RU2384389C2 - Огнеупорная разливочная труба с пористой вставкой - Google Patents

Огнеупорная разливочная труба с пористой вставкой Download PDF

Info

Publication number
RU2384389C2
RU2384389C2 RU2008106464/02A RU2008106464A RU2384389C2 RU 2384389 C2 RU2384389 C2 RU 2384389C2 RU 2008106464/02 A RU2008106464/02 A RU 2008106464/02A RU 2008106464 A RU2008106464 A RU 2008106464A RU 2384389 C2 RU2384389 C2 RU 2384389C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gas
pipe
contact surface
flat contact
channel
Prior art date
Application number
RU2008106464/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2008106464A (ru
Inventor
Стивен ЛИ (GB)
Стивен Ли
Айан ПРОУДФУТ (GB)
Айан ПРОУДФУТ
Дейвид БЛУМФИЛД (GB)
Дейвид БЛУМФИЛД
Original Assignee
Рифрэктори Интеллектуал Проперти Гмбх Унд Ко. Кг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020040061527A external-priority patent/KR100653699B1/ko
Priority claimed from KR1020050038621A external-priority patent/KR100689830B1/ko
Application filed by Рифрэктори Интеллектуал Проперти Гмбх Унд Ко. Кг filed Critical Рифрэктори Интеллектуал Проперти Гмбх Унд Ко. Кг
Publication of RU2008106464A publication Critical patent/RU2008106464A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2384389C2 publication Critical patent/RU2384389C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/412—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using field-effect transistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8221—Three dimensional integrated circuits stacked in different levels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • H10B10/12—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
    • H10B10/125—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element the MOSFET being a thin film transistor [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • H10B10/18—Peripheral circuit regions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Rigid Pipes And Flexible Pipes (AREA)
  • Continuous Casting (AREA)

Abstract

Изобретение относится к металлургии. Огнеупорная труба содержит первый конец с первой плоской контактной поверхностью, перпендикулярной продольной оси трубы, и разливочный канал, простирающийся от первой плоской контактной поверхности до второго конца трубы. Первый конец трубы снабжен газопроницаемым элементом, расположенным так, что одна из его поверхностей образует часть первой плоской контактной поверхности. Дополнительно первый конец снабжен одним газовым каналом, простирающимся от поверхности газопроницаемого элемента, до первой плоской контактной поверхности. Огнеупорная труба совместно со вторым огнеупорным компонентом, имеющим вторую плоскую контактную поверхность и второй разливочный канал, образует узел огнеупорной разливочной трубы. Обеспечивается эффективная защита расплавленного металла, протекающего по огнеупорной разливочной трубе, от проникновения окружающего воздуха. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Настоящее изобретение относится в целом к огнеупорной разливочной трубе, предназначенной для розлива расплавленного металла из одной металлургической емкости в другую металлургическую емкость. Изобретение также относится к соответствующей установке, включающей в себя такую разливочную трубу.
Известно, что при непрерывном розливе расплавленных металлов используются разливочные трубы для перемещения расплавленного металла из одной металлургической емкости в другую. Такие металлургические емкости (конвертеры) включают в себя ковши, промежуточные разливочные устройства (промковши), изложницы и т.д. В процессе розлива металла необходимо исключить любой контакт металлургических расплавов с окружающим воздухом.
В WO 01/66284 А1 описывается желобчатая огнеупорная труба для таких целей. Такая труба включает в себя первый конец с первой плоской контактной поверхностью, перпендикулярной продольной оси трубы, и разливочный канал, простирающийся от вышеуказанной первой плоской контактной поверхности до второго конца, где разливочный канал заканчивается одним или более выходным отверстием во втором конце трубы. Для исключения попадания воздуха в расплавленный поток первая плоская контактная поверхность снабжена так называемым инжекционным желобом. Такой желоб в сочетании с первой плоской поверхностью образует жидкостный инжекционный канал, который по меньшей мере частично охватывает собой вышеуказанный разливочный канал.
