JP4068337B2 - 磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、トンネル磁気抵抗(Tunneling Magneto Resistive)効果により“1”,“0”−情報を記憶するTMR素子を利用してメモリセルを構成した磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM: Magnetic Random Access Memory)に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、新たな原理により情報を記憶するメモリが数多く提案されているが、そのうちの一つに、Roy Scheuerlein et.al.によって提案されたトンネル磁気抵抗(Tunneling Magneto Resistive: 以後、TMRと表記する。) 効果を利用したメモリがある(例えば、ISSCC2000 Technical Digest p.128「A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell」を参照)。
【0003】
磁気ランダムアクセスメモリは、TMR素子により“1”,“0”−情報を記憶する。TMR素子は、2つの磁性層(強磁性層)により絶縁層(トンネルバリア)を挟んだ構造を有する。TMR素子に記憶される情報は、2つの磁性層のスピンの向きが平行か又は反平行かによって判断される。
【0004】
ここで、平行とは、2つの磁性層のスピンの向きが同じであることを意味し、反平行とは、2つの磁性層のスピンの向きが逆向きであることを意味する。
【0005】
通常、TMR素子を構成する2つの磁性層のうちの一つは、スピンの向きが固定される固定層となるため、“1”,“0”−情報をTMR素子に記憶させる場合には、書き込み情報に応じて、これら2つの磁性層のうちの他の一つ(自由層)のスピンの向きを変えてやればよい。
【0006】
ところで、近年では、種々のデバイス構造又は回路構造のMRAMが提案されており、そのうちの一つに、一つのスイッチング素子(選択トランジスタ)に複数のTMR素子を接続したデバイス構造が知られている。この構造は、セルの高密度化や読み出しマージンの向上を図るうえで有利である。
【0007】
例えば、特願2000−296082(平成12年9月28日出願)は、上部配線と下部配線の間に複数のTMR素子を並列に接続したセル構造を提案する。このセル構造では、図8に示すように、複数のTMR素子10が基板上に複数段(本例では、4段)に積み上げられる。また、各段においては、上部配線11と下部配線12の間に複数のTMR素子10が並列に接続される。
【0008】
上部配線11は、X方向に延び、その一端は、選択トランジスタ14に接続される。下部配線12も、X方向に延び、その一端は、センスアンプ(S/A)15などの周辺回路に接続される。本例では、読み出し電流は、上部配線11、TMR素子10、下部配線12という経路、即ち、X方向に沿って流れる。書き込み配線13は、TMR素子10に隣接して配置され、Y方向に延びている。
【0009】
図9のセル構造は、図8の下部配線と書き込み配線を一体化した例である。即ち、下部配線12は、Y方向に延び、その一端は、センスアンプ(S/A)に接続される。書き込み時には、下部配線12は、書き込み配線として機能する。読み出し時には、下部配線12は、読み出し配線として機能する。即ち、読み出し電流は、まず、上部配線(X方向)11に流れ、この後、TMR素子10を経由して下部配線(Y方向)12に流れる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
磁気ランダムアクセスメモリのセルの基本構造は、1つのTMR素子に1つのスイッチング素子(選択トランジスタ)を対応させた1セル−1トランジスタ構造である。しかし、TMR素子を複数段に積み重ねたデバイス構造では、1つのTMR素子に1つのスイッチング素子を対応させると、スイッチング素子数が多くなり、セルの高密度化に不利となる。
【0011】
そこで、TMR素子10を複数段に積み重ねたデバイス構造の場合、1つのTMR素子に1つのスイッチング素子を対応させなくても、読み出し動作や書き込み動作を行うことができるようなデバイス構造が採用される。
【0012】
例えば、図8及び図9に示すデバイス構造では、TMR素子10のアレイの各段において、上部配線10と下部配線12との間に複数のTMR素子10を接続する。そして、例えば、上部配線11の一端に選択トランジスタ14を接続し、下部配線12の一端にセンスアンプ(S/A)15を接続する。
