JP2792069B2 - ホールバーニング物質及びその製造法 - Google Patents
ホールバーニング物質及びその製造法Info
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- JP2792069B2 JP2792069B2 JP1001461A JP146189A JP2792069B2 JP 2792069 B2 JP2792069 B2 JP 2792069B2 JP 1001461 A JP1001461 A JP 1001461A JP 146189 A JP146189 A JP 146189A JP 2792069 B2 JP2792069 B2 JP 2792069B2
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ホールバーニング物質及びその製造法に関
するものである。
するものである。
次世代のメモリーとして、フォトクロミック効果又は
ホールバーニング効果を利用した３次元メモリーの研究
が進められている。本発明は、ダイヤモンドのカラーセ
ンターのホールバーニング効果を利用したメモリー物質
及びその製造法に関するものである。
ホールバーニング効果を利用した３次元メモリーの研究
が進められている。本発明は、ダイヤモンドのカラーセ
ンターのホールバーニング効果を利用したメモリー物質
及びその製造法に関するものである。
［従来の技術］ 従来、ホールバーニング物質として、ポルフィリンや
キニザリン等の有機色素をｎ−ヘキサン等のマトリック
スに組み込んだ物質が使用されてきている（「化学と工
業」第35巻、第９号（1982）633〜635頁参照）。この場
合ホールバーニング物質を液体ヘリウム温度まで低下さ
せ、使用する必要があり、また、多くの物質は、一度形
成されたホールの寿命が短いという欠点を有する。又、
ホールを形成するのに、高いエネルギーを必要とする
上、深いホールが掘れないと言う欠点があった。
キニザリン等の有機色素をｎ−ヘキサン等のマトリック
スに組み込んだ物質が使用されてきている（「化学と工
業」第35巻、第９号（1982）633〜635頁参照）。この場
合ホールバーニング物質を液体ヘリウム温度まで低下さ
せ、使用する必要があり、また、多くの物質は、一度形
成されたホールの寿命が短いという欠点を有する。又、
ホールを形成するのに、高いエネルギーを必要とする
上、深いホールが掘れないと言う欠点があった。
また、有機色素以外に、アルカリハライド系化合物
に、電子線照射を行ってカラーセンターを形成し、ホー
ルバーニング物質として使用した例もあるが、上述の有
機色素と同一の問題点を有している。
に、電子線照射を行ってカラーセンターを形成し、ホー
ルバーニング物質として使用した例もあるが、上述の有
機色素と同一の問題点を有している。
さらに、ダイヤモンド中に各種のカラーセンター（GR
I、Ｎ−Ｖ、H3、N4）を作り、これに付いてホールバー
ニング実験を行った例がある［ジャーナル・オブ・フィ
ジックス、Ｃ、ソリッド・ステート・フィジックス（J.
Phys.,C.Solid State Physics），第17巻、（1984）233
〜236。アール・ティ・ホーリー（R.T.Horley）ら］。
この場合、Ｎ−Ｖセンターが最適であったが、下記の問
題点があった。
I、Ｎ−Ｖ、H3、N4）を作り、これに付いてホールバー
ニング実験を行った例がある［ジャーナル・オブ・フィ
ジックス、Ｃ、ソリッド・ステート・フィジックス（J.