В соответствии с WO 01/66284 А1 такой канал может закупориваться, т.е. блокироваться в процессе розлива металла. Это явление наблюдается в том случае, если инжекционный желоб выполнен в поверхности огнеупорной разливочной трубы, плотно прилегающей к поверхности другого огнеупорного компонента, предназначенного для замены в процессе разливочных операций, например, когда инжекционный желоб выполнен в нижней поверхности внутреннего сопла, который прилегает к верхней поверхности разливочного кожуха (бандажа) или погружного входного сопла. Следовательно, в WO 01/66284 А1 предлагается выполнять дополнительный желоб вдоль соответствующей контактной поверхности указанных других огнеупорных компонентов так, чтобы по меньшей мере один из вышеуказанных желобов мог правильно функционировать в процессе разливки.
Это предложение не исключает риска блокирования одного или двух вышеуказанных желобов в процессе эксплуатации, что ведет к снижению эффективности газовой защиты и вероятности подсоса воздуха.
Соответственно, целью настоящего изобретения является огнеупорная разливочная труба и соответствующая установка, которая/которые проста в эксплуатации и обеспечивает/обеспечивают эффективные средства защиты расплавленного металла, протекающего по вышеуказанной трубе, от проникновения окружающего воздуха.
В настоящем изобретении исключается применение какого-либо из вышеуказанных инжекционных желобов, однако, применен газопроницаемый элемент, который вмонтирован в поверхностную область разливочной трубы и который прилегает к соответствующему огнеупорному компоненту. Технологический газ, преимущественно инертный газ, подается в вышеуказанный газопроницаемый элемент, находящийся на некотором расстоянии от первой плоской контактной поверхности. Газ проходит через вышеуказанный элемент, а затем выходит из газопроницаемого элемента через его верхнюю (свободную, открытую) поверхность, которая образует часть первой плоской контактной поверхности.
В процессе эксплуатации, когда второй огнеупорный компонент располагается таким образом, что его соответствующая контактная поверхность находится в непосредственном контакте с первой плоской контактной поверхностью трубы, газ, подаваемый под давлением в вышеуказанный газопроницаемый элемент, выходит через щели, имеющиеся между вышеуказанными соответствующими контактными поверхностями, что исключает возможность проникновения нежелательного воздуха.
Подобно газу, поступающему из желоба, газ, поступающий из газопроницаемого элемента, будет создавать завесу вокруг разливочного канала без какого-либо риска его блокирования.
Наиболее общий вариант осуществления изобретения относится к огнеупорной разливочной трубе, включающей в себя первый конец с первой плоской контактной поверхностью, перпендикулярной продольной оси трубы, и разливочный канал, проходящий от вышеуказанной первой плоской контактной поверхности до второго конца трубы, который заканчивается по меньшей мере одним выходным отверстием во втором конце трубы; при этом первый конец трубы включает в себя по меньшей мере один газопроницаемый элемент, установленный таким образом, что одна из его поверхностей образует часть первой плоской контактной поверхности, и при этом в него может подаваться газ.
Газопроницаемый элемент может быть выполнен в форме кольца. Такая форма позволят создавать продолжительную круговую газовую завесу вокруг разливочного канала (на радиальном расстоянии от разливочного канала). Газопроницаемый элемент (кольцо) может иметь любую ширину, например 5-25 мм. Его глубина (высота) может быть такого же размера. Вышеуказанное кольцо может быть выполнено с прямоугольным поперечным сечением.
Газопроницаемый элемент может быть самостоятельным элементом, размещенным внутри вышеуказанного первого конца трубы. Газопроницаемый элемент также может быть совмещен с цилиндрическим элементом (трубой) или изготавливаться как самостоятельная деталь, которую затем помещают внутрь трубы в процессе сборки.
Для подачи газа в вышеуказанный газопроницаемый элемент по изобретению предлагаются различные конструкции. По одному варианту осуществления изобретения первый конец трубы дополнительно оборудуется по меньшей мере одним газовым каналом, идущим от по меньшей мере одной поверхности газопроницаемого элемента, иной, чем та, которая образует часть первой плоской контактной поверхности, до по меньшей мере одной дополнительной наружной поверхности первого конца трубы.
Таким образом, канал может простираться от поверхности вышеуказанного газопроницаемого элемента в противоположном направлении от первой плоской контактной поверхности до другого участка первой плоской контактной поверхности и/или любого другого участка внешней окружности трубы.
Для создания постоянного потока газа при постоянном давлении дополнительный вариант осуществления изобретения предлагает газораспределительную камеру (камеру повышенного давления), расположенную между газопроницаемым элементом и газовым каналом. Такая газораспределительная камера повышенного давления может простираться на определенную длину вдоль вышеуказанного газопроницаемого элемента, а также может простираться вдоль всей его длины.
