KR101309664B1 - 나노 구조체 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 나노 구조체 제조 방법에 관한 것으로, 원료를 준비하는 과정; 상기 원료에 태양광을 조사하는 과정을 포함한다.

Description

나노 구조체 제조 방법{Method of manufacturing a nano structure}
본 발명은 나노 구조체 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 매우 단순한 합성법을 이용하여 나노 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
넓은 밴드갭 반도체인 산화 아연(Zinc Oxide; ZnO)는 상온에서 밴드갭 에너지가 3.37eV이고, 여기자(엑시톤, exiton) 결합 에너지가 60meV 이다. 이러한 이유 때문에 ZnO는 자외영역의 발광소자를 비롯하여 투명 전도성 전극, 솔라 셀 윈도우(solar cell window) 및 벌크 탄성파 소자(bulk acoustic wave device) 등에 다양하게 이용될 수 있다. 특히, 자외 영역의 발광특성을 나타내는 발광 소자에의 응용 가능성으로 인해 큰 주목을 받고 있으며, 60meV의 강한 여기자 결합에너지 때문에 실온에서도 자외선 영역의 레이저 발진이 가능하다.
최근에는 나노 와이어로부터도 자외 영역의 레이저 발진이 관찰된 후, 나노 광전자 소자에의 응용에 대한 기대 때문에 다양한 형태를 갖는 ZnO 나노 구조를 합성하려는 연구가 활발히 이루어지고 있다. 또한 ZnO 나노 와이어는 열 증착법, 마그네트론 스퍼터링, 레이저 어블레이션, 화학기상증착법 등을 포함하는 다양한 진공 합성 방법에 의하여 제조된다.
그러나, 이러한 나노 와이어 제조법들은 진공 분위기를 필요로 하며, 복잡한 장치와 공정이 요구되는 문제점이 있다. 또한, 진공을 이용한 제조법은 고가의 장비가 요구되므로 생산 단가가 상승하는 문제점이 있다. 한편, 진공을 이용하는 외에 적절한 촉매를 이용하는 방법이 있으나, 이 또한 복잡한 공정이 요구되는 문제가 있다.
본 발명은 간단한 방식으로 용이하게 나노 구조체를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 진공이나 촉매를 이용하지 않고 나노 구조체를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 결정성이 우수한 나노 구조체를 획득하는 제조 방법을 제공한다.
본 발명 실시 형태에 따른 나노 구조체 제조 방법은 원료를 준비하는 과정; 상기 원료에 태양광을 조사하는 과정을 포함한다.
상기 광 조사에 전에 상기 원료 분말을 세라믹 도가니에 투입한다.
상기 광 조사에 의해 원료는 상기 원료의 증발 온도 혹은 그 이상으로 가열된다.
상기 광 조사 시에 조사되는 광을 렌즈에 통과시켜 상기 원료 분말을 향해 집중시킨다.
상기 원료는 금속이며, 상기 원료는 산화성 분위기에서 광 조사가 이루어진다.
상기 원료는 금속 아연이며, 상기 광 조사 후 생성물은 산화 아연 나노 와이어이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 실시 예들에 따르면, 진공 분위기 등이 필요 없고, 촉매와 기판을 사용하지 않는 간단하고 단순한 방법으로 짧은 시간에 신속하게 나노 구조체 특히, 나노 와이어를 제조할 수 있다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 촉매나 기타 다른 원료를 사용하지 않고 원료 분말만 사용하여 나노 구조체를 제조하므로, 결정성과 순도가 높은 나노 구조체를 제조할 수 있다. 또한, 제조되는 나노 구조체는 결함 밀도가 낮고, 결정 품질 및 광학 특성이 우수하다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 나노 구조체 제조 방법의 공정 흐름도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 이용되는 장치 개념도.
도 3는 본 발명의 실험 예에 따른 금속 아연 및 산화 아연 생성물의 SEM 이미지 사진.
도 4는 본 발명의 실험 예에 따라 제조된 산화 아연 생성물의 EDX 스펙트럼 결과도.
도 5는 본 발명의 실험 예에 따라 제조된 산화 아연 생성물의 FTIR 스펙트럼 결과도.
