RU2475866C2 - Подложка активной матрицы, дисплейное устройство, способ проверки подложки активной матрицы и способ проверки дисплейного устройства - Google Patents

Подложка активной матрицы, дисплейное устройство, способ проверки подложки активной матрицы и способ проверки дисплейного устройства Download PDF

Info

Publication number
RU2475866C2
RU2475866C2 RU2011106755/08A RU2011106755A RU2475866C2 RU 2475866 C2 RU2475866 C2 RU 2475866C2 RU 2011106755/08 A RU2011106755/08 A RU 2011106755/08A RU 2011106755 A RU2011106755 A RU 2011106755A RU 2475866 C2 RU2475866 C2 RU 2475866C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
interconnects
interconnect
gate
active matrix
matrix substrate
Prior art date
Application number
RU2011106755/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011106755A (ru
Inventor
Масахиро Йосида
Такехико КАВАМУРА
Кацухиро ОКАДА
Original Assignee
Шарп Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шарп Кабусики Кайся filed Critical Шарп Кабусики Кайся
Publication of RU2011106755A publication Critical patent/RU2011106755A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2475866C2 publication Critical patent/RU2475866C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0041—Devices characterised by their operation characterised by field-effect operation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13456—Cell terminals located on one side of the display only
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254—Checking; Testing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0278—Details of driving circuits arranged to drive both scan and data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к средствам проверки подложки активной матрицы. Технический результат заключается в повышении достоверности обнаружения коротких замыканий смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое. Подложка состоит из первых соединительных проводов, подключенных к контактному выводу затвора, который подключается к проводам вывода, вторых соединительных проводов, подключенных к контактному выводу затвора, который подключается к проводам вывода, объединенных проводов, которые объединяют два взаимно смежных провода из первого соединительного провода и второго соединительного провода в один провод, первого проверочного провода, который может вводить сигнал проверки в объединенные провода, которые не являются смежными в объединенных проводах, и второго проверочного провода, который может вводить сигнал проверки в объединенные провода, которые не подключены к первому проводу проверки и не являются смежными в объединенных проводах. 8 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к подложке активной матрицы, имеющей два или более слоев, с множеством первых выбирающих межсоединений, соответственно, соединяющих множество первых межсоединений, сформированных параллельно друг другу в области отображения, и множество первых контактных выводов, размещаемых в области размещения контактных выводов, сформированном в соответствующих слоях, к дисплейному устройству, к способу проверки подложки активной матрицы и к способу проверки дисплейного устройства.
Предшествующий уровень техники
В последние годы жидкокристаллические панели широко используются во множестве электронных устройств, таких как мобильные телефоны, PDA, автомобильные навигационные системы и персональные компьютеры. Жидкокристаллические панели характеризуются своей тонкостью, легкостью и энергосбережением. Что касается способов монтажа драйверов на таких жидкокристаллических панелях, известен так называемый способ COG (для монтажа на стеклянную подложку), который заключает в себе непосредственный монтаж драйвера на одной (подложке активной матрицы) из пары подложек, противоположных друг другу, через жидкокристаллический материал (например, см. JP 9-329796A, JP 8-328033A). Использование этого COG-способа дает возможность делать жидкокристаллические панели тоньше, меньше и легче, а также с более высокой четкостью между межсоединениями и контактными выводами.
Кроме того, количество вертикальных и горизонтальных пикселов экранов дисплея жидкокристаллических панелей, используемых в компактных электронных устройствах, таких как мобильные телефоны и PDA, в последние годы изменилось с 160×120 QQVGA и 176×144 QCIF на 320×240 QVGA и даже 640×480 VGA. Это приводит к увеличению количества межсоединений и контактных выводов, которые должны формироваться на подложке активной матрицы, составляющей жидкокристаллическую панель. Тем не менее, чтобы разрешать потребность в более компактных жидкокристаллических панелях более высокой четкости, размер подложки активной матрицы не может увеличиваться.
С учетом этого известна подложка активной матрицы, на которой множество выбирающих межсоединений, соответственно, соединяющих множество межсоединений затвора, сформированных в области отображения, и множество контактных выводов затвора, размещаемых в области размещения контактных выводов, формируются в двух или более слоях (нескольких слоях) (например, см. JP 2004-53702A, JP 2005-91962A). В частности, заданное количество множества выбирающих межсоединений формируется в слое (первом слое), идентичном слою, в котором формируются межсоединения затвора, и оставшиеся выбирающие межсоединения формируются на слое (втором слое), отличном от слоя, в котором формируются межсоединения затвора. Следует отметить, что изоляционный материал вставляется между выбирающими межсоединениями, сформированными в первом слое, и выбирающими межсоединениями, сформированными во втором слое. Разбиение на множество слоев выбирающих межсоединений обеспечивает возможность реализации более компактной жидкокристаллической панели более высокого разрешения без увеличения размера подложки активной матрицы, поскольку разнесение между выбирающими межсоединениями, сформированными в первом слое, и выбирающими межсоединениями, сформированными во втором слое, может уменьшаться.
В этой связи, поскольку изоляционный материал вставляется между выбирающими межсоединениями, сформированными в первом слое, и выбирающими межсоединениями, сформированными во втором слое, короткие замыкания (утечка) практически никогда не возникают между выбирающими межсоединениями, сформированными в первом слое, и выбирающими межсоединениями, сформированными во втором слое. Тем не менее, короткие замыкания могут возникать между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое, вследствие пыли от фотолитографии, остатка от травления и т.п. в ходе изготовления подложки активной матрицы. В частности, в последние годы требуются более компактные жидкокристаллические панели с более высоким разрешением, как пояснено выше, что увеличивает вероятность коротких замыканий между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое, поскольку разнесение между межсоединениями все в большей степени сокращается в последние годы. Важность проверки на предмет коротких замыканий между выбирающими межсоединениями в процессе проверки в ходе изготовления и т.п. подложек активной матрицы тем самым повышается. Таким образом, в процессе монтажа, монтаж драйвера на дефектной подложке активной матрицы, в которой возникает короткое замыкание в межсоединениях, приводит к дополнительным материальным затратам и эксплуатационным затратам.
Тем не менее, несмотря на увеличение важности проверки на предмет коротких замыканий между выбирающими межсоединениями, механизм для обнаружения коротких замыканий между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое относительно каждого из множества слоев в подложке активной матрицы, имеющей два или более слоев, не установлен. В частности, в традиционной подложке активной матрицы, имеющей два или более слоев, идентичный сигнал проверки вводится из идентичного проверочного межсоединения в каждое из смежных выбирающих межсоединений, сформированных в одном и том же слое, так что, хотя разъединение выбирающих межсоединений может обнаруживаться, короткие замыкания между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном том же слое, не могут обнаруживаться.
Сущность изобретения
Настоящее изобретение осуществлено с учетом вышеуказанных проблем.
Задачей настоящего изобретения является создание подложки активной матрицы, дисплейного устройства, способа проверки подложки активной матрицы и способа проверки дисплейного устройства, которые обеспечивают возможность достоверного обнаружения коротких замыканий между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое, в случае если выбирающие межсоединения формируются в каждом из множества слоев.
Средство решения проблемы
Для решения вышеуказанной задачи подложка активной матрицы в настоящем изобретении включает в себя множество первых межсоединений, сформированных параллельно друг другу в области отображения, множество вторых межсоединений, сформированных параллельно друг другу и так, чтобы пересекать множество первых межсоединений в области отображения, множество первых контактных выводов, размещаемых в области размещения контактных выводов, множество вторых контактных выводов, размещаемых в области размещения контактных выводов, множество первых выбирающих межсоединений, соответственно, соединяющих множество первых межсоединений и множество первых контактных выводов, и множество вторых выбирающих межсоединений, соответственно, соединяющих множество вторых межсоединений и множество вторых контактных выводов. Множество первых выбирающих межсоединений включает в себя множество третьих выбирающих межсоединений и множество четвертых выбирающих межсоединений, причем третьи выбирающие межсоединения формируются в слое, идентичном слою, в котором первые межсоединения формируются, по меньшей мере, часть четвертых межсоединений формируется в слое, отличном от слоя, в котором первые межсоединения формируются с размещенным между ними изоляционным материалом, и третьи выбирающие межсоединения и четвертые выбирающие межсоединения формируются попеременно в расчете на каждое межсоединение в области периферийных межсоединений, которая является отличной от области отображения и области размещения контактных выводов, и подложка активной матрицы включает в себя множество первых соединительных межсоединений, соответственно, подключенных к множеству первых контактных выводов, к которым множество третьих выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются множество вторых соединительных межсоединений, соответственно, подключенных к множеству первых контактных выводов, к которым множество четвертых выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются множество объединенных межсоединений - каждые состоят из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения, объединенных друг с другом, причем первое общее межсоединение в общем соединяет объединенные межсоединения, которые не смежены друг с другом из множества объединенных межсоединений, а второе общее межсоединение в общем соединяет объединенные межсоединения, которые смежены друг с другом и не подключены к первому общему межсоединению из множества объединенных межсоединений.
В подложке активной матрицы согласно настоящему изобретению сигналы проверки могут вводиться в третьи выбирающие межсоединения и четвертые выбирающие межсоединения через объединенные межсоединения, первые соединительные межсоединения и вторые соединительные межсоединения посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки - в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение в процессе проверки в ходе изготовления и т.п. подложки активной матрицы. Таким образом, взаимно независимые сигналы проверки могут вводиться в смежные третьи выбирающие межсоединения. Следует отметить, что третьи выбирающие межсоединения формируются в слое, идентичном слою, в котором формируются первые межсоединения. Тем самым могут обнаруживаться короткие замыкания между смежными третьими выбирающими межсоединениями. Взаимно независимые сигналы проверки также могут вводиться в смежные четвертые выбирающие межсоединения. Следует отметить, что, по меньшей мере, часть четвертых выбирающих межсоединений формируется в слое, отличном от слоя, в котором первые межсоединения формируются с размещенным между ними изоляционным материалом. Тем самым могут обнаруживаться короткие замыкания между смежными четвертыми выбирающими межсоединениями.
Подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению снабжена множеством объединенных межсоединений, каждое из которых состоит из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения, объединенных друг с другом, причем каждые из множества объединенных межсоединений подключаются к первому общему межсоединению или второму общему межсоединению. Расстояние между межсоединениями тем самым может увеличиваться, и количество соединительных частей в слое межсоединений для электрического подключения межсоединений, сформированных в различных слоях, может сокращаться по сравнению с режимом, в котором каждые из множества первых соединительных межсоединений и множества вторых соединительных межсоединений непосредственно подключаются к первому общему межсоединению или второму общему межсоединению без обеспечения объединенных межсоединений. Таким образом, короткие замыкания между межсоединениями практически никогда не возникают, поскольку разнесение между межсоединениями (между объединенными межсоединениями) может увеличиваться. Кроме того, повреждения соединения и т.п. в соединительных частях в слое межсоединений могут уменьшаться вследствие возможности сокращать количество соединительных частей в слое межсоединений.
Как результат, в случае, если выбирающие межсоединения формируются в каждом из множества слоев, короткие замыкания между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном слое, могут достоверно обнаруживаться посредством простой конфигурации.
