KR20080018873A - 태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법 - Google Patents

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신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 적어도, PN접합이 형성된 반도체 기판(5)과, 반도체 기판(5)의 적어도 한 면 위에 빗살 형상으로 형성된 핑거 전극(4)과, 반도체 기판(5) 상에서 상기 핑거 전극(4)에 접속된 버스바 전극(3)을 구비하는 태양 전지에 있어서, 상기 버스바 전극(3)은 표면 상에 요철 패턴(1)이 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지이다. 이에 의해, 버스바 전극에 납땜되는 커넥터가 박리되기 어렵고, 또한, 버스바 전극에 의한 태양광의 차폐가 작은 저비용이면서 고효율인 태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법이 제공된다.

Description

태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법{SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 적어도 PN접합이 형성된 반도체 기판과, 이 반도체 기판의 적어도 한면 위에 빗살 형상으로 형성된 핑거 전극과, 상기 반도체 기판 상에서 상기 핑거 전극에 접속된 버스바 전극을 구비하는 태양 전지에 있어서, 특히 취부하는 커넥터가 박리되기 어렵고 태양광의 차폐가 작은 고효율의 태양 전지에 관한 것이다.
태양 전지에는 일반적으로 PN접합이 형성된 반도체 기판의 수광면 상에, 이 반도체 기판에서 전력을 취출하기 위한 빗살 형상의 핑거 전극과, 이 핑거 전극에 접속하여 전력을 취출하는 버스바 전극이 형성되어 있다.
그리고 버스바 전극에는, 예를 들어 태양 전지끼리 결선하기 위해 땜납에 의해 커넥터가 취부된다.
이 버스바 전극은 기판에 태양광이 입사할 때에 그림자가 되므로 전극폭을 좁게 할 것이 요구된다.
그러나, 버스바 전극의 전극폭을 좁게함으로써, 버스바 전극의 표면적이 작 아지고, 커넥터를 취부하는 땜납과 버스바 전극의 접촉 면적이 감소하여 접착 강도가 저하되고, 취부한 커넥터가 박리되기 쉬워진다는 문제가 있다.
이에 반해, 버스바 전극의 단부 또는 중간부에서 버스바 전극의 표면적을 확대하여 많은 땜납을 부착시킴으로써 취부한 커넥터가 박리되는 것을 방지하는 방법이 제안되어 있다(일본 특개2000-188409호 공보 참조.).
그러나, 이 방법으로는 버스바 전극이 태양광을 차단하는 면적이 증가하므로, 태양 전지의 효율이 저하되게 된다.
[발명의 개시]
이에 본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 버스바 전극에 납땜되는 커넥터가 박리되기 어렵고, 또한 버스바 전극에 의한 태양광의 차폐가 작은 저비용이면서 고효율인 태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의하면, 적어도 PN접합이 형성된 반도체 기판과, 이 반도체 기판의 적어도 한 면 위에 빗살 형상으로 형성된 핑거 전극과, 상기 반도체 기판 상에서 상기 핑거 전극에 접속된 버스바 전극을 구비하는 태양 전지에 있어서, 상기 버스바 전극은 표면 상에 요철 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지가 제공된다.
이와 같이 버스바 전극이 표면 상에 요철 패턴이 형성됨으로써, 커넥터를 취부하는 땜납과의 접촉 면적이 증대하여 버스바 전극과 커넥터의 접촉 강도가 향상된다. 또한, 이에 의해 버스바 전극의 폭을 넓힐 필요가 없으므로, 버스바 전극에 의한 태양광의 차폐를 작게 할 수 있고, 저비용이면서 고효율인 태양 전지가 된다.
이 때, 상기 요철 패턴의 홈부에 대한 돌출부의 높이는 5 내지 50㎛인 것이 바람직하다.
이와 같이 요철 패턴의 홈부에 대한 돌출부의 높이가 5 내지 50㎛인 것에 의해 전극이 너무 높아지는 일도 없고, 적은 전극 재료로 버스바 전극의 표면적을 크게 할 수 있다.
또한, 상기 요철 패턴의 패턴 형상은 줄무늬 형상, 그물 형상, 벌집 형상 및 점 형상 중 어느 하나의 형상인 것이 바람직하다.
