RU2009145703A - Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза - Google Patents

Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза Download PDF

Info

Publication number
RU2009145703A
RU2009145703A RU2009145703/05A RU2009145703A RU2009145703A RU 2009145703 A RU2009145703 A RU 2009145703A RU 2009145703/05 A RU2009145703/05 A RU 2009145703/05A RU 2009145703 A RU2009145703 A RU 2009145703A RU 2009145703 A RU2009145703 A RU 2009145703A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamonds
annealing
electron beam
size
temperature
Prior art date
Application number
RU2009145703/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2466088C2 (ru
Inventor
Жан-Поль БУДУ (FR)
Жан-Поль БУДУ
Патрик КЮРМИ (FR)
Патрик КЮРМИ
Original Assignee
Инсерм (Энститю Насьональ Де Ля Сантэ Э Де Ля Решерш Медикаль) (Fr)
Инсерм (Энститю Насьональ Де Ля Сантэ Э Де Ля Решерш Медикаль)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Инсерм (Энститю Насьональ Де Ля Сантэ Э Де Ля Решерш Медикаль) (Fr), Инсерм (Энститю Насьональ Де Ля Сантэ Э Де Ля Решерш Медикаль) filed Critical Инсерм (Энститю Насьональ Де Ля Сантэ Э Де Ля Решерш Медикаль) (Fr)
Publication of RU2009145703A publication Critical patent/RU2009145703A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2466088C2 publication Critical patent/RU2466088C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond
    • C01B32/28After-treatment, e.g. purification, irradiation, separation or recovery
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/65Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing carbon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/04Diamond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02Heat treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/773Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/775Nanosized powder or flake, e.g. nanosized catalyst
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/902Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949Radiation emitter using nanostructure
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

1. Способ получения алмазов, содержащих центры азот-вакансия, из алмазов размером свыше 150 мкм, выращенных при высоком давлении и высокой температуре и содержащих изолированные замещающие атомы азота, включающий: ! облучение (12) указанных алмазов электронным пучком, так что доза облучения составляет от 1017 до 1018 электрон/см2; ! отжиг (14) облученных алмазов в вакууме или в инертной атмосфере при температуре более 700°С в течение по меньшей мере 1 ч; ! отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию свыше 7 МэВ. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию ниже 15 МэВ. ! 3. Способ по п.2, отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию от 8 до 10 МэВ. ! 4. Способ по п.1, 2 или 3, отличающийся тем, что в процессе облучения температуру алмазов поддерживают не выше 80°С. ! 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что указанные алмазы охлаждают потоком жидкости, циркулирующим между указанными алмазами. ! 6. Способ по п.5, отличающийся тем, что указанная жидкость содержит главным образом воду. ! 7. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный отжиг проводят при температуре от 800 до 850°С. ! 8. Способ по п.7, отличающийся тем, что указанный отжиг проводят в течение менее 2 ч. ! 9. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанные алмазы для указанного облучения имеют размер более 0,1 мкм. ! 10. Способ по п.9, отличающийся тем, что после отжига указанные алмазы размалывают до наночастиц алмазов размером меньше 20 нм. ! 11. Алмаз, характеризующийся тем, что он содержит более 600 центров азот-вакансия на 1 мкм3. ! 12. Порошок из алмазов, имеющих центры азот-вакансия, содержащий наночастицы алмазов размером от 15 до 2

Claims (14)