【0013】
しかし、この場合、図8の例では、TMR素子10のアレイの各段に配置される上部配線11のそれぞれに対して選択トランジスタが必要になる。また、図10に示すように、上部配線11は、TMR素子10のアレイ16上においてX方向に延びている。つまり、上部配線11に接続される選択トランジスタは、アレイ16の端部のエリア17に集中して配置されることになる。
【0014】
同様に、TMR素子10のアレイの各段に配置される下部配線(読み出し配線)12のそれぞれに対してセンスアンプ(トランジスタ)が必要になる。つまり、図10に示すように、下部配線12は、TMR素子10のアレイ16上においてX方向に延びているため、下部配線12に接続されるトランジスタは、アレイ16の端部のエリア18に集中して配置されることになる。
【0015】
同様に、TMR素子10のアレイの各段に配置される書き込み配線13のそれぞれに対しても、選択トランジスタが必要になる。つまり、図10に示すように、書き込み配線13は、TMR素子10のアレイ16上においてY方向に延びているため、書き込み配線13に接続される選択トランジスタは、アレイ16の端部のエリア19A,19Bに集中して配置されることになる。
【0016】
ところで、TMR素子に対するデータ書き込み/読み出し動作においては、TMR素子の特性に起因し、大電流が必要になることが知られている。このため、上部配線11、下部配線12及び書き込み配線13に接続されるトランジスタのサイズは、必然的に大きくなることが予想される。
【0017】
従って、アレイ16の周辺に配置される電流駆動のためのトランジスタを配置するエリア17,18,19A,19Bの面積も大きくなり、チップサイズの縮小や1チップ当たりの製造コストの低下などが図れなくなる。また、TMR素子を積み重ねる段数に比例して選択トランジスタの数も増えるため、TMR素子の積み重ね段数が非常に多くなると、選択トランジスタのレイアウトに多大な時間を要し、開発時間が長くなる。
【0018】
本発明の目的は、TMR素子のアレイ内の配線に接続され、TMR素子のアレイの端部に配置されるトランジスタの数を減らすことが可能な新規なデバイス構造を提案することにより、チップサイズの縮小、1チップ当たりの製造コストの低下、開発時間の短縮などを図ることにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、複数段に積み重ねられた複数のTMR素子を有するアレイと、前記アレイ内に配置される第1配線と、前記アレイ内に配置され、前記第1配線と同一機能を有し、前記第1配線よりも上に形成される第2配線とを備え、前記第1及び第2配線が直列接続又は並列接続される。
【0020】
前記第1及び第2配線は、前記アレイの端部において互いに接続される。前記第1及び第2配線を直列接続した配線は、前記アレイ内を蛇行している。前記第1及び第2配線を並列接続した配線は、前記アレイ内ではしご状となる。
【0021】
前記第1及び第2配線は、データ書き込み動作又はデータ読み出し動作に使用する配線である。前記第1及び第2配線は、共に、同一方向に延びている。
【0022】
前記第1及び第2配線を接続した配線は、前記アレイの端部においてコンタクトプラグを介してトランジスタに接続されている。前記トランジスタは、前記アレイの直下に配置される。
【0023】
前記第1及び第2配線を接続した配線の一端及び他端は、共に、前記アレイの一端部にある。前記第1及び第2配線を接続した配線の一端は、前記アレイの一端部にあり、前記第1及び第2配線を接続した配線の他端は、前記アレイの一端部に対向する他端部にある。
【0024】
前記複数のTMR素子の固定層の磁化の向きは、同じ段内では同じであるが、異なる段の間では異なる場合がある。前記複数のTMR素子の固定層の磁化の向きは、1段ごとに逆向きとなる。
【0025】
本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、複数段に積み重ねられた複数のTMR素子からなるアレイと、各段に配置され、一方向に延び、同一機能を有する複数の配線とを備え、前記複数の配線が直列接続又は並列接続される。
【0026】