Для решения вышеуказанной задачи дисплейное устройство в настоящем изобретении содержит подложку активной матрицы согласно настоящему изобретению. Следует отметить, что дисплейное устройство предпочтительно является жидкокристаллическим дисплейным устройством.
Для решения вышеуказанной задачи способ проверки подложки активной матрицы или дисплейного устройства в настоящем изобретении является способом проверки вышеуказанной подложки активной матрицы или дисплейного устройства, снабженного вышеуказанной подложкой активной матрицы, включающим в себя процесс проверки третьих выбирающих межсоединений и четвертых выбирающих межсоединений посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение и процесс обрезания множества первых соединительных межсоединений и множества вторых соединительных межсоединений после этапа проверки.
В способе проверки подложки активной матрицы или дисплейного устройства согласно настоящему изобретению, короткие замыкания между смежными третьими выбирающими межсоединениями и короткие замыкания между смежными четвертыми выбирающими межсоединениями могут обнаруживаться посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение. Множество первых соединительных межсоединений и множество вторых соединительных межсоединений затем обрезаются в процессе обрезания. Множество первых контактных выводов, к которым множество третьих выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются, тем самым электрически отделяются от множества первых контактных выводов, к которым соответственно, подключаются множество четвертых выбирающих межсоединений.
Как описано выше, подложка активной матрицы, дисплейное устройство и способ проверки подложки активной матрицы настоящего изобретения обеспечивают эффект возможности достоверного обнаружения коротких замыканий между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое, посредством простой конфигурации в случае, если выбирающие межсоединения формируются в каждом из множества слоев.
Краткое описание чертежей
На чертежах:
Фиг. 1 изображает вид сверху, показывающий схематичную конфигурацию жидкокристаллической панели согласно варианту 1 осуществления настоящего изобретения;
Фиг. 2 изображает поперечный разрез по линии a-a' на фиг. 1;
Фиг. 3 изображает укрупненный вид части E1 на фиг. 1;
Фиг. 4 изображает укрупненный вид части E2 на фиг. 1;
Фиг. 5 изображает вид сверху, показывающий схематичную конфигурацию жидкокристаллической панели согласно модификации;
Фиг. 6 изображает укрупненный вид части, идентичной части E1, показанной на фиг. 1.
Лучший вариант осуществления изобретения
В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором множество первых соединительных межсоединений и множество вторых соединительных межсоединений обрезаются так, что электрическая непрерывность не устанавливается между множеством первых контактных выводов, к которым множество третьих выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются, и множеством первых контактных выводов, к которым множество четвертых выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются. Этот режим приводит к электрическому отделению множества первых контактных выводов, к которым, соответственно, подключаются множество третьих выбирающих межсоединений, от множества первых контактных выводов, к которым, соответственно, подключаются множество четвертых выбирающих межсоединений.
В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором резистивный элемент подключается, по меньшей мере, к одним из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения. В частности, предпочтительно осуществляется режим, в котором резистивный элемент подключается к каждым из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения. Этот режим предоставляет возможность обрезания объединенных межсоединений вместо первых соединительных межсоединений и вторых соединительных межсоединений в процессе обрезания в ходе изготовления и т.п. подложки активной матрицы. Другими словами, количество межсоединений, которые должны обрезаться, меньше, чем в случае обрезания первых соединительных межсоединений и вторых соединительных межсоединений. Как результат, может уменьшаться фактическое время в процессе обрезания. Кроме того, расстояние между межсоединениями, которые должны обрезаться, может увеличиваться, обеспечивая сокращение случаев возникновения повреждений, таких как замыкание накоротко смежных межсоединений вследствие остатков от обрезания, сформированных в ходе обрезания.
В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором резистивный элемент, подключенный к первому соединительному межсоединению, и резистивный элемент, подключенный ко второму соединительному межсоединению, имеют практически идентичное значение сопротивления. Этот режим позволяет быть фактически эквивалентным величинам задержки сигналов проверки, которые должны вводиться в выбирающие межсоединения, соответствующие смежным соединительным межсоединениям, и в первые межсоединения, соответствующие выбирающим межсоединениям, в процессе проверки в ходе изготовления и т.п. подложки активной матрицы. Тем самым могут обнаруживаться повреждения, которые, хотя и не приводят к разъединению, возникают в случаях, к примеру, когда ширина межсоединения является очень малой.
В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором каждое из множества объединенных межсоединений обрезано. Этот режим приводит к электрическому отделению множества первых контактных выводов, к которым множество третьих выбирающих межсоединений и множество четвертых выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются от первого общего межсоединения и второго общего межсоединения.
В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором первые межсоединения являются межсоединениями затвора, а вторые межсоединения являются межсоединениями истока. Здесь, в режиме, в котором количество первых межсоединений и количество вторых межсоединений взаимно отличается, например, короткие замыкания между межсоединениями затвора, которые имеют высокую частоту отказов, могут обнаруживаться, если первые межсоединения являются межсоединениями затвора, в случае, если имеется больше первых межсоединений, чем вторых межсоединений. Установка возбуждающей схемы (драйвера) для межсоединений затвора на дефектной подложке активной матрицы, в которой короткое замыкание возникает между межсоединениями затвора, тем самым может предотвращаться. Таким образом, дополнительные материальные затраты и эксплуатационные затраты могут уменьшаться. Следует отметить, что возбуждающая схема для межсоединений затвора имеет простую конфигурацию по сравнению с возбуждающей схемой для межсоединений истока, которая подает сигналы истока (видеосигналы), соответствующие множеству градаций. В случае, если имеется больше первых межсоединений, чем вторых межсоединений, для сокращения размера области размещения контактных выводов и уменьшения стоимости подложек активной матрицы первые межсоединения предпочтительно являются межсоединениями затвора, а вторые межсоединения предпочтительно являются межсоединениями истока.
В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором первые межсоединения являются межсоединениями истока, а вторые межсоединения являются межсоединениями затвора. Этот режим обеспечивает проверку для коротких замыканий между межсоединениями истока. Таким образом, поскольку возбуждающая схема (драйвер) для межсоединений истока должна подавать сигналы истока (видеосигналы), соответствующие множеству градаций, конфигурация является сложной по сравнению с возбуждающей схемой (драйвером) для межсоединений затвора. Другими словами, возбуждающая схема для межсоединений истока является дорогой по сравнению с возбуждающей схемой для межсоединений затвора. Установка возбуждающей схемы (драйвера) для межсоединений истока на дефектной подложке активной матрицы, в которой короткое замыкание возникает между межсоединениями истока, тем самым может предотвращаться. Таким образом, дополнительные материальные затраты и эксплуатационные затраты могут уменьшаться.
В варианте осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором способ проверки подложки активной матрицы согласно вариантам осуществления настоящего изобретения или дисплейного устройства, содержащего подложку активной матрицы согласно вариантам осуществления настоящего изобретения, включает в себя процессы проверки третьих выбирающих межсоединений и четвертых выбирающих межсоединений посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение и обрезания множества объединенных межсоединений после процесса проверки. Этот режим обеспечивает возможность обнаружения коротких замыканий между смежными третьими выбирающими межсоединениями и коротких замыканий между смежными четвертыми выбирающими межсоединениями посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение. Множество объединенных межсоединений затем обрезается в процессе обрезания. Первые контактные выводы, к которым множество третьих выбирающих межсоединений и множество четвертых выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются, тем самым электрически отделяются из первого общего межсоединения и второго общего межсоединения.
Далее описаны варианты осуществления настоящего изобретения со ссылками на чертежи. На чертежах, упомянутых в дальнейшем в этом документе, тем не менее, для простоты описания, показаны в упрощенной форме, только главные элементы, необходимые для того, чтобы описать настоящее изобретение, из составляющих элементов вариантов осуществления настоящего изобретения. Соответственно, подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению может содержать произвольные составляющие элементы, которые не показаны на чертежах, упомянутых в настоящем описании изобретения. Кроме того, размеры элементов на чертежах не предназначены для того, чтобы точно представлять фактические размеры составляющих элементов или размерные соотношения элементов.
Вышеуказанные первое и второе общие межсоединения описываются в настоящем варианте осуществления как первое проверочное межсоединение и второе проверочное межсоединение.
Первый вариант осуществления
Фиг. 1 изображает вид сверху, показывающий схематичную конфигурацию жидкокристаллической панели 1 согласно настоящему варианту осуществления. Как показано на фиг. 1, жидкокристаллическая панель 1 содержит подложку 2 активной матрицы и противоположную подложку 3, которая располагается напротив подложки 2 активной матрицы. Жидкокристаллический материал (не показан) удерживается между подложкой 2 активной матрицы и противоположной подложкой 3. Следует отметить, что слой цветных светофильтров, который включает в себя R (красные), G (зеленые) и B (синие) цветные светофильтры и черную матрицу, которая предотвращает попадание света между этими цветными светофильтрами, формируется на противоположной подложке 3 согласно настоящему варианту осуществления. Общие электроды формируются в слое цветных светофильтров.
Жидкокристаллическая панель 1 согласно настоящему варианту осуществления используется в электронном устройстве для мобильных терминалов, таком как, например, мобильный телефон, PDA (персональное цифровое устройство), PHS (система персональных мобильных телефонов) или HHT (карманный терминал). Кроме электронного устройства для мобильных терминалов, жидкокристаллическая панель 1 согласно настоящему варианту осуществления также используется в электронном устройстве, таком как игровой терминал, автомобильная навигационная система, персональный компьютер, телевизионный приемник, видеокамера или цифровая камера. Здесь, электронное устройство, содержащее жидкокристаллическую панель 1, является одним вариантом осуществления жидкокристаллического дисплейного устройства согласно настоящему изобретению. Следует отметить, что подложка 2 активной матрицы согласно настоящему варианту осуществления может быть предусмотрена в панели (дисплейном устройстве), отличной от жидкокристаллической панели 1, такой как дисплей с автоэлектронной эмиссией, плазменный дисплей, органический электролюминесцентный дисплей или неорганический электролюминесцентный дисплей.
Подложка 2 активной матрицы имеет область 4 отображения, область 5 размещения контактных выводов и область 6 периферийных межсоединений, которая находится за пределами области 4 отображения и окружает область 4 отображения. Следует отметить, что, в дальнейшем в этом документе, одна сторона жидкокристаллической панели 1 обозначается как первая сторона S1 (нижняя сторона на фиг. 1), стороны слева и справа от данной первой стороны S1 обозначаются, соответственно, как вторая сторона S2 и третья сторона S3, а сторона, располагающаяся напротив первой стороны S1, обозначается как четвертая сторона S4.
Здесь, как показано на фиг. 1, длина H второй стороны S2 (третьей стороны S3) подложки 2 активной матрицы превышает длину L второй стороны S2 (третьей стороны S3) противоположной подложки 3. В случае, если подложка 2 активной матрицы и противоположная подложка 3 склеиваются через жидкокристаллический материал (не показан), область 5 размещения контактных выводов подложки 2 активной матрицы размещается ближе в направлении первой стороны S1, чем противоположная подложка 3.