이와 같이 요철 패턴의 패턴 형상이 줄무늬 형상, 그물 형상, 벌집 형상 및 점 형상 중 어느 하나의 형상이면, 땜납이 요철 사이로 들어가, 양자의 접촉 면적이 증대되고, 전극과 땜납이 단단하게 접착될 수 있다. 특히, 그물 형상 또는 벌집 형상이면 커넥터의 박리 정도의 방향성의 차를 없앨 수 있고, 점 형상이면 전극 재료의 사용량을 삭감할 수 있다.
나아가, 상기 요철의 돌출부의 간격은 50㎛ 내지 1mm인 것이 바람직하다.
이와 같이 요철의 돌출부의 간격이 50㎛ 내지 1mm인 것에 의해, 접촉 면적이 증대되고, 전극 표면의 요철 사이에 확실하게 땜납이 흘러들어갈 수 있으므로, 접착 강도를 확실하게 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 버스바 전극은 폭이 1 내지 2mm이고 두께가 80㎛이하인 것이 바람직하다.
이와 같이 버스바 전극의 폭이 1 내지 2mm이고 두께가 80㎛이하인 것에 의해, 태양광을 차단하는 전극 면적을 충분히 작게 하고, 전극 재료의 사용량도 작게 제어하면서, 접속하는데 충분히 넓은 전극 표면적을 얻을 수 있다.
나아가, 상기 버스바 전극은 2층으로 된 것이 바람직하고, 상기 버스바 전극의 2층 중 적어도 1층에 의해 상기 요철 패턴의 패턴 형상이 형성된 것이 바람직하다.
이와 같이 버스바 전극은, 2층으로 됨으로써 그 적어도 1층에 의해 용이하게 요철 패턴의 패턴 형상을 형성할 수 있다.
또한, 상기 버스바 전극은 도전성 페이스트가 인쇄되고 소성된 것이 바람직하다.
이와 같이 버스바 전극이 도전성 페이스트가 인쇄되고 소성되는 것에 의해, 저비용이면서 고효율인 태양 전지의 생산 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 도전성 페이스트를 이용하여 버스바 전극을 제작하고, 커넥터를 납땜한 경우에 커넥터가 박리되는 문제를 발생시키기 쉬우므로 본 발명이 특히 유효하다.
나아가, 상기 반도체 기판은 갈륨을 도프한 p형 단결정 실리콘 기판인 것이 바람직하다.
이와 같이 반도체 기판을 갈륨을 도프한 p형 단결정 실리콘 기판으로 함으로써, 광열화를 발생시키지 않고 광전변환 효율이 매우 높은 실용적인 태양 전지로 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 적어도, 반도체 기판 상에 PN접합을 형성한 후, 이 반도체 기판의 적어도 한 면 위에, 빗살 형상의 핑거 전극과 이 핑거 전극에 접속하는 버스바 전극을 형성하는 태양 전지의 제조 방법에 있어서, 도전성 페이스트를 2회 인쇄하여 소성함으로써 2층 구조의 버스바 전극을 형성하고, 상기 2회의 인쇄 및 소성 중 적어도 1회의 인쇄 및 소성에 의해, 상기 2층 구조의 버스바 전극의 표면 상에 요철 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법이 제공된다.
이와 같이 도전성 페이스트를 2회 인쇄하여 소성함으로써 2층 구조의 버스바 전극을 형성하고, 상기 2회의 인쇄 및 소성 중 적어도 1회의 인쇄 및 소성에 의해, 상기 2층 구조의 버스바 전극의 표면 상에 요철 패턴을 형성함으로써, 저비용으로 용이하게 버스바 전극에 납땜되는 커넥터가 박리되는 일이 없는 고효율의 태양 전지를 제조할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 태양 전지라면, 버스바 전극의 폭을 넓히지 않고 버스바 전극의 표면적을 크게 할 수 있으므로, 커넥터를 부착하는 땜납과의 접촉 면적이 증대되어 접착 강도가 향상되고, 커넥터가 박리되기 어려워지고, 또한, 버스바 전극의 폭이 좁으므로 태양광의 차폐가 작은 저비용이면서 고효율의 것이 된다.