Phys.,C.Solid State Physics），第17巻、（1984）233
〜236。アール・ティ・ホーリー（R.T.Horley）ら］。
この場合、Ｎ−Ｖセンターが最適であったが、下記の問
題点があった。
温度が20K以下でないと、ホールが消失する。
ホールが、15分程度で殆んど消失する。
77K以上では、複数個のホールを同時に形成すること
が出来ない。
が出来ない。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、上記〜の欠点を解決し、ダイヤモンド
のカラーセンターを用いた優れたホールバーニング物質
を提供しようとするものである。
のカラーセンターを用いた優れたホールバーニング物質
を提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］ 前述の課題を解決する為に、本発明では下記の要件を
備えた方法によりホールバーニング物質を形成する。
備えた方法によりホールバーニング物質を形成する。
（１）カラーセンターを形成するマトリックスとして、
合成Ib型ダイヤを用い、該結晶中の窒素濃度が１×1018
〜３×1020個／cm2のものを選択する。
合成Ib型ダイヤを用い、該結晶中の窒素濃度が１×1018
〜３×1020個／cm2のものを選択する。
Ib型ダイヤモンドとしては、超高圧合成による多結晶
体、温度差法で合成した単結晶、又は気相合成による多
結晶もしくは単結晶のいずれを用いても良い。
体、温度差法で合成した単結晶、又は気相合成による多
結晶もしくは単結晶のいずれを用いても良い。
（２）カラーセンターを形成するエネルギー源として中
性子線又は電子線照射を選択し、前者の場合には２×10
16〜２×1019n/cm2の照射量で、後者の場合には２×10
17〜1.5×1020e/cm2の照射量および0.7〜20MeVで照射を
行なう。
性子線又は電子線照射を選択し、前者の場合には２×10
16〜２×1019n/cm2の照射量で、後者の場合には２×10
17〜1.5×1020e/cm2の照射量および0.7〜20MeVで照射を
行なう。
（３）カラーセンターを形成するのに、（２）のエネル
ギー線照射の後、1torr以下の真空下、600〜1400℃の条
件で、１時間以上アニーリングする。
ギー線照射の後、1torr以下の真空下、600〜1400℃の条
件で、１時間以上アニーリングする。
上記要件の内、（３）のアニーリング工程は、既知の
処理方法であり、Ｎ−Ｖセンターの一般的アニーリング
条件である。即ち、本発明により提供される新規な特徴
は、下記の２点にある。
処理方法であり、Ｎ−Ｖセンターの一般的アニーリング
条件である。即ち、本発明により提供される新規な特徴
は、下記の２点にある。
ｉ）中性子線又は加速電圧の高い電子線を用い、かつ照
射量も多くし、格子欠陥の多いダイヤモンドを形成して
マトリックスとして用いる。
射量も多くし、格子欠陥の多いダイヤモンドを形成して
マトリックスとして用いる。
ii）ダイヤモンド中の含有窒素量の最適範囲を規定す
る。
る。
前述の要件を備えた製造方法により、下記の様な特徴
を持つ優れたホールバーニング物質を形成することが出
来る。
を持つ優れたホールバーニング物質を形成することが出
来る。
（ア）温度が２〜120Kの範囲でも、一度形成されたホー
ルは消失しない。
ルは消失しない。
（イ）形成されたホールは、半永久的に、たえとば少な
くとも１時間は消失しない。
くとも１時間は消失しない。
（ウ）77〜120Kの範囲でも、複数のホールが形成され
る。形成されるホールの数は、少なくとも３個である。
る。形成されるホールの数は、少なくとも３個である。
加えて本発明のホールバーニング物質は、（エ）５×
10-5W/cm2以上のエネルギー密度を有するレーザー光で
あればホールが形成出来るという特徴も有している。
10-5W/cm2以上のエネルギー密度を有するレーザー光で
あればホールが形成出来るという特徴も有している。
上記特徴の内、上記（ウ）が本発明のホールバーニン
グ物質を最もよく特徴付けている。
グ物質を最もよく特徴付けている。
ここで、本発明の製造法及びホールバーニング物質の
特徴について、その作用と共に説明する。
特徴について、その作用と共に説明する。
先ず、製造法の要件（１）、（２）及び（３）につい
て説明し、その後、ホールバーニング物質の特徴ア、イ
及びウについて説明する。
て説明し、その後、ホールバーニング物質の特徴ア、イ
及びウについて説明する。
要件（１）について Ｎ−Ｖセンターは、ダイヤモンド中の窒素原子１個と
空格子が結合したものであるから、マトリックスとして
は、孤立分散型窒素からなるIb型ダイヤモンドが最も適
している。Ib型ダイヤは下記の５つ方法のいずれかによ
って得られる。
空格子が結合したものであるから、マトリックスとして
は、孤立分散型窒素からなるIb型ダイヤモンドが最も適
している。Ib型ダイヤは下記の５つ方法のいずれかによ