Первые межсоединения 401-407 затвора, вторые межсоединения 411-417 затвора и межсоединения 421, 422, 423,...,42i истока формируются в области 4 отображения. Здесь, первые межсоединения 401-407 затвора, соответственно, имеют входные концы 431-437 для стробирующих сигналов на одном конце. Кроме того, вторые межсоединения 411-417 затвора, соответственно, имеют входные концы 441-447 для стробирующих сигналов на противоположном конце. Дополнительно, межсоединения 421, 422, 423,...,42i истока, соответственно, имеют входные концы 451, 452, 453,..., 45i для сигналов истока на одном конце.
На фиг. 1 для простоты описания показано семь первых межсоединений 401-407 затвора и семь вторых межсоединений 411-417 затвора, но количество первых межсоединений затвора и вторых межсоединений затвора, которые должны формироваться в области 4 отображения, фактически превышает его. Количество первых межсоединений затвора и вторых межсоединений затвора, тем не менее, является произвольным и конкретно не ограничено.
Следует отметить, что, в дальнейшем в этом документе только в случае, если отдельные межсоединения должны различаться, описание приводится с присоединенными нижними индексами для различения отдельных межсоединений, например, таких как межсоединение 421 истока, а в случае, если отдельные межсоединения не должны конкретно различаться, либо в случае, если на межсоединения ссылаются совместно, приводится описание без присоединения нижних индексов, как, например, межсоединения 42 истока. Кроме того, в дальнейшем в этом документе в случаях, если первые межсоединения 401-407 затвора и вторые межсоединения 411-417 затвора необязательно должны различаться или упоминаются совместно, описание ссылается просто на межсоединения 40 и 41 затвора.
В настоящем варианте осуществления первые межсоединения 401-407 затвора и вторые межсоединения 411-417 затвора формируются в области 4 отображения попеременно в расчете на каждые межсоединения и так, чтобы быть параллельными друг другу. Таким образом, межсоединения 40 и 41 затвора формируются в области 4 отображения, чтобы размещаться от четвертой стороны S4 в направлении первой стороны S1 следующим образом: первое межсоединение 401 затвора, второе межсоединение 411 затвора, первое межсоединение 402 затвора, второе межсоединение 412 затвора, первое межсоединение 403 затвора, второе межсоединение 413 затвора и т.д. Межсоединения 421, 422, 423,...,42i истока формируются в области 4 отображения параллельно друг другу и так, чтобы пересекать межсоединения 40 и 41 затвора.
В настоящем варианте осуществления межсоединения 42 истока формируются в области 4 отображения в расчете на RGB. Другими словами, межсоединения 42 истока для R, межсоединения 42 истока для G и межсоединения 42 истока для B формируются в области 4 отображения. В случае монохромной жидкокристаллической панели 1, тем не менее, настоящее изобретение не ограничено этим. Дополнительно, кроме межсоединений 40 и 41 затвора и межсоединений 42 истока, межсоединения накопительного конденсатора (не показаны) формируются в области 4 отображения. Межсоединения накопительного конденсатора формируются в области 4 отображения так, чтобы быть параллельными межсоединениям 40 и 41 затвора.
Следует отметить, что переключающие элементы, такие как TFT (тонкопленочные транзисторы) или MIM (структура "металл-диэлектрик-металл") (не показаны) и электроды элементов изображений (R, G или B) (не показаны), подключенные к этим переключающим элементам, формируются в пересекающихся частях межсоединений 40 и 41 затвора и межсоединений 42 истока.
Область 5 размещения контактных выводов является областью, в которой множество контактных выводов 51 затвора и множество контактных выводов 52 истока размещаются на подложке 2 активной матрицы. Драйвер или подложка на основе гибких межсоединений, снабженная драйвером, электрически подключена к контактным выводам 51 затвора и контактным выводам 52 истока в области 5 размещения контактных выводов. Контактные выводы 51 затвора тем самым являются контактными выводами, в которые стробирующие сигналы могут вводиться из драйвера. Контактные выводы 52 истока являются контактными выводами, в которые сигналы истока могут вводиться из драйвера. Следует отметить, что драйвер может подключаться в области 5 размещения контактных выводов посредством способа COG (для монтажа на стеклянную подложку).
Кроме того, подложка на основе гибких межсоединений, содержащая драйвер, может подключаться в области 5 размещения контактных выводов посредством способа TCP (ленточного кристаллоносителя). Следует отметить, что способ соединения конкретно не ограничен здесь.
Следует отметить, что фиг. 1 изображает пример, в котором один драйвер может быть расположен в области 5 размещения контактных выводов, но настоящее изобретение не ограничено этим. Например, посредством обеспечения множества областей 5 размещения контактных выводов на подложке 2 активной матрицы может быть осуществлена конфигурация, в которой множество драйверов может быть расположено в каждой из множества областей 5 размещения контактных выводов.
Расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611-617 затвора (первые, выбирающие межсоединения), соответственно, соединяющие контактные выводы 51 затвора и входные концы 431-437 для стробирующих сигналов, предоставленных на одном конце первых межсоединений 401-407 затвора, формируются в области 6 периферийных межсоединений. Таким образом, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611-617 затвора выбираются из входных концов 431-437 для стробирующих сигналов в направлении третьей стороны S3, формируются в области 6 периферийных межсоединений вдоль третьей стороны S3 и подключаются к контактным выводам 51 затвора.
Здесь, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611-617 затвора включают в себя первые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611, 613, 615 и 617 затвора (третьи выбирающие межсоединения) и вторые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 612, 614 и 616 затвора (четвертые выбирающие межсоединения). Первые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 611, 613, 615 и 617 затвора являются выбирающими межсоединениями, сформированными в слое, идентичном слою, в котором формируются межсоединения 40 и 41 затвора. Следует отметить, что, в дальнейшем в этом документе, слой, в котором формируются межсоединения 40 и 41 затвора, упоминается как "первый слой". Вторые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 612, 614 и 616 затвора являются выбирающими межсоединениями, из которых, по меньшей мере, часть формируется в слое, отличном от слоя (первого слоя), в котором межсоединения 40-41 затвора формируются с размещенным между ними изоляционным материалом. Следует отметить, что, в дальнейшем в этом документе, слой, отличный от слоя, в котором формируются межсоединения 40 и 41 затвора, упоминается как "второй слой". Другими словами, межсоединения 42 истока формируются во втором слое.
Здесь, вторые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 612, 614 и 616 затвора, соответственно, имеют первые соединительные части 622, 624 и 626 в слое межсоединений, сформированные рядом с входными концами 432, 434 и 436 для стробирующих сигналов, и вторые соединительные части 632, 634 и 636 в слое межсоединений, сформированные рядом с контактными выводами 51 затвора. В настоящем варианте осуществления межсоединение вторых, расположенных с правой стороны выбирающих межсоединений 612, 614 и 616 затвора между входными концами 432, 434 и 436 для стробирующих сигналов и первыми соединительными частями 622, 624 и 626 в слое межсоединений формируется в первом слое, межсоединение между первыми соединительными частями 622, 624 и 626 в слое межсоединений и вторыми соединительными частями 632, 634 и 636 в слое межсоединений формируется во втором слое и межсоединение между вторыми соединительными частями 632, 634 и 636 в слое межсоединений и контактными выводами 51 затвора формируется в первом слое. Таким образом, межсоединение, сформированное в первом слое, и межсоединение, сформированное во втором слое, соответственно, электрически подключены к первым соединительным частям 622, 624 и 626 в слое межсоединений и вторым соединительным частям 632, 634 и 636 в слое межсоединений.
Следует отметить, что относительно способа электрического подключения межсоединений, межсоединение, сформированное в первом слое, и межсоединение, сформированное во втором слое, могут непосредственно соединяться через контактные окна, сформированные в изоляционном материале, или межсоединение, сформированное в первом слое, и межсоединение, сформированное во втором слое, могут быть электрически подключены через электроды, дополнительно сформированные в отдельном слое. Таким образом, относительно способа электрического подключения межсоединения могут использоваться различные произвольные способы, причем способ конкретно не ограничен здесь. Кроме того, положения первых соединительных частей 622, 624 и 626 в слое межсоединений и вторых соединительных частей 632, 634 и 636 в слое межсоединений являются произвольными и не ограничиваются положениями, показанными на фиг. 1.
Фиг. 2 изображает поперечный разрез по линии a-a' на фиг. 1. Как показано на фиг. 2, первые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 611, 613, 615 и 617 затвора формируются как первый слой на подложке 2 активной матрицы. Изолирующая пленка (изоляционный материал) 7 формируется на подложке 2 активной матрицы, чтобы покрывать первые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 611, 613, 615 и 617 затвора. Вторые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 612, 614 и 616 затвора формируются как второй слой на изолирующей пленке 7. Дополнительно, защитная пленка 8 формируется на изолирующей пленке 7, чтобы покрывать вторые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 612, 614 и 616 затвора. Таким образом, изолирующая пленка 7 вставляется между первыми, расположенными с правой стороны выбирающими межсоединениями 611, 613, 615 и 617 затвора и вторыми, расположенными с правой стороны выбирающими межсоединениями 612, 614 и 616 затвора.
Таким образом, в настоящем варианте осуществления первые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 611, 613, 615 и 617 затвора формируются в первом слое, и, по меньшей мере, часть вторых, расположенных с правой стороны выбирающих межсоединений 612, 614 и 616 затвора формируются во втором слое. Более компактная подложка активной матрицы более высокого разрешения тем самым может осуществляться по сравнению с режимом, в котором все расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 611-617 затвора формируются в одном слое.
Фиг. 3 изображает укрупненный вид части E1, показанной на фиг. 1. Как показано на фиг. 3, расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 641-647 затвора дополнительно, соответственно, подключаются к множеству контактных выводов 51 затвора, к которым подключаются расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 611-617 затвора. Таким образом, расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 641-647 затвора, соответственно, выбираются из множества контактных выводов 51 затвора в направлении первой стороны S1 (рядом с проверочными межсоединениями 66 и 67, описанными ниже).
Здесь, расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 641-647 затвора включают в себя первые, расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 641, 643, 645 и 647 затвора (первые соединительные межсоединения) и вторые, расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 642, 644 и 646 затвора (вторые соединительные межсоединения). Первые, расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 641, 643, 645 и 647 затвора являются соединительными межсоединениями, которые подключаются к контактным выводам 51 затвора, к которым подключаются первые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 611, 613, 615 и 617 затвора, вторые, расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 642, 644 и 646 затвора являются соединительными межсоединениями, которые подключаются к контактным выводам 51 затвора, к которым подключаются вторые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 612, 614 и 616 затвора.