Газопроницаемый элемент может быть установлен в любом месте вдоль первой плоской контактной поверхности. По одному варианту осуществления изобретения, который изображен на чертеже, газопроницаемый элемент выполнен по принципу газопроницаемого кольца вокруг внешнего периметра первой плоской контактной поверхности. Это позволяет размещать средства для подачи газа отдельно от трубы, например внутри или вдоль соответствующей опоры трубы.
Обычно первый конец разливочной трубы имеет увеличенное поперечное сечение (диаметр), придавая таким образом этому первому концу форму фланца (верхняя часть трубы в своем монтажной положении). Затем труба помещается своей фланцеобразной частью внутрь вышеуказанной опоры. Теперь газ может подаваться в газопроницаемый элемент снаружи. Например, газораспределительная камера может быть установлена радиально относительно газопроницаемого элемента и выходить непосредственно в газопроницаемый элемент. Газ может подаваться в эту камеру по соответствующей линии подачи газа, также находящейся внутри вышеуказанной опоры.
В другом варианте осуществления изобретения газопроницаемый элемент располагается между внутренним и внешним периметром первой плоской контактной поверхности. Внешний периметр может иметь любую форму, например прямоугольную, овальную или круглую. Внутренний периметр имеет, в основном, круговое поперечное сечение. В таком варианте осуществления изобретения газовый канал может проходить от любой поверхности газопроницаемого элемента, иной, чем та, которая образует часть первой плоской контактной поверхности, через огнеупорный корпус разливочной трубы до любой области поверхности трубы, к которой может быть присоединена труба подачи газа.
Другой способ заключается в подаче газа через соответствующий самостоятельный огнеупорный компонент, например через насадку с плоской поверхностью, которая примыкает к первой плоской контактной поверхности трубы. Такой газовый канал может простираться соосно с соответствующим газовым каналом, который расположен внутри трубы и простирается от первой плоской контактной поверхности до газопроницаемого элемента или камеры повышенного давления, окружающей газопроницаемый элемент, по меньшей мере, частично. Преимущество такого варианта осуществления изобретения заключается в том, что средства подачи газа располагаются в неподвижном элементе (насадке), который не требуется снимать при замене трубы. В свою очередь, газораспределительные средства (камера повышенного давления) могут быть расположены вдоль соответствующих газовых каналов.
Множество точек выхода инертного газа из поверхности газопроницаемого огнеупорного элемента обеспечивают двухмерное покрытие поверхности скольжения при минимальном риске того, что какой-либо канал может быть заблокирован и даст проход наружному воздуху.
Канал (или каналы) подачи газа может (могут) располагаться в стороне от отверстия на некотором расстоянии от канала, проходящего через плоские поверхности, вдоль которых проходит отверстие трубы в процессе ее замены. В таком варианте осуществления изобретения никакие поверхности, у которых есть риск блокирования в процессе эксплуатации, не будут иметь никаких каналов.
Дополнительные особенности изобретения поясняются в других документах заявки и в формуле настоящего изобретения.
Более подробно изобретение описывается со ссылкой на прилагаемый чертеж, на котором схематично изображено вертикальное сечение трубы совместно с соответствующей насадкой (форсункой).
На чертеже цифрой 10 обозначена огнеупорная керамическая насадка, цифрой 12 - соответствующая разливочная труба. Оба элемента, насадка 10 и разливочная труба 12, включают в себя разливочный канал 14, расположенный соосно в этих двух элементах, когда они находятся в собранном состоянии (как изображено на чертеже). Такое соосное расположение позволяет использовать разливочные трубы большего диаметра.
Разливочная труба 12 включает в себя первый (увеличенный) конец 16 (верхний конец в собранном положении), который в свою очередь включает в себя первую плоскую контактную поверхность 18. Вдоль внешней поверхности 12p по периметру вышеуказанной трубы 12 внутри первого конца 16 располагается кольцеобразный газопроницаемый элемент 20 таким образом, что его верхняя поверхность 20s образует часть первой плоской контактной поверхности 18, тогда как его внешняя поверхность по периметру образует часть наружной поверхности трубы 12p. Газопроницаемый элемент 20 выполнен из пористого керамического огнеупорного материала и установлен внутри первого конца 16 трубы 12 в процессе сборки.
