RU2010129831A - Устройство с магнитным туннельным переходом с раздельными трактами считывания и записи - Google Patents

Устройство с магнитным туннельным переходом с раздельными трактами считывания и записи Download PDF

Info

Publication number
RU2010129831A
RU2010129831A RU2010129831/08A RU2010129831A RU2010129831A RU 2010129831 A RU2010129831 A RU 2010129831A RU 2010129831/08 A RU2010129831/08 A RU 2010129831/08A RU 2010129831 A RU2010129831 A RU 2010129831A RU 2010129831 A RU2010129831 A RU 2010129831A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
path
icc
read
mtp
Prior art date
Application number
RU2010129831/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2453934C2 (ru
Inventor
Сяочунь ЧЖУ (US)
Сяочунь ЧЖУ
Шицюнь ГУ (US)
Шицюнь ГУ
Ся ЛИ (US)
Ся ЛИ
Сеунг Х. КАНГ (US)
Сеунг Х. КАНГ
Original Assignee
Квэлкомм Инкорпорейтед (US)
Квэлкомм Инкорпорейтед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Квэлкомм Инкорпорейтед (US), Квэлкомм Инкорпорейтед filed Critical Квэлкомм Инкорпорейтед (US)
Publication of RU2010129831A publication Critical patent/RU2010129831A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2453934C2 publication Critical patent/RU2453934C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1653—Address circuits or decoders
    • G11C11/1655—Bit-line or column circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1659—Cell access
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/933—Spintronics or quantum computing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/933—Spintronics or quantum computing
    • Y10S977/935—Spin dependent tunnel, SDT, junction, e.g. tunneling magnetoresistance, TMR

Abstract

1. Устройство, содержащее: ! структуру магнитного туннельного перехода (МТП); ! тракт считывания, соединенный со структурой МТП; и ! тракт записи, соединенный со структурой МТП, причем тракт записи отделен от тракта считывания. ! 2. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит: ! первый эталонный слой в тракте считывания и тракте записи; и ! второй эталонный слой в тракте записи. ! 3. Устройство по п.1, в котором тракт считывания обладает более высоким сопротивлением, чем тракт записи. ! 4. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит первый туннельный барьер в тракте считывания и тракте записи и второй туннельный барьер в тракте считывания. ! 5. Устройство по п.4, в котором первый туннельный барьер обладает более низким сопротивлением, чем второй туннельный барьер. ! 6. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит первый компонент МТП, соединенный со вторым компонентом МТП, причем тракт считывания содержит первый компонент МТП, а тракт записи содержит второй компонент МТП. ! 7. Устройство по п.6, в котором второй компонент МТП соединен с первым компонентом МТП. ! 8. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит: ! барьерный слой; ! свободный слой; и !эталонный слой. ! 9. Устройство по п.1, в котором тракт считывания и тракт записи содержат свободный слой, промежуточный слой, первый синтетический антиферромагнитный (САФ) слой, и первый антиферромагнитный (АФМ) слой. ! 10. Устройство по п.9, в котором тракт считывания включает в себя второй САФ-слой и второй АФМ-слой. ! 11. Устройство по п.10, в котором первый САФ-слой и второй САФ-слой включают в себя слой состава кобальт-железо-бор (CoFeB), слой родия (Rh) и слой состава коба�

Claims (22)