Расположенные с правой стороны объединенные межсоединения (объединенные межсоединения) 651-654, каждое из которых состоит из взаимно смежных первого, расположенного с правой стороны соединительного межсоединения затвора, и второго, расположенного с правой стороны соединительного межсоединения затвора, объединенных друг с другом, формируются в области 6 периферийных межсоединений. В настоящем варианте осуществления расположенное с правой стороны объединенное межсоединение 651 объединяет два межсоединения, а именно, первое, расположенное с правой стороны соединительное межсоединение 641 затвора, и второе, расположенное с правой стороны соединительное межсоединение 642 затвора, в одно межсоединение. Кроме того, расположенное с правой стороны объединенное межсоединение 652 объединяет первое, расположенное с правой стороны соединительное межсоединение 643 затвора, и второе, расположенное с правой стороны соединительное межсоединение 644 затвора, в одно межсоединение. Дополнительно, расположенное с правой стороны объединенное межсоединение 653 объединяет первое, расположенное с правой стороны соединительное межсоединение 645 затвора, и второе, расположенное с правой стороны соединительное межсоединение 646 затвора, в одно межсоединение. Следует отметить, что расположенное с правой стороны объединенное межсоединение 654 подключается только к одному межсоединению, а именно, к первому, расположенному с правой стороны соединительному межсоединению 647 затвора.
Первое, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 66 затвора дополнительно подключается к расположенным с правой стороны объединенным межсоединениям 652 и 654. Кроме того, второе, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 67 затвора подключается к расположенным с правой стороны объединенным межсоединениям 651 и 653 по первому расположенному с правой стороны проверочному межсоединению 66 затвора. Таким образом, первое, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 66 затвора является проверочным межсоединением, допускающим ввод сигнала проверки в несмежные, расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 652 и 654, из расположенных с правой стороны объединенных межсоединений 651-654. Второе, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 67 затвора является проверочным межсоединениям, допускающими ввод сигнала проверки в несмежные, расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651 и 653, которые не подключены к первому, расположенному с правой стороны проверочному межсоединению 66 затвора, из расположенных с правой стороны объединенных межсоединений 651-654.
Следует отметить, что, поскольку второе, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 67 затвора подключается к расположенным с правой стороны объединенным межсоединениям 651 и 653 через первое, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 66 затвора, расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651 и 653, соответственно, имеют третьи соединительные части 681 и 683 в слое межсоединений и четвертые соединительные части 691 и 693 в слое межсоединений. Таким образом, расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651 и 653, и второе, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 67 затвора, соответственно, электрически подключены к четвертым соединительным частям 691 и 693 в слое межсоединений.
Первая, расположенная с правой стороны проверочная контактная площадка 70 затвора дополнительно подключается к первому, расположенному с правой стороны проверочному межсоединению 66 затвора. Первая расположенная с правой стороны проверочная контактная площадка 70 затвора является контактной площадкой, в которую может вводиться сигнал проверки. Сигнал проверки тем самым может вводиться в расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 613, 614 и 617 затвора из первой, расположенной с правой стороны проверочной контактной площадки 70 затвора, через расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 652 и 654 и расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 643, 644 и 647 затвора. Дополнительно, вторая, расположенная с правой стороны проверочная контактная площадка 71 затвора дополнительно подключается ко второму расположенному с правой стороны проверочному межсоединению 67 затвора. Вторая расположенная с правой стороны проверочная контактная площадка 71 затвора является также контактной площадкой, в которую может вводиться сигнал проверки. Сигнал проверки тем самым может вводиться в расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611, 612, 615 и 616 затвора из второй, расположенной с правой стороны проверочной контактной площадки 71 затвора, через расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651 и 653 и расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 641, 642, 645 и 646 затвора.
Как описано выше, посредством подложки 2 активной матрицы согласно настоящему варианту осуществления формируются расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651-654, каждое из которых состоит из взаимно смежных первого, расположенного с правой стороны соединительного межсоединения затвора, и второго, расположенного с правой стороны соединительного межсоединения затвора, объединенных друг с другом, причем расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 652 и 654 подключаются к первому, расположенному с правой стороны проверочному межсоединению 66 затвора, а расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651 и 653 подключаются ко второму, расположенному с правой стороны проверочному межсоединению 67 затвора. Пространство между межсоединениями тем самым может увеличиваться, и количество соединительных частей в слое межсоединений может сокращаться по сравнению с режимом, в котором каждое из расположенных с правой стороны соединительных межсоединений 641-647 затвора непосредственно подключается к первому, расположенному с правой стороны проверочному межсоединению 66 затвора или второму, расположенному с правой стороны проверочному межсоединению 67 затвора без предоставления расположенных с правой стороны объединенных межсоединений. Таким образом, короткие замыкания между расположенными с правой стороны объединенными межсоединениями 651-654 практически никогда не возникают, поскольку разнесение между расположенными с правой стороны объединенными межсоединениями 651-654 (K на фиг. 3) может увеличиваться. Кроме того, повреждения соединений и т.п. в соединительных частях в слое межсоединений могут уменьшаться вследствие возможности сокращать количество соединительных частей в слое межсоединений. Как результат, объем выпуска годных жидкокристаллических панелей 1 повышается вследствие возможности достоверно проверять (для разъединения, коротких замыканий и т.д.) подложку 2 активной матрицы.
Кроме того, посредством подложки 2 активной матрицы согласно настоящему варианту осуществления формирование расположенных с правой стороны объединенных межсоединений 651-654, каждое из которых состоит из взаимно смежных первого, расположенного с правой стороны соединительного межсоединения затвора, и второго, расположенного с правой стороны соединительного межсоединения затвора, объединенных друг с другом, обеспечивают возможность уменьшения количества межсоединений, идущих с первого, расположенного с правой стороны проверочного межсоединения 66 затвора (т.е. количества пересекающихся частей, расположенных с правой стороны объединенных межсоединений 651-654, и первого, расположенного с правой стороны проверочного межсоединения 66 затвора). Возможность сокращать количество пересекающихся частей обеспечивает уменьшение нагрузки на первое, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 66 затвора. Возможность уменьшать нагрузку обеспечивает снижение задержки ввода сигналов проверки из первой, расположенной с правой стороны проверочной контактной площадки 70 затвора, в первое, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 66 затвора. Как результат, мелкие дефекты, такие как короткие замыкания между электродами элементов изображений и межсоединениями 42 истока, могут обнаруживаться, поскольку требуемые сигналы проверки могут вводиться в межсоединения 40 и 41 затвора.
Дополнительно, согласно подложке 2 активной матрицы настоящего варианта осуществления, первое, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 66 затвора подключается к каждому из расположенных с правой стороны объединенных межсоединений 652 и 654, и второе, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 67 затвора подключается к каждому из расположенных с правой стороны объединенных межсоединений 651 и 653. Статическое электричество, сформированное в подложке 2 активной матрицы, тем самым может исключаться или рассеиваться из первого, расположенного с правой стороны проверочного межсоединения 66 затвора, и второго, расположенного с правой стороны проверочного межсоединения 67 затвора. Возможность исключать или рассеивать статическое электричество, сформированное в подложке 2 активной матрицы, обеспечивает подавление короткого замыкания или разъединения вследствие статического электричества, а также подавление изменений в характеристиках TFT или MIM и т.п.
Следует отметить, что эффекты, аналогичные описанным выше, получаются относительно расположенных с левой стороны соединительных межсоединений 751-757 затвора, расположенных с левой стороны объединенных межсоединений 761-764, первого, расположенного с левой стороны проверочного межсоединения 77 затвора, и второго, расположенного с левой стороны проверочного межсоединения 78 затвора, которые описываются ниже.
Возвращаясь к фиг. 1, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721-727 затвора, соответственно, соединяющие контактные выводы 51 затвора и входные концы 441-447 для стробирующих сигналов, предоставленных на противоположном конце вторых межсоединений 411-417 затвора, формируются в области 6 периферийных межсоединений. Таким образом, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721-727 затвора выбираются из входных концов 441-447 для стробирующих сигналов в направлении второй стороны S2, формируются в области 6 периферийных межсоединений вдоль второй стороны S2 и подключаются к контактным выводам 51 затвора.
Здесь, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721-727 затвора включают в себя первые, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721, 723, 725 и 727 затвора, и вторые, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 722, 724 и 726 затвора. Первые, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721, 723, 725 и 727 затвора являются выбирающими межсоединениями, сформированными в первом слое. Вторые, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 722, 724 и 726 затвора являются выбирающими межсоединениями, сформированными во втором слое.
Здесь, вторые, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 722, 724 и 726 затвора, соответственно, имеют пятые соединительные части 732, 734 и 736 в слое межсоединений, сформированные рядом с входными концами 442, 444 и 446 для стробирующих сигналов, и шестые соединительные части 742, 744 и 746 в слое межсоединений, сформированные рядом с контактными выводами 51 затвора. В настоящем варианте осуществления межсоединения вторых расположенных с левой стороны выбирающих межсоединений 722, 724 и 726 затвора между входными концами 442, 444 и 446 для стробирующих сигналов и пятыми соединительными частями 732, 734 и 736 в слое межсоединений формируются в первом слое, межсоединения между пятыми соединительными частями 732, 734 и 736 в слое межсоединений и шестыми соединительными частями 742, 744 и 746 в слое межсоединений формируется во втором слое и межсоединения между шестыми соединительными частями 742, 744 и 746 в слое межсоединений и контактными выводами 51 затвора формируются в первом слое. Таким образом, межсоединения, сформированные в первом слое, и межсоединения, сформированные во втором слое, соответственно, электрически подключены к пятым соединительным частям 732, 734 и 736 в слое межсоединений и шестым соединительным частям 742, 744 и 746 в слое межсоединений.
Фиг. 4 изображает укрупненный вид части E2, показанной на фиг. 1. Как показано на фиг. 4, расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 751-757 затвора дополнительно, соответственно, подключаются к множеству контактных выводов 51 затвора, к которым подключаются расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721-727 затвора. Таким образом, расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 751-757 затвора, соответственно, выбираются из множества контактных выводов 51 затвора в направлении первой стороны S1 (рядом с проверочными межсоединениями 77 и 78, описанными ниже).
Здесь, расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 751-757 затвора включают в себя первые, расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 751, 753, 755 и 757 затвора, и вторые, расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 752, 754 и 756 затвора. Первые, расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 751, 753, 755 и 757 затвора являются соединительными межсоединениями, которые подключаются к контактным выводам 51 затвора, к которым подключаются первые, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721, 723, 725 и 727 затвора. Вторые, расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 752, 754 и 756 затвора являются соединительными межсоединениями, которые подключаются к контактным выводам 51 затвора, к которым подключаются вторые, расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 722, 724 и 726 затвора.
Расположенные с левой стороны объединенные межсоединения 761-764, каждое из которых состоит из взаимно смежного первого, расположенного с левой стороны соединительного межсоединения затвора, и второго, расположенного с левой стороны соединительного межсоединения затвора, объединенных друг с другом, формируются в области 6 периферийных межсоединений. В настоящем варианте осуществления расположенное с левой стороны объединенное межсоединение 761 объединяет два межсоединения, а именно, первое, расположенное с левой стороны соединительное межсоединение 751 затвора, и второе, расположенное с левой стороны соединительное межсоединение 752 затвора, в одно межсоединение. Кроме того, расположенное с левой стороны объединенное межсоединение 762 объединяет первое, расположенное с левой стороны соединительное межсоединение 753 затвора, и второе, расположенное с левой стороны соединительное межсоединение 754 затвора в одно межсоединение. Дополнительно, расположенное с левой стороны объединенное межсоединение 763 объединяет первое, расположенное с левой стороны соединительное межсоединение 755 затвора, и второе, расположенное с левой стороны соединительное межсоединение 756 затвора, в одно межсоединение. Следует отметить, что расположенное с левой стороны объединенное межсоединение 764 подключается только к первому, расположенному с левой стороны соединительному межсоединению 757 затвора.