Разливочная труба 12 жестко закреплена внутри опорной стойки 22, которая включает в себя металлическую наружную оболочку 24 и внутреннюю огнеупорную часть 26.
Нижняя часть разливочной трубы 12 обычной конструкции и не изображена на чертеже.
Насадка 10 также выполнена из керамического огнеупорного материала и имеет вторую плоскую контактную поверхность 28 на своем нижнем конце (как изображено на чертеже).
Как правило, соответствующие плоские контактные поверхности 18, 28 плотно прилегают друг к другу для исключения проникновения воздуха вдоль вышеуказанных контактных областей в расплавленный металл, протекающий по разливочному каналу 14.
Закрепление насадки 10 производится стандартным образом и подробно не изображено на чертеже.
На чертеже изображены два различных примера (вариант осуществления) подачи газа в газопроницаемый элемент 20.
В правой части чертежа кольцеобразная газораспределительная камера повышенного давления 30 выполнена на внутренней поверхности опорной стойки 22 непосредственно напротив газопроницаемого элемента 20. Труба подачи газа 32 простирается от вышеуказанного газораспределительного кольца 30 до газовой станции давления (не изображена). Газ, поступающий по трубе подачи газа 32, подается в газораспределительную камеру повышенного давления 30, а затем в газопроницаемый элемент 20. При идеальных условиях газопроницаемая камера 20 находится под постоянным давлением газа и нет утечки газа (инертного газа) вдоль первой плоской контактной поверхности 18. На практике вышеуказанные первая и/или вторая поверхности 18, 28 всегда имеют щели, прорези, иные дефекты, поэтому часть инертного газа, находящего под давлением, просачивается внутрь, к отверстию 14, или наружу, во внешнюю часть агрегата, тем самым заполняя все имеющиеся промежутки и обеспечивая завесу из инертного газа, которая предотвращает всасывание наружного воздуха в поток расплавленного металла, протекающего по каналу 14.
В левой части чертежа изображен альтернативный вариант. В то время как газораспределительная камера повышенного давления 34 находится прямо под газопроницаемым элементом 20, газовый канал 36 проходит от вышеуказанной газораспределительной камеры повышенного давления 34 (являющейся кольцеобразным элементом) до первой плоской контактной поверхности 18 в промежуточном положении между внутренней окружностью вышеуказанного газораспределительного элемента 20 и каналом 14 разливочной трубы.
Насадка 10 включает в себя соответствующий газовый канал 38, который в свою очередь имеет в своем нижнем конце увеличенное сечение 38е, соединенное с газовым каналом 36 трубопроводным соединением. Своим противоположным концом газовый канал 38 входит в адаптер 40, расположенный внутри насадки 10, который соединяется с трубой подачи газа.
По такому варианту осуществления изобретения любой инертный газ может поступать по газовому каналу 38 (38е) и газовому каналу 36 в газораспределительную камеру повышенного давления 34, а затем в газопроницаемый элемент 20.

Claims (8)

1. Огнеупорная разливочная труба, содержащая первый конец (16) с первой плоской контактной поверхностью (18), перпендикулярной продольной оси (А) трубы, и разливочный канал (14), простирающийся от первой плоской контактной поверхности (18) до второго конца трубы и заканчивающийся, по меньшей мере, одним выходным отверстием во втором конце трубы, при этом первый конец (16) трубы снабжен, по меньшей мере, одним газопроницаемым элементом (20), расположенным таким образом, что одна из его поверхностей (20s) образует часть первой плоской контактной поверхности (18), и первый конец (16) снабжен, по меньшей мере, одним газовым каналом (36), простирающимся от, по меньшей мере, одной поверхности газопроницаемого элемента (20), иной, чем образующая часть первой плоской контактной поверхности (18) поверхность (20s), до первой плоской контактной поверхности (18).
2. Разливочная труба по п.1, в которой газопроницаемый элемент (20) имеет кольцеобразную форму.
3. Разливочная труба по п.1, в которой газопроницаемый элемент (20) является самостоятельной деталью, размещенной внутри первого конца (16) трубы.
4. Разливочная труба по п.1, в которой газопроницаемый элемент (20) сформирован в процессе изготовления трубы.
5. Разливочная труба по п.1, в которой между газопроницаемым элементом (20) и газовым каналом (36) расположена газораспределительная камера (34).
