WO2010095634A1 - 太陽電池モジュール - Google Patents

太陽電池モジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2010095634A1
WO2010095634A1 PCT/JP2010/052320 JP2010052320W WO2010095634A1 WO 2010095634 A1 WO2010095634 A1 WO 2010095634A1 JP 2010052320 W JP2010052320 W JP 2010052320W WO 2010095634 A1 WO2010095634 A1 WO 2010095634A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
solar cell
receiving surface
light receiving
solar
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/052320
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
村上 貴志
大塚 寛之
渡部 武紀
石川 直揮
Original Assignee
信越化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 信越化学工業株式会社 filed Critical 信越化学工業株式会社
Priority to RU2011138163/28A priority Critical patent/RU2526894C2/ru
Priority to US13/201,792 priority patent/US20120103386A1/en
Priority to SG2011058815A priority patent/SG173708A1/en
Priority to CN201080011928.XA priority patent/CN102356471B/zh
Priority to ES10743760T priority patent/ES2785221T3/es
Priority to EP10743760.0A priority patent/EP2400560B1/en
Priority to JP2011500618A priority patent/JPWO2010095634A1/ja
Priority to AU2010216750A priority patent/AU2010216750B2/en
Priority to KR1020117020737A priority patent/KR101733687B1/ko
Publication of WO2010095634A1 publication Critical patent/WO2010095634A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

 受光面及び非受光面を有する第1の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極を具備する第1太陽電池セルと、受光面及び非受光面を有する第2の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極を具備する第2太陽電池セルとが交互に配置されてなることを特徴とする太陽電池モジュール。

Description

太陽電池モジュール
 本発明は、半導体デバイスである太陽電池セルを使用した太陽電池モジュールに関する。
 結晶系太陽電池セルを用いて作製される太陽電池モジュールは、一般的に1種類の導電型基板のみを用いた太陽電池セルを使用して、電圧を高める目的でセル同士を直列繋ぎにして作製されている。このとき、受光面側に第1の極性の電極を持ち、非受光面側に第1の極性の電極とは異なる第2の極性の電極を持つセルを使用した場合、直列繋ぎにするには、受光面側の第1の極性の電極と、非受光面側の第2の極性の電極を、半田成分等を含む導線(タブ線と呼ばれる)等で接続しなければならない。このタブ線で接続する部分の電極は、比較的幅の太い電極(1~3mm程度)で、一般にバスバー電極と呼ばれている。
 上記一般的な太陽電池モジュールでは、モジュール変換効率を高めるため、太陽電池セル同士を極力近づけて配置しようとする。ところが、受光面側と非受光面側の電極をつなぐタブ線があるため、セルの間隔を3.0mm以下の距離まで近づけようとするとタブ線の曲げ応力により、セルのエッジが破損するなどの問題があり、太陽電池モジュールの面積に対する太陽電池セルの充填率を低下させる原因となっている。
 これに対し、単純にタブ線による曲げ応力を減らすため、タブ線自体の厚さを減らすなどすると、配線抵抗が増大するなどの問題がある。その他の方法として、例えば、特開2008-147260号公報(特許文献1)には、予め屈曲部を持つタブ線を用意し、隣り合うセルの間に屈曲部がくるようタブ線を接続することで、タブ線の曲げ応力を減らし、セルのエッジが破損しないようにした太陽電池モジュールが提案されている。
 しかし、この方法では特殊な屈曲部を持つタブ線を準備しなければならず、また屈曲部があるため、タブ線による配線長が長くなる分、太陽電池モジュールのフィルファクタが悪化するという欠点がある。
特開2008-147260号公報
 本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、太陽電池モジュールの面積に対する太陽電池セルの充填率を向上させることで、モジュール変換効率を改善した太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
