RU2007144052A - Солнечный элемент и способ его изготовления - Google Patents

Солнечный элемент и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2007144052A
RU2007144052A RU2007144052/28A RU2007144052A RU2007144052A RU 2007144052 A RU2007144052 A RU 2007144052A RU 2007144052/28 A RU2007144052/28 A RU 2007144052/28A RU 2007144052 A RU2007144052 A RU 2007144052A RU 2007144052 A RU2007144052 A RU 2007144052A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
solar cell
cell according
tire
semiconductor substrate
microns
Prior art date
Application number
RU2007144052/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Сатоюки ОДЗИМА (JP)
Сатоюки ОДЗИМА
Наоки ИСИКАВА (JP)
Наоки ИСИКАВА
Original Assignee
Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд. (Jp)
Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд.
Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. (Jp)
Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=37481378&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2007144052(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд. (Jp), Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд., Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. (Jp), Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. filed Critical Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд. (Jp)
Publication of RU2007144052A publication Critical patent/RU2007144052A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

1. Солнечный элемент, содержащий, по меньшей мере: полупроводниковую подложку, в которой сформирован р-n переход, гребенчатый электрод, сформированный, по меньшей мере, на одной стороне полупроводниковой подложки, и шину, связанную с гребенчатым электродом, сформированным на полупроводниковой подложке, и имеющую на своей поверхности рельеф в виде выступов и впадин. ! 2. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что высота выступов относительно впадин на рельефе шины, образованном выступами и впадинами, выбрана в интервале 5-50 мкм. ! 3. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что контур рельефа в виде выступов и впадин в проекции на плоскость подложки имеет вид полос, сетки, гребенки, системы ячеек или множества точек. ! 4. Солнечный элемент по п.2, отличающийся тем, что контур рельефа в виде выступов и впадин в проекции на плоскость подложки имеет вид полос, сетки, гребенки, системы ячеек или множества точек. ! 5. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм. ! 6. Солнечный элемент по п.2, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм. ! 7. Солнечный элемент по п.3, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм. ! 8. Солнечный элемент по п.4, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм. ! 9. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм. ! 10. Солнечный элемент по п.2, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм. ! 11. Солнечный элемент по п.3, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и тол�

Claims (28)

1. Солнечный элемент, содержащий, по меньшей мере: полупроводниковую подложку, в которой сформирован р-n переход, гребенчатый электрод, сформированный, по меньшей мере, на одной стороне полупроводниковой подложки, и шину, связанную с гребенчатым электродом, сформированным на полупроводниковой подложке, и имеющую на своей поверхности рельеф в виде выступов и впадин.
2. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что высота выступов относительно впадин на рельефе шины, образованном выступами и впадинами, выбрана в интервале 5-50 мкм.
3. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что контур рельефа в виде выступов и впадин в проекции на плоскость подложки имеет вид полос, сетки, гребенки, системы ячеек или множества точек.
4. Солнечный элемент по п.2, отличающийся тем, что контур рельефа в виде выступов и впадин в проекции на плоскость подложки имеет вид полос, сетки, гребенки, системы ячеек или множества точек.
5. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм.
6. Солнечный элемент по п.2, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм.
7. Солнечный элемент по п.3, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм.
8. Солнечный элемент по п.4, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм.
9. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
10. Солнечный элемент по п.2, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
11. Солнечный элемент по п.3, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
12. Солнечный элемент по п.4, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
13. Солнечный элемент по п.5, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
14. Солнечный элемент по п.6, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
15. Солнечный элемент по п.7, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
16. Солнечный элемент по п.8, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
17. Солнечный элемент по любому из пп.1-16, отличающийся тем, что шина содержит два слоя.
18. Солнечный элемент по п.17, отличающийся тем, что рельеф в виде выступов и впадин сформирован, по меньшей мере, в одном из двух слоев шины.
19. Солнечный элемент по любому из пп.1-16, отличающийся тем, что шина сформирована методом трафаретной печати с применением электропроводной пасты и впекания указанной пасты.
20. Солнечный элемент по п.17, отличающийся тем, что шина сформирована с применением метода трафаретной печати электропроводной пастой и впекания указанной пасты.
21. Солнечный элемент по п.18, отличающийся тем, что шина сформирована с применением метода трафаретной печати электропроводной пастой и впекания указанной пасты.
22. Солнечный элемент по любому из пп.1-16, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
23. Солнечный элемент по п.17, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
24. Солнечный элемент по п.18, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
25. Солнечный элемент по п.19, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
26. Солнечный элемент по п.20, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
27. Солнечный элемент по п.21, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
28. Способ изготовления солнечного элемента, включающий формирование p-n перехода в полупроводниковой подложке с последующим формированием, по меньшей мере, на одной поверхности указанной подложки гребенчатого электрода и шины, связанной с гребенчатым электродом, сформированным на полупроводниковой подложке, при этом
шину, имеющую двухслойную структуру, формируют посредством двух нанесений электропроводной пасты методом печати с впеканием указанной пасты после каждого нанесения, причем на поверхности шины, имеющей двухслойную структуру, формируют посредством, по меньшей мере, одного из двух указанных нанесений электропроводной пасты и одного впекания рельеф в виде выступов и впадин.
RU2007144052/28A 2005-06-01 2006-05-01 Солнечный элемент и способ его изготовления RU2007144052A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005161251A JP2006339342A (ja) 2005-06-01 2005-06-01 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP2005-161251 2005-06-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2007144052A true RU2007144052A (ru) 2009-07-20