6. Разливочная труба по п.1, в которой газопроницаемый элемент (20) расположен вдоль внешней поверхности по периметру (12р) первой плоской контактной поверхности (18).
7. Узел огнеупорной разливочной трубы по одному из пп.1-6 и второго огнеупорного компонента (10), имеющего вторую плоскую контактную поверхность (28) и второй разливочный канал (14), предназначенный для стыковки первой плоской контактной поверхности (18) первой трубы с вышеуказанной второй плоской контактной поверхностью (28), образуя тем самым непрерывно функционирующий разливочный канал (14) в переходной области между первым и вторым разливочными каналами (14), в котором второй огнеупорный компонент (10) включает в себя по меньшей мере один канал подачи газа (38), выходной конец которого в смонтированном положении выходит в по меньшей мере один газовый канал (36) трубы, тогда как входной конец (40) канала подачи газа (38) выполнен с возможностью присоединения к средствам подачи газа.
8. Узел разливочной трубы по п.7, в котором канал подачи газа (38) имеет выходной конец с увеличенной площадью поперечного сечения.
RU2008106464/02A 2004-08-04 2006-07-08 Огнеупорная разливочная труба с пористой вставкой RU2384389C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040061527A KR100653699B1 (ko) 2004-08-04 2004-08-04 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 배치방법
KR1020050038621A KR100689830B1 (ko) 2005-05-09 2005-05-09 반도체 집적 회로들 및 그 제조방법들
EP05016656A EP1624487A3 (en) 2004-08-04 2005-08-01 Semiconductor device having vertically stacked field effect transistors and methods of manufacturing the same
EP05016656.8 2005-08-27
EP05018656.8 2005-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008106464A RU2008106464A (ru) 2009-10-10
RU2384389C2 true RU2384389C2 (ru) 2010-03-20

Family

ID=35427519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008106464/02A RU2384389C2 (ru) 2004-08-04 2006-07-08 Огнеупорная разливочная труба с пористой вставкой

Country Status (4)

Country Link
US (4) US7315466B2 (ru)
EP (1) EP1624487A3 (ru)
JP (1) JP2006049914A (ru)
RU (1) RU2384389C2 (ru)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4683833B2 (ja) * 2003-10-31 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 機能回路及びその設計方法
US7315466B2 (en) 2004-08-04 2008-01-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for arranging and manufacturing the same
KR100702012B1 (ko) * 2005-03-22 2007-03-30 삼성전자주식회사 매립막 패턴들을 갖는 에스. 램들 및 그 형성방법들
KR100663360B1 (ko) * 2005-04-20 2007-01-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 소자들 및 그 제조방법들
US20090224330A1 (en) * 2005-07-28 2009-09-10 Hong Chang Min Semiconductor Memory Device and Method for Arranging and Manufacturing the Same
US7978561B2 (en) * 2005-07-28 2011-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices having vertically-stacked transistors therein
KR100634459B1 (ko) * 2005-08-12 2006-10-16 삼성전자주식회사 다층 트랜지스터 구조를 가지는 반도체 장치 및 그제조방법
KR100665853B1 (ko) * 2005-12-26 2007-01-09 삼성전자주식회사 고집적 스태이틱 랜덤 억세스 메모리에 채용하기 적합한적층 메모리 셀
JP4782573B2 (ja) * 2006-01-31 2011-09-28 パナソニック株式会社 データ保持回路、スキャンチェーン回路、半導体集積回路およびそのプロセスばらつき判別方法
US7601998B2 (en) 2006-09-14 2009-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines
JP4768557B2 (ja) * 2006-09-15 2011-09-07 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
DE112006004002B4 (de) * 2006-09-28 2015-07-02 Intel Corporation NBTI-resistente Speicherzellen mit Nand-Gliedern
JP5130596B2 (ja) * 2007-05-30 2013-01-30 国立大学法人東北大学 半導体装置
KR101275758B1 (ko) * 2007-07-20 2013-06-14 삼성전자주식회사 복수개의 적층된 트랜지스터들을 구비하는 반도체 소자 및그 제조방법
US20090065841A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-12 Assaf Shappir SILICON OXY-NITRIDE (SiON) LINER, SUCH AS OPTIONALLY FOR NON-VOLATILE MEMORY CELLS
US7829410B2 (en) * 2007-11-26 2010-11-09 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitors, and methods of forming DRAM arrays
KR100960451B1 (ko) 2008-02-29 2010-05-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8546876B2 (en) * 2008-03-20 2013-10-01 Micron Technology, Inc. Systems and devices including multi-transistor cells and methods of using, making, and operating the same