って得られる。
ｉ）天然ダイヤモンドを選別したもの ii）ダイヤモンド安定領域下で、温度差法にって合成し
た単結晶。
た単結晶。
iii）ダイヤモンド安定領域下で、焼結法によって合成
した多結晶。
した多結晶。
iv）ダイヤモンド安定領域下で、膜成長法によって合成
した砥粒用単結晶。
した砥粒用単結晶。
ｖ）気相合成法により作成された単結晶又は多結晶。
この内、本発明のホールバーニング物質を製造するに
は、ii）、iii）及びｖ）により得られるものが、大き
さと品質の点で好ましい。一方、ｉ）及びiv）により得
たものはあまり適していない。
は、ii）、iii）及びｖ）により得られるものが、大き
さと品質の点で好ましい。一方、ｉ）及びiv）により得
たものはあまり適していない。
又、気相合成法には、マイクロ波CVD法、DCプラズマ
法、レーザーPVD法、熱フィラメント法、熱フィラメン
トCVD法、イオンビーム蒸着法、火炎法等があるが、い
ずれの方法で調製したダイヤモンドでも同様の効果が得
られる。
法、レーザーPVD法、熱フィラメント法、熱フィラメン
トCVD法、イオンビーム蒸着法、火炎法等があるが、い
ずれの方法で調製したダイヤモンドでも同様の効果が得
られる。
さらに本発明では、窒素含有濃度の最適範囲を１×10
18個／cm2〜３×1020個／cm3に規定する。ダイヤモンド
結晶中の含有窒素濃度が、この下限以下ではＮ−Ｖセン
ター濃度が低く、事実上書き込みが出来ない。一方、上
記上限以上では、逆にＮ−Ｖセンターの濃度が高くなり
すぎ、書き込み及び読み出しが出来ない。
18個／cm2〜３×1020個／cm3に規定する。ダイヤモンド
結晶中の含有窒素濃度が、この下限以下ではＮ−Ｖセン
ター濃度が低く、事実上書き込みが出来ない。一方、上
記上限以上では、逆にＮ−Ｖセンターの濃度が高くなり
すぎ、書き込み及び読み出しが出来ない。
要件（２）について 電子線又は中性子線をダイヤモンド結晶に照射するこ
とにより、結晶中に空格子を形成する。この場合、照射
エネルギーを高くし、照射量も多くする方が、ホールも
深く掘れ、認識出来るホールの数も多くなる傾向にあ
る。中性子線を用いた場合、２×1016n/cm2以下の照射
量では、認識可能なホール数は、１個又はゼロである。
又、２×1019n/cm2以上の照射量では、格子欠陥が多く
なり過ぎ、ゼロフォノン領域における光の吸収が大きく
なって、ホールの書き込み及び読み取りは出来ない。
とにより、結晶中に空格子を形成する。この場合、照射
エネルギーを高くし、照射量も多くする方が、ホールも
深く掘れ、認識出来るホールの数も多くなる傾向にあ
る。中性子線を用いた場合、２×1016n/cm2以下の照射
量では、認識可能なホール数は、１個又はゼロである。
又、２×1019n/cm2以上の照射量では、格子欠陥が多く
なり過ぎ、ゼロフォノン領域における光の吸収が大きく
なって、ホールの書き込み及び読み取りは出来ない。
又、電子線照射の場合、２×1017電子／cm2以下で
は、複数の認識可能なＮ−Ｖセンターが、形成されな
い。又、1.5×1020n/cm2以上では、光の吸収が大きく、
ホールの書き込み及び読み取りが出来ない。電子線照射
エネルギーも重要な因子で、0.7MeV以下では、複数のホ
ール形成が認識出来ない。電子線照射エネルギーは、高
い方が好ましいが、10MeV位より放射化が始まり、20MeV
以上になると、放射化を低減させる為、試料を長時間放
置しなければならないと言う欠点が生じる。
は、複数の認識可能なＮ−Ｖセンターが、形成されな
い。又、1.5×1020n/cm2以上では、光の吸収が大きく、
ホールの書き込み及び読み取りが出来ない。電子線照射
エネルギーも重要な因子で、0.7MeV以下では、複数のホ
ール形成が認識出来ない。電子線照射エネルギーは、高
い方が好ましいが、10MeV位より放射化が始まり、20MeV
以上になると、放射化を低減させる為、試料を長時間放
置しなければならないと言う欠点が生じる。
要件（３）について アニーリングの作用は、（１）の要件を満たすダイヤ
モンドマトリックス中の窒素原子と、要件（２）の処理
によって生じた空格子とを結合させてＮ−Ｖセンターを
作ることである。本発明では、600〜1400℃の温度で１
時間以上、1torr以下の真空中でアニーリングを行う。
モンドマトリックス中の窒素原子と、要件（２）の処理
によって生じた空格子とを結合させてＮ−Ｖセンターを
作ることである。本発明では、600〜1400℃の温度で１
時間以上、1torr以下の真空中でアニーリングを行う。
600℃以下では、照射損傷による吸収（GRIセンター）
が除去されず、Ｎ−Ｖセンターも形成されない。1400℃
以上では、Ｎ−Ｖセンターの破壊が生じる。また、１時
間以下のアニーリングでは、照射損傷による吸収が除去
できない問題が生じる。また、1torr以上の真空度では
ダイヤの表面が黒鉛化する。照射量が多い場合は、上記