 本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、受光面及び非受光面を有する第1の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極を具備する第1太陽電池セルと、受光面及び非受光面を有する第1の導電型とは異なる第2の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極を具備する第2太陽電池セルとを交互に配置することで、同一面上に、第1の極性の電極を持つ第1太陽電池セルと、これとは異なる第2の極性の電極を持つ第2太陽電池セルとが並んで存在することになり、受光面同士及び非受光面同士の電極をタブ線で繋ぐことで直列繋ぎが可能となり、セル同士を3.0mm以下に近接させて配置することができ、太陽電池モジュールの面積に対する太陽電池セルの充填率向上によりモジュール変換効率が改善されることを見出すと共に、タブ線の取り付けが容易となり、タブ線による応力がかからなくなるため、セルのエッジが破損することがなくなり、製造歩留りが上昇し、信頼性の高い太陽電池モジュールを製造することができることを見出し、本発明をなすに至った。
 なお、受光面及び非受光面上の電極のうち、バスバー電極と交差する形で出力を集めるために太陽電池セル表面に形成される微細電極で、線幅50~200μm程度のものをフィンガー電極といい、フィンガー電極で集電した出力を外部に取り出すための1~3mm程度の太めの電極をバスバー電極という。
 従って、本発明は、下記の太陽電池モジュールを提供する。
請求項1:
 受光面及び非受光面を有する第1の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極を具備する第1太陽電池セルと、受光面及び非受光面を有する第2の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極を具備する第2太陽電池セルとが交互に配置されてなることを特徴とする太陽電池モジュール。
請求項2:
 第1及び第2の太陽電池セルが直列に接続された部分を有し、この直列接続部分において、第1太陽電池セルの使用枚数が5割以上7割以下の割合であり、第2太陽電池セルの使用枚数が3割以上5割以下の割合である請求項1記載の太陽電池モジュール。
請求項3:
 第1の導電型基板がN型半導体基板であって、第2の導電型基板がP型半導体基板である請求項1又は2記載の太陽電池モジュール。
請求項4:
 太陽電池セル同士の間隔が0.1mm以上3.0mm以下である請求項1、2又は3記載の太陽電池モジュール。
請求項5:
 第1及び第2太陽電池セルの短絡電流密度の差が20%以下である請求項1乃至4のいずれか1項記載の太陽電池モジュール。
 本発明による太陽電池セルの配置及び配線方法を用いることで、太陽電池モジュールの面積に対する太陽電池セルの充填率を改善することが可能で、モジュール変換効率を改善することができる。また、従来の方法に比べ、太陽電池セルのエッジにかかるタブ線の応力を減らすことが出来るため、生産歩留りが改善し、信頼性の高い太陽電池モジュールを作製することができる。
従来の太陽電池モジュールにおける太陽電池セルの直列繋ぎ配線例を示す。aは断面図であり、bは受光面側の平面図である。 本発明の太陽電池モジュールにおける太陽電池セルの直列繋ぎ配線の一例を示す。aは断面図であり、bは受光面側の平面図である。 従来の太陽電池モジュール全体の配線例を示す受光面側の平面図である。 本発明の太陽電池モジュール全体の配線の一例を示す受光面側の平面図である。
 以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は下記の実施形態に限定されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。解り易くするため、太陽電池セルの間隔や、厚さを強調して図示した。また、簡単のためフィンガー電極は省略した。
 本発明の太陽電池モジュールは、受光面及び非受光面を有する第1の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極とを具備する第1太陽電池セルと、受光面及び非受光面を有する第2の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極とを具備する第2太陽電池セルとが交互に配置されてなるものである。この太陽電池モジュールは、図2に示すように、第1の導電型基板を有する太陽電池セル1と、第2の導電型基板を有する太陽電池セル2とが交互に配列されて、バスバー電極3がタブ線4で接続された構造をしている。この場合、第1太陽電池セルの基板の導電型と第2太陽電池セルの基板の導電型とは異なるものであり、例えば前者をN型とした場合、後者はP型となる。また、第1太陽電池セルの基板の受光面の電極の極性と第2太陽電池セルの基板の非受光面の電極の極性とは同じであり、第1太陽電池セルの基板の非受光面の電極と第2太陽電池セルの受光面の電極とは同じ極性である。そして、本発明においては、例えば図2bに示したように、第1太陽電池セルの基板の受光面を上側にして配置した場合、第2太陽電池セルの基板の受光面を上側にして配置し、上記第1太陽電池セルの受光面の電極と第2太陽電池セルの受光面の電極を折曲部を有することなく同一面上に直線状に接続する。
 この場合、本発明で用いる太陽電池セルを構成する基板の導電型、不純物拡散層、反射防止膜等は公知の態様とすることができ、特開2001-77386号公報等に記載の公知の方法で製造することができる。
 本発明の太陽電池セルを構成する半導体基板としては、例えば、P型又はN型単結晶シリコン基板、P型又はN型多結晶シリコン基板、非シリコン系の化合物半導体基板等を用いることができる。単結晶シリコン基板を用いる場合、高純度シリコンに、ホウ素、ガリウム等のIII族元素をドープし、比抵抗0.1~5Ω・cmとしたアズカット単結晶{100}P型シリコン基板等を用いることができる。また、リン、アンチモン、ヒ素等のV族元素をドープした同様のN型シリコン基板等を用いることができる。