Первое, расположенное с левой стороны проверочное межсоединение 77 затвора дополнительно подключается к расположенным с левой стороны объединенным межсоединениям 762 и 764. Второе, расположенное с левой стороны проверочное межсоединение 78 затвора подключается к расположенным с левой стороны объединенным межсоединениям 761 и 763 через первое, расположенное с левой стороны проверочное межсоединение 77 затвора. Таким образом, первое, расположенное с левой стороны проверочное межсоединение 77 затвора является проверочным межсоединением, допускающими ввод сигнала проверки в несмежные, расположенные с левой стороны объединенные межсоединения 762 и 764, из расположенных с левой стороны объединенных межсоединений 761-764. Кроме того, второе, расположенное с левой стороны проверочное межсоединение 78 затвора является проверочным межсоединением, допускающими ввод сигнала проверки в несмежные, расположенные с левой стороны объединенные межсоединения 761 и 763, которые не подключены к первому, расположенному с левой стороны проверочному межсоединению 77 затвора, из расположенных с левой стороны объединенных межсоединений 761-764.
Следует отметить, что, поскольку второе, расположенное с левой стороны проверочное межсоединение 78 затвора подключается к расположенным с левой стороны объединенным межсоединениям 761 и 763 по первому, расположенному с левой стороны проверочному межсоединению 77 затвора, расположенные с левой стороны объединенные межсоединения 761 и 763, соответственно, имеют седьмые соединительные части 791 и 793 в слое межсоединений и восьмые соединительные части 801 и 803 в слое межсоединений. Таким образом, расположенные с левой стороны объединенные межсоединения 761 и 763, и второе, расположенное с левой стороны проверочное межсоединение 78 затвора, соответственно, электрически подключены к восьмым соединительным частям 801 и 803 в слое межсоединений.
Первая, расположенная с левой стороны проверочная контактная площадка 81 затвора дополнительно подключается к первому, расположенному с левой стороны проверочному межсоединению 77 затвора. Первая, расположенная с левой стороны проверочная контактная площадка 81 затвора является контактной площадкой, в которую может вводиться сигнал проверки. Сигнал проверки тем самым может вводиться в расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 723, 724 и 727 затвора из первой, расположенной с левой стороны проверочной контактной площадки 81 затвора, через расположенные с левой стороны объединенные межсоединения 762 и 764 и расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 753, 754 и 757 затвора. Дополнительно, вторая, расположенная с левой стороны проверочная контактная площадка 82 затвора дополнительно подключается ко второму, расположенному с левой стороны проверочному межсоединению 78 затвора. Вторая, расположенная с левой стороны проверочная контактная площадка 82 затвора является также контактной площадкой, в которую может вводиться сигнал проверки. Сигнал проверки тем самым может вводиться в расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721, 722, 725 и 726 затвора из второй, расположенной с левой стороны проверочной контактной площадки 82 затвора, через расположенные с левой стороны объединенные межсоединения 761 и 763 и расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 751, 752, 755 и 756 затвора.
Возвращаясь к фиг. 1, выбирающие межсоединения 831, 832, 833,..., 83i истока, соответственно, соединяющие контактные выводы 52 истока и входные концы 451, 452, 453,... 45 для сигналов истока, предоставленных на одном конце межсоединений 421, 422, 423,...., 42 истока, формируются в области 6 периферийных межсоединений. Таким образом, выбирающие межсоединения 83 истока выбираются из входных концов 45 для сигналов истока в направлении первой стороны S1 и подключаются к контактным выводам 52 истока.
Здесь, соединительные межсоединения 841, 842, 843,..., 84 истока дополнительно, соответственно, подключаются к контактным выводам 52 истока, к которым подключаются выбирающие межсоединения 831, 832, 833,..., 83i истока. Таким образом, соединительные межсоединения 841, 842, 843,..., 84i истока, соответственно, выбираются из множества контактных выводов 52 истока в направлении первой стороны Si (рядом с проверочными межсоединениями 85 и 86, поясненными ниже).
Первое проверочное межсоединение 85 истока дополнительно подключается к соединительным межсоединениям 841, 843, 845,..., 84i истока. Второе проверочное межсоединение 86 истока дополнительно подключается к соединительным межсоединениям 842, 844, 846,..., 84i-1 истока. Таким образом, первое проверочное межсоединение 85 истока является проверочным межсоединением, допускающим ввод сигнала проверки в соединительные межсоединения 841, 843, 845,..., 84i истока, которые не находятся рядом друг с другом, из множества соединительных межсоединений 841, 842, 843,..., 84i истока. Второе проверочное межсоединение 86 истока является проверочным межсоединением, допускающим ввод сигнала проверки в соединительные межсоединения 842, 844, 846,..., 84i-1 истока, которые не смежены друг с другом и не подключены к первому проверочному межсоединению 85 истока, из множества соединительных межсоединений 841, 842, 843,..., 84i истока.
Первая проверочная контактная площадка 87 истока дополнительно подключается к первому проверочному межсоединению 85 истока. Первая проверочная контактная площадка 87 истока является контактной площадкой, в которую может вводиться сигнал проверки. Сигнал проверки тем самым может вводиться в выбирающие межсоединения 831, 833, 835,..., 83i истока из первой проверочной контактной площадки 87 истока через первое проверочное межсоединение 85 истока и соединительные межсоединения 841, 843, 845,..., 84i истока. Дополнительно, вторая проверочная контактная площадка 88 истока дополнительно подключается ко второму проверочному межсоединению 86 истока. Вторая проверочная контактная площадка 88 истока является также контактной площадкой, в которую может вводиться сигнал проверки. Сигнал проверки тем самым может вводиться в выбирающие межсоединения 832, 834, 836,..., 83i-1 истока из второй проверочной контактной площадки 88 истока через второе проверочное межсоединение 86 истока и соединительные межсоединения 842, 844, 846,..., 84i-1 истока.
Дополнительно, общее проверочное межсоединение 89 формируется в области 6 периферийных межсоединений, чтобы помещать расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611-617 затвора и расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721-727 затвора. Общие электродные контактные площадки 90 и 91 подключаются к общему проверочному межсоединению 89. Передающие контактные площадки 92 и 93 дополнительно подключаются к общему проверочному межсоединению 89. Передающие контактные площадки 92 и 93 подключаются к общим электродам (не показаны), которые формируются на противоположной подложке 3. Общее напряжение тем самым может прикладываться к общим электродам, сформированным на противоположной подложке 3, из общих электродных контактных площадок 90 и 91.
Далее описывается способ изготовления жидкокристаллической панели 1 согласно настоящему варианту осуществления. Следует отметить, что в дальнейшем в этом документе, в частности, подробно описывается процесс проверки состояния электрического подключения жидкокристаллической панели 1.
Таким образом, тонкие пленки, такие как проводящая пленка, изолирующая пленка и защитная пленка, ламинируются на прозрачной стеклянной подложке, чтобы изготавливать базовую подложку для подложек активной матрицы, на которой формируются множество областей подложек активной матрицы, которые должны вырезаться как подложки 2 активной матрицы. Кроме того, тонкие пленки, такие как черная матрица, цветные светофильтры, проводящая пленка и ориентационная пленка, ламинируются на прозрачной стеклянной подложке, чтобы изготавливать базовую подложку для противоположных подложек, на которой формируются множество областей противоположных подложек, которые должны вырезаться как противоположные подложки 3. Герметик наносится на одну из двух несущих подложек. Две несущие подложки затем склеиваются после того, как герметик нанесен.
Две склеенные несущие подложки затем секционируются как материнские подложки, из которых формируется заданное количество (например, четыре в горизонтальном направлении) жидкокристаллических панелей 1, имеющих подложку 2 активной матрицы и противоположную подложку 3. Таким образом, жидкокристаллическая панель 1, показанная на фиг. 1, является одной жидкокристаллической панелью, которая секционирована как материнская подложка, в которую введен жидкокристаллический материал. Соответственно, хотя их иллюстрация опущена, другие жидкокристаллические панели существуют, например, слева и справа от жидкокристаллической панели 1, показанной на фиг. 1. Жидкокристаллический материал вводится в каждую жидкокристаллическую панель 1, секционированную как материнские подложки, с использованием вакуумно-инжекционного способа, например, через входное отверстие, сформированное между подложкой 2 активной матрицы и противоположной подложкой 3. Следует отметить, что жидкокристаллический материал может вводиться с помощью способа капельного заполнения вместо вакуумно-инжекционного способа. В этом случае ни входное отверстие, ни процесс герметизации части входного отверстия не требуются.
Затем выполняется процесс проверки состояния электрического подключения жидкокристаллической панели 1 до присоединения драйвера в области 5 размещения контактных выводов. Таким образом, процесс проверки реализуется для проверки разъединения или короткого замыкания межсоединений и поиска дефектов электрода элементов изображений в подложке 2 активной матрицы жидкокристаллической панели 1.
Что касается способа проверки, например, проверочный щуп приводится в соприкосновение с каждой из проверочных контактных площадок 70, 71, 81, 82, 87, 88, 90 и 91, и заданное напряжение прикладывается к нему. Следует отметить, что порядок, в котором проверочный щуп приводится в соприкосновение с проверочными контактными площадками 70, 71, 81, 82, 87, 88, 90 и 91, конкретно здесь не ограничен. Стробирующий сигнал, который выступает в качестве сигнала сканирования, тем самым вводится в межсоединения 40 и 41 затвора. Следует отметить, что этот сигнал проверки является сигналом, который включает переключающий элемент каждого элемента изображения в течение фиксированного периода. Кроме того, сигнал проверки, который выступает в качестве сигнала истока, вводится в межсоединения 42 истока. Следует отметить, что этот сигнал проверки является сигналом, который ориентирует жидкий кристалл в каждой области элементов отображения в требуемом направлении.
Когда молекулярное ориентационное направление жидкого кристалла управляется как результат сигнала проверки, который выступает в качестве сигнала истока, вводимого в каждый электрод элементов изображений, причем переключающий элемент каждого элемента изображения во включенном состоянии, и жидкокристаллическая панель 1 облучается с задней поверхности посредством средства облучения, такого как задняя подсветка, например, изображение должно отображаться на экране дисплея жидкокристаллической панели 1 согласно области 4 отображения подложки 2 активной матрицы (в дальнейшем в этом документе "экран дисплея жидкокристаллической панели 1"). Соответственно, проверка может выполняться на предмет разъединения и короткого замыкания межсоединений в подложке 2 активной матрицы жидкокристаллической панели 1, например, посредством визуальной проверки экрана дисплея жидкокристаллической панели 1 инспектором. Следует отметить, что может использоваться устройство распознавания изображений вместо или помимо визуальной проверки инспектором, или проверка может выполняться с использованием устройства обнаружения и т.п., которое электрически обнаруживает разъединение или короткое замыкание межсоединений.