도 1은 본 발명에 관한 태양 전지에 있어서, 버스바 전극의 표면 상에 형성된 요철 패턴의 패턴 형상이 그물 형상인 것의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 2는 본 발명에 관한 태양 전지에 있어서, 버스바 전극의 표면 상에 형성된 요철 패턴의 패턴 형상이 줄무늬 형상인 것의 일례의 개략 단면을 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명에 관한 태양 전지에 있어서, 버스바 전극의 표면 상에 형성된 요철 패턴의 패턴 형상이 그물 형상인 것의 일례의 개략 단면을 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명에 관한 태양 전지에 있어서, 버스바 전극의 표면 상에 형성된 요철 패턴의 패턴 형상이 점 형상인 것의 일례의 개략 단면을 나타내는 사시도이다.
[발명의 실시를 위한 최선의 형태]
버스바 전극은, 기판에 태양광이 입사할 때의 그림자가 되므로, 전극 폭을 좁게하는 것이 요구되나, 전극 폭을 좁게 함으로써 버스바 전극과 커넥터의 접촉 면적이 감소되어 접착 강도가 저하되고 땜납에 의해 취부된 커넥터가 박리되기 쉬워진다는 문제가 있다.
이에 본 발명자들은, 예의 연구를 거듭하여, 적어도 PN접합이 형성된 반도체 기판과, 이 반도체 기판의 적어도 한면 위에 빗살 형상으로 형성된 핑거 전극과, 상기 반도체 기판 상에서 상기 핑거 전극에 접속된 버스바 전극을 구비하는 태양 전지에 있어서, 상기 버스바 전극은 표면 상에 요철 패턴이 형성된 것으로 함으로 써, 버스바 전극에 납땜되는 커넥터가 박리되기 어렵고, 또한 버스바 전극에 의한 태양광의 차폐가 적은 저비용이면서 고효율인 태양 전지가 되는 것을 발견하였다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1 내지 4는, 본 발명에 관한 태양 전극으로 버스바 전극의 표면 상에 요철 패턴 형상을 형성한 것의 예를 나타낸 도면이다.
본 발명의 태양 전지는, 적어도 PN접합이 형성된 반도체 기판(5)과, 반도체 기판(5)의 적어도 한면 위에 빗살 형상으로 형성된 핑거 전극(4)과, 반도체 기판(5) 상에서 핑거 전극(4)에 접속된 버스바 전극(3)을 구비하는 태양 전지에 있어서, 버스바 전극(3)은 표면 상에 요철 패턴(1)이 형성된 것이다.
반도체 기판(5)은, 갈륨을 도프한 p형 단결정 실리콘 기판인 것이 바람직하고, 이에 의해 제조하는 태양 전지가 광열화를 발생시키지 않는 광전변환 효율이 매우 높은 실용적인 것이 된다. 우선, 반도체 기판(5)에서 에칭에 의해 손상층을 제거한 후, 반사 방지를 위한 텍스쳐 구조를 형성한 반도체 기판(5)에 PN접합을 형성하는 것이 바람직하다.
PN접합의 형성은, 수광면 측에 인 등의 n형 불순물을 열확산함으로써 수행하는 것이 바람직하나, 도포 확산 또는 이온 주입법에 의해 수행하여도 좋다. 여기서, 태양광 반사 방지와 표면 보호를 위해 플라즈마 CVD법 또는 PVD법 등에 의해 질화막을 수광면 상에 형성하는 것이 바람직하다.
핑거 전극(4)은, PN접합이 형성된 반도체 기판(5)의 수광면 상에 도전성 페 이스트를 빗살 형상으로 스크린 인쇄하여 소성됨으로써 형성되는 것이 바람직하다. 이에 의해 저비용이면서 고효율인 태양 전지를 생산할 수 있다.
버스바 전극(3)은 빗살 형상의 핑거 전극(4)의 밑부분에 접속하도록 형성된다. 나아가, 버스바 전극(3)도 핑거 전극(4)과 마찬가지로 반도체 기판(5)의 수광면 상에 도전성 페이스트를 스크린 인쇄하여 소성됨으로써 형성되는 것이 바람직하고, 핑거 전극(4)과 일체로 인쇄되고 소성됨으로써 형성되면 제조 비용을 억제할 수 있어 더욱 바람직하다.