US7969776B2 (en) 2008-04-03 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Data cells with drivers and methods of making and operating the same
KR100971532B1 (ko) * 2008-05-27 2010-07-21 삼성전자주식회사 구동 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자
KR101398634B1 (ko) * 2008-07-11 2014-05-22 삼성전자주식회사 배선 구조체 및 이를 채택하는 전자 소자
US8004042B2 (en) 2009-03-20 2011-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Static random access memory (SRAM) cell and method for forming same
US8054673B2 (en) * 2009-04-16 2011-11-08 Seagate Technology Llc Three dimensionally stacked non volatile memory units
EP2494594B1 (en) 2009-10-29 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
US8786009B2 (en) * 2009-11-03 2014-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate structures including buried wiring, semiconductor devices including substrate structures, and method of fabricating the same
KR101650018B1 (ko) * 2009-11-03 2016-08-23 삼성전자주식회사 매립 배선을 구비하는 기판 구조체, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101921619B1 (ko) * 2009-12-28 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US8228705B2 (en) * 2010-04-22 2012-07-24 Himax Technologies Limited Memory cell and an associated memory device
JP2012146861A (ja) * 2011-01-13 2012-08-02 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US8841675B2 (en) * 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
GB2505429A (en) 2012-08-29 2014-03-05 Ibm Semiconductor stack comprising plurality of phase-change memory (PCM) cells and performing a logic operation
US8952431B2 (en) 2013-05-09 2015-02-10 International Business Machines Corporation Stacked carbon-based FETs
US9455703B2 (en) * 2013-11-15 2016-09-27 Eaglepicher Technologies, Llc FET array bypass module
US9716100B2 (en) * 2014-03-14 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and electronic device
KR20160000512A (ko) 2014-06-24 2016-01-05 삼성전자주식회사 메모리 장치
US11328951B2 (en) 2016-04-01 2022-05-10 Intel Corporation Transistor cells including a deep via lined wit h a dielectric material
JP7046049B2 (ja) * 2016-07-19 2022-04-01 東京エレクトロン株式会社 三次元半導体デバイス及び製造方法
US10872820B2 (en) * 2016-08-26 2020-12-22 Intel Corporation Integrated circuit structures
KR102565380B1 (ko) 2016-12-07 2023-08-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판
US11869890B2 (en) 2017-12-26 2024-01-09 Intel Corporation Stacked transistors with contact last
WO2019172879A1 (en) 2018-03-05 2019-09-12 Intel Corporation Metallization structures for stacked device connectivity and their methods of fabrication
WO2019190505A1 (en) * 2018-03-28 2019-10-03 Intel Corporation Stacked transistors with si pmos and high mobility thin film transistor nmos
US11640961B2 (en) 2018-03-28 2023-05-02 Intel Corporation III-V source/drain in top NMOS transistors for low temperature stacked transistor contacts
US11616053B2 (en) 2018-09-05 2023-03-28 Tokyo Electron Limited Method to vertically route a logic cell incorporating stacked transistors in a three dimensional logic device
US10950545B2 (en) 2019-03-08 2021-03-16 International Business Machines Corporation Circuit wiring techniques for stacked transistor structures
US11688780B2 (en) 2019-03-22 2023-06-27 Intel Corporation Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization
US11374003B2 (en) 2019-04-12 2022-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated circuit
WO2020217479A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 シャープ株式会社 表示装置
US10818763B1 (en) 2019-05-07 2020-10-27 Globalfoundries Inc. Field-effect transistors with laterally-serpentine gates
US11081561B2 (en) 2019-05-07 2021-08-03 Globalfoundries U.S. Inc. Field-effect transistors with vertically-serpentine gates
US11158368B2 (en) * 2019-09-06 2021-10-26 Coventor, Inc. Static random-access memory cell design
US11538814B2 (en) * 2021-01-29 2022-12-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Static random access memory of 3D stacked devices

