RU2009145703A - Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза - Google Patents
Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009145703A RU2009145703A RU2009145703/05A RU2009145703A RU2009145703A RU 2009145703 A RU2009145703 A RU 2009145703A RU 2009145703/05 A RU2009145703/05 A RU 2009145703/05A RU 2009145703 A RU2009145703 A RU 2009145703A RU 2009145703 A RU2009145703 A RU 2009145703A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamonds
- annealing
- electron beam
- size
- temperature
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/28—After-treatment, e.g. purification, irradiation, separation or recovery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/65—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
- Y10S977/775—Nanosized powder or flake, e.g. nanosized catalyst
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
1. Способ получения алмазов, содержащих центры азот-вакансия, из алмазов размером свыше 150 мкм, выращенных при высоком давлении и высокой температуре и содержащих изолированные замещающие атомы азота, включающий: ! облучение (12) указанных алмазов электронным пучком, так что доза облучения составляет от 1017 до 1018 электрон/см2; ! отжиг (14) облученных алмазов в вакууме или в инертной атмосфере при температуре более 700°С в течение по меньшей мере 1 ч; ! отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию свыше 7 МэВ. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию ниже 15 МэВ. ! 3. Способ по п.2, отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию от 8 до 10 МэВ. ! 4. Способ по п.1, 2 или 3, отличающийся тем, что в процессе облучения температуру алмазов поддерживают не выше 80°С. ! 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что указанные алмазы охлаждают потоком жидкости, циркулирующим между указанными алмазами. ! 6. Способ по п.5, отличающийся тем, что указанная жидкость содержит главным образом воду. ! 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный отжиг проводят при температуре от 800 до 850°С. ! 8. Способ по п.7, отличающийся тем, что указанный отжиг проводят в течение менее 2 ч. ! 9. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанные алмазы для указанного облучения имеют размер более 0,1 мкм. ! 10. Способ по п.9, отличающийся тем, что после отжига указанные алмазы размалывают до наночастиц алмазов размером меньше 20 нм. ! 11. Алмаз, характеризующийся тем, что он содержит более 600 центров азот-вакансия на 1 мкм3. ! 12. Порошок из алмазов, имеющих центры азот-вакансия, содержащий наночастицы алмазов размером от 15 до 2
Claims (14)
1. Способ получения алмазов, содержащих центры азот-вакансия, из алмазов размером свыше 150 мкм, выращенных при высоком давлении и высокой температуре и содержащих изолированные замещающие атомы азота, включающий:
облучение (12) указанных алмазов электронным пучком, так что доза облучения составляет от 1017 до 1018 электрон/см2;
отжиг (14) облученных алмазов в вакууме или в инертной атмосфере при температуре более 700°С в течение по меньшей мере 1 ч;
отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию свыше 7 МэВ.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию ниже 15 МэВ.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию от 8 до 10 МэВ.
4. Способ по п.1, 2 или 3, отличающийся тем, что в процессе облучения температуру алмазов поддерживают не выше 80°С.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что указанные алмазы охлаждают потоком жидкости, циркулирующим между указанными алмазами.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что указанная жидкость содержит главным образом воду.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный отжиг проводят при температуре от 800 до 850°С.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что указанный отжиг проводят в течение менее 2 ч.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанные алмазы для указанного облучения имеют размер более 0,1 мкм.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что после отжига указанные алмазы размалывают до наночастиц алмазов размером меньше 20 нм.
11. Алмаз, характеризующийся тем, что он содержит более 600 центров азот-вакансия на 1 мкм3.
12. Порошок из алмазов, имеющих центры азот-вакансия, содержащий наночастицы алмазов размером от 15 до 20 нм, изготовленные способом по любому из пп.1-10.
13. Применение алмазов по п.11 в качестве светоизлучателя в системе квантовой криптографии.