本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、複数段に積み重ねられた第1、第2、第3及び第4TMR素子を有するアレイと、前記第1及び第2TMR素子の間に配置される第1配線と、前記第3及び第4TMR素子の間に配置され、前記第1配線と同一機能を有する第2配線とを備え、前記第1及び第2配線が直列接続又は並列接続される。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の磁気ランダムアクセスメモリについて詳細に説明する。
【0028】
本発明は、TMR素子が複数段に積み重ねられたアレイ構造を有する磁気ランダムアクセスメモリに適用される。
【0029】
本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、TMR素子のアレイの1ロウ又は1カラム内において、各段に配置される同一機能を有する配線(例えば、書き込み配線、読み出し配線など)を直列又は並列に接続した点に特徴を有する。この場合、その配線には、その一端に1つ、又は、その両端に1つずつのトランジスタを配置すればよいため、TMR素子のアレイの端部に配置されるトランジスタの数を減らすことができる。
【0030】
また、本発明のデバイス構造によれば、TMR素子の積み重ね段数にかかわらず、TMR素子のアレイの1ロウ又は1カラム内で直列又は並列に接続された配線にトランジスタを接続すればよいため、TMR素子の積み重ね段数を増やして、メモリ容量の増大を図っても、トランジスタ数が増大することはなく、そのレイアウトが複雑になることもない。
【0031】
さらに、TMR素子のアレイの1ロウ又は1カラム内の各段に配置される同一機能を有する配線に接続するトランジスタ数が常に一定となるため、TMR素子のアレイを小さな1つのブロックとし、複数ブロックを集めて大きなメモリセルアレイを構成してもよい。この場合、TMR素子のアレイの直下にトランジスタ又はセンスアンプなどのコア回路を配置することができる。
【0032】
[第1実施の形態]
図1は、本発明の第1実施の形態に関わる磁気ランダムアクセスメモリのセルアレイ部のレイアウトの概要を示している。図2は、図1のセルアレイ部のX方向に沿った断面、即ち、図1のII−II線に沿う断面を示している。
【0033】
半導体基板上には、複数のTMR素子10が複数段(本例では、3段)に積み重ねられている。また、各段においては、TMR素子10は、X−Y平面内においてアレイを構成している。
【0034】
上部配線11及び下部配線12は、共に、X方向に延び、両配線11,12の間には、X方向に配置される複数のTMR素子10が配置されている。上部配線11の一端には、選択トランジスタ14が接続される。また、下部配線12の一端には、センスアンプ(S/A)15などの周辺回路が接続される。
【0035】
本実施の形態では、上部配線11及び下部配線12は、読み出し配線として機能する。即ち、データ読み出し時、読み出し電流は、上部配線11、TMR素子10、下部配線12という経路、即ち、X方向に沿って流れる。
【0036】
具体的な読み出し方法としては、まず、上部配線11と下部配線12に読み出し電流を流し、例えば、この時の下部配線12の電位をセンスアンプにより検出する。次に、選択されたTMR素子(メモリセル)に所定データ(“0”又は“1”)を書き込み、この後、再び、上部配線11と下部配線12に読み出し電流を流し、この時の下部配線12の電位をセンスアンプにより検出する。1回目と2回目の読み出しで、センスアンプにより検出された電位が同じならば、選択されたTMR素子のデータは、所定データと同じと判断され、異なれば、選択されたTMR素子のデータは、所定データと異なると判断される。最後に、選択されたTMR素子に、正しいデータを再書き込みする。
【0037】
書き込み配線13は、TMR素子10のアレイの各段において、TMR素子10上に配置され、Y方向に延びている。また、書き込み配線13は、TMR素子10の自由層に近接して配置される。さらに、X方向に配置される複数のTMR素子からなるグループを1カラム、Y方向に配置される複数のTMR素子からなるグループを1ロウとした場合に、本例では、TMR素子10のアレイの1ロウ内において、各段に配置される書き込み配線13を直列接続している。
【0038】
即ち、図3に示すように、TMR素子10のアレイの端部において、上段の書き込み配線13と下段の書き込み配線13をコンタクトプラグを介して互いに電気的に接続する。なお、図3では、簡略化のため、上部配線及び下部配線を省略している。
【0039】