1. Устройство, содержащее:
структуру магнитного туннельного перехода (МТП);
тракт считывания, соединенный со структурой МТП; и
тракт записи, соединенный со структурой МТП, причем тракт записи отделен от тракта считывания.
2. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит:
первый эталонный слой в тракте считывания и тракте записи; и
второй эталонный слой в тракте записи.
3. Устройство по п.1, в котором тракт считывания обладает более высоким сопротивлением, чем тракт записи.
4. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит первый туннельный барьер в тракте считывания и тракте записи и второй туннельный барьер в тракте считывания.
5. Устройство по п.4, в котором первый туннельный барьер обладает более низким сопротивлением, чем второй туннельный барьер.
6. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит первый компонент МТП, соединенный со вторым компонентом МТП, причем тракт считывания содержит первый компонент МТП, а тракт записи содержит второй компонент МТП.
7. Устройство по п.6, в котором второй компонент МТП соединен с первым компонентом МТП.
8. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит:
барьерный слой;
свободный слой; и
эталонный слой.
9. Устройство по п.1, в котором тракт считывания и тракт записи содержат свободный слой, промежуточный слой, первый синтетический антиферромагнитный (САФ) слой, и первый антиферромагнитный (АФМ) слой.
10. Устройство по п.9, в котором тракт считывания включает в себя второй САФ-слой и второй АФМ-слой.
11. Устройство по п.10, в котором первый САФ-слой и второй САФ-слой включают в себя слой состава кобальт-железо-бор (CoFeB), слой родия (Rh) и слой состава кобальт-железо (CoFe), и в котором тракт записи включает в себя проводящий слой, который примыкает к свободному слою.
12. Способ считывания данных в устройство с магнитным туннельным переходом, причем способ содержит этап, на котором:
прикладывают ток к тракту записи данных, соединенному с устройством с магнитным туннельным переходом (МТП) для сохранения значений данных в свободном слое устройства с МТП, причем устройство с МТП соединено с отдельным трактом считывания данных.
13. Способ по п.12, в котором тракт считывания включает в себя один эталонный слой, и в котором тракт считывания включает в себя два эталонных слоя.
14. Способ по п.12, в котором тракт записи обладает более низким сопротивлением, чем тракт считывания.
15. Способ считывания данных из устройства с магнитным туннельным переходом, причем способ содержит этап, на котором:
прикладывают ток к тракту считывания данных, соединенному с устройством с магнитным туннельным переходом (МТП) для считывания значений данных, причем устройство с МТП соединено с отдельным трактом записи данных.
16. Способ по п.15, в котором устройство с МТП включает в себя свободный слой для хранения значений данных, а также включает в себя эталонный слой, который магнитно связан со свободным слоем, и в котором тракт записи данных включает в себя второй эталонный слой.
17. Способ по п.15, в котором устройство с МТП, содержит две структуры МТП, которые магнитно связаны друг с другом.
18. Устройство памяти, содержащее:
матрицу ячеек магнитной памяти с произвольной выборкой (MRAM); и
логическую схему управления памятью, выполненную с возможностью активации числовой шины и селективной активации одной из разрядной шины считывания или разрядной шины записи, для осуществления доступа к выбранной ячейке матрицы.
19. Устройство памяти по п.18, дополнительно содержащее первый порт считывания данных, соединенный с матрицей ячеек MRAM, и второй порт считывания данных, соединенный с матрицей ячеек MRAM.
20. Устройство памяти по п.19, в котором, по меньшей мере, один из первого порта считывания данных и второго порта считывания данных, соединен с логической схемой управления памятью.
21. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом (МТП), причем способ содержит этапы, на которых:
осаждают множество пленочных слоев на подложку для формирования первой структуры МТП, причем первая структура МТП включает в себя свободный слой;
осаждают проводящий слой, соединенный со свободным слоем первой структуры МТП; и
осаждают второе множество пленочных слоев для формирования второй структуры МТП на первой структуре МТП.
22. Способ по п.21, дополнительно содержащий этапы, на которых:
соединяют шину считывания данных со второй структурой МТП; и
соединяют шину записи данных с проводящим слоем.
RU2010129831/08A 2007-12-19 2008-12-19 Устройство с магнитным туннельным переходом с раздельными трактами считывания и записи RU2453934C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/959,797 US8004881B2 (en) 2007-12-19 2007-12-19 Magnetic tunnel junction device with separate read and write paths
US11/959,797 2007-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010129831A true RU2010129831A (ru) 2012-01-27
RU2453934C2 RU2453934C2 (ru) 2012-06-20

Family

ID=40345015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010129831/08A RU2453934C2 (ru) 2007-12-19 2008-12-19 Устройство с магнитным туннельным переходом с раздельными трактами считывания и записи