GRIセンターが完全に除去されない場合があるが、650℃
以上で除去される。また、Ｎ−Ｖセンターは1200℃から
少しずつ減少し始める。従って、好ましくは、650〜120
0℃の温度条件でアニーリングするのが良い。
が除去されず、Ｎ−Ｖセンターも形成されない。1400℃
以上では、Ｎ−Ｖセンターの破壊が生じる。また、１時
間以下のアニーリングでは、照射損傷による吸収が除去
できない問題が生じる。また、1torr以上の真空度では
ダイヤの表面が黒鉛化する。照射量が多い場合は、上記
GRIセンターが完全に除去されない場合があるが、650℃
以上で除去される。また、Ｎ−Ｖセンターは1200℃から
少しずつ減少し始める。従って、好ましくは、650〜120
0℃の温度条件でアニーリングするのが良い。
次に、本発明のホールバーニング物質の特徴にについ
て説明する。
て説明する。
特徴ア及びイについて 従来、20K以下の温度でないと、ホールの書き込みが
出来なかった。しかし本発明によれば、液体窒素温度に
おいても、ホールの書き込みが可能となる。
出来なかった。しかし本発明によれば、液体窒素温度に
おいても、ホールの書き込みが可能となる。
特徴ウについて ホールバーニングでは、１つのゼロフォノンライン形
成されるホールの数が重要である、形成される個数が多
ければ多い程、書き込み密度が高くなるので、優れたメ
モリー材と言える。本発明では、少なくとも３個の認識
可能なホールが形成され得る。
成されるホールの数が重要である、形成される個数が多
ければ多い程、書き込み密度が高くなるので、優れたメ
モリー材と言える。本発明では、少なくとも３個の認識
可能なホールが形成され得る。
認識可能なホールの数は、温度に著しく依存し、120K
では３個程度であるが、80Kでは10数個、20Kでは100個
以上となる。本発明によれば、液体窒素温度付近で、10
数個のホール形成が可能となる。
では３個程度であるが、80Kでは10数個、20Kでは100個
以上となる。本発明によれば、液体窒素温度付近で、10
数個のホール形成が可能となる。
以下、実施例を示して、本発明をより詳しく説明す
る。
る。
実施例１ 温度差法により、5.5GPa及び1350〜1400℃の圧力温度
条件で、窒素含有量が５×1017〜３×1020個／cm3であ
る。５〜5.5カラットのIb型ダイヤモンドを５個作成し
た。さらに該ダイヤモンド試料を、9mm×9mm×1mmのサ
イズにそれぞれ加工した。
条件で、窒素含有量が５×1017〜３×1020個／cm3であ
る。５〜5.5カラットのIb型ダイヤモンドを５個作成し
た。さらに該ダイヤモンド試料を、9mm×9mm×1mmのサ
イズにそれぞれ加工した。
該試料に２×1017個／cm2の照射量で中性子線を照射
した後、10-2torrの真空下、900℃で10時間アニーリン
グ処理を行なった。
した後、10-2torrの真空下、900℃で10時間アニーリン
グ処理を行なった。
なお、ダイヤモンド試料中の窒素含有量は、赤外分光
分析の1130cm-1の吸収係数より算出した。又、該試料中
に形成されたカラーセンターを、紫外可視分光分析器に
よって測定した。
分析の1130cm-1の吸収係数より算出した。又、該試料中
に形成されたカラーセンターを、紫外可視分光分析器に
よって測定した。
ホールの形成の有無は、第１図に示すような装置によ
って行なった。まず、レーザー１により試料６にレーザ
ー光７を当て、ホールを形成する。又シャター２によっ
てレーザー光７の照射をON−OFFさせる。ホールの観察
は、レーザー３により発振したレーザー光８を減衰フィ
ルター４によって弱めた後、試料６を通過させ、ディテ
クター５で透過光強度を測定することにより行なう。本
実施例において、ホール形成は試料温度120Kで行なっ
た。ホールの形成判定には下記で現わされるホール強度
比を用いた。
って行なった。まず、レーザー１により試料６にレーザ
ー光７を当て、ホールを形成する。又シャター２によっ
てレーザー光７の照射をON−OFFさせる。ホールの観察
は、レーザー３により発振したレーザー光８を減衰フィ
ルター４によって弱めた後、試料６を通過させ、ディテ
クター５で透過光強度を測定することにより行なう。本
実施例において、ホール形成は試料温度120Kで行なっ
た。ホールの形成判定には下記で現わされるホール強度
比を用いた。
IP＝ホール形成前の試料の透過光強度。
IH＝ホール形成後の試料の透過光強度。
結果を第１表に示す。
第１図の方法で観測した実験No.3のゼロフォノンライ
ンの吸収スペクトルを第２図に示す。図中、11はゼロフ
ォノンラインの吸収スペクトルを、12は形成されたホー
ルを示す。ただし、スペクトルの観測には、第１図中、
ディテクター５として、分光器とフォトマルチプライヤ
ーを組み合わせたものを用いた。
ンの吸収スペクトルを第２図に示す。図中、11はゼロフ
ォノンラインの吸収スペクトルを、12は形成されたホー
ルを示す。ただし、スペクトルの観測には、第１図中、