具体的な書き込み方法としては、例えば、書き込み配線として機能する選択された1カラム内の下部配線12に書き込みデータの値に応じて一方向又は他方向に向かう書き込み電流を流す。同時に、選択された1ロウ内の書き込み配線13に一方向に向かう書き込み電流を流す。これにより、下部配線12と書き込み配線13の間に配置されるTMR素子(メモリセル)10に所定データが書き込まれる。
【0040】
このように、本実施の形態では、TMR素子10のアレイの1ロウ内において、各段に配置される同一機能を有する配線、即ち、書き込み配線を直列に接続することにより、その書き込み配線には、図3に示すように、その両端に1つずつのトランジスタを配置すればよい。このため、TMR素子10のアレイ16の端部のエリア19A,19Bに配置されるトランジスタ数を大幅に減らすことができる。
【0041】
また、このようなデバイス構造によれば、TMR素子10の積み重ね段数にかかわらず、TMR素子10のアレイ16の1ロウ内で直列に接続された配線にトランジスタを接続すればよいため、TMR素子10の積み重ね段数を増やして、メモリ容量の増大を図っても、トランジスタが増大することはなく、そのレイアウトが複雑になることもない。
【0042】
さらに、TMR素子10のアレイ16の1ロウ内の各段に配置される書き込み配線13に接続するトランジスタ数が常に一定となるため、TMR素子10のアレイ16を小さな1つのブロックとし、複数ブロックを集めて大きなメモリセルアレイを構成してもよい。この場合、例えば、図3に示すように、各ブロック内のTMR素子10の直下にトランジスタ又はセンスアンプなどのコア回路を配置することが可能になる。
【0043】
なお、図1において、積み重ねられたTMR素子、X方向に延びる配線及びY方向に延びる配線は、それぞれ、各段において互いにずれているように記載されているが、これは、説明を分かり易くするためであり、実際は、互いにずれていても、又は、完全にオーバーラップしていても、どちらでもよい。
【0044】
[第2実施の形態]
図4は、本発明の第2実施の形態に関わる磁気ランダムアクセスメモリのセルアレイ部の概要を示している。
【0045】
本実施の形態の磁気ランダムアクセスメモリは、図2の磁気ランダムアクセスメモリと比較すると、図2のTMR素子10の積み重ね段数を4段にした点に特徴を有し、その他の点については、図2の磁気ランダムアクセスメモリと同じとなっている。
【0046】
半導体基板上には、複数のTMR素子10が複数段(本例では、4段)に積み重ねられている。また、各段においては、TMR素子10は、X−Y平面内においてアレイを構成している。
【0047】
上部配線11及び下部配線12は、共に、X方向に延び、両配線11,12の間には、X方向に配置される複数のTMR素子10が配置されている。上部配線11の一端には、選択トランジスタ14が接続される。また、下部配線12の一端には、センスアンプ(S/A)15などの周辺回路が接続される。
【0048】
上部配線11及び下部配線12は、読み出し配線として機能する。即ち、データ読み出し時、読み出し電流は、上部配線11、TMR素子10、下部配線12という経路、即ち、X方向に沿って流れる。
【0049】
書き込み配線13は、TMR素子10のアレイの各段において、TMR素子10上に配置され、Y方向に延びている。また、書き込み配線13は、TMR素子10の自由層に近接して配置される。さらに、X方向に配置される複数のTMR素子からなるグループを1カラム、Y方向に配置される複数のTMR素子からなるグループを1ロウとした場合に、本例では、TMR素子10のアレイの1ロウ内において、各段に配置される書き込み配線13を直列接続している。
【0050】
即ち、図5に示すように、TMR素子10のアレイの端部において、上段の書き込み配線13と下段の書き込み配線13をコンタクトプラグを介して互いに電気的に接続する。なお、図5では、簡略化のため、上部配線及び下部配線を省略している。
【0051】
本実施の形態では、TMR素子10の積み重ね段数が4段である。即ち、TMR素子10の積み重ね段数が偶数段(2,4,6,・・・段)である場合には、図5に示すように、書き込み配線13とトランジスタとを接続するための2つのコンタクト部が、共に、TMR素子10のアレイ部の一端部に配置される。
【0052】
この場合には、例えば、図5に示すように、ブロックBK0内の書き込み配線13の一端に接続されるトランジスタを、ブロックBK0に隣接するブロックBK1のアレイの直下に配置し、ブロックBK0内の書き込み配線13の他端に接続されるトランジスタを、ブロックBK0のアレイの直下に配置する。