도 6은 본 발명의 실험 예에 따라 제조된 산화 아연 생성물의 CL 스펙트럼 결과도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 나노 구조체 제조 방법의 공정 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 이용되는 장치 개념도이다.
도 1 및 도2를 참조하면, 나노 구조체 제조 방법은 원료를 준비하는 과정, 상기 원료를 용기에 투입하는 과정, 및 상기 원료에 태양광을 조사하는 과정을 포함한다.
우선, 원료를 준비한다. 원료는 고순도 재료이며, 고순도 금속 재료가 사용된다. 예를 들어, 금속 아연 분말로 순도 99.9% 이상의 고순도 원료를 사용하며 그 형상이 구형일 수 있다. 그러나, 원료의 형상은 분말 뿐만 아니라 판상 등 다른 형상을 이용할 수 있으며, 다양한 크기의 원료를 이용할 수 있다. 한편, 원료로는 처리할 금속 원료만 사용하여, 이외에는 어떠한 원료도 사용하지 않으며, 이로부터 불순물이나 오염 물질이 첨가되는 것을 방지할 수 있다. 이처럼 준비된 금속 아연 원료를 용기에 투입한다. 용기는 원료를 담을 수 있으면 되고, 그 형상이 한정되지 않는다. 예컨대, 세라믹 플레이트일 수도 있고, 세라믹 도가니 일 수도 있다. 본 실시 예에서는 용기로 알루미나 도가니(1)를 사용한다.
이후, 도가니에 저장된 원료에 태양광을 조사한다. 도2에 도시하였듯이 광원과 원료(4) 사이에는 렌즈(2)가 위치하여, 렌즈(2)를 이용하여 입사되는 태양광(3)을 원료(4)에 집중시킨다. 예컨대 원료에 태양광의 브라이트 서클(bright circle)이 형성되도록 한다. 또한, 렌즈(2)를 태양을 향하여 서서히 이동시켜 입사광이 더욱 집중되도록 하며, 원료 상에서 수렴되는 광 스폿의 크기를 최소화한다. 이때, 광 스폿의 크기는 사용되는 렌즈(2)의 크기에 따라 달라지는데, 예를 들어 렌즈(2)의 구경이 크면 스폿의 직경이 커지고, 스폿의 직경이 크면 직경 크기만큼 아연이 많이 가열되어 생성되는 산화 아연 나노 구조체의 양도 증가하게 된다. 이처럼 원료에 태양광이 수렴 집중되면 태양광 에너지만으로 원료를 가열하게 된다. 즉, 원료를 산화시킬 수 있는 증발 온도(evaporation temperature)로 가열한다.
상기의 렌즈(2)와 원료(4)사이의 거리, 즉 초점 거리는 입사되는 태양광(3)이 원료에 집중되는 간격 즉, 원료(4) 상에서 광 스폿 크기가 최소가 되는 간격으로 제어되는 것이 바람직하다. 이때, 렌즈(2)와 원료(4)의 초점 거리는 렌즈(2)의 구경에 따라 달라지는데, 예를 들어 10 내지 15cm의 간격으로 제어한다. 또한, 렌즈(2)의 크기 및 형상은 특별히 한정되지 않으며 태양광을 집중시킬 수 있으면 되며, 예를 들어 지름이 10 내지 15cm인 볼록 렌즈를 사용할 수 있다. 여기서, 렌즈(2)의 지름이 클수록 보다 많은 양의 태양광을 집광할 수 있으므로 초점에서의 온도가 상승하게 된다. 한편, 원료에 입사되는 광은 태양광 전체 스펙트럼이 사용되며, 이에 렌즈 외에 필터는 불필요하다.
또한 태양광 조사 시의 원료 주위의 분위기는 산화성 분위기로 제어된다. 즉, 산소, 오존 등 산소 함유 가스를 포함하는 분위기로 제어된다. 예컨대, 산소가 포함된 대기 분위기로 제어될 수 있다. 이러한 산화성 분위기에서 집중된 태양광이 조사되면, 원료 분말은 증발 온도 혹은 그 이상으로 가열되며 산소와 반응하여 산화된다. 또한 산화되는 원료는 나노 구조체를 형성하게 된다.
광이 조사되는 시간은 가열에 의하여 원료 분말이 산화되어 색깔이 변화되는 시간만큼 충분히 유지되고 특별히 한정되지 않으며, 색깔 변화가 완료되면 광 조사를 중단할 수 있다. 예컨대, 원료 분말 0.1g를 처리하는 경우 태양광을 5분 조사할 수 있다.
처리가 완료되면 렌즈를 제거하고 산화된 나노 구조체를 획득한다. 이처럼, 매우 단순한 과정의 합성법에 의하여 나노 구조체를 제조할 수 있다.
하기에서는 금속 아연을 예를 들어 구체적인 실험 예를 설명한다. 우선, 금속 아연 분말로 일본 주세이(Jusei)사의 순도 99.9%, 직경 4um의 구형의 분말을 사용하였다. 금속 아연 분말만 사용하고, 이외에는 어떠한 원료도 사용하지 않았다. 금속 아연 원료 분말 소정량을 알루미나 도가니에 투입하였다.
이후 도가니 주위를 대기분위기로 형성하고, 금속 아연 분말에 태양광을 조사하였다. 이때, 태양광은 지름 13cm인 볼록 렌즈를, 금속 아연 분말과 13cm 거리를 두고 배치하여, 금속 아연 분말 상에 스폿 크기 2mm인 광 스폿을 형성하여, 금속 아연 분말을 증발 온도로 가열하였다.