1. Способ получения алмазов, содержащих центры азот-вакансия, из алмазов размером свыше 150 мкм, выращенных при высоком давлении и высокой температуре и содержащих изолированные замещающие атомы азота, включающий:
облучение (12) указанных алмазов электронным пучком, так что доза облучения составляет от 1017 до 1018 электрон/см2;
отжиг (14) облученных алмазов в вакууме или в инертной атмосфере при температуре более 700°С в течение по меньшей мере 1 ч;
отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию свыше 7 МэВ.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию ниже 15 МэВ.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что указанный электронный пучок имеет энергию от 8 до 10 МэВ.
4. Способ по п.1, 2 или 3, отличающийся тем, что в процессе облучения температуру алмазов поддерживают не выше 80°С.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что указанные алмазы охлаждают потоком жидкости, циркулирующим между указанными алмазами.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что указанная жидкость содержит главным образом воду.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный отжиг проводят при температуре от 800 до 850°С.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что указанный отжиг проводят в течение менее 2 ч.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанные алмазы для указанного облучения имеют размер более 0,1 мкм.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что после отжига указанные алмазы размалывают до наночастиц алмазов размером меньше 20 нм.
11. Алмаз, характеризующийся тем, что он содержит более 600 центров азот-вакансия на 1 мкм3.
12. Порошок из алмазов, имеющих центры азот-вакансия, содержащий наночастицы алмазов размером от 15 до 20 нм, изготовленные способом по любому из пп.1-10.
13. Применение алмазов по п.11 в качестве светоизлучателя в системе квантовой криптографии.
14. Биомаркер в виде отдельной частицы, характеризующийся тем, что содержит наночастицу алмаза по п.11.
RU2009145703/05A 2007-05-10 2008-05-07 Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза RU2466088C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07290593.8 2007-05-10
EP07290593A EP1990313A1 (en) 2007-05-10 2007-05-10 Method to produce light-emitting nano-particles of diamond

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009145703A true RU2009145703A (ru) 2011-06-20
RU2466088C2 RU2466088C2 (ru) 2012-11-10

Family

ID=38582306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009145703/05A RU2466088C2 (ru) 2007-05-10 2008-05-07 Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8574536B2 (ru)
EP (2) EP1990313A1 (ru)
JP (1) JP5782587B2 (ru)
KR (1) KR101494251B1 (ru)
CN (1) CN101679040A (ru)
RU (1) RU2466088C2 (ru)
WO (1) WO2008138841A1 (ru)