【0053】
なお、上述の第1実施の形態のように、TMR素子10の積み重ね段数が奇数段(3,5,7,・・・段)である場合には、図3に示すように、書き込み配線13の一端とトランジスタとを接続するためのコンタクト部は、TMR素子10のアレイ部の一端部に配置され、書き込み配線13の他端とトランジスタとを接続するためのコンタクト部は、TMR素子10のアレイ部の一端部に対向する他端部に配置される。
【0054】
従って、この場合には、例えば、図3に示すように、ブロックBK0内の書き込み配線13の一端及び他端に接続されるトランジスタを、それぞれ、ブロックBK0のアレイの直下に配置する。
【0055】
このように、本実施の形態では、TMR素子10のアレイの1ロウ内において、各段に配置される同一機能を有する配線、即ち、書き込み配線を直列に接続することにより、その書き込み配線には、図5に示すように、その両端に1つずつのトランジスタを配置すればよい。このため、TMR素子10のアレイの端部に配置されるトランジスタ数を大幅に減らすことができる。
【0056】
また、このようなデバイス構造によれば、TMR素子の積み重ね段数にかかわらず、TMR素子10のアレイの1ロウ内で直列に接続された配線にトランジスタを接続すればよいため、TMR素子10の積み重ね段数を増やして、メモリ容量の増大を図っても、トランジスタ数が増大することはなく、そのレイアウトが複雑になることもない。
【0057】
さらに、TMR素子10のアレイの1ロウ内の各段に配置される書き込み配線13に接続するトランジスタ数が常に一定となるため、TMR素子10のアレイを小さな1つのブロックとし、複数ブロックを集めて大きなメモリセルアレイを構成してもよい。この場合、例えば、図5に示すように、各ブロック内のTMR素子10の直下にトランジスタ又はセンスアンプなどのコア回路を配置することが可能になる。
【0058】
[第3実施の形態]
図6は、本発明の第3実施の形態に関わる磁気ランダムアクセスメモリのセルアレイ部の概要を示している。
【0059】
本実施の形態の磁気ランダムアクセスメモリは、図4の磁気ランダムアクセスメモリと比較すると、図4のTMR素子10の固定層の磁化の向きを1段ごとに変えた点に特徴を有し、その他の点については、図4の磁気ランダムアクセスメモリと同じとなっている。
【0060】
半導体基板上には、複数のTMR素子10が複数段(本例では、4段)に積み重ねられている。また、各段においては、TMR素子10は、X−Y平面内においてアレイを構成している。
【0061】
上部配線11及び下部配線12は、共に、X方向に延び、両配線11,12の間には、X方向に配置される複数のTMR素子10が配置されている。上部配線11の一端には、選択トランジスタ14が接続される。また、下部配線12の一端には、センスアンプ(S/A)15などの周辺回路が接続される。
【0062】
上部配線11及び下部配線12は、読み出し配線として機能する。即ち、データ読み出し時、読み出し電流は、上部配線11、TMR素子10、下部配線12という経路、即ち、X方向に沿って流れる。
【0063】
書き込み配線13は、TMR素子10のアレイの各段において、TMR素子10上に配置され、Y方向に延びている。また、書き込み配線13は、TMR素子10の自由層に近接して配置される。さらに、X方向に配置される複数のTMR素子からなるグループを1カラム、Y方向に配置される複数のTMR素子からなるグループを1ロウとした場合に、本例では、TMR素子10のアレイの1ロウ内において、各段に配置される書き込み配線13を直列接続している。
【0064】
即ち、図5に示すように、TMR素子10のアレイの端部において、上段の書き込み配線13と下段の書き込み配線13をコンタクトプラグを介して互いに電気的に接続する。
【0065】
ところで、上述の第2実施の形態では、書き込み配線13は、図5から明らかなように、Y−Z平面内において蛇行して配置されている。この場合、図6に示すように、書き込み配線13に一方向の電流を流す場合、各段においては、書き込み配線13に流れる電流の向きは、1段ごとに互いに逆向きとなる。
【0066】
図6の場合では、奇数段目の書き込み配線13、即ち、半導体基板に最も近い1段目の書き込み配線13及び3段目の書き込み配線13には、紙面の表から裏に向かう書き込み電流が流れ、偶数段目の書き込み配線13、即ち、2段目と4段目の書き込み配線13には、紙面の裏から表に向かう書き込み電流が流れる。
【0067】