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4680609A (en) * 1984-09-24 1987-07-14 Northern Telecom Limited Structure and fabrication of vertically integrated CMOS logic gates
JPH0612799B2 (ja) * 1986-03-03 1994-02-16 三菱電機株式会社 積層型半導体装置およびその製造方法
US5006913A (en) * 1988-11-05 1991-04-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Stacked type semiconductor device
US5200921A (en) * 1990-09-20 1993-04-06 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit including P-channel MOS transistors having different threshold voltages
JPH0732200B2 (ja) * 1990-11-15 1995-04-10 株式会社東芝 スタティック型メモリセル
US5308782A (en) * 1992-03-02 1994-05-03 Motorola Semiconductor memory device and method of formation
JPH0697366A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Hitachi Ltd 高信頼度コンピュータチップ
US5532957A (en) * 1995-01-31 1996-07-02 Texas Instruments Incorporated Field reconfigurable logic/memory array
US5731945A (en) * 1995-02-22 1998-03-24 International Business Machines Corporation Multichip semiconductor structures with consolidated circuitry and programmable ESD protection for input/output nodes
JPH08250673A (ja) * 1995-03-15 1996-09-27 Nec Corp 半導体装置
US5675185A (en) * 1995-09-29 1997-10-07 International Business Machines Corporation Semiconductor structure incorporating thin film transistors with undoped cap oxide layers
US5973369A (en) * 1997-03-11 1999-10-26 Nec Corporation SRAM having P-channel TFT as load element with less series-connected high resistance
KR0161809B1 (ko) 1995-11-07 1998-12-01 김광호 적층형 박막 트랜지스터를 가진 반도체 메모리장치
KR0179553B1 (ko) 1995-12-29 1999-04-15 김주용 로오 디코더 및 컬럼 디코더 회로
JP4103968B2 (ja) * 1996-09-18 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
US5714394A (en) * 1996-11-07 1998-02-03 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making an ultra high density NAND gate using a stacked transistor arrangement
US5872029A (en) * 1996-11-07 1999-02-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming an ultra high density inverter using a stacked transistor arrangement
JP2923912B2 (ja) 1996-12-25 1999-07-26 日本電気株式会社 半導体装置
JP3501916B2 (ja) * 1997-02-28 2004-03-02 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその一括消去ベリファイ方法
JPH10270634A (ja) 1997-03-24 1998-10-09 Mitsubishi Electric Corp メモリモジュール
US5915167A (en) 1997-04-04 1999-06-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure memory
US5888872A (en) * 1997-06-20 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming source drain junction areas self-aligned between a sidewall spacer and an etched lateral sidewall
US5925913A (en) * 1997-08-25 1999-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. System for enhancing the performance of a circuit by reducing the channel length of one or more transistors
US6271542B1 (en) * 1997-12-08 2001-08-07 International Business Machines Corporation Merged logic and memory combining thin film and bulk Si transistors
US6009023A (en) * 1998-05-26 1999-12-28 Etron Technology, Inc. High performance DRAM structure employing multiple thickness gate oxide
US6081458A (en) * 1998-08-26 2000-06-27 International Business Machines Corp. Memory system having a unidirectional bus and method for communicating therewith
JP3410976B2 (ja) * 1998-12-08 2003-05-26 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 薄膜及びバルク・シリコン・トランジスタを組み合わせる併合化論理及びメモリ集積回路チップとその形成方法
JP3414662B2 (ja) * 1999-01-19 2003-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｒａｍセル及びその製造方法
US6576510B2 (en) * 1999-06-17 2003-06-10 Hitachi Ltd Method of producing a semiconductor memory device using a self-alignment process
JP2002026283A (ja) 2000-06-30 2002-01-25 Seiko Epson Corp 多層構造のメモリ装置及びその製造方法
KR100381962B1 (ko) * 2000-08-07 2003-05-01 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 로우 디코더
IT1316269B1 (it) * 2000-12-28 2003-04-03 Micron Technology Inc Riduzione di rumore di alimentazione nella selezione di colonna indispositivi di memoria.