14. Биомаркер в виде отдельной частицы, характеризующийся тем, что содержит наночастицу алмаза по п.11.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP07290593.8 | 2007-05-10 | ||
EP07290593A EP1990313A1 (en) | 2007-05-10 | 2007-05-10 | Method to produce light-emitting nano-particles of diamond |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009145703A true RU2009145703A (ru) | 2011-06-20 |
RU2466088C2 RU2466088C2 (ru) | 2012-11-10 |
Family
ID=38582306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009145703/05A RU2466088C2 (ru) | 2007-05-10 | 2008-05-07 | Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8574536B2 (ru) |
EP (2) | EP1990313A1 (ru) |
JP (1) | JP5782587B2 (ru) |
KR (1) | KR101494251B1 (ru) |
CN (1) | CN101679040A (ru) |
RU (1) | RU2466088C2 (ru) |
WO (1) | WO2008138841A1 (ru) |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8753614B2 (en) | 2005-08-30 | 2014-06-17 | International Technology Center | Nanodiamond UV protectant formulations |
WO2017070197A1 (en) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Immunolight, Llc | X-ray psoralen activated cancer therapy (x-pact) |
US10441810B2 (en) | 2007-04-08 | 2019-10-15 | Immunolight, Llc | X-ray psoralen activated cancer therapy (X-PACT) |
JP5676494B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2015-02-25 | アンスティチュ ナショナル ドゥ ラ サンテ エ ドゥ ラ ルシェルシュ メディカル | 立方晶ダイヤモンドのナノ結晶の製造方法 |
US9068257B2 (en) | 2009-06-26 | 2015-06-30 | Element Six Technologies Limited | Diamond material |
JP5368634B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-12-18 | エレメント シックス リミテッド | ファンシーな橙色の単結晶cvdダイヤモンドの製造方法及び得られた製品 |
GB2476478A (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-29 | Element Six Ltd | Chemical vapour deposition diamond synthesis |
GB2481285B (en) * | 2010-06-03 | 2013-07-17 | Element Six Ltd | A method of increasing the toughness and/or wear resistance of diamond tool pieces and diamond tool pieces fabricated by said method |
RU2448900C2 (ru) * | 2010-07-28 | 2012-04-27 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами |
EP2745360A4 (en) * | 2011-08-01 | 2015-07-08 | Univ Columbia | CONJUGATES OF NANODIAMANT AND MAGNETIC OR METALLIC PARTICLES |
WO2013040446A1 (en) | 2011-09-16 | 2013-03-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | High-precision ghz clock generation using spin states in diamond |
US9632045B2 (en) | 2011-10-19 | 2017-04-25 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for deterministic emitter switch microscopy |
JP2014095025A (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Osaka Univ | ダイヤモンド複合粒子 |
RU2543184C2 (ru) * | 2013-04-01 | 2015-02-27 | ЗАО "Алмазный Центр" | Синтетический радиоактивный наноалмаз и способ его получения |
US10364389B1 (en) * | 2013-09-12 | 2019-07-30 | Adámas Nanotechnologies, lnc. | Fluorescent diamond particles |
US9824597B2 (en) | 2015-01-28 | 2017-11-21 | Lockheed Martin Corporation | Magnetic navigation methods and systems utilizing power grid and communication network |
US10338162B2 (en) | 2016-01-21 | 2019-07-02 | Lockheed Martin Corporation | AC vector magnetic anomaly detection with diamond nitrogen vacancies |
US9823313B2 (en) | 2016-01-21 | 2017-11-21 | Lockheed Martin Corporation | Diamond nitrogen vacancy sensor with circuitry on diamond |
US9829545B2 (en) | 2015-11-20 | 2017-11-28 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for hypersensitivity detection of magnetic field |
US9910104B2 (en) | 2015-01-23 | 2018-03-06 | Lockheed Martin Corporation | DNV magnetic field detector |
US9910105B2 (en) | 2014-03-20 | 2018-03-06 | Lockheed Martin Corporation | DNV magnetic field detector |
US9638821B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-05-02 | Lockheed Martin Corporation | Mapping and monitoring of hydraulic fractures using vector magnetometers |