このような状況において、例えば、全てのTMR素子10の固定層の磁化の向きが同じであるとすると、例えば、奇数段目のTMR素子と遇数段目のTMR素子に同じデータを書き込む場合には、書き込み配線13に異なる向きの書き込み電流を流さなければならない。
【0068】
即ち、全てのTMR素子10の固定層の磁化の向きが同じで、下部配線12の書き込み電流の向きが一定である場合には、書き込み配線13に一方向の書き込み電流のみを流すと、各段のTMR素子10の自由層の磁化の向きは、1段ごとに逆向きとなる。即ち、各段のTMR素子10の磁化状態は、1段ごとに、平行、反平行となり、同一動作であるにもかかわらず、各段のTMR素子10には、異なるデータが書き込まれてしまう。
【0069】
このように、第2実施の形態では、書き込み配線13に一方向の電流を流す場合には、各段においては、書き込み配線13に流れる電流は、互いに逆向きになってしまうため、書き込み動作の制御方法が複雑になる可能性がある。
【0070】
そこで、本実施の形態では、このような事態を解決するため、図6に示すように、TMR素子10の固定層の磁化の向きを、1段ごとに変えることを提案する。この場合、書き込み配線13に一方向の書き込み電流のみを流すと、各段のTMR素子10の自由層の磁化の向きは、1段ごとに逆向きとなるが、各段のTMR素子10の磁化状態は、各段において同じ(平行又は反平行)となる。つまり、各段のTMR素子10には、同じデータが書き込まれる。
【0071】
TMR素子10の固定層の磁化の向きに関しては、従来のプロセスにより、容易に、1段ごとに変えることが可能である。即ち、TMR素子10の固定層の磁化の向きを1段ごとに変えるには、固定層を構成する材料を堆積するときに、磁界の向きを調整してやればよい。
【0072】
なお、本実施の形態では、書き込み配線13が蛇行していることによる問題を、TMR素子10の固定層の磁化の向きを1段ごとに変えることで解決したが、これ以外にも、いくつかの解決方法がある。
【0073】
例えば、書き込み制御が複雑になるが、上述のように、書き込み配線13に異なる向きの電流を流したり、また、下部配線12に流す書き込み電流の向きを変えることも可能である。また、同一データを各段において異なる磁化状態で保存することを認め、データ判定の条件を各段ごとに変えてもよい。
【0074】
このように、本実施の形態では、TMR素子の固定層の磁化の向きを、1段ごとに変えている。この場合、書き込み配線に一方向の書き込み電流のみを流すと、各段のTMR素子の自由層の磁化の向きは、1段ごとに逆向きとなるが、各段のTMR素子の磁化状態は、各段において同じ(平行又は反平行)となる。
【0075】
従って、本実施の形態によれば、上述の第2実施の形態の磁気ランダムアクセスメモリと同様の効果が得られると共に、書き込み動作の制御方法も複雑になることがない。
【0076】
[第4実施の形態]
図7は、本発明の第4実施の形態に関わる磁気ランダムアクセスメモリのセルアレイ部の概要を示している。なお、図7では、簡略化のため、TMR素子に接続される上部配線及び下部配線を省略している。
【0077】
本実施の形態の磁気ランダムアクセスメモリは、図4の磁気ランダムアクセスメモリと比較すると、図4のTMR素子10の各段に配置される書き込み配線13を、直列接続ではなく、並列接続した点に特徴を有し、その他の点については、図4の磁気ランダムアクセスメモリと同じとなっている。
【0078】
半導体基板上には、複数のTMR素子10が複数段(本例では、4段)に積み重ねられている。また、各段においては、TMR素子10は、X−Y平面内においてアレイを構成している。
【0079】
本実施の形態においても、図4に示すように、上部配線11及び下部配線12は、共に、X方向に延び、両配線11,12の間には、X方向に配置される複数のTMR素子10が配置されている。上部配線11の一端には、選択トランジスタ14が接続される。また、下部配線12の一端には、センスアンプ(S/A)15などの周辺回路が接続される。
【0080】
図7に示すように、書き込み配線13は、TMR素子10のアレイの各段において、TMR素子10上に配置され、Y方向に延びている。また、書き込み配線13は、TMR素子10の自由層に近接して配置される。さらに、X方向に配置される複数のTMR素子からなるグループを1カラム、Y方向に配置される複数のTMR素子からなるグループを1ロウとした場合に、本例では、TMR素子10のアレイの1ロウ内において、各段に配置される書き込み配線13を並列接続している。