이러한 제조 과정에 의하여 금속 아연은 산화되어 회색에서 하얀색으로 변화하였다. 즉, 산화 아연 나노 구조체로 제조되었다. 산화된 생성물을 채취하여 물질의 결정구조, 성분, 미세구조 및 음극선 발광 등의 특성을 분석하였다.
생성물의 형상 및 조성은 주사전자현미경 (SEM, Quanta 200) 및 에너지 분산 X선 분광분석기(EDX, Quanta 200, 15kV)로 관찰하였다. 결정구조는 FTIR 분석기를 사용하였으며, 푸리에 변환 적외선 스펙트럼(fourier transform infrared spectrum, FTIR, Niclet 6700)은 상온 400~2000cm-1 범위에서 측정되었다. 생성물의 광학적 특성은 음극선 분광분석기(cathodoluminescence, CL, Mono CL4, 15kv)로 분석하였다. 하기에서는 분석 및 관찰 결과를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실험예에 따른 금속 아연 및 산화 아연 생성물의 SEM 이미지 사진이다. 즉, 도3 (a)는 금속 아연(Zn) 원료 분말의 형성이며, 도3 (b)는 산화된 나노 구조체의 사진이다. 산화되기 전 금속 아연 분말은 구형으로 관찰되며 평균 입경은 약 4um이다. 반면, 대기분위기에서 태양광 조사에 의해 산화된 생성물은 나노 와이어 구조를 보이며 평균 직경이 약 10nm이고 길이는 대략 2um이다(도3 (b)). 이로부터 태양광 조사 합성법에 의하여 구형의 금속 아연 분말을 산화 아연 나노 와이어로 제조할 수 있음을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 실험 예에 따라 제조된 산화 아연 생성물의 EDX 스펙트럼 결과이다. 도면에서 보여주듯이 화학양론적 비율이 맞는 아연과 산소만으로 이루어진 스펙트럼이 관찰되었다. 이로부터 생성물은 고순도, 고품질의 산화아연(ZnO) 나노 와이어임을 알 수 있다.
도 5는 본 발명의 실험예에 따라 제조된 산화 아연 생성물의 FTIR 스펙트럼 결과이다. 520cm-1에서 흡수 밴드가 관찰되었으며, 이는 전형적인 우르짜이트 ZnO 스펙트럼이다. 이로부터 합성된 하얀색 생성물은 육방정의 우르짜이트 구조를 가짐을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 실험 예에 따라 제조된 산화 아연 생성물의 CL 스펙트럼 결과이다. CL 분석은 상온에서 15keV의 전자빔을 사용하여 수행되었다. CL 스펙트럼은 중심 파장이 380nm인 샤프하고 강한 자외(UV) 영역 발광 피크(a)와 중심 파장이 510nm인 약하고 퍼진 형태의 녹색 영역 발광 피크(b)를 나타내었다. ZnO의 UV 영역 발광은 여러 문헌에서 보고되었으며, ZnO의 near band edge 발광에 대응한다. 이는 여기자 결합에 기인하는 것으로 알려져 있고 발광 강도가 높을수록 결정성이 우수한 ZnO 임을 나타낸다. 도 6은 매우 샤프하고 강한 UV 발광 피크를 보이므로, 본 실험예에서 제조된 ZnO 나노 와이어의 결정 품질(crystalline quality)이 매우 우수한 것을 나타낸다. 510 nm 부근의 녹색 영역의 발광은 ZnO 결정 내에 존재하는 산소 결함에 기인하는 것으로 알려져 있으므로, 녹색 영역의 발광 강도가 높을수록 ZnO 결정 내에 산소 공공 결함이 많이 존재하고 있음을 나타낸다. 종래의 많은 ZnO 나노 와이어 연구에서는 녹색 영역의 발광 피크가 UV 영역의 발광 피크 보다 강한 것으로 보고되었다. 이러한 녹색 영역의 발광 피크의 증가는 제조된 ZnO 나노 와이어의 높은 표면 대 부피 비에 의하여, 표면 및 서브-표면에 산소 공공이 다량 생성되기 때문으로 생각된다. 즉, 종래 합성 방법으로 제조된 ZnO 나노 와이어는 다량의 산소 결함을 가지는 것을 알 수 있다. 반면, 본 실험예에서 제조된 ZnO 나노 와이어는 강한 UV 영역 발광 피크 및 매우 약한 녹색 영역 발광 피크를 나타낸다. 이로부터 종래의 합성법에 비하여, 결함 밀도가 매우 감소된 양질의 ZnO 나노 와이어가 제조되는 것을 알 수 있다.
이상, 본 발명에 대하여 전술한 실시 예들 및 첨부된 도면을 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명이 다양하게 변형 및 수정될 수 있음을 알 수 있을 것이다.
1: 도가니 2: 렌즈