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8753614B2 (en) 2005-08-30 2014-06-17 International Technology Center Nanodiamond UV protectant formulations
WO2017070197A1 (en) 2015-10-19 2017-04-27 Immunolight, Llc X-ray psoralen activated cancer therapy (x-pact)
US10441810B2 (en) 2007-04-08 2019-10-15 Immunolight, Llc X-ray psoralen activated cancer therapy (X-PACT)
JP5676494B2 (ja) * 2009-03-09 2015-02-25 アンスティチュ ナショナル ドゥ ラ サンテ エ ドゥ ラ ルシェルシュ メディカル 立方晶ダイヤモンドのナノ結晶の製造方法
US9068257B2 (en) 2009-06-26 2015-06-30 Element Six Technologies Limited Diamond material
JP5368634B2 (ja) * 2009-06-26 2013-12-18 エレメント シックス リミテッド ファンシーな橙色の単結晶cvdダイヤモンドの製造方法及び得られた製品
GB2476478A (en) * 2009-12-22 2011-06-29 Element Six Ltd Chemical vapour deposition diamond synthesis
GB2481285B (en) * 2010-06-03 2013-07-17 Element Six Ltd A method of increasing the toughness and/or wear resistance of diamond tool pieces and diamond tool pieces fabricated by said method
RU2448900C2 (ru) * 2010-07-28 2012-04-27 Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами
EP2745360A4 (en) * 2011-08-01 2015-07-08 Univ Columbia CONJUGATES OF NANODIAMANT AND MAGNETIC OR METALLIC PARTICLES
WO2013040446A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York High-precision ghz clock generation using spin states in diamond
US9632045B2 (en) 2011-10-19 2017-04-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for deterministic emitter switch microscopy
JP2014095025A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Osaka Univ ダイヤモンド複合粒子
RU2543184C2 (ru) * 2013-04-01 2015-02-27 ЗАО "Алмазный Центр" Синтетический радиоактивный наноалмаз и способ его получения
US10364389B1 (en) * 2013-09-12 2019-07-30 Adámas Nanotechnologies, lnc. Fluorescent diamond particles
US9824597B2 (en) 2015-01-28 2017-11-21 Lockheed Martin Corporation Magnetic navigation methods and systems utilizing power grid and communication network
US10338162B2 (en) 2016-01-21 2019-07-02 Lockheed Martin Corporation AC vector magnetic anomaly detection with diamond nitrogen vacancies
US9823313B2 (en) 2016-01-21 2017-11-21 Lockheed Martin Corporation Diamond nitrogen vacancy sensor with circuitry on diamond
US9829545B2 (en) 2015-11-20 2017-11-28 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for hypersensitivity detection of magnetic field
US9910104B2 (en) 2015-01-23 2018-03-06 Lockheed Martin Corporation DNV magnetic field detector
US9910105B2 (en) 2014-03-20 2018-03-06 Lockheed Martin Corporation DNV magnetic field detector
US9638821B2 (en) 2014-03-20 2017-05-02 Lockheed Martin Corporation Mapping and monitoring of hydraulic fractures using vector magnetometers
US9541610B2 (en) 2015-02-04 2017-01-10 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for recovery of three dimensional magnetic field from a magnetic detection system
US10168393B2 (en) 2014-09-25 2019-01-01 Lockheed Martin Corporation Micro-vacancy center device
US9557391B2 (en) 2015-01-23 2017-01-31 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for high sensitivity magnetometry measurement and signal processing in a magnetic detection system
US9853837B2 (en) 2014-04-07 2017-12-26 Lockheed Martin Corporation High bit-rate magnetic communication
US9590601B2 (en) 2014-04-07 2017-03-07 Lockheed Martin Corporation Energy efficient controlled magnetic field generator circuit
US9614589B1 (en) 2015-12-01 2017-04-04 Lockheed Martin Corporation Communication via a magnio
US9817081B2 (en) 2016-01-21 2017-11-14 Lockheed Martin Corporation Magnetometer with light pipe
WO2016115225A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-21 Immunolight, Llc. Non-invasive systems and methods for treatment of a host carrying a virus with photoactivatable drugs
BR112017016261A2 (pt) 2015-01-28 2018-03-27 Lockheed Martin Corporation carga de energia in situ
GB2550809A (en) 2015-02-04 2017-11-29 Lockheed Corp Apparatus and method for estimating absolute axes' orientations for a magnetic detection system
GB201505139D0 (en) * 2015-03-26 2015-05-06 Element Six Abrasives Sa Highly fluorescent diamond particles and methods of fabricating the same
KR20160120106A (ko) 2015-04-07 2016-10-17 서울시립대학교 산학협력단 아조벤젠 결합 pvdf필름을 이용하는 압전센서 및 그 제조방법
RU2611633C2 (ru) * 2015-06-29 2017-02-28 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт природных, синтетических алмазов и инструмента" - ОАО "ВНИИАЛМАЗ" Способ изготовления алмазного инструмента
GB2540537A (en) * 2015-07-03 2017-01-25 Univ Oxford Innovation Ltd Crystal defects
WO2017078766A1 (en) 2015-11-04 2017-05-11 Lockheed Martin Corporation Magnetic band-pass filter
CN105352489B (zh) * 2015-11-16 2018-04-13 北京航空航天大学 一种基于金刚石nv―色心的加速度传感器
WO2017087013A1 (en) 2015-11-20 2017-05-26 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for closed loop processing for a magnetic detection system
GB201522650D0 (en) 2015-12-22 2016-02-03 Element Six Technologies Ltd Nitrogen containing single crystal diamond materials optimized for magnetometr applications
WO2017123261A1 (en) 2016-01-12 2017-07-20 Lockheed Martin Corporation Defect detector for conductive materials
AU2016388316A1 (en) 2016-01-21 2018-09-06 Lockheed Martin Corporation Diamond nitrogen vacancy sensor with common RF and magnetic fields generator