이와 같은 버스바 전극(3)은 표면 상에 요철 패턴(1)이 형성되는 것에 의해, 커넥터를 취부하는 땜납과의 접촉 면적이 증대되어 앵커 효과가 얻어지고, 버스바 전극(3)과 커넥터의 접착 강도가 향상되어 박리되기 어렵게 된다.
또한, 이에 의해 버스바 전극(3)의 폭을 넓힐 필요가 없으므로, 버스바 전극(3)에 의한 태양광의 차폐를 작게 할 수 있어 저비용이면서 고효율인 태양 전지가 된다.
특히, 버스바 전극(3)은 폭이 1 내지 2mm이고, 두께가 80㎛ 이하인 것이 바람직하고, 이에 의해 태양광을 차단하는 전극 면적을 충분히 작게 하고, 전극 재료의 사용량도 적게 억제하면서, 표면 상에 요철 패턴(1)을 형성함으로써 커넥터를 접속하는데 충분히 넓은 전극 표면적을 얻을 수 있다. 한편, 버스바 전극(3)의 두께는 얇을수록 전극 재료를 절약할 수 있어 바람직하나, 너무 얇으면 버스바 전극(3)의 저항치가 높아지기 쉬워질 수 있으므로, 예를 들어 10㎛ 이상으로 할 수 있다.
요철 패턴(1)의 홈부에 대한 돌출부(2)의 높이는, 5~50㎛으로 하는 것이 바람직하고, 이에 의해 전극이 너무 높아지지 않고 적은 전극 재료로 버스바 전극(3)의 표면적을 크게 할 수 있다.
이와 같이 요철 패턴(1)의 패턴 형상이, 도 2와 같은 줄무늬 형상, 도 1, 도 3과 같은 그물 형상, 벌집 형상, 도 4와 같은 점 형상 중 어느 하나의 형상이면, 땜납이 요철 사이에 들어가 양자의 접촉 면적이 증대되고, 전극과 땜납이 단단하게 접촉될 수 있다.
요철의 돌출부(2)의 간격은, 50㎛ 내지 1mm인 것이 바람직하다. 이에 의해, 접촉 면적이 증대되고 전극 표면의 요철 사이에 확실하게 땜납이 흘러 들어갈 수 있으므로, 확실하게 접착 강도를 향상시키고 앵커 효과를 발휘할 수 있다.
한편, 도 1 내지 4는 돌출부(2)에 의해 요철 패턴(1)의 패턴 형상을 형성한 경우를 나타내고 있으나, 전극 표면의 요철 사이에 확실하게 땜납이 흘러 들어갈 수 있는 것이면 반드시 돌출부(2)에 의하지 않고, 홈부에 의해 줄무늬 형상, 그물 형상, 벌집 형상, 점 형상을 형성하여도 좋다.
특히, 도 1, 도 3과 같은 그물 형상 또는 벌집 형상의 형상이면, 커넥터가 박리 정도의 방향성의 차를 없앨 수 있고, 점 형상의 형상으로 돌출부(2)를 형성한 경우이면, 전극 재료의 사용량을 삭감할 수 있다. 한편, 점 형상으로 형성되는 돌출부 또는 홈부의 형상은, 원형, 타원형, 다각형, 별 모양이어도 관계없다.
버스바 전극(3)은, 2층으로 이루어진 것이 바람직하고, 이에 의해 버스바 전극(3)의 2층 중, 적어도 1층에 의해 용이하게 요철 패턴(1)의 패턴 형상을 형성할 수 있다.
특히, 도전성 페이스트를 2회 인쇄하여 소성함으로써 2층 구조의 버스바 전극(3)을 형성하고, 상기 2회의 인쇄 및 소성 중 적어도 1회의 인쇄 및 소성에 의해, 상기 2층 구조의 버스바 전극(3)의 표면 상에 요철 패턴(1)을 형성하는 것이 바람직하다. 이에 의해 저비용으로 용이하게 버스바 전극(3)에 납땜되는 커넥터가 박리되지 않는 고효율의 태양 전지를 제조할 수 있다.