【0081】
即ち、TMR素子10のアレイの端部において、上段の書き込み配線13と下段の書き込み配線13をコンタクトプラグを介して互いに電気的に接続する。
【0082】
ところで、上述の第2実施の形態では、各段の書き込み配線13は、互いに直列接続されるため、図5から明らかなように、書き込み配線13は、Y−Z平面内において蛇行して配置される。これに対し、本実施の形態では、各段の書き込み配線13は、互いに並列接続されるため、図7から明らかなように、書き込み配線13は、Y−Z平面内においてはしご状となる。
【0083】
本実施の形態では、書き込み配線13に一方向の電流を流す場合、第2実施の形態とは異なり、各段においては、書き込み配線13に流れる電流の向きは、互いに同じ向きとなる。
【0084】
従って、本実施の形態によれば、上述の第2実施の形態の磁気ランダムアクセスメモリと同様の効果が得られると共に、上述の第3実施の形態のように、TMR素子の固定層の磁化の向きを1段ごとに変えるという対策をとらなくても、書き込み動作を容易に制御できる。
【0085】
また、本実施の形態では、各段の書き込み配線が並列に接続されるため、書き込み配線とトランジスタのコンタクト部は、TMR素子のアレイの互いに対向する2つの端部に1つずつ設けられる。このため、TMR素子のアレイを小さな1つのブロックとし、複数ブロックを集めて大きなメモリセルアレイを構成してもよい。この場合、各ブロック内のTMR素子の直下にトランジスタ又はセンスアンプなどのコア回路を容易に配置することができる。
【0086】
[その他]
上述の第1乃至第4実施の形態では、TMR素子が複数段に積み重ねられたアレイ構造において、1ロウ内の各段に配置される書き込み配線(書き込み専用配線)を直列又は並列接続した場合について説明したが、本発明は、この書き込み配線以外のTMR素子のアレイ内に配置される配線に適用することができる。例えば、図8の上部配線11及び下部配線12、並びに、図9の上部配線11及び下部配線12に、それぞれ本発明を適用することもできる。
【0087】
また、上述の第1乃至第4実施の形態では、複数段に積み重ねられたTMR素子の各段に配置された配線を例に説明したが、例えば、上下のTMR素子で配線を共有化する場合などにおいては、同一機能を有する配線は、各段に配置されず、1段おきに配置される。このような場合でも、1段おきに配置された配線を、直列又は並列接続し、本発明を構成することができる。
【0088】
さらに、上述の第1乃至第4実施の形態において、TMR素子のアレイ内の配線に接続されるトランジスタは、MOSトランジスタが一般的であるが、バイポーラトランジスタやダイオードなどであってもよい。
【0089】
本発明は、TMR素子が複数段に積み重ねられたセルアレイ構造を有する磁気ランダムアクセスメモリであれば、如何なる構造のものにも適用可能である。
【0090】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の磁気ランダムアクセスメモリによれば、TMR素子が複数段に積み重ねられたアレイ構造において、各段に配置される同一機能を有する配線を直列又は並列接続しているため、その配線には、その一端に1つ、又は、その両端に1つずつのトランジスタを配置すればよく、TMR素子のアレイの端部に配置されるトランジスタの数を減らすことができる。
【0091】
また、TMR素子の積み重ね段数にかかわらず、TMR素子のアレイの1ロウ又は1カラム内で直列又は並列に接続された配線にトランジスタを接続すればよい。このため、TMR素子の積み重ね段数を増やして、メモリ容量の増大を図っても、トランジスタ数が増大することはなく、また、そのレイアウトが複雑になることもない。
【0092】
さらに、TMR素子のアレイの各段に配置される同一機能を有する配線に接続するトランジスタ数が一定であるため、TMR素子のアレイを小さな1つのブロックとし、複数ブロックを集めて大きなメモリセルアレイを構成してもよい。この場合、TMR素子のアレイの直下にトランジスタ又はセンスアンプなどのコア回路を配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施の形態に関わるメモリの主要部を示す平面図。
【図2】図1のメモリのX方向の断面を示す図。
【図3】図1のメモリのY方向の断面を示す図。
【図4】本発明の第2実施の形態に関わるメモリのX方向の断面を示す図。
【図5】図4のメモリのY方向の断面を示す図。