WO2017127090A1 (en) 2016-01-21 2017-07-27 Lockheed Martin Corporation Higher magnetic sensitivity through fluorescence manipulation by phonon spectrum control
WO2017127098A1 (en) 2016-01-21 2017-07-27 Lockheed Martin Corporation Diamond nitrogen vacancy sensed ferro-fluid hydrophone
WO2017127096A1 (en) 2016-01-21 2017-07-27 Lockheed Martin Corporation Diamond nitrogen vacancy sensor with dual rf sources
GB2562958A (en) 2016-01-21 2018-11-28 Lockheed Corp Magnetometer with a light emitting diode
CN107305188A (zh) * 2016-04-25 2017-10-31 潘栋雄 钻石颜色等级的检测方法
CN105784648A (zh) * 2016-04-28 2016-07-20 广州标旗电子科技有限公司 一种光致发光钻石检测方法及装置
US10677953B2 (en) 2016-05-31 2020-06-09 Lockheed Martin Corporation Magneto-optical detecting apparatus and methods
US10317279B2 (en) 2016-05-31 2019-06-11 Lockheed Martin Corporation Optical filtration system for diamond material with nitrogen vacancy centers
US10359479B2 (en) 2017-02-20 2019-07-23 Lockheed Martin Corporation Efficient thermal drift compensation in DNV vector magnetometry
US10281550B2 (en) 2016-11-14 2019-05-07 Lockheed Martin Corporation Spin relaxometry based molecular sequencing
US10371765B2 (en) 2016-07-11 2019-08-06 Lockheed Martin Corporation Geolocation of magnetic sources using vector magnetometer sensors
US10408890B2 (en) 2017-03-24 2019-09-10 Lockheed Martin Corporation Pulsed RF methods for optimization of CW measurements
US10145910B2 (en) 2017-03-24 2018-12-04 Lockheed Martin Corporation Photodetector circuit saturation mitigation for magneto-optical high intensity pulses
US10571530B2 (en) 2016-05-31 2020-02-25 Lockheed Martin Corporation Buoy array of magnetometers
US10345395B2 (en) 2016-12-12 2019-07-09 Lockheed Martin Corporation Vector magnetometry localization of subsurface liquids
US10345396B2 (en) 2016-05-31 2019-07-09 Lockheed Martin Corporation Selected volume continuous illumination magnetometer
US10338163B2 (en) 2016-07-11 2019-07-02 Lockheed Martin Corporation Multi-frequency excitation schemes for high sensitivity magnetometry measurement with drift error compensation
US10527746B2 (en) 2016-05-31 2020-01-07 Lockheed Martin Corporation Array of UAVS with magnetometers
US20170343621A1 (en) 2016-05-31 2017-11-30 Lockheed Martin Corporation Magneto-optical defect center magnetometer
US10330744B2 (en) 2017-03-24 2019-06-25 Lockheed Martin Corporation Magnetometer with a waveguide
US10274550B2 (en) 2017-03-24 2019-04-30 Lockheed Martin Corporation High speed sequential cancellation for pulsed mode
US10228429B2 (en) 2017-03-24 2019-03-12 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for resonance magneto-optical defect center material pulsed mode referencing
US9983255B2 (en) * 2016-08-15 2018-05-29 The Boeing Company Apparatus for testing dielectric breakdown voltage
US10875766B2 (en) 2016-10-28 2020-12-29 Stc.Unm High throughput characterization of individual magnetic nanoparticles
US10371760B2 (en) 2017-03-24 2019-08-06 Lockheed Martin Corporation Standing-wave radio frequency exciter
US10379174B2 (en) 2017-03-24 2019-08-13 Lockheed Martin Corporation Bias magnet array for magnetometer
US10338164B2 (en) 2017-03-24 2019-07-02 Lockheed Martin Corporation Vacancy center material with highly efficient RF excitation
US10459041B2 (en) 2017-03-24 2019-10-29 Lockheed Martin Corporation Magnetic detection system with highly integrated diamond nitrogen vacancy sensor
US10801982B2 (en) * 2017-06-29 2020-10-13 University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education Graphitic carbon nitride sensors
WO2019077844A1 (ja) * 2017-10-20 2019-04-25 住友電気工業株式会社 合成単結晶ダイヤモンド
CN107892297B (zh) * 2017-11-02 2021-04-06 长沙新材料产业研究院有限公司 一种金刚石的处理方法及改性金刚石
CN107840331B (zh) * 2017-11-02 2021-04-06 长沙新材料产业研究院有限公司 一种金刚石改性的方法及改性金刚石
CN108002381A (zh) * 2017-12-21 2018-05-08 南昌航空大学 一种可控羰基化的纳米金刚石的制备方法
TWI804596B (zh) 2018-04-24 2023-06-11 美商戴蒙創新公司 螢光鑽石材料及製造其之方法
EP3563880A1 (de) 2018-05-03 2019-11-06 Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung GmbH Resorbierbares implantatmaterial aus magnesium oder einer magnesiumlegierung
JP2020025519A (ja) * 2018-08-16 2020-02-20 浜松ホトニクス株式会社 細胞凝集塊の観察方法
AU2019371651A1 (en) * 2018-10-31 2021-05-27 Daicel Corporation Fluorescent diamond and method for producing same
US10816507B2 (en) * 2019-03-20 2020-10-27 Raytheon Technologies Corporation Apparatus and method and system for inspecting a component of a gas turbine engine
HUP1900269A1 (hu) 2019-07-26 2021-01-28 Mta Wigner Fizikai Kutatokoezpont Eljárás ponthibákat (vakancia) tartalmazó anyagrészecskék elõállítására
JP7457529B2 (ja) 2020-02-28 2024-03-28 株式会社ダイセル 蛍光ナノダイヤモンドの製造方法
KR102400579B1 (ko) * 2020-05-29 2022-05-23 한국과학기술연구원 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법
WO2022208841A1 (ja) * 2021-04-01 2022-10-06 株式会社ダイセル 蛍光ナノダイヤモンドの製造方法
WO2023227606A1 (en) * 2022-05-23 2023-11-30 Adamant Quanta Ab Method and system for processing a diamond
WO2023245112A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 Schlumberger Technology Corporation Heat treatment of nanodiamond particles with controlled powder layer depth
WO2023245111A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 Schlumberger Technology Corporation Nanodiamond with vacancy defect and quantum dot luminescence