전극의 표면에 요철 패턴을 형성하기 위해, 버스바 전극(3)의 인쇄를 두번에 나누어 행할 경우, 인쇄 형상의 조합은 예를 들어 다음의 3가지가 있다.
(1) 1층: 평탄 형상 2층: 줄무늬 형상, 그물 형상, 벌집 형상, 점 형상
(2) 1층: 줄무늬 형상, 그물 형상, 벌집 형상, 점 형상 2층; 평탄형
(3) 1층: 줄무늬 형상, 그물 형상, 벌집 형상, 점 형상 2층: 줄무늬 형상, 그물 형상, 벌집 형상, 점 형상
예를 들어, (1)과 같이 1층을 평탄 형상으로 인쇄하고, 그 위에 도 2와 같이 줄무늬 형상으로 2층을 인쇄하거나, 도 1, 도 3, 도 4와 같이 그물 형상이나 점 형상으로 2층을 인쇄하는 것이 바람직하다. 이와 같이 2층의 인쇄 형상에 의해 돌출부(2)를 형성함으로써, 확실하게 버스바 전극(3)에 요철 패턴(1)을 형성할 수 있다.
또한, (2)와 같이 1층을 줄무늬 형상, 그물 형상, 벌집 형상, 점 형상의 형상으로 인쇄하고, 그 위에 2층을 평탄 형상으로 인쇄함으로써 요철 패턴을 형성하 여도 좋으며, 이 경우 1층으로부터 2층이 박리되는 것도 방지할 수 있다.
나아가, (3)과 같이 1층과 2층을 각각 평탄 형상이 아닌 것으로 하여, 각각의 중합의 결과로 버스바 전극(3)의 표면에 요철 패턴을 형성할 수도 있다.
이상과 같은 본 발명의 태양 전지의 버스바 전극(3)에 커넥터를 납땜하여 사용하면, 커넥터가 박리되기 어렵고, 또한 버스바 전극(3)에 의한 태양광의 차폐가 작고, 저비용이면서 고효율로 전력을 얻을 수 있다. 한편, 납땜한 커넥터는 하나의 태양 전지에서 직접 전극을 취출하는 커넥터이거나 복수의 태양 전지끼리 결선하여 전력을 취출하는 인터커넥터이어도 좋다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 여기에 한정되는 것은 아니다.
(실시예, 비교예)
Ⅲ족 원소인 갈륨을 불순물 원소로 하는 p형 단결정 태양 전지용 실리콘 기판(100mm각(角), 면방위{100}, 기판 두께 300㎛, 저항률 0.5Ωcm)을, 수산화칼륨 수용액에 의해 에칭하여 손상층을 제거하였다. 나아가, IPA를 혼입한 수산화칼륨 수용액에 의해 반사 방지 구조인 텍스쳐 구조를 형성하였다.
그리고, 수광면 측에 POCl3 액체 소스를 이용한 열확산에 의해 V족 원소인 인을 불순물로 한 n영역을 수광면에 제작하였다. 여기서, 태양광 반사 방지와 표 면 보호를 겸하여 플라즈마 CVD법에 의해 막두께 70nm의 질화막을 수광면 상에 형성하였다. 나아가, 이면(수광면과 반대의 면)에 대해 알루미늄 입자를 포함하는 도전성 페이스트를 전면에 인쇄하였다.
그리고 수광면에 대해 은 입자를 포함하는 도전성 페이스트를 핑거 전극과 버스바 전극의 형상으로 인쇄하고, 700℃에서 3분간 소성하여 태양 전지를 완성하였다.
여기서, 버스바 전극은 2회 중복하여 인쇄를 수행하였다. 1층은(핑거 전극과 함께) 평탄 형상으로 수행하고, 2층은 도 1, 도 3과 같은 그물 형상으로 수행하였다(실시예), 버스바 전극의 폭은 1.5mm, 1층의 전극 두께는 20㎛, 2층의 전극 두께는 30㎛(이것이 요철의 차가 된다)로 하였다. 또한 2층의 그물 형상의 선 폭은 100㎛, 선의 간격은 200㎛으로 하였다.