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8004881B2 (ru)
EP (1) EP2232496B1 (ru)
JP (1) JP5496911B2 (ru)
KR (1) KR101180131B1 (ru)
CN (2) CN101925960B (ru)
CA (2) CA2710334C (ru)
MX (1) MX2010006977A (ru)
RU (1) RU2453934C2 (ru)
WO (1) WO2009079662A1 (ru)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9040178B2 (en) * 2008-09-22 2015-05-26 Headway Technologies, Inc. TMR device with novel free layer structure
US8363460B2 (en) * 2010-04-07 2013-01-29 Avalanche Technology, Inc. Method and apparatus for programming a magnetic tunnel junction (MTJ)
US8344433B2 (en) * 2009-04-14 2013-01-01 Qualcomm Incorporated Magnetic tunnel junction (MTJ) and methods, and magnetic random access memory (MRAM) employing same
US8270208B2 (en) * 2010-02-08 2012-09-18 International Business Machines Corporation Spin-torque based memory device with read and write current paths modulated with a non-linear shunt resistor
US8981502B2 (en) * 2010-03-29 2015-03-17 Qualcomm Incorporated Fabricating a magnetic tunnel junction storage element
US8564080B2 (en) * 2010-07-16 2013-10-22 Qualcomm Incorporated Magnetic storage element utilizing improved pinned layer stack
US8446757B2 (en) * 2010-08-18 2013-05-21 International Business Machines Corporation Spin-torque transfer magneto-resistive memory architecture
US8422287B2 (en) * 2010-09-09 2013-04-16 Magic Technologies, Inc. Pulse field assisted spin momentum transfer MRAM design
WO2014089182A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-12 Carnegie Mellon University A nonvolatile magnetic logic device
JP5695451B2 (ja) * 2011-03-04 2015-04-08 株式会社東芝 磁気メモリ及び磁気メモリ装置
US8456894B2 (en) 2011-05-03 2013-06-04 International Business Machines Corporation Noncontact writing of nanometer scale magnetic bits using heat flow induced spin torque effect
US8754491B2 (en) 2011-05-03 2014-06-17 International Business Machines Corporation Spin torque MRAM using bidirectional magnonic writing
US8456895B2 (en) * 2011-05-03 2013-06-04 International Business Machines Corporation Magnonic magnetic random access memory device
US8785966B2 (en) 2011-05-25 2014-07-22 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction transistor devices
US20140037991A1 (en) 2012-07-31 2014-02-06 International Business Machines Corporation Magnetic random access memory with synthetic antiferromagnetic storage layers
US8852762B2 (en) 2012-07-31 2014-10-07 International Business Machines Corporation Magnetic random access memory with synthetic antiferromagnetic storage layers and non-pinned reference layers
KR102017623B1 (ko) 2012-08-30 2019-09-03 삼성전자주식회사 자기 메모리 소자
US20140124880A1 (en) 2012-11-06 2014-05-08 International Business Machines Corporation Magnetoresistive random access memory
US8750033B2 (en) 2012-11-06 2014-06-10 International Business Machines Corporation Reading a cross point cell array
US9275713B2 (en) * 2013-01-17 2016-03-01 Yimin Guo Magnetoresistive element and method of manufacturing the same
US10608170B2 (en) * 2013-01-21 2020-03-31 Shanghai CiYu Information Technologies Co., LTD Electric field assisted perpendicular STT-MRAM
US10953319B2 (en) * 2013-01-28 2021-03-23 Yimin Guo Spin transfer MRAM element having a voltage bias control
US8908428B2 (en) * 2013-01-29 2014-12-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Voltage assisted STT-MRAM writing scheme
WO2014142978A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Intel Corporation Logic chip including embedded magnetic tunnel junctions
US9203017B2 (en) 2013-08-02 2015-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing magnetic junctions including a package structure usable in spin transfer torque memories
US9240547B2 (en) 2013-09-10 2016-01-19 Micron Technology, Inc. Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions
CN105493189B (zh) 2013-09-27 2018-12-11 英特尔公司 用于优化stt-mram尺寸和写入误差率的装置和方法
KR102137815B1 (ko) * 2013-10-10 2020-07-24 한양대학교 산학협력단 강자성 다층박막 및 이를 포함하는 mtj 구조