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02385A (ja) * 1987-01-12 1990-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド発光素子およびその製造方法
EP0275063A3 (en) * 1987-01-12 1992-05-27 Sumitomo Electric Industries Limited Light emitting element comprising diamond and method for producing the same
JPH0288417A (ja) * 1988-09-26 1990-03-28 Sumitomo Electric Ind Ltd ホールバーニング物質及びその製造法
US4985226A (en) * 1988-06-20 1991-01-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Hole-burning material and production thereof
JP2792069B2 (ja) * 1989-01-07 1998-08-27 住友電気工業株式会社 ホールバーニング物質及びその製造法
DE68914269T2 (de) 1988-12-20 1994-10-06 Henkel Corp Nach einer Zweistufenmethode arbeitendes autophoretisches Bad.
JP3094433B2 (ja) * 1990-09-25 2000-10-03 日本電気株式会社 ダイヤモンド微粉末の製造法と製造装置
EP0638670B1 (en) * 1993-08-11 2001-05-30 General Electric Company Method for enhancing the toughness of manufactured diamond
US5451430A (en) * 1994-05-05 1995-09-19 General Electric Company Method for enhancing the toughness of CVD diamond
US5637878A (en) * 1995-02-03 1997-06-10 E-Beam Corporation Process for irradiating gemstones
RU2145365C1 (ru) * 1998-12-11 2000-02-10 Эдуард Ильич Карагезов Способ облагораживания алмазов
KR20030038673A (ko) 2000-07-21 2003-05-16 가부시키가이샤 이시즈카 겐큐쇼 입도폭이 좁은 단결정질 다이아몬드 미분말 및 그 제조법
JP3655811B2 (ja) 2000-07-21 2005-06-02 株式会社石塚研究所 単結晶質ダイヤモンド微粉
KR100805442B1 (ko) * 2000-08-02 2008-02-20 엘리먼트 씩스 (프티) 리미티드 연마 용품
RU2244679C2 (ru) * 2002-02-21 2005-01-20 Акционерное общество закрытого типа "Карбид"(АОЗТ "Карбид") Способ очистки ультрадисперсных алмазов
US7140567B1 (en) * 2003-03-11 2006-11-28 Primet Precision Materials, Inc. Multi-carbide material manufacture and use as grinding media
JP2005001983A (ja) * 2003-05-20 2005-01-06 Futaba Corp 超分散状態ナノ炭素およびその製造方法
US7300958B2 (en) 2003-05-20 2007-11-27 Futaba Corporation Ultra-dispersed nanocarbon and method for preparing the same
US9260653B2 (en) * 2005-08-30 2016-02-16 International Technology Center Enhancement of photoluminescence of nanodiamond particles
US8110171B1 (en) * 2005-11-17 2012-02-07 Rajneesh Bhandari Method for decolorizing diamonds
US8168413B2 (en) * 2006-11-22 2012-05-01 Academia Sinica Luminescent diamond particles
GB0813491D0 (en) * 2008-07-23 2008-08-27 Element Six Ltd Diamond Material