ディテクター５として、分光器とフォトマルチプライヤ
ーを組み合わせたものを用いた。
実施例２ 温度差法により、5.4GPa及び1350℃の圧力温度条件下
で、Fe−50Co溶媒を用い、窒素含有量１×1019個／cm3
のIb型ダイヤモンド６〜７カラットのものを５個作成
し、10mm×10mm×1mmのサイズに加工した。該試料に10M
eVの加速電圧で、１×1017〜３×1020電子／cm2の範囲
で、電子線照射を施した。その後、10-1torrの真空下か
つ、600℃の温度で１時間アニーリング処理を行なっ
た。実施例１と同様な方法で、ホール強度比を求め、15
％以上のホールの個数を数えた。結果を、第２表に示
す。なお、測定は80Kの温度で実施した。
で、Fe−50Co溶媒を用い、窒素含有量１×1019個／cm3
のIb型ダイヤモンド６〜７カラットのものを５個作成
し、10mm×10mm×1mmのサイズに加工した。該試料に10M
eVの加速電圧で、１×1017〜３×1020電子／cm2の範囲
で、電子線照射を施した。その後、10-1torrの真空下か
つ、600℃の温度で１時間アニーリング処理を行なっ
た。実施例１と同様な方法で、ホール強度比を求め、15
％以上のホールの個数を数えた。結果を、第２表に示
す。なお、測定は80Kの温度で実施した。
又、加速エネルギーを0.5〜25MeVまで変化させて同様
な実験を行なったが、0.7MeV以下では、複数のホール
（15％以上のホール強度比を持つもの）は形成されなか
った。20MeV以上では、放射化が強く生じ、これを低減
させる為に長時間を要するという欠点が生じた。
な実験を行なったが、0.7MeV以下では、複数のホール
（15％以上のホール強度比を持つもの）は形成されなか
った。20MeV以上では、放射化が強く生じ、これを低減
させる為に長時間を要するという欠点が生じた。
実施例３ プラズマCVD法により、30torrの圧力下、2.4GHzの高
周波を用い、窒素元素をドープしながら、Si基板上に10
μm/時間の成長速度でダイヤモンドを150μｍの厚さま
で成長させた。その後、Si基板を酸処理して溶かして得
たダイヤモンドを試料として用いた。得られた多結晶体
の薄膜を５個に分割し、その内の４個に１×1016〜３×
1019個／cm2の範囲で中性子線を照射した。残りの１個
の試料を窒素分析した所、５×1018個／cm3の濃度であ
った。
周波を用い、窒素元素をドープしながら、Si基板上に10
μm/時間の成長速度でダイヤモンドを150μｍの厚さま
で成長させた。その後、Si基板を酸処理して溶かして得
たダイヤモンドを試料として用いた。得られた多結晶体
の薄膜を５個に分割し、その内の４個に１×1016〜３×
1019個／cm2の範囲で中性子線を照射した。残りの１個
の試料を窒素分析した所、５×1018個／cm3の濃度であ
った。
中性子線処理した試料を10-3torrの真空下、800℃で
４時間アニーリング処理し、Ｎ−Ｖセンターを形成し
た。実施例と同様の方法でホールの形成と測定を行なっ
た。ホール強度比が15％以上であるホールの数を数え
た。結果を第３表に示す。なお、測定温度は100Kであっ
た。
４時間アニーリング処理し、Ｎ−Ｖセンターを形成し
た。実施例と同様の方法でホールの形成と測定を行なっ
た。ホール強度比が15％以上であるホールの数を数え
た。結果を第３表に示す。なお、測定温度は100Kであっ
た。
なお、上記気相合成法の他に、DCプラズマ法、熱フィ
ラメント法、熱フィラメントCVD法、イオンビーム蒸着
法、マイクロ波プラズマ法、レーザーPVD法、火炎法を
用いても、本実施例と同じ結果が得られる。
ラメント法、熱フィラメントCVD法、イオンビーム蒸着
法、マイクロ波プラズマ法、レーザーPVD法、火炎法を
用いても、本実施例と同じ結果が得られる。
［発明の効果］ 前述の如く、本発明により、２〜120Kの高い温度で、
半永久的に記録可能であり、かつ１つの書き込み点に複
数のホールが形成できるホールバーニングを利用した３
次元メモリー物質が提供される。
半永久的に記録可能であり、かつ１つの書き込み点に複
数のホールが形成できるホールバーニングを利用した３
次元メモリー物質が提供される。
第１図は、本発明のホール形成及び測定に用いる装置を
示す。 １…ホール形成用レーザー、２…シャッター、３…ホー
ル測定用レーザー、４…減衰フィルター、５…測定用デ
ィテクター、６…試料、7,8…レーザー光、９…透過
光、破線部…クライオスタット。 第２図は、120Kにおけるホール形成の吸収スペクトルを
示す。
示す。 １…ホール形成用レーザー、２…シャッター、３…ホー
ル測定用レーザー、４…減衰フィルター、５…測定用デ
ィテクター、６…試料、7,8…レーザー光、９…透過
光、破線部…クライオスタット。 第２図は、120Kにおけるホール形成の吸収スペクトルを