Claims (6)

  1. 나노 구조체 제조 방법으로서,
    원료를 준비하는 과정;
    상기 원료에 태양광을 조사하는 과정을 포함하고,
    상기 태양광은 렌즈를 통과시켜 상기 원료에 집중시키는 나노 구조체 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 조사에 전에 상기 원료 분말을 세라믹 도가니에 투입하는 나노 구조체 제조 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 조사에 의해 원료는 상기 원료의 증발 온도 혹은 그 이상으로 가열되는 나노 구조체 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 원료는 금속이며, 상기 원료는 산화성 분위기에서 광 조사가 이루어지는 나노 구조체 제조 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 원료는 금속 아연이며, 상기 광 조사 후 생성물은 산화 아연 나노 와이어인 나노 구조체 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108605100A (zh) * 2016-02-17 2018-09-28 三星电子株式会社 用于处理图像的方法和用于支持该方法的电子装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008006513A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Kyoto Univ ナノサイズワイヤーの製造方法およびナノサイズワイヤー

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008006513A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Kyoto Univ ナノサイズワイヤーの製造方法およびナノサイズワイヤー

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108605100A (zh) * 2016-02-17 2018-09-28 三星电子株式会社 用于处理图像的方法和用于支持该方法的电子装置
US20190037138A1 (en) * 2016-02-17 2019-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for processing image and electronic device for supporting same
US10868959B2 (en) 2016-02-17 2020-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for processing image and electronic device for supporting same

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