나아가 비교를 위해, 2층도 1층과 마찬가지로 평탄 형상으로 제작한 태양 전지를 준비하였다(비교예).
마지막으로, 솔라시뮬레이터(광강도: 1kW/m2, 스펙트럼: AM1.5글로벌)를 준비하여 제작한 태양 전지의 출력 특성을 측정하였다.
또한, 버스바 상에 인터커넥터를 납땜하고, 이 인터커넥터를 기판 표면의 법선 방향으로 2N의 힘으로 잡아당겼을 때의 박리되는 확률을 측정하였다.
얻어진 출력 특성 및 박리되는 확률을 다음의 표1에 나타낸다.
실시예 (2층: 그물 형상) 비교예 (2층: 평탄)
단락 전류 (mA/cm2) 35.3 34.9
개방 전압 (mV) 621.2 620.7
직렬 저항 (Ω·cm2) 0.54 0.51
필 팩터 (%) 78.1 78.6
변환 효율 (%) 17.1 17.0
버스바 전극 표면의 홈부에 대한 돌출부의 높이(㎛) 30 0
인터커넥터의 박리 발생 확률(%) 0 27
실시예의 인터커넥터의 박리 발생 확률은, 비교예에 비해 큰 폭으로 개선되었다는 점에서 본 발명의 태양 전지의 버스바 전극에 커넥터를 납땜함으로써 커넥터가 박리되기 어려워진 것이 확인되었다.
또한, 출력 특성의 측정 결과에서 버스바 전극의 전극 폭을 넓힐 필요가 없는 본 발명에 의한 태양 전지는, 태양광의 차폐가 커지는 일도 없고 효율에의 영향도 작은 것이 확인되었다.
한편 본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용 효과를 나타내는 것은 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
예를 들어, 상기에서는 핑거 전극 및 버스바 전극을 도전성 페이스트를 이용하여 스크린 인쇄로 형성하는 경우를 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 버스바 전극에 납땜한 커넥터가 박리되기 쉬운 것은, 진공 증착 등으로 전극을 형성한 경우 등에서도 동일하고, 본 발명을 적용함으로써 앵커 효과에 의해 박리의 발생률을 저감할 수 있는 것은 당연하다.
또한, 상기에서는 수광면 측에만 버스바 전극을 형성하는 경우에 대해 설명하였으나, 양면에 형성하여도 좋고, 본 발명은 수광면 뿐만 아니라, 이면의 버스바 전극에 적용하여도 좋으며 효과를 나타낸다.

Claims (10)

  1. 적어도, PN접합이 형성된 반도체 기판, 이 반도체 기판의 적어도 한 면 위에 빗살 형상으로 형성된 핑거 전극, 및 상기 반도체 기판 상에서 상기 핑거 전극에 접속된 버스바 전극을 구비하는 태양 전지에 있어서,
    상기 버스바 전극은 표면 상에 요철 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 요철 패턴의 홈부에 대한 돌출부의 높이가 5~50㎛인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 요철 패턴의 패턴 형상은 줄무늬 형상, 그물 형상, 벌집 형상 및 점 형상 중 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 요철의 돌출부의 간격은 50㎛ 내지 1mm인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 버스바 전극은 폭이 1 내지 2mm이고 두께가 80㎛이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 버스바 전극은 2층으로 된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 버스바 전극의 2층 중 적어도 1층에 의해 상기 요철 패턴의 패턴 형상이 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 버스바 전극은 도전성 페이스트가 인쇄되고 소성된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 갈륨을 도프한 p형 단결정 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
  10. 적어도, 반도체 기판 상에 PN접합을 형성한 후, 이 반도체 기판의 적어도 한 면 위에, 빗살 형상의 핑거 전극과 이 핑거 전극에 접속하는 버스바 전극을 형성하는 태양 전지의 제조 방법에 있어서,
    도전성 페이스트를 2회 인쇄하여 소성함으로써 2층 구조의 버스바 전극을 형성하고, 상기 2회의 인쇄 및 소성 중 적어도 1회의 인쇄 및 소성에 의해, 상기 2층 구조의 버스바 전극의 표면 상에 요철 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
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