【図6】本発明の第3実施の形態に関わるメモリのX方向の断面を示す図。
【図7】本発明の第4実施の形態に関わるメモリのY方向の断面を示す図。
【図8】従来のメモリのセル構造を示す図。
【図9】従来のメモリのセル構造を示す図。
【図10】従来のメモリのセル構造を示す図。
【符号の説明】
10 :TMR素子、
11 :上部配線、
12 :下部配線,
13 :書き込み配線、
14 :スイッチング素子、
15 :センスアンプ、
16 :TMR素子のアレイ、
17,18,19A,19B :TMR素子のアレイの端部のエリア。
Claims (4)
- 複数かつ奇数段に積み重ねられた複数のTMRアレイと、
前記TMRアレイの各段内に1本ずつ配置され、前記TMRアレイの各段の第1方向における一端から他端まで延びる複数の書き込み線と、
前記TMRアレイの前記第1方向における一端に配置される第1コンタクトプラグと、
前記TMRアレイの前記第1方向における他端に配置される第2コンタクトプラグと、
前記TMRアレイの各段内に配置され、TMR素子に接続された前記前記第1方向に直交する第2方向に延びる配線と、
前記配線の一端に接続される第1選択トランジスタと、
最上段の書き込み線の一端に接続される第2選択トランジスタと、
最下段の書き込み線の他端に接続される第3選択トランジスタとを具備し、
前記最上段の書き込み線の他端は、前記第2コンタクトプラグによりその下段の書き込み線の他端に接続され、前記最下段の書き込み線の一端は、前記第1コンタクトプラグによりその上段の書き込み線の一端に接続され、
前記最上段と前記最下段の間の書き込み線の一端又は他端は、前記第1又は第2コンタクトプラグによりその下段の書き込み線の一端又は他端に接続され、その下段の書き込み線の一端又は他端に接続されていない他端又は一端は、前記第2又は第1コンタクトプラグによりその上段の書き込み線の他端又は一端に接続され、
前記TMRアレイ内の各段内の書き込み線が互いに接続されることにより、前記第2及び第3選択トランジスタの間の書き込み線は、全体として直列接続される
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 複数かつ偶数段に積み重ねられた複数のTMRアレイと、
前記TMRアレイの各段内に1本ずつ配置され、前記TMRアレイの各段の第1方向における一端から他端まで延びる複数の書き込み線と、
前記TMRアレイの前記第1方向における一端に配置される第1コンタクトプラグと、
前記TMRアレイの前記第1方向における他端に配置される第2コンタクトプラグと、
前記TMRアレイの各段内に配置され、TMR素子に接続された前記前記第1方向に直交する第2方向に延びる配線と、
前記配線の一端に接続される第1選択トランジスタと、
最上段の書き込み線の一端に接続される第2選択トランジスタと、
最下段の書き込み線の一端に接続される第3選択トランジスタとを具備し、
前記最上段の書き込み線の他端は、前記第2コンタクトプラグによりその下段の書き込み線の他端に接続され、前記最下段の書き込み線の他端は、前記第2コンタクトプラグによりその上段の書き込み線の他端に接続され、
前記最上段と前記最下段の間の書き込み線の一端又は他端は、前記第1又は第2コンタクトプラグによりその下段の書き込み線の一端又は他端に接続され、その下段の書き込み線の一端又は他端に接続されていない他端又は一端は、前記第2又は第1コンタクトプラグによりその上段の書き込み線の他端又は一端に接続され、
前記TMRアレイ内の各段内の書き込み線が互いに接続されることにより、前記第2及び第3選択トランジスタの間の書き込み線は、全体として直列接続される
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記直列接続された複数の書き込み線には一方向の書き込み電流のみを流し、前記TMR素子の固定層の磁化の向きは、前記TMRアレイの同じ段内では同じであり、前記TMRアレイの段が1つ増加するごとに逆向きになることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- さらに、複数の前記TMRアレイと前記複数の書き込み線とを有する複数のブロックを具備し、前記複数のブロックは、前記第1方向に隣接して配置されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
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