US6887753B2 (en) * 2001-02-28 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor circuitry, and semiconductor circuit constructions
KR100418089B1 (ko) * 2001-06-21 2004-02-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 박막 트랜지스터 제조 방법
KR20010088672A (ko) 2001-08-20 2001-09-28 심재택 반도체 적층 구조 및 이를 이용한 반도체
JP2003142661A (ja) 2001-11-05 2003-05-16 Sony Corp 強誘電体型不揮発性半導体メモリ
US6906361B2 (en) 2002-04-08 2005-06-14 Guobiao Zhang Peripheral circuits of electrically programmable three-dimensional memory
US6678184B2 (en) * 2002-06-05 2004-01-13 Stmicroelectronics, Inc. CAM cell having compare circuit formed over two active regions
JP2004039690A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Seiko Epson Corp 半導体素子
US6882010B2 (en) * 2002-10-03 2005-04-19 Micron Technology, Inc. High performance three-dimensional TFT-based CMOS inverters, and computer systems utilizing such novel CMOS inverters
KR100468780B1 (ko) 2002-12-18 2005-01-29 삼성전자주식회사 더블 포트 반도체 메모리 장치
US7009911B2 (en) 2004-07-09 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Memory array decoder
KR100689830B1 (ko) 2005-05-09 2007-03-08 삼성전자주식회사 반도체 집적 회로들 및 그 제조방법들
US7315466B2 (en) * 2004-08-04 2008-01-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for arranging and manufacturing the same
KR100593450B1 (ko) 2004-10-08 2006-06-28 삼성전자주식회사 수직하게 차례로 위치된 복수 개의 활성 영역들을 갖는피이. 램들 및 그 형성방법들.
US6972478B1 (en) * 2005-03-07 2005-12-06 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit and method for its manufacture
KR100702012B1 (ko) 2005-03-22 2007-03-30 삼성전자주식회사 매립막 패턴들을 갖는 에스. 램들 및 그 형성방법들
KR100577603B1 (ko) 2005-05-20 2006-05-08 삼성전자주식회사 적층형 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR100634459B1 (ko) 2005-08-12 2006-10-16 삼성전자주식회사 다층 트랜지스터 구조를 가지는 반도체 장치 및 그제조방법
KR100866749B1 (ko) 2005-12-30 2008-11-03 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 반도체 메모리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP1624487A3 (en) 2007-10-03
US20060028861A1 (en) 2006-02-09
US20090294863A1 (en) 2009-12-03
EP1624487A2 (en) 2006-02-08
JP2006049914A (ja) 2006-02-16
US7315466B2 (en) 2008-01-01
US7589992B2 (en) 2009-09-15
US7982221B2 (en) 2011-07-19
US20080089163A1 (en) 2008-04-17
RU2008106464A (ru) 2009-10-10
US20110266623A1 (en) 2011-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2384389C2 (ru) Огнеупорная разливочная труба с пористой вставкой
FI61419C (fi) Skjutport foer en gjutoeppning foer smaelt metall
EA016316B1 (ru) Газовая форсунка и реактор с такой форсункой
JPS60116711A (ja) 冶金容器のためのガスバブル煉瓦
US5723055A (en) Nozzle assembly having inert gas distributor
US20170327914A1 (en) Gas purging element and corresponding gas supply line
JPS61238459A (ja) 熔融金属を有する容器のための湯口スリーブとその運転法
EP2127502B1 (en) Plasma cutting torch
JP2008516772A (ja) 冶金学的溶融鍋のための湯出しチューブ
CN100548460C (zh) 用于反应器容器内部构件的支承系统
ZA200506281B (en) Fire-resistant ceramic gas sink
US8056776B2 (en) Refractory pouring tube with porous insert
CA2743224C (en) Immersion nozzle
US4730812A (en) Apparatus for shielding a molten metal stream
JPH02263565A (ja) 冶金容器用ガス吹込み装置
EP2883631B1 (en) A refractory sleeve, in particular a collector nozzle on a metallurgical vessel
KR20120116456A (ko) 가스 퍼징 장치
RU150762U1 (ru) Устройство для продувки жидкого металла в ковше
RU2172228C2 (ru) Сопловой узел с распределителем инертного газа
RU2490092C2 (ru) Погружной разливочный стакан
JP2004268106A (ja) ガス吹込み用上プレートのガス洩れ防止構造
JP2004518940A (ja) 金属溶融物の湯出しにおけるスラグの流出防止法及び装置
RU150729U1 (ru) Устройство для защиты струи металла при разливке стали
RU2271340C2 (ru) Узел кольца диафрагмы в сборе, предназначенный для применения в устройстве для формирования заключенного в оболочку потока стекла
FI71398C (fi) Sprayventilanordning

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120709