Далее описывается способ обнаружения коротких замыканий, расположенных с правой стороны выбирающих межсоединений 611-617 затвора. В частности, во-первых, проверочный щуп приводится в соприкосновение с первой проверочной контактной площадкой 87 истока, второй проверочной контактной площадкой 88 истока и общими электродными контактными площадками 90 и 91. В этом состоянии взаимно независимые сигналы проверки вводятся в первое, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 66 затвора и второе, расположенное с правой стороны проверочное межсоединение 67 затвора. Например, проверочный щуп приводится в соприкосновение только со второй, расположенной с правой стороны проверочной контактной площадкой 71 затвора и не приводится в соприкосновение с первой, расположенной с правой стороны проверочной контактной площадкой 70 затвора. Это приводит к вводу сигнала проверки в расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611, 612, 615 и 616 затвора из второй, расположенной с правой стороны проверочной контактной площадки 71 затвора через расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651 и 653 и расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 641, 642, 645 и 646 затвора. С другой стороны, поскольку проверочный щуп не соприкасается с первой, расположенной с правой стороны проверочной контактной площадкой 70 затвора, сигнал проверки не вводится в расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 613, 614 и 617 затвора из первой, расположенной с правой стороны проверочной контактной площадки 70 затвора.
Таким образом, сигнал проверки вводится только в первые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611 и 615 затвора из первых, расположенных с правой стороны выбирающих межсоединений 611, 613, 615 и 617 затвора в первом слое (см. фиг. 2). Таким образом, в случае, если имеется короткое замыкание между первыми, расположенными с правой стороны выбирающими межсоединениями 611, 613, 615 и 617 затвора, сформированными в первом слое, не только линии, соответствующие первым межсоединениям 401 и 405 затвора, подключенные к первым, расположенным с правой стороны выбирающим межсоединениям 611 и 615 затвора, в которые сигнал проверки вводится, отображаются на экране дисплея жидкокристаллической панели 1, но также отображаются и линии, соответствующие первым межсоединениям 403 и 407 затвора, подключенным к первым, расположенным с правой стороны выбирающим межсоединениям 613 и 617 затвора, в которые сигнал проверки не вводится. Таким образом, инспектор может обнаруживать, что имеется короткое замыкание между расположенными с правой стороны выбирающими межсоединениями 611, 613, 615 и 617 затвора, сформированными в первом слое. Кроме того, сигнал проверки вводится только во вторые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 612 и 616 затвора, из вторых, расположенных с правой стороны выбирающих межсоединений 612, 614 и 616 затвора во втором слое (см. фиг. 2). Таким образом, в случае, если имеется короткое замыкание между вторыми, расположенными с правой стороны выбирающими межсоединениями 612, 614 и 616 затвора, сформированными во втором слое, не только линии, соответствующие первым межсоединениям 402 и 406 затвора, подключенным ко вторым, расположенным с правой стороны выбирающим межсоединениям 612 и 616 затвора, в которые сигнал проверки вводится, отображаются, но и линии, соответствующие первым межсоединениям 404 затвора, подключенным ко вторым, расположенным с правой стороны выбирающим межсоединениям 614 затвора, в которые сигнал проверки не вводится, также отображаются. Таким образом, инспектор может обнаруживать, что имеется короткое замыкание между вторыми, расположенными с правой стороны выбирающими межсоединениями 612, 614 и 616 затвора, сформированными во втором слое.
Кроме того, аналогично вышеуказанному, например, проверочный щуп приводится в соприкосновение только со второй, расположенной с левой стороны проверочной контактной площадкой 82 затвора и не приводится в соприкосновение с первой, расположенной с левой стороны проверочной контактной площадкой 81 затвора. Инспектор тем самым может обнаруживать короткое замыкание между первыми, расположенными с левой стороны выбирающими межсоединениями 721, 723, 725 и 727 затвора, сформированными в первом слое, и короткое замыкание между вторыми, расположенными с левой стороны выбирающими межсоединениями 722, 724 и 726 затвора, сформированными во втором слое.
Следует отметить, что в случае, если расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611-617 затвора разъединены, все линии, соответствующие первым межсоединениям затвора, подключенным к разъединенным, расположенным с правой стороны выбирающим межсоединениям затвора, не отображаются. Аналогично, в случае, если расположенные с левой стороны выбирающие межсоединения 721-727 затвора разъединены, все линии, соответствующие вторым межсоединениям затвора, подключенным к разъединенным, расположенным с левой стороны выбирающим межсоединениям затвора, не отображаются на экране дисплея жидкокристаллической панели 1. Инспектор тем самым может обнаруживать разъединение расположенных с правой стороны выбирающих межсоединений 611-617 затвора и расположенных с левой стороны выбирающих межсоединений 721-727 затвора.
Кроме того, в случае, если межсоединения 40 и 41 затвора разъединены, линии, соответствующие межсоединениям затвора в и после местоположения разъединения, не отображаются на экране дисплея жидкого кристалла 1. Аналогично, в случае, если межсоединения 42 истока разъединены, линии, соответствующие межсоединениям истока в и после местоположения разъединения, не отображаются на экране дисплея с жидкими кристаллами 1. Инспектор тем самым может обнаруживать разъединение межсоединений 40 и 41 затвора и межсоединений 42 истока. Ввод взаимно независимых сигналов проверки в первое проверочное межсоединение 85 истока и второе проверочное межсоединение 86 истока предоставляет возможность инспектору обнаруживать короткое замыкание межсоединений 42 истока и выбирающих межсоединений 83 истока.
Дополнительно, ввод сигнала проверки, имеющего форму импульса, требуемую инспектором, в межсоединения 40 и 41 затвора и межсоединения 42 истока также предоставляет возможность обнаружения коротких замыканий между электродами элементов изображений и межсоединениями 42 истока. Таким образом, может выполняться не только проверка на предмет короткого замыкания и разъединения межсоединений 40 и 41 затвора, межсоединений 42 истока, расположенных с правой стороны выбирающих межсоединений 61 затвора и расположенных с левой стороны выбирающих межсоединений 72 затвора, но также и проверка на предмет дефектов в электродах элементов изображений и т.п..
После того, как вышеуказанный процесс проверки завершен, выполняется процесс обрезания расположенных с правой стороны соединительных межсоединений 641-647 затвора и расположенных с левой стороны соединительных межсоединений 751-757 затвора. В частности, расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 641-647 затвора обрезаются вдоль линии C обрезки, показанной на фиг. 3, например, с использованием лазера. Тем самым больше не задается электрическая непрерывность между контактными выводами 51 затвора, соответственно, подключенными к первым, расположенным с правой стороны выбирающим межсоединениям 611, 613, 615 и 617 затвора, и контактными выводами 51 затвора, соответственно, подключенными ко вторым, расположенным с правой стороны выбирающим межсоединениям 612, 614 и 616 затвора. Кроме того, расположенные с левой стороны соединительные межсоединения 751-757 затвора обрезаются вдоль линии C обрезки, показанной на фиг. 4, например, с использованием лазера. Тем самым больше не задается электрическая непрерывность между контактными выводами 51 затвора, соответственно, подключенными к первым, расположенным с левой стороны выбирающим межсоединениям 721, 723, 725 и 727 затвора, и контактными выводами 51 затвора, соответственно, подключенными ко вторым, расположенным с левой стороны выбирающим межсоединениям 722, 724 и 726 затвора.
Следует отметить, что, хотя пример, в котором соединительные межсоединения обрезаются вдоль линии C обрезки с использованием лазера, описан выше, соединительные межсоединения могут, в случае жидкокристаллической панели 1a, как показано на фиг. 5, например, разделяться одновременно как подложки с использованием дисковой фрезы, например, вдоль линии D разделения. В этом случае процесс изготовления жидкокристаллической панели упрощается, поскольку соединительные межсоединения не должны обрезаться вдоль линии C обрезки с использованием лазера. Кроме того, профиль жидкокристаллической панели, которая должна быть установлена в дисплейном устройстве, может уменьшаться, поскольку часть A подложки на фиг. 5, на которой формируются проверочные контактные площадки 70, 71, 81, 82, 87, 88, 90 и 91, отделяется.
После того, как процесс обрезания завершен, выполняется процесс монтажа для монтажа драйвера для возбуждения и управления межсоединениями 40 и 41 затвора и межсоединениями 42 истока в области 5 размещения контактных выводов. После этого отдельные жидкокристаллические панели 1 затем вырезаются из материнской платы. Оптическая пленка, такая как поляризатор, приклеивается к вырезанным жидкокристаллическим панелям 1. Таким образом, изготавливаются жидкокристаллические панели 1. Следует отметить, что способ изготовления жидкокристаллической панели 1 не ограничивается вышеописанным способом. Например, в монохромной жидкокристаллической панели цветные светофильтры не должны ламинироваться на противоположной подложке. Кроме того, процесс проверки и процесс монтажа могут выполняться после того, как отдельные жидкокристаллические панели вырезаны.
Как пояснено выше, согласно подложке 2 активной матрицы в настоящем варианте осуществления, короткие замыкания между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном слое (первыми, расположенными с правой стороны выбирающими межсоединениями затвора, вторыми, расположенными с правой стороны выбирающими межсоединениями затвора, первыми, расположенными с левой стороны выбирающими межсоединениями затвора, вторыми, расположенными с левой стороны выбирающими межсоединениями затвора), могут достоверно обнаруживаться посредством простой конфигурации в случае, если выбирающие межсоединения формируются в каждом из множества слоев.
Второй вариант осуществления
Фиг. 6 изображает укрупненный вид части, идентичной части E1, показанной на фиг. 1. Как показано на фиг. 6, резистивный элемент R дополнительно подключается к каждому из расположенных с правой стороны соединительных межсоединений 641-647 затвора согласно настоящему варианту осуществления. Здесь, резистивные элементы R, например, создаются посредством шаблонов, сформированных посредством ITO, IZO и т.п., чтобы использоваться в качестве пиксельных электродов, шаблонов, сформированных посредством полупроводниковой пленки на основе TFT, диодов, транзисторов, произвольных шаблонов и т.п. Следует отметить, что резистивный элемент R также дополнительно подключается к каждому из расположенных с левой стороны соединительных межсоединений 751-757 затвора согласно настоящему варианту осуществления.
В дальнейшем в этом документе описываются соответствующие случаи расположенных с правой стороны соединительных межсоединений 641-647 затвора и расположенных с правой стороны объединенных межсоединений 651-654, причем описание аналогично применимо к случаям расположенных с левой стороны соединительных межсоединений 751-757 затвора и расположенных с левой стороны объединенных межсоединений 761-764.
Таким образом, поскольку резистивные элементы R подключаются к каждым из расположенных с правой стороны соединительных межсоединений 641-647 затвора, расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651-654 могут обрезаться вместо расположенных с правой стороны соединительных межсоединений 641-647 затвора в процессе обрезания. В частности, расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651-654 обрезаются, например, с использованием лазера вдоль контура C, показанного на фиг. 6. Следует отметить, что аналогично варианту осуществления 1, расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651-654 могут быть разделены одновременно как подложки с использованием дисковой фрезы, например, вдоль линии разделения.
Таким образом, в настоящем варианте осуществления, поскольку расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651-654 обрезаются, количество межсоединений, которые должны обрезаться, меньше, чем в случае, если расположенные с правой стороны соединительные межсоединения 641-647 затвора обрезаются, как, к примеру, в варианте осуществления 1. Как результат, может сокращаться фактическое время в процессе обрезания.