Family

ID=37481378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007144052/28A RU2007144052A (ru) 2005-06-01 2006-05-01 Солнечный элемент и способ его изготовления

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20090025782A1 (ru)
EP (1) EP1887633B2 (ru)
JP (1) JP2006339342A (ru)
KR (1) KR101258968B1 (ru)
CN (1) CN101185170A (ru)
AU (1) AU2006253714B2 (ru)
ES (1) ES2369989T5 (ru)
RU (1) RU2007144052A (ru)
TW (1) TWI422047B (ru)
WO (1) WO2006129446A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2570814C2 (ru) * 2010-12-24 2015-12-10 Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101108862B1 (ko) * 2007-09-26 2012-01-31 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 도전체 접속용 부재 및 그의 제조 방법, 접속 구조, 및 태양 전지 모듈
TW200926210A (en) * 2007-09-27 2009-06-16 Murata Manufacturing Co Ag electrode paste, solar battery cell, and process for producing the solar battery cell
KR100974221B1 (ko) * 2008-04-17 2010-08-06 엘지전자 주식회사 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적 에미터형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법
JP2009272406A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池素子
JP2010034500A (ja) * 2008-06-27 2010-02-12 Kyocera Corp 太陽電池モジュール
JP5368022B2 (ja) * 2008-07-17 2013-12-18 信越化学工業株式会社 太陽電池
DE102008036837A1 (de) * 2008-08-07 2010-02-18 Epcos Ag Sensorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung
JP2010073938A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール及びその製造方法
KR101133028B1 (ko) * 2008-11-18 2012-04-04 에스에스씨피 주식회사 태양 전지용 전극의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 태양 전지용 기판 및 태양 전지
JP5306112B2 (ja) * 2009-02-17 2013-10-02 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
KR101135591B1 (ko) * 2009-03-11 2012-04-19 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
EP2299501A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-23 3S Industries AG Method and apparatus for providing a solar cell with a solder ribbon
KR101146734B1 (ko) * 2009-10-26 2012-05-17 엘지전자 주식회사 태양 전지 셀 및 이를 구비한 태양 전지 모듈
DE102010001780A1 (de) * 2010-02-10 2011-08-11 Koenen GmbH, 85521 Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Druckschablone zum Aufbringen einer Kontaktierung einer Solarzelle
JP5312375B2 (ja) * 2010-02-26 2013-10-09 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
DE102010016771B4 (de) * 2010-05-04 2017-08-24 Solarworld Innovations Gmbh Verfahren zum Fixieren eines Photovoltaik-Zellenverbinders auf einer Oberfläche einer Photovoltaik-Zelle
US8525369B2 (en) 2010-06-02 2013-09-03 GM Global Technology Operations LLC Method and device for optimizing the use of solar electrical power
KR101275576B1 (ko) * 2010-12-28 2013-06-14 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
JP2012138545A (ja) * 2010-12-28 2012-07-19 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
US8691326B2 (en) * 2011-04-01 2014-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for manufacturing solar cell electrode
WO2013046324A1 (ja) * 2011-09-27 2013-04-04 三洋電機株式会社 太陽電池および太陽電池モジュール
JP5516566B2 (ja) * 2011-12-19 2014-06-11 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
CN104040727B (zh) * 2011-12-30 2016-07-06 Memc新加坡私人有限公司 用于太阳能组件的汇流条
US8636198B1 (en) * 2012-09-28 2014-01-28 Sunpower Corporation Methods and structures for forming and improving solder joint thickness and planarity control features for solar cells
CN103178133A (zh) * 2012-12-12 2013-06-26 英利能源（中国）有限公司 一种晶体硅太阳电池电极栅线结构
US9837559B2 (en) 2013-03-13 2017-12-05 China Sunergy (Nanjing) Co. Ltd. Soldering system
JP6064769B2 (ja) * 2013-04-23 2017-01-25 三菱電機株式会社 太陽電池モジュール及び太陽電池セル
JP6630489B2 (ja) * 2015-04-22 2020-01-15 矢崎総業株式会社 電子部品ユニット及びワイヤハーネス
US10490675B2 (en) 2016-03-01 2019-11-26 International Business Machines Corporation User-preference driven control of electrical and thermal output from a photonic energy device
TWI590475B (zh) * 2016-06-17 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 堆疊型太陽能電池模組
TWM539701U (zh) * 2016-08-24 2017-04-11 新日光能源科技股份有限公司 太陽能電池
US10280572B1 (en) * 2017-11-07 2019-05-07 Caterpillar Paving Products Inc. System for heating a paving screed