US9541610B2 (en) | 2015-02-04 | 2017-01-10 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for recovery of three dimensional magnetic field from a magnetic detection system |
US10168393B2 (en) | 2014-09-25 | 2019-01-01 | Lockheed Martin Corporation | Micro-vacancy center device |
US9557391B2 (en) | 2015-01-23 | 2017-01-31 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for high sensitivity magnetometry measurement and signal processing in a magnetic detection system |
US9853837B2 (en) | 2014-04-07 | 2017-12-26 | Lockheed Martin Corporation | High bit-rate magnetic communication |
US9590601B2 (en) | 2014-04-07 | 2017-03-07 | Lockheed Martin Corporation | Energy efficient controlled magnetic field generator circuit |
US9614589B1 (en) | 2015-12-01 | 2017-04-04 | Lockheed Martin Corporation | Communication via a magnio |
US9817081B2 (en) | 2016-01-21 | 2017-11-14 | Lockheed Martin Corporation | Magnetometer with light pipe |
WO2016115225A1 (en) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | Immunolight, Llc. | Non-invasive systems and methods for treatment of a host carrying a virus with photoactivatable drugs |
BR112017016261A2 (pt) | 2015-01-28 | 2018-03-27 | Lockheed Martin Corporation | carga de energia in situ |
GB2550809A (en) | 2015-02-04 | 2017-11-29 | Lockheed Corp | Apparatus and method for estimating absolute axes' orientations for a magnetic detection system |
GB201505139D0 (en) * | 2015-03-26 | 2015-05-06 | Element Six Abrasives Sa | Highly fluorescent diamond particles and methods of fabricating the same |
KR20160120106A (ko) | 2015-04-07 | 2016-10-17 | 서울시립대학교 산학협력단 | 아조벤젠 결합 pvdf필름을 이용하는 압전센서 및 그 제조방법 |
RU2611633C2 (ru) * | 2015-06-29 | 2017-02-28 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт природных, синтетических алмазов и инструмента" - ОАО "ВНИИАЛМАЗ" | Способ изготовления алмазного инструмента |
GB2540537A (en) * | 2015-07-03 | 2017-01-25 | Univ Oxford Innovation Ltd | Crystal defects |
WO2017078766A1 (en) | 2015-11-04 | 2017-05-11 | Lockheed Martin Corporation | Magnetic band-pass filter |
CN105352489B (zh) * | 2015-11-16 | 2018-04-13 | 北京航空航天大学 | 一种基于金刚石nv―色心的加速度传感器 |
WO2017087013A1 (en) | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for closed loop processing for a magnetic detection system |
GB201522650D0 (en) | 2015-12-22 | 2016-02-03 | Element Six Technologies Ltd | Nitrogen containing single crystal diamond materials optimized for magnetometr applications |
WO2017123261A1 (en) | 2016-01-12 | 2017-07-20 | Lockheed Martin Corporation | Defect detector for conductive materials |
AU2016388316A1 (en) | 2016-01-21 | 2018-09-06 | Lockheed Martin Corporation | Diamond nitrogen vacancy sensor with common RF and magnetic fields generator |
WO2017127090A1 (en) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | Lockheed Martin Corporation | Higher magnetic sensitivity through fluorescence manipulation by phonon spectrum control |
WO2017127098A1 (en) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | Lockheed Martin Corporation | Diamond nitrogen vacancy sensed ferro-fluid hydrophone |
WO2017127096A1 (en) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | Lockheed Martin Corporation | Diamond nitrogen vacancy sensor with dual rf sources |
GB2562958A (en) | 2016-01-21 | 2018-11-28 | Lockheed Corp | Magnetometer with a light emitting diode |
CN107305188A (zh) * | 2016-04-25 | 2017-10-31 | 潘栋雄 | 钻石颜色等级的检测方法 |
CN105784648A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-07-20 | 广州标旗电子科技有限公司 | 一种光致发光钻石检测方法及装置 |
US10677953B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-06-09 | Lockheed Martin Corporation | Magneto-optical detecting apparatus and methods |
US10317279B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-06-11 | Lockheed Martin Corporation | Optical filtration system for diamond material with nitrogen vacancy centers |