В настоящем варианте осуществления электрическая непрерывность должна устанавливаться между контактными выводами 51 затвора, к которым первые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 611, 613, 615 и 617 затвора, соответственно, подключаются, и контактными выводами 51 затвора, к которым вторые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 612, 614 и 616 затвора, соответственно, подключаются, даже если расположенные с правой стороны объединенные межсоединения 651-654 обрезаются. Тем не менее, если значения резистивных элементов R, соответственно, подключенных к расположенным с правой стороны соединительным межсоединениям 641-647 затвора, заданы достаточно высокими, то работа электронного устройства является беспроблемной даже в случае, если жидкокристаллическая панель 1, согласно настоящему варианту осуществления, включена в электронное устройство. Кроме того, даже в процессе проверки для проверки состояния электрического подключения жидкокристаллической панели 1, проверка может выполняться без проблем, поскольку сигнал проверки должен вводиться только из каждой проверочной контактной площадки так, что различные межсоединения (межсоединения затвора, межсоединения истока, выбирающие межсоединения и т.д.) достигают требуемого потенциала.
В частности, электрическое влияние, принимаемое из смежных межсоединений, уменьшается, если значение резистивных элементов R составляет от нескольких десятков до нескольких сотен мегомов. Более конкретно, влияние изменения потенциала не более нескольких процентов (например, 1%) принимается. Если изменение потенциала находится в пределах нескольких процентов, то влияние электродов элементов изображений на отображение и скорость заряда является пренебрежимо малым. Если значение резистивных элементов R составляет от нескольких десятков до нескольких сотен мегомов, то работа электронного устройства является беспроблемной даже в случае, если жидкокристаллическая панель 1 согласно настоящему варианту осуществления включена в электронное устройство. Если значение резистивных элементов R превышает несколько сотен мегомов, исключение заряда, накопленного в межсоединениях и электродах элементов изображений после выполнения процесса проверки, становится проблематичным. Как результат, короткое замыкание или разъединение межсоединений, изменения в характеристиках TFT или MIM и т.п. возникают вследствие заряда, накопленного в межсоединениях и электродах элементов изображений, и качество отображения ухудшается. Следовательно, значение резистивных элементов R предпочтительно составляет от нескольких десятков до нескольких сотен мегомов, как описано выше. Следует отметить, что значение резистивных элементов R произвольно выбирается из диапазона от нескольких десятков до нескольких сотен мегомов в зависимости от размера области 4 отображения и количества пикселов.
Поскольку резистивный элемент R подключается к каждому из расположенных с правой стороны соединительных межсоединений 641-647 затвора, проникновение статического электричества в область 4 отображения может предотвращаться в результате выполнения посредством резистивных элементов R функции защитного элемента от статического электричества, в случае если статическое электричество проникает из первого, расположенного с правой стороны проверочного межсоединения 66 затвора, или второго, расположенного с правой стороны проверочного межсоединения 67 затвора. Качество отображения жидкокристаллической панели 1 тем самым повышается, как и объем выпуска годных жидкокристаллических панелей.
Следует отметить, что значение резистивных элементов R, подключенных к первым, расположенным с правой стороны соединительным межсоединениям 641, 643, 645 и 647 затвора, и значение резистивных элементов R, подключенных ко вторым, расположенным с правой стороны соединительным межсоединениям 642, 645 и 646 затвора, предпочтительно практически совпадают. Таким образом, если значения резистивных элементов R, соответственно, подключенных к смежным соединительным межсоединениям, практически совпадают, то величины задержки сигналов проверки, которые должны вводиться в выбирающие межсоединения, соответствующие смежным соединительным межсоединениям, и в межсоединения затвора, соответствующие выбирающим межсоединениям, являются фактически эквивалентными. Если межсоединения на подложке 2 активной матрицы функционируют в штатном режиме, то фактически эквивалентное отображение должно выполняться для экрана дисплея жидкокристаллической панели 1. Другими словами, если фактически эквивалентное отображение не выполняется, инспектор может обнаруживать повреждение, которое, хотя и не приводит к разъединению, возникает в случаях, к примеру, когда ширина межсоединений является очень небольшой.
Следует отметить, что хотя пример, в котором резистивный элемент подключается к каждому из двух взаимно смежных соединительных межсоединений, описан в варианте осуществления 2, настоящее изобретение не ограничено этим. Таким образом, резистивные элементы должны подключаться, по меньшей мере, только к одним из взаимно смежных соединительных межсоединений.
Кроме того, в вариантах осуществления 1 и 2 описан пример, в котором общие электроды формируются на противоположной подложке, и общее напряжение прикладывается к общим электродам на противоположной подложке, но настоящее изобретение не ограничено этим. Например, настоящее изобретение может, естественно, также применяться к жидкокристаллической панели с режимом IPS (плоскостной коммутации), в которой общие электроды формируются на подложке активной матрицы. Здесь, передающие контактные площадки не должны формироваться на подложке активной матрицы жидкокристаллической панели с IPS-режимом. Настоящее изобретение может, естественно, также применяться к жидкокристаллической панели с режимом MVA (выравнивания по вертикали с многодоменной структурой), жидкокристаллической панели с режимом OCB (оптически компенсируемого отклонения луча) и т.п.
Кроме того, в вариантах осуществления 1 и 2 описан пример, в котором межсоединения истока R, межсоединения истока G и межсоединения истока B формируются в области отображения, но настоящее изобретение не ограничено этим. Таким образом, межсоединения затвора R, межсоединения затвора G и межсоединения затвора B могут формироваться в области отображения. В этом случае межсоединения истока не должны предоставляться в расчете на RGB.
Кроме того, может быть множество цветов, соответствующих пикселам, подключенным к каждому межсоединению затвора, и может быть множество цветов, соответствующих пикселам, подключенным к каждому межсоединению истока.
Кроме того, компоновка пикселов в области отображения не ограничена полосковым шаблоном. Например, может применяться так называемая дельта-компоновка, посредством которой шаг расположения сдвигается в каждой линии.
Кроме того, способ ввода сигналов проверки в межсоединения затвора и межсоединения истока не ограничен способами, проиллюстрированными на фиг. 1 и 5. Сигналы проверки могут вводиться в межсоединение затвора или межсоединение истока из проверочной контактной площадки через переключающий элемент, такой как TFT. Кроме того, возбуждающая схема межсоединений затвора и межсоединений истока может формироваться непосредственно на подложке активной матрицы. Эта возбуждающая схема может быть возбуждена во время проверки.
Дополнительно, в вариантах осуществления 1 и 2 описан пример, в котором проверочные контактные площадки формируются на подложке активной матрицы, но настоящее изобретение не ограничено этим. Например, может быть осуществлена конфигурация, в которой проверочные контактные площадки формируются на подложке, отличной от подложки активной матрицы, и только проверочные межсоединения, в которые могут вводиться сигналы проверки, подаваемые из проверочных контактных площадок, формируются на подложке активной матрицы.
Таким образом, настоящее изобретение не ограничивается вышеуказанными вариантами осуществления, и различные модификации являются возможными в рамках объема, заданного посредством формулы изобретения. Другими словами, варианты осуществления, комбинирующие технические средства, надлежащим образом модифицированные в рамках объема, заданного посредством формулы изобретения, включаются в технический объем настоящего изобретения.
Промышленная применимость
Как описано выше, настоящее изобретение является полезным в качестве подложки активной матрицы, дисплейного устройства, способа проверки подложки активной матрицы и способа проверки дисплейного устройства, которые предоставляют возможность достоверного обнаружения коротких замыканий между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном слое, посредством простой конфигурации в случае, если выбирающие межсоединения формируются в каждом из множества слоев.

Claims (20)

1. Подложка активной матрицы, содержащая:
множество первых межсоединений, сформированных параллельно друг другу в области отображения;
множество вторых межсоединений, сформированных параллельно друг другу, и так, чтобы пересекать множество первых межсоединений в области отображения;
множество первых контактных выводов, размещенных в области размещения контактных выводов;
множество вторых контактных выводов, размещенных в области размещения контактных выводов;
множество первых выбирающих межсоединений, соединяющих множество первых межсоединений и множество первых контактных выводов соответственно, и
множество вторых выбирающих межсоединений, соединяющих множество вторых межсоединений и множество вторых контактных выводов соответственно,
при этом множество первых выбирающих межсоединений включает в себя множество третьих выбирающих межсоединений и множество четвертых выбирающих межсоединений, причем третьи выбирающие межсоединения сформированы в слое, идентичном слою, в котором сформированы первые межсоединения, по меньшей мере, часть четвертых межсоединений сформирована в слое, отличном от слоя, в котором сформированы первые межсоединения с размещенным между ними изоляционным материалом, причем и третьи выбирающие межсоединения, и четвертые выбирающие межсоединения сформированы попеременно в расчете на межсоединения в области периферийных межсоединений, которая отличается от области отображения и области размещения контактных выводов, и
при этом подложка активной матрицы содержит:
множество первых соединительных межсоединений, подключенных к множеству первых контактных выводов соответственно, к которым подключено множество третьих выбирающих межсоединений соответственно;
множество вторых соединительных межсоединений, подключенных к множеству первых контактных выводов соответственно, к которым подключено множество четвертых выбирающих межсоединений соответственно;
множество объединенных межсоединений, каждое из которых состоит из взаимно смежных первых соединительных межсоединений и вторых соединительных межсоединений, объединенных друг с другом;
причем первое общее межсоединение, по существу, соединяет объединенные межсоединения, которые не смежны друг с другом, из множества объединенных межсоединений; и
второе общее межсоединение, по существу, соединяет объединенные межсоединения, которые не смежны друг с другом и не подключены к первому общему межсоединению, из множества объединенных межсоединений.
2. Подложка активной матрицы по п.1,
в которой множество первых соединительных межсоединений и множество вторых соединительных межсоединений обрезаны так, что электрическая непрерывность не устанавливается между множеством первых контактных выводов, к которым подключено множество третьих выбирающих межсоединений соответственно, и множеством первых контактных выводов, к которым подключено множество четвертых выбирающих межсоединений соответственно.
3. Подложка активной матрицы по п.1,
в которой резистивный элемент подключен к, по меньшей мере, одному из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения.
4. Подложка активной матрицы по п.3,
в которой резистивный элемент подключен к каждому из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения.
5. Подложка активной матрицы по п.4,
в которой резистивный элемент, подключенный к первому соединительному межсоединению, и резистивный элемент, подключенный ко второму соединительному межсоединению, имеют практически идентичное значение сопротивления.
6. Подложка активной матрицы по п.3,
в которой каждое из множества объединенных межсоединений обрезано.
7. Подложка активной матрицы по п.4,
в которой каждое из множества объединенных межсоединений обрезано.
8. Подложка активной матрицы по п.5,
в которой каждое из множества объединенных межсоединений обрезано.
9. Подложка активной матрицы по любому из пп.1-8,
в которой первые межсоединения являются межсоединениями затвора, а вторые межсоединения являются межсоединениями истока.
10. Подложка активной матрицы по любому из пп.1-8,
в которой первые межсоединения являются межсоединениями истока, а вторые межсоединения являются межсоединениями затвора.