WO2015065462A1 (en) * 2013-10-31 2015-05-07 Intel Corporation Apparatus for improving read and write operations of a nonvolatile memory
CN103794715B (zh) * 2014-02-28 2016-09-28 北京航空航天大学 一种基于电压控制的磁存储器
KR20150103527A (ko) * 2014-03-03 2015-09-11 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치
US9431600B2 (en) 2014-10-06 2016-08-30 International Business Machines Corporation Magnetic domain wall shift register memory devices with high magnetoresistance ratio structures
US9324768B1 (en) * 2014-12-03 2016-04-26 Qualcomm Incorporated System and method of shared bit line MRAM
US9502642B2 (en) 2015-04-10 2016-11-22 Micron Technology, Inc. Magnetic tunnel junctions, methods used while forming magnetic tunnel junctions, and methods of forming magnetic tunnel junctions
US9960346B2 (en) 2015-05-07 2018-05-01 Micron Technology, Inc. Magnetic tunnel junctions
WO2017018391A1 (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 国立大学法人東京大学 メモリ素子
KR102358564B1 (ko) * 2015-09-02 2022-02-04 삼성전자주식회사 단락된 메모리 셀의 가변 저항 소자를 갖는 반도체 메모리 장치
CN106558333B (zh) * 2015-09-29 2018-11-09 中国科学院物理研究所 包括环形磁性隧道结的自旋转移力矩磁随机存取存储器
US9680089B1 (en) * 2016-05-13 2017-06-13 Micron Technology, Inc. Magnetic tunnel junctions
US9786343B1 (en) * 2016-08-30 2017-10-10 International Business Machines Corporation STT MRAM common source line array bias scheme
US10224368B2 (en) * 2017-06-30 2019-03-05 Qualcomm Incorporated Voltage-switched magneto-resistive random access memory (MRAM) employing separate read operation circuit paths from a shared spin torque write operation circuit path
CN111226312B (zh) * 2017-10-16 2024-01-05 Tdk株式会社 隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器
US11398596B2 (en) * 2018-06-28 2022-07-26 Intel Corporation Magnetic tunnel junction (MTJ) integration on backside of silicon
CN110277490B (zh) * 2019-06-24 2023-06-09 中国科学院微电子研究所 Stt-mram参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片
CN110349609B (zh) * 2019-07-04 2021-09-07 西安交通大学 一种三维磁性器件及磁存储器
CN113380287B (zh) * 2020-02-25 2022-06-07 北京航空航天大学 磁性存储单元结构及其数据写入方法
US11127459B1 (en) * 2020-03-16 2021-09-21 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Memory devices and methods of forming the same
US11164610B1 (en) 2020-06-05 2021-11-02 Qualcomm Incorporated Memory device with built-in flexible double redundancy
US11177010B1 (en) 2020-07-13 2021-11-16 Qualcomm Incorporated Bitcell for data redundancy
JP2022044399A (ja) * 2020-09-07 2022-03-17 キオクシア株式会社 磁気メモリ
US11222678B1 (en) * 2020-10-02 2022-01-11 Sandisk Technologies Llc MRAM cross-point memory with reversed MRAM element vertical orientation
US11514962B2 (en) 2020-11-12 2022-11-29 International Business Machines Corporation Two-bit magnetoresistive random-access memory cell
US11963462B2 (en) * 2022-03-18 2024-04-16 Honeywell International Inc. Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6072718A (en) 1998-02-10 2000-06-06 International Business Machines Corporation Magnetic memory devices having multiple magnetic tunnel junctions therein
KR100366702B1 (ko) * 2000-02-03 2003-01-08 삼성전자 주식회사 쓰기 및 읽기 회로를 갖는 자기 터널 접합 소자를 이용한자기 랜덤 액세스 메모리
KR100399436B1 (ko) * 2001-03-28 2003-09-29 주식회사 하이닉스반도체 마그네틱 램 및 그 형성방법
US6714444B2 (en) 2002-08-06 2004-03-30 Grandis, Inc. Magnetic element utilizing spin transfer and an MRAM device using the magnetic element
WO2004038725A2 (en) 2002-10-22 2004-05-06 Btg International Limited Magnetic memory device
JP4400037B2 (ja) * 2002-10-31 2010-01-20 日本電気株式会社 磁気ランダムアクセスメモリ，及びその製造方法
JP3863484B2 (ja) * 2002-11-22 2006-12-27 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
US6870759B2 (en) * 2002-12-09 2005-03-22 Applied Spintronics Technology, Inc. MRAM array with segmented magnetic write lines
US7190611B2 (en) * 2003-01-07 2007-03-13 Grandis, Inc. Spin-transfer multilayer stack containing magnetic layers with resettable magnetization
