 透明导电体和触摸屏
Liu et al. Transparent low-voltage-driven soft actuators with silver nanowires Joule heaters
Wiesel et al. Optically transparent solid electrodes for precision Penning traps
US10782189B2 (en) Blackbody radiation source
CN105700735A (zh) 透明导电体和触摸屏
US20200025622A1 (en) Blackbody radiation source
CN210071148U (zh) 一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器
US11047740B2 (en) Plane source blackbody
TW202141531A (zh) 透光性導電層積層體
Sun et al. Stability of resistive-type humidity sensor based on cross-linked polyelectrolytes in chemical environments
KR102035603B1 (ko) 복합 전도성 기판 및 그의 제조 방법
CN114342183A (zh) 阻抗匹配膜和电波吸收体
KR20200035218A (ko) 퇴적된 가열기를 포함하는 물체 센서
WO2023042843A1 (ja) 透明導電性フィルム
Wu et al. Flexible thermistors for far infrared detection: MCNO films with low resistivity and high TCR deposited on flexible organic sheets
KR20240058799A (ko) 투명 도전층, 투명 도전성 필름 및 물품

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20210630