US10359479B2 (en) | 2017-02-20 | 2019-07-23 | Lockheed Martin Corporation | Efficient thermal drift compensation in DNV vector magnetometry |
US10281550B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-05-07 | Lockheed Martin Corporation | Spin relaxometry based molecular sequencing |
US10371765B2 (en) | 2016-07-11 | 2019-08-06 | Lockheed Martin Corporation | Geolocation of magnetic sources using vector magnetometer sensors |
US10408890B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-09-10 | Lockheed Martin Corporation | Pulsed RF methods for optimization of CW measurements |
US10145910B2 (en) | 2017-03-24 | 2018-12-04 | Lockheed Martin Corporation | Photodetector circuit saturation mitigation for magneto-optical high intensity pulses |
US10571530B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-02-25 | Lockheed Martin Corporation | Buoy array of magnetometers |
US10345395B2 (en) | 2016-12-12 | 2019-07-09 | Lockheed Martin Corporation | Vector magnetometry localization of subsurface liquids |
US10345396B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-07-09 | Lockheed Martin Corporation | Selected volume continuous illumination magnetometer |
US10338163B2 (en) | 2016-07-11 | 2019-07-02 | Lockheed Martin Corporation | Multi-frequency excitation schemes for high sensitivity magnetometry measurement with drift error compensation |
US10527746B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-01-07 | Lockheed Martin Corporation | Array of UAVS with magnetometers |
US20170343621A1 (en) | 2016-05-31 | 2017-11-30 | Lockheed Martin Corporation | Magneto-optical defect center magnetometer |
US10330744B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-06-25 | Lockheed Martin Corporation | Magnetometer with a waveguide |
US10274550B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-04-30 | Lockheed Martin Corporation | High speed sequential cancellation for pulsed mode |
US10228429B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-03-12 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for resonance magneto-optical defect center material pulsed mode referencing |
US9983255B2 (en) * | 2016-08-15 | 2018-05-29 | The Boeing Company | Apparatus for testing dielectric breakdown voltage |
US10875766B2 (en) | 2016-10-28 | 2020-12-29 | Stc.Unm | High throughput characterization of individual magnetic nanoparticles |
US10371760B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-08-06 | Lockheed Martin Corporation | Standing-wave radio frequency exciter |
US10379174B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-08-13 | Lockheed Martin Corporation | Bias magnet array for magnetometer |
US10338164B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-07-02 | Lockheed Martin Corporation | Vacancy center material with highly efficient RF excitation |
US10459041B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-10-29 | Lockheed Martin Corporation | Magnetic detection system with highly integrated diamond nitrogen vacancy sensor |
US10801982B2 (en) * | 2017-06-29 | 2020-10-13 | University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education | Graphitic carbon nitride sensors |
WO2019077844A1 (ja) * | 2017-10-20 | 2019-04-25 | 住友電気工業株式会社 | 合成単結晶ダイヤモンド |
CN107892297B (zh) * | 2017-11-02 | 2021-04-06 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种金刚石的处理方法及改性金刚石 |
CN107840331B (zh) * | 2017-11-02 | 2021-04-06 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种金刚石改性的方法及改性金刚石 |
CN108002381A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-05-08 | 南昌航空大学 | 一种可控羰基化的纳米金刚石的制备方法 |
TWI804596B (zh) | 2018-04-24 | 2023-06-11 | 美商戴蒙創新公司 | 螢光鑽石材料及製造其之方法 |
EP3563880A1 (de) | 2018-05-03 | 2019-11-06 | Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung GmbH | Resorbierbares implantatmaterial aus magnesium oder einer magnesiumlegierung |