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02235379A (ja) * 1989-03-08 1990-09-18 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュール
US5118362A (en) * 1990-09-24 1992-06-02 Mobil Solar Energy Corporation Electrical contacts and methods of manufacturing same
JP3077316B2 (ja) * 1991-10-30 2000-08-14 富士電機株式会社 集積回路装置
US5356488A (en) * 1991-12-27 1994-10-18 Rudolf Hezel Solar cell and method for its manufacture
JP3442418B2 (ja) * 1993-01-12 2003-09-02 三洋電機株式会社 光起電力素子
JPH06318723A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Canon Inc 光起電力素子およびその作製方法
US6265652B1 (en) * 1995-06-15 2001-07-24 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kabushiki Kaisha Integrated thin-film solar battery and method of manufacturing the same
JP3653800B2 (ja) * 1995-06-15 2005-06-02 株式会社カネカ 集積化薄膜太陽電池の製造方法
JPH09260696A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Daido Hoxan Inc 太陽電池
JP3687236B2 (ja) * 1996-12-03 2005-08-24 富士電機ホールディングス株式会社 薄膜光電変換素子
JPH11121458A (ja) * 1997-10-21 1999-04-30 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
JPH11307792A (ja) * 1998-04-27 1999-11-05 Kyocera Corp 太陽電池素子
JP3556112B2 (ja) 1998-12-24 2004-08-18 シャープ株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP2003142703A (ja) * 2001-11-06 2003-05-16 Sony Corp 集積型太陽電池の製造方法
AU2002367723A1 (en) * 2002-02-28 2003-09-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Solar cell module and manufacturing method thereof
JP4248356B2 (ja) * 2003-09-26 2009-04-02 三洋電機株式会社 太陽電池装置および太陽電池モジュール
JP4232597B2 (ja) * 2003-10-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 シリコン太陽電池セルとその製造方法
TWI230427B (en) * 2004-06-30 2005-04-01 Phoenix Prec Technology Corp Semiconductor device with electrical connection structure and method for fabricating the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2570814C2 (ru) * 2010-12-24 2015-12-10 Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент

Also Published As

Publication number Publication date
EP1887633A4 (en) 2008-10-22
AU2006253714B2 (en) 2011-06-30
TWI422047B (zh) 2014-01-01
CN101185170A (zh) 2008-05-21
KR20080018873A (ko) 2008-02-28
KR101258968B1 (ko) 2013-04-29
EP1887633A1 (en) 2008-02-13
ES2369989T3 (es) 2011-12-09
ES2369989T5 (es) 2016-09-29
JP2006339342A (ja) 2006-12-14
EP1887633B1 (en) 2011-08-10
WO2006129446A1 (ja) 2006-12-07
EP1887633B2 (en) 2016-06-22
US20090025782A1 (en) 2009-01-29
AU2006253714A1 (en) 2006-12-07
TW200705697A (en) 2007-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007144052A (ru) Солнечный элемент и способ его изготовления
US9269839B2 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US9786800B2 (en) Solar cell contact structure
JP6192742B2 (ja) 光電子デバイス及びその製造方法
EP3123524B1 (en) Optoelectronic device and method of producing the same
KR100953618B1 (ko) 태양 전지
TW201523909A (zh) 用於製造太陽能電池裝置背側觸點的方法和太陽能電池裝置
US8927324B2 (en) Method for the production of a wafer-based, back-contacted heterojunction solar cell and heterojunction solar cell produced by the method
CN205069647U (zh) 具有晶边收集结构的太阳能电池
TWM426876U (en) Solar cell
KR101275576B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101038967B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20100106512A (ko) 실리콘 태양전지의 제조 방법
KR20150049211A (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP3198451U (ja) ４本バスバー太陽電池
KR101637825B1 (ko) 태양전지의 후면전극 구조 및 그 제조방법
CN204558478U (zh) 太阳能电池结构
KR101757877B1 (ko) 태양 전지 및 그의 제조 방법
KR20190043295A (ko) 분할셀을 이용한 기와 적층 형태의 태양전지 모듈
KR101282929B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
JP2020509606A (ja) 太陽光の吸収に有効なｐ型ｐｅｒｃ両面太陽電池及びその製造方法
CN210443567U (zh) 一种背钝化太阳能电池的激光开槽结构
KR101743716B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101026362B1 (ko) 실리콘 태양전지
KR102298442B1 (ko) 태양 전지