示す。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 47/00 G11B 9/10 G11B 7/24 G03C 1/72 C01B 31/06
Claims (3)
- 【請求項１】ダイヤモンド中に存在するＮ−Ｖセンター
のゼロフォノンラインを用いて形成されたホールが、２
〜120Kの温度範囲で変化することなくかつ半永久的に持
続され、かつ、該ゼロフォノンラインに複数の認識可能
なホールが形成されていることを特徴とする合成Ib型ダ
イヤモンドを用いたホールバーニング物質。 - 【請求項２】ダイヤモンド安定領域下で合成したIb型単
結晶及び多結晶ダイヤモンドならびに気相合成したIb型
単結晶及び多結晶ダイヤモンドからなる群から選択さ
れ、該結晶中の窒素含有量が１×1018〜３×1020個／cm
3であるダイヤモンドを、２×1016〜２×1019個／cm2の
照射量で中性子線照射した後、1torr以下の真空下、600
〜1400℃の温度で少なくとも１時間アニーリングするこ
とを特徴とする請求項１記載のダイヤモンドホールバー
ニング物質の製造法。 - 【請求項３】ダイヤモンド安定領域下で合成したIb型単
結晶及び多結晶ダイヤモンドならびに気相合成したIb型
単結晶及び多結晶ダイヤモンドからなる群から選択さ
れ、該結晶中の窒素含有量が１×1018〜３×1020個／cm
3であるダイヤモンドを、0.7〜20MeVの条件下、２×10
17〜1.5×1020電子／cm2の照射量で電子線照射した後、
1torr以下の真空下、600〜1400℃の温度で、少なくとも
１時間アニーリングすることを特徴とする請求項１記載
のダイヤモンドホールバーニング物質の製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001461A JP2792069B2 (ja) | 1989-01-07 | 1989-01-07 | ホールバーニング物質及びその製造法 |
| US07/366,655 US4985226A (en) | 1988-06-20 | 1989-06-15 | Hole-burning material and production thereof |
| EP89110985A EP0347772B1 (en) | 1988-06-20 | 1989-06-16 | Hole-burnable material and production thereof |
| DE68914037T DE68914037T2 (de) | 1988-06-20 | 1989-06-16 | Löcher ausbrennbares Material und seine Herstellung. |
| KR1019890008471A KR960012109B1 (ko) | 1988-06-20 | 1989-06-20 | 호울-버어닝 물질과 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001461A JP2792069B2 (ja) | 1989-01-07 | 1989-01-07 | ホールバーニング物質及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184512A JPH02184512A (ja) | 1990-07-19 |
| JP2792069B2 true JP2792069B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=11502100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1001461A Expired - Fee Related JP2792069B2 (ja) | 1988-06-20 | 1989-01-07 | ホールバーニング物質及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792069B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1990313A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-12 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method to produce light-emitting nano-particles of diamond |
-
1989
- 1989-01-07 JP JP1001461A patent/JP2792069B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02184512A (ja) | 1990-07-19 |
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