JP2020025519A (ja) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 細胞凝集塊の観察方法 |
AU2019371651A1 (en) * | 2018-10-31 | 2021-05-27 | Daicel Corporation | Fluorescent diamond and method for producing same |
US10816507B2 (en) * | 2019-03-20 | 2020-10-27 | Raytheon Technologies Corporation | Apparatus and method and system for inspecting a component of a gas turbine engine |
HUP1900269A1 (hu) | 2019-07-26 | 2021-01-28 | Mta Wigner Fizikai Kutatokoezpont | Eljárás ponthibákat (vakancia) tartalmazó anyagrészecskék elõállítására |
JP7457529B2 (ja) | 2020-02-28 | 2024-03-28 | 株式会社ダイセル | 蛍光ナノダイヤモンドの製造方法 |
KR102400579B1 (ko) * | 2020-05-29 | 2022-05-23 | 한국과학기술연구원 | 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법 |
WO2022208841A1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | 株式会社ダイセル | 蛍光ナノダイヤモンドの製造方法 |
WO2023227606A1 (en) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | Adamant Quanta Ab | Method and system for processing a diamond |
WO2023245112A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | Schlumberger Technology Corporation | Heat treatment of nanodiamond particles with controlled powder layer depth |
WO2023245111A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | Schlumberger Technology Corporation | Nanodiamond with vacancy defect and quantum dot luminescence |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02385A (ja) * | 1987-01-12 | 1990-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド発光素子およびその製造方法 |
EP0275063A3 (en) * | 1987-01-12 | 1992-05-27 | Sumitomo Electric Industries Limited | Light emitting element comprising diamond and method for producing the same |
JPH0288417A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ホールバーニング物質及びその製造法 |
US4985226A (en) * | 1988-06-20 | 1991-01-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hole-burning material and production thereof |
JP2792069B2 (ja) * | 1989-01-07 | 1998-08-27 | 住友電気工業株式会社 | ホールバーニング物質及びその製造法 |
DE68914269T2 (de) | 1988-12-20 | 1994-10-06 | Henkel Corp | Nach einer Zweistufenmethode arbeitendes autophoretisches Bad. |
JP3094433B2 (ja) * | 1990-09-25 | 2000-10-03 | 日本電気株式会社 | ダイヤモンド微粉末の製造法と製造装置 |
EP0638670B1 (en) * | 1993-08-11 | 2001-05-30 | General Electric Company | Method for enhancing the toughness of manufactured diamond |
US5451430A (en) * | 1994-05-05 | 1995-09-19 | General Electric Company | Method for enhancing the toughness of CVD diamond |
US5637878A (en) * | 1995-02-03 | 1997-06-10 | E-Beam Corporation | Process for irradiating gemstones |
RU2145365C1 (ru) * | 1998-12-11 | 2000-02-10 | Эдуард Ильич Карагезов | Способ облагораживания алмазов |
KR20030038673A (ko) | 2000-07-21 | 2003-05-16 | 가부시키가이샤 이시즈카 겐큐쇼 | 입도폭이 좁은 단결정질 다이아몬드 미분말 및 그 제조법 |
JP3655811B2 (ja) | 2000-07-21 | 2005-06-02 | 株式会社石塚研究所 | 単結晶質ダイヤモンド微粉 |
KR100805442B1 (ko) * | 2000-08-02 | 2008-02-20 | 엘리먼트 씩스 (프티) 리미티드 | 연마 용품 |
RU2244679C2 (ru) * | 2002-02-21 | 2005-01-20 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид"(АОЗТ "Карбид") | Способ очистки ультрадисперсных алмазов |
US7140567B1 (en) * | 2003-03-11 | 2006-11-28 | Primet Precision Materials, Inc. | Multi-carbide material manufacture and use as grinding media |
JP2005001983A (ja) * | 2003-05-20 | 2005-01-06 | Futaba Corp | 超分散状態ナノ炭素およびその製造方法 |
US7300958B2 (en) | 2003-05-20 | 2007-11-27 | Futaba Corporation | Ultra-dispersed nanocarbon and method for preparing the same |
US9260653B2 (en) * | 2005-08-30 | 2016-02-16 | International Technology Center | Enhancement of photoluminescence of nanodiamond particles |
US8110171B1 (en) * | 2005-11-17 | 2012-02-07 | Rajneesh Bhandari | Method for decolorizing diamonds |
US8168413B2 (en) * | 2006-11-22 | 2012-05-01 | Academia Sinica | Luminescent diamond particles |
GB0813491D0 (en) * | 2008-07-23 | 2008-08-27 | Element Six Ltd | Diamond Material |
-
2007