Also Published As

Publication number Publication date
KR101494251B1 (ko) 2015-02-23
EP2142474A1 (en) 2010-01-13
WO2008138841A1 (en) 2008-11-20
CN101679040A (zh) 2010-03-24
US8932554B2 (en) 2015-01-13
RU2466088C2 (ru) 2012-11-10
US20140065424A1 (en) 2014-03-06
EP1990313A1 (en) 2008-11-12
US20100135890A1 (en) 2010-06-03
EP2142474B1 (en) 2018-07-11
US8574536B2 (en) 2013-11-05
JP5782587B2 (ja) 2015-09-24
KR20100017762A (ko) 2010-02-16
JP2010526746A (ja) 2010-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009145703A (ru) Способ получения светоизлучающих наночастиц алмаза
Zhang et al. Are lanthanide-doped upconversion materials good candidates for photocatalysis?
Wang et al. Graphene quantum dots: versatile photoluminescence for energy, biomedical, and environmental applications
Klassen et al. Laser and electric arc synthesis of nanocrystalline scintillators
JP2017510461A (ja) 広幅イオン場を用いる二次元材料の穿孔
Boruah et al. Synthesis, characterization, properties, and novel applications of fluorescent nanodiamonds
Zhai et al. Carbogenic π-conjugated domains as the origin of afterglow emissions in carbon dot-based organic composite films
Zakharko et al. Direct synthesis of luminescent SiC quantum dots in water by laser ablation
Ishaq et al. H+, N+, and Ar+ ion irradiation induced structure changes of carbon nanostructures
Allah et al. Modification of the optical and structural properties of ZnO nanowires by low-energy Ar+ ion sputtering
Peng et al. Temperature dependent photoluminescence properties of needle-like ZnO nanostructures deposited on carbon nanotubes
JP4200271B2 (ja) 微粒子の製造方法
JP2015000814A (ja) 発光ダイヤモンドナノ粒子及びその製造方法
Kutovyy et al. Comparison of characteristics of thermostimulated luminescence of CdS nanostructures obtained by green synthesis and chemical method
KR101309664B1 (ko) 나노 구조체 제조 방법
ES2946691T3 (es) Método para la producción de nanodiamantes policristalinos a partir de grafito
Kalinina et al. Structural peculiarities of 4 H-SiC irradiated by Bi ions
JP2007169091A (ja) カーボンナノチューブの直径制御方法および直径制御装置
Jacobsohn et al. Effects of ion beam irradiation on self-trapped defects in single-crystal Lu2SiO5
Ahmadpour et al. Synthesis and Study of Gd3+ and Lu3+ Doped CdO via Sol-Gel Method
Luitel et al. A Novel Orange‐Red Emitting ZnB4O7: Eu3+ Phosphor with Urchin‐Like Nanostructure
Poddubskaya et al. Structural Modification of Graphene on Copper Substrates Irradiated by Nanosecond High-Intensity Ion Beams
Svrcek et al. Carriers multiplication in neighboring surfactant-free silicon nanocrystals produced by 3D-surface engineering in liquid medium
Saxena et al. Effect of rapid thermal annealing temperature on the dispersion of Si nanocrystals in SiO2 matrix
Zatsepin et al. Photoelectron emission from implanted SiO 2: Se+ films

Legal Events

Date Code Title Description
TC4A Change in inventorship

Effective date: 20151026

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190508