11. Дисплейное устройство, содержащее подложку активной матрицы по любому из пп.1-8.
12. Дисплейное устройство, содержащее подложку активной матрицы по п.9.
13. Дисплейное устройство, содержащее подложку активной матрицы по п.10.
14. Дисплейное устройство по п.11, в котором дисплейное устройство является жидкокристаллическим дисплейным устройством.
15. Дисплейное устройство по п.12, в котором дисплейное устройство является жидкокристаллическим дисплейным устройством.
16. Дисплейное устройство по п.13, в котором дисплейное устройство является жидкокристаллическим дисплейным устройством.
17. Способ проверки подложки активной матрицы по п.1, содержащий этапы, на которых:
проверяют третьи выбирающие межсоединения и четвертые выбирающие межсоединения посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение; и
обрезают множество первых соединительных межсоединений и множество вторых соединительных межсоединений после этапа проверки.
18. Способ проверки дисплейного устройства, включающего в себя подложку активной матрицы по п.1, содержащий этапы, на которых:
проверяют третьи выбирающие межсоединения и четвертые выбирающие межсоединения посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение; и
обрезают множество первых соединительных межсоединений и множество вторых соединительных межсоединений после этапа проверки.
19. Способ проверки подложки активной матрицы по любому из пп.3-5, содержащий этапы, на которых:
проверяют третьи выбирающие межсоединения и четвертые выбирающие межсоединения посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение; и
обрезают множество объединенных межсоединений после этапа проверки.
20. Способ проверки дисплейного устройства, включающего в себя подложку активной матрицы по любому из пп.3-5, содержащий этапы, на которых:
проверяют третьи выбирающие межсоединения и четвертые выбирающие межсоединения посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение; и
обрезают множество объединенных межсоединений после этапа проверки.
RU2011106755/08A 2008-07-23 2009-05-11 Подложка активной матрицы, дисплейное устройство, способ проверки подложки активной матрицы и способ проверки дисплейного устройства RU2475866C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-190148 2008-07-23
JP2008190148 2008-07-23
PCT/JP2009/058777 WO2010010750A1 (ja) 2008-07-23 2009-05-11 アクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の検査方法、および表示装置の検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011106755A RU2011106755A (ru) 2012-08-27
RU2475866C2 true RU2475866C2 (ru) 2013-02-20

Family

ID=41570217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011106755/08A RU2475866C2 (ru) 2008-07-23 2009-05-11 Подложка активной матрицы, дисплейное устройство, способ проверки подложки активной матрицы и способ проверки дисплейного устройства

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8502227B2 (ru)
EP (2) EP2317492B1 (ru)
JP (2) JP4982609B2 (ru)
KR (1) KR101247023B1 (ru)
CN (1) CN102099847B (ru)
BR (1) BRPI0917025A2 (ru)
RU (1) RU2475866C2 (ru)
WO (1) WO2010010750A1 (ru)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099847B (zh) * 2008-07-23 2013-03-13 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示装置、有源矩阵基板的检查方法和显示装置的检查方法
CN103608856B (zh) * 2011-07-19 2016-03-09 夏普株式会社 元件基板的制造方法
KR101947163B1 (ko) * 2012-02-10 2019-02-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140064553A (ko) * 2012-11-20 2014-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102025835B1 (ko) * 2012-11-26 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
TWI505010B (zh) * 2013-11-12 2015-10-21 E Ink Holdings Inc 主動元件陣列基板
US9785032B2 (en) 2013-11-12 2017-10-10 E Ink Holdings Inc. Active device array substrate and display panel
KR102231898B1 (ko) * 2013-12-13 2021-03-25 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시패널
KR102196179B1 (ko) * 2013-12-31 2020-12-29 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조방법
KR20150084127A (ko) 2014-01-13 2015-07-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6370057B2 (ja) * 2014-02-20 2018-08-08 三菱電機株式会社 アレイ基板およびアレイ基板の検査方法
WO2016185642A1 (ja) 2015-05-21 2016-11-24 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 表示パネル
KR102412675B1 (ko) * 2015-06-03 2022-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR102490891B1 (ko) * 2015-12-04 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105469731A (zh) * 2016-01-28 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、电学老化方法、显示装置及其制作方法
JP6805604B2 (ja) * 2016-07-26 2020-12-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN109390352A (zh) * 2017-08-09 2019-02-26 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法
KR102392373B1 (ko) * 2017-08-24 2022-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108052462B (zh) * 2017-12-20 2019-12-10 苏州华兴源创科技股份有限公司 一种oled基板识别系统与方法
US10852591B2 (en) * 2018-06-29 2020-12-01 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device
US10795223B2 (en) * 2018-11-08 2020-10-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20200057141A (ko) * 2018-11-15 2020-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109830197B (zh) * 2019-01-17 2022-03-15 昆山国显光电有限公司 一种测试导线排版结构、显示面板和显示装置
KR20210005352A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI742519B (zh) * 2019-07-26 2021-10-11 友達光電股份有限公司 可撓性顯示裝置及其製造方法
CN111736380A (zh) * 2019-07-26 2020-10-02 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
KR102182538B1 (ko) * 2019-09-20 2020-11-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR102269139B1 (ko) * 2019-09-20 2021-06-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
CN111508858B (zh) * 2020-05-06 2022-11-08 中国电子科技集团公司第四十四研究所 Emccd倍增区电极短路的检测方法
US11415854B2 (en) * 2020-06-29 2022-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2160933C2 (ru) * 1992-11-03 2000-12-20 Юен Фунг Ю.Х.К.Ко., Лтд. Дисплей
US20040095549A1 (en) * 2002-11-19 2004-05-20 Sung-Jae Moon Liquid crystal display and testing method thereof
US20050056833A1 (en) * 2000-12-29 2005-03-17 Lg Philips Lcd Co., Ltd Liquid crystal display device
EP1667090A1 (en) * 2003-09-19 2006-06-07 Sharp Kabushiki Kaisha Electrode wiring substrate and display device

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3010800B2 (ja) * 1991-07-16 2000-02-21 日本電気株式会社 液晶表示装置及び液晶表示パネル
JP2758105B2 (ja) * 1992-04-28 1998-05-28 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板の検査方法及び検査装置
JP3315834B2 (ja) 1995-05-31 2002-08-19 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
JP3251474B2 (ja) 1995-09-06 2002-01-28 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JP3276557B2 (ja) 1996-05-23 2002-04-22 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JPH09329796A (ja) 1996-06-10 1997-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示基板
JPH11119683A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Fujitsu Ltd 液晶表示パネルの検査方法
JP5053479B2 (ja) * 2000-09-14 2012-10-17 株式会社ジャパンディスプレイセントラル マトリクスアレイ基板及びその製造方法
JP2002116453A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶画像表示装置とその製造方法、および画像検査方法
JP2002328627A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Seiko Epson Corp 表示装置の検査方法
JP2002341377A (ja) 2001-05-15 2002-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ基板
JP3977061B2 (ja) 2001-11-21 2007-09-19 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修復方法
JP4006284B2 (ja) 2002-07-17 2007-11-14 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100923056B1 (ko) 2002-09-16 2009-10-22 삼성전자주식회사 표시 장치 및 이의 제조방법
JP2004325956A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Sharp Corp 表示装置及びその製造方法
US7205209B2 (en) * 2004-05-11 2007-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fabrication of stacked dielectric layer for suppressing electrostatic charge buildup
WO2005116745A1 (en) * 2004-05-27 2005-12-08 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method for correcting a pixel deffect therein and manufacturing method thereof
KR100692691B1 (ko) * 2004-10-26 2007-03-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
JP4667846B2 (ja) * 2004-12-10 2011-04-13 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
JP2007219046A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示パネル
JP2007256540A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Sharp Corp 液晶表示装置の検査方法、及び液晶表示装置
WO2008015808A1 (fr) * 2006-07-31 2008-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Substrat de matrice active, afficheur et procédé d'inspection de substrat de matrice active
BRPI0912347A2 (pt) * 2008-05-16 2015-10-13 Sharp Kk substrato de matriz ativa, dispositivo de exibição, método para inspecionar substrato de matriz ativa, e método para inspecionar dispositivo de exibição
CN102099847B (zh) * 2008-07-23 2013-03-13 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示装置、有源矩阵基板的检查方法和显示装置的检查方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2160933C2 (ru) * 1992-11-03 2000-12-20 Юен Фунг Ю.Х.К.Ко., Лтд. Дисплей
US20050056833A1 (en) * 2000-12-29 2005-03-17 Lg Philips Lcd Co., Ltd Liquid crystal display device
US20040095549A1 (en) * 2002-11-19 2004-05-20 Sung-Jae Moon Liquid crystal display and testing method thereof
EP1667090A1 (en) * 2003-09-19 2006-06-07 Sharp Kabushiki Kaisha Electrode wiring substrate and display device

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2010010750A1 (ja) 2012-01-05
US8502227B2 (en) 2013-08-06
US9299877B2 (en) 2016-03-29
US20110127536A1 (en) 2011-06-02
EP2797069B1 (en) 2019-07-10
US20130299850A1 (en) 2013-11-14
WO2010010750A1 (ja) 2010-01-28
JP4982609B2 (ja) 2012-07-25
EP2317492B1 (en) 2014-05-14
JP2012177927A (ja) 2012-09-13
KR101247023B1 (ko) 2013-03-25
KR20110031503A (ko) 2011-03-28
CN102099847B (zh) 2013-03-13
JP5438798B2 (ja) 2014-03-12
BRPI0917025A2 (pt) 2016-02-16
CN102099847A (zh) 2011-06-15
EP2317492A4 (en) 2011-12-21
RU2011106755A (ru) 2012-08-27
EP2797069A1 (en) 2014-10-29
EP2317492A1 (en) 2011-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2475866C2 (ru) Подложка активной матрицы, дисплейное устройство, способ проверки подложки активной матрицы и способ проверки дисплейного устройства
US8582068B2 (en) Active matrix substrate with connections of switching elements and inspecting wirings, display device, method for inspecting active matrix substrate, and method for inspecting display device
JP4813621B2 (ja) アクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の検査方法、および表示装置の検査方法
KR101137863B1 (ko) 박막트랜지스터 어레이 기판
US10964284B2 (en) Electronic component board and display panel
WO2008015808A1 (fr) Substrat de matrice active, afficheur et procédé d'inspection de substrat de matrice active
US20080029784A1 (en) Thin film transistor array panel for a display
US9405162B2 (en) Active matrix display device with auxiliary repair line
US11693460B2 (en) Wiring substrate and display panel
JPH11119683A (ja) 液晶表示パネルの検査方法
KR20170135601A (ko) 칩이 실장된 인쇄 회로 필름 및 이를 포함하는 표시장치
KR20160090971A (ko) 표시장치용 표시패널 및 표시패널 검사 방법
JP2022076989A (ja) 配線基板、表示パネル、および配線基板の欠陥修理方法
JP2003316293A (ja) 信号配線基板および表示装置の製造方法
JP2007183446A (ja) 電気光学装置、電気光学装置用基板、電気光学装置の製造方法、電気光学装置用基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190512