- 2007-05-10 EP EP07290593A patent/EP1990313A1/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-05-07 RU RU2009145703/05A patent/RU2466088C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2008-05-07 CN CN200880015526A patent/CN101679040A/zh active Pending
- 2008-05-07 KR KR1020097025836A patent/KR101494251B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-05-07 WO PCT/EP2008/055647 patent/WO2008138841A1/en active Application Filing
- 2008-05-07 EP EP08750163.1A patent/EP2142474B1/en not_active Not-in-force
- 2008-05-07 US US12/597,984 patent/US8574536B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-07 JP JP2010506933A patent/JP5782587B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-08-30 US US14/015,179 patent/US8932554B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101494251B1 (ko) | 2015-02-23 |
EP2142474A1 (en) | 2010-01-13 |
WO2008138841A1 (en) | 2008-11-20 |
CN101679040A (zh) | 2010-03-24 |
US8932554B2 (en) | 2015-01-13 |
RU2466088C2 (ru) | 2012-11-10 |
US20140065424A1 (en) | 2014-03-06 |
EP1990313A1 (en) | 2008-11-12 |
US20100135890A1 (en) | 2010-06-03 |
EP2142474B1 (en) | 2018-07-11 |
US8574536B2 (en) | 2013-11-05 |
JP5782587B2 (ja) | 2015-09-24 |
KR20100017762A (ko) | 2010-02-16 |
JP2010526746A (ja) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2009145703A (ru) | Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза | |
Zhang et al. | Are lanthanide-doped upconversion materials good candidates for photocatalysis? | |
Wang et al. | Graphene quantum dots: versatile photoluminescence for energy, biomedical, and environmental applications | |
Klassen et al. | Laser and electric arc synthesis of nanocrystalline scintillators | |
JP2017510461A (ja) | 広幅イオン場を用いる二次元材料の穿孔 | |
Boruah et al. | Synthesis, characterization, properties, and novel applications of fluorescent nanodiamonds | |
Zhai et al. | Carbogenic π-conjugated domains as the origin of afterglow emissions in carbon dot-based organic composite films | |
Zakharko et al. | Direct synthesis of luminescent SiC quantum dots in water by laser ablation | |
Ishaq et al. | H+, N+, and Ar+ ion irradiation induced structure changes of carbon nanostructures | |
Allah et al. | Modification of the optical and structural properties of ZnO nanowires by low-energy Ar+ ion sputtering | |
Peng et al. | Temperature dependent photoluminescence properties of needle-like ZnO nanostructures deposited on carbon nanotubes | |
JP4200271B2 (ja) | 微粒子の製造方法 | |
JP2015000814A (ja) | 発光ダイヤモンドナノ粒子及びその製造方法 | |
Kutovyy et al. | Comparison of characteristics of thermostimulated luminescence of CdS nanostructures obtained by green synthesis and chemical method | |
KR101309664B1 (ko) | 나노 구조체 제조 방법 | |
ES2946691T3 (es) | Método para la producción de nanodiamantes policristalinos a partir de grafito | |
Kalinina et al. | Structural peculiarities of 4 H-SiC irradiated by Bi ions | |
JP2007169091A (ja) | カーボンナノチューブの直径制御方法および直径制御装置 | |
Jacobsohn et al. | Effects of ion beam irradiation on self-trapped defects in single-crystal Lu2SiO5 | |
Ahmadpour et al. | Synthesis and Study of Gd3+ and Lu3+ Doped CdO via Sol-Gel Method | |
Luitel et al. | A Novel Orange‐Red Emitting ZnB4O7: Eu3+ Phosphor with Urchin‐Like Nanostructure | |
Poddubskaya et al. | Structural Modification of Graphene on Copper Substrates Irradiated by Nanosecond High-Intensity Ion Beams | |
Svrcek et al. | Carriers multiplication in neighboring surfactant-free silicon nanocrystals produced by 3D-surface engineering in liquid medium | |
Saxena et al. | Effect of rapid thermal annealing temperature on the dispersion of Si nanocrystals in SiO2 matrix | |
Zatsepin et al. | Photoelectron emission from implanted SiO 2: Se+ films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TC4A | Change in inventorship |
Effective date: 20151026 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190508 |