US6865109B2 (en) * 2003-06-06 2005-03-08 Seagate Technology Llc Magnetic random access memory having flux closure for the free layer and spin transfer write mechanism
JP4080982B2 (ja) * 2003-10-09 2008-04-23 株式会社東芝 磁気メモリ
US7009877B1 (en) * 2003-11-14 2006-03-07 Grandis, Inc. Three-terminal magnetostatically coupled spin transfer-based MRAM cell
US7366009B2 (en) * 2004-01-10 2008-04-29 Honeywell International Inc. Separate write and read access architecture for a magnetic tunnel junction
US7109539B2 (en) 2004-03-09 2006-09-19 International Business Machines Corporation Multiple-bit magnetic random access memory cell employing adiabatic switching
JP3863536B2 (ja) * 2004-05-17 2006-12-27 株式会社東芝 磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法
JP2006093432A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Sony Corp 記憶素子及びメモリ
RU2310928C2 (ru) * 2004-10-27 2007-11-20 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства
JP4670326B2 (ja) * 2004-11-25 2011-04-13 ソニー株式会社 メモリ
US7285836B2 (en) 2005-03-09 2007-10-23 Maglabs, Inc. Magnetic random access memory with stacked memory cells having oppositely-directed hard-axis biasing
JP2007081280A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
US7973349B2 (en) * 2005-09-20 2011-07-05 Grandis Inc. Magnetic device having multilayered free ferromagnetic layer
JP4797795B2 (ja) 2006-05-24 2011-10-19 Ｔｄｋ株式会社 磁気メモリ
JP2007324171A (ja) * 2006-05-30 2007-12-13 Fujitsu Ltd 磁気メモリ装置及びその製造方法
US7851840B2 (en) * 2006-09-13 2010-12-14 Grandis Inc. Devices and circuits based on magnetic tunnel junctions utilizing a multilayer barrier
US7480173B2 (en) * 2007-03-13 2009-01-20 Magic Technologies, Inc. Spin transfer MRAM device with novel magnetic free layer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011508971A (ja) 2011-03-17
EP2232496B1 (en) 2012-10-03
KR20100095469A (ko) 2010-08-30
CN103280235B (zh) 2016-12-28
EP2232496A1 (en) 2010-09-29
RU2453934C2 (ru) 2012-06-20
CN103280235A (zh) 2013-09-04
CA2808570A1 (en) 2009-06-25
CN101925960A (zh) 2010-12-22
CA2710334C (en) 2013-12-10
US20090161422A1 (en) 2009-06-25
CA2808570C (en) 2016-02-23
CA2710334A1 (en) 2009-06-25
US8004881B2 (en) 2011-08-23
MX2010006977A (es) 2010-09-10
JP5496911B2 (ja) 2014-05-21
KR101180131B1 (ko) 2012-09-05
WO2009079662A1 (en) 2009-06-25
CN101925960B (zh) 2014-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010129831A (ru) Устройство с магнитным туннельным переходом с раздельными трактами считывания и записи
US9218866B2 (en) High capaciy low cost multi-state magnetic memory
CN102334207B (zh) 磁性隧道结装置及制造
CN104995682B (zh) 具有自旋霍尔mtj器件的交叉点阵列mram
US6911710B2 (en) Multi-bit magnetic memory cells
KR102023626B1 (ko) 스핀 홀 효과를 이용한 메모리 소자와 그 제조 및 동작방법
US8120949B2 (en) Low-cost non-volatile flash-RAM memory
US9165631B2 (en) OTP scheme with multiple magnetic tunnel junction devices in a cell
CN110277113A (zh) 半导体存储装置
US8310866B2 (en) MRAM device structure employing thermally-assisted write operations and thermally-unassisted self-referencing operations
EP3695405A1 (en) Perpendicular magnetic memory using spin-orbit torque
CN101194320A (zh) 利用自旋转移的快速磁性存储器件以及其中使用的磁性元件
US8541247B2 (en) Non-volatile memory cell with lateral pinning
KR20030060327A (ko) 고집적 자성체 메모리 소자 및 그 구동 방법
KR20130036224A (ko) 인버티드 듀얼 자기 터널 접합 요소들을 제공하는 방법 및 시스템
GB2368982A (en) Nonvolatile semiconductor memory device and method for recording information
CN109166962A (zh) 一种互补型磁性存储单元
JP2005526351A (ja) 読み出し信号が最大で且つ電磁妨害を低減するｍｒａｍセルおよびアレイ構造
CN101304038A (zh) 磁性存储器、其存储单元及其存储单元的制造方法
US10971681B2 (en) Method for manufacturing a data recording system utilizing heterogeneous magnetic tunnel junction types in a single chip
CN102931342A (zh) 一种霍尔自旋天平材料及元器件
CN100437817C (zh) 基于环状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及其控制方法
JP5820319B2 (ja) 三値連想メモリ用デュアル接合式磁気ランダムアクセスメモリセルとそのメモリセルの書込み及び読出し方法
US10388853B2 (en) Magnetic memory having a pinning synthetic antiferromagnetic structure (SAF) with cobalt over platinum (Pt/Co) bilayers
JP4068337B2 (ja) 磁気ランダムアクセスメモリ