 この場合、本発明で用いる単結晶シリコン基板の純度としては、鉄、アルミニウム、チタン等の金属不純物濃度が少ない方が、高ライフタイム基板を用いることで高効率の太陽電池セルを作製できるという点から好ましい。この単結晶シリコン基板は、CZ法、FZ法等いずれの方法によって作製されたものでもよく、この場合、あらかじめ金属グレードシリコンをシーメンス法等の公知の方法により精製したものを上記方法に用いることもできる。
 半導体基板の厚みは基板のコストと歩留り及び変換効率の兼ね合いの点から100~300μmが好ましく、より好ましくは150~250μmである。また、半導体基板の比抵抗が上記範囲より小さいと太陽電池セルの変換効率の分布が小さくなるが、インゴットの引き上げにおいて制限されるため、結晶コストが高くなる場合があり、大きいと太陽電池セルの変換効率の分布が大きくなるが、結晶コストは低くなる場合がある。
 本発明においては、第1の導電型はN型でも良いし、P型でも良い。第2の導電型は、第1の導電型にN型を選んだ場合はP型、第1の導電型にP型を選んだ場合はN型を選択すれば良い。
 また、上記基板表面は、テクスチャと呼ばれる微小な凹凸が形成されていることが好ましい。テクスチャは、太陽電池の表面反射率を低下させるための有効な方法である。このテクスチャは、加熱した水酸化ナトリウム等のアルカリ水溶液中に浸漬することで容易に作製される。
 不純物拡散層としては、不純物源として、リン、ヒ素、アンチモン等のV族元素や、ホウ素、アルミニウム、ガリウム等のIII族元素を用いることができる。具体的には、例えばリンの拡散にはオキシ塩化リン等を用いた気相拡散法により不純物拡散層を形成することができる。この場合、オキシ塩化リン等の雰囲気下で、850~900℃で20~40分間熱処理することが好ましい。また、不純物拡散層の厚さは0.1~3.0μmが好ましく、より好ましくは0.5~2.0μmである。厚すぎると発生した電子と正孔が再結合するサイトが増え、変換効率が低下する場合があり、薄すぎると発生した電子と正孔が再結合するサイトは減少するが、集電電極まで基板内を流れる電流の横流れ抵抗が増大し、変換効率が低下する場合がある。例えば、ホウ素の拡散には、市販されているホウ素入り塗布剤を塗布し、乾燥させた後、900~1050℃で20~60分間熱処理することにより形成できる。
 一般的なシリコン太陽電池は、PN接合を受光面にのみ形成する必要があり、これを達成するために基板同士を2枚重ね合わせた状態で拡散したり、拡散前に裏面にSiO2膜やSiNx膜などを拡散マスクとして形成して、裏面にPN接合ができないような工夫を施すことが好ましい。気相拡散法以外にも、スクリーン印刷法、スピン塗布法等により不純物拡散層を形成することができる。
 反射防止膜は、プラズマCVD装置等を用いて形成されるSiNx膜、熱酸化膜によるSiO2膜と上記SiNx膜の多層膜等が好ましく、膜厚は70~100nmが好ましい。
 このようにして得られた半導体基板に、スクリーン印刷法等を用いて電極を形成するが、電極の形状は特に制限されず、バスバー電極の太さは通常1~3mmが好ましく、片面に1~4本、特に2~3本形成することが好ましい。また、一方の面に複数本形成する場合、これらの電極が互いに平行になるよう形成することが好ましい。
 スクリーン印刷法では、アルミニウム粉末、銀粉末等の導電性粒子、ガラスフリット、有機物バインダ等を混合した導電性ペーストをスクリーン印刷する。印刷後、5~30分間、700~800℃で焼成して、電極が形成される。電極形成は、印刷法により行うことが好ましいが、蒸着法、スパッタリング法等で作製することも可能である。また、受光面及び非受光面の電極の焼成は、一度に行うことも可能である。これにより、第1の導電型基板を有する第1太陽電池セルの受光面上に第1の極性を有する電極が、非受光面上には第1の極性の電極とは異なる第2の極性を有する電極が形成される。同様に、第2の導電型基板を有する第2太陽電池セルの受光面上に第2の極性を有する電極が、非受光面上に第1の極性を有する電極が形成される。例えば、第1の導電型基板としてN型半導体基板を、第2の導電型基板としてP型半導体基板を選択した場合、第1の極性の電極は負極であり、第2の極性の電極は正極となる。
 本発明の太陽電池モジュールは、上述した第1太陽電池セルと第2太陽電池セルとをそれぞれ1枚以上用いてこれらを交互に接続するもので、直列及び/又は並列に接続して、この接続した太陽電池セルを、EVA(エチレン-酢酸ビニル共重合体)等の透明樹脂で封止して太陽電池モジュールとすることができる。更に、封止樹脂と共に一般的なモジュールに用いられる基板や、一般的なモジュールに用いられるフィルムを用いた保護構造としてもよく、スーパーストレート構造、サブストレート構造、ガラスパッケージ構造等のいずれの構造としてもよい。また、モジュール周辺を保護するフレームを取り付けてもよい。このような太陽電池モジュールは、例えば特開平9-51117号公報記載の方法など公知の方法により製造することができる。
 本発明の太陽電池モジュールの好適な態様について図面を参照して更に詳しく説明すると、図1に一般的な太陽電池モジュールにおける太陽電池セルの直列繋ぎ配線例を、図2に本発明の太陽電池モジュールにおける太陽電池セルの直列繋ぎ配線例を示す。それぞれ、aは断面図であり、bは受光面側から見た平面図である。また、図1,2において、1は第1の導電型基板を用いた第1太陽電池セル、2は第2の導電型基板を用いた第2太陽電池セル、3はバスバー電極、4はタブ線である。
 図1の一般的な太陽電池モジュールでは、第1の導電型基板を用いた太陽電池セルだけを使用してモジュールが作られている。従って、受光面側のバスバー電極と、非受光面側のバスバー電極をタブ線で繋ぐことで、直列繋ぎが行われている。モジュール変換効率を高めるため、太陽電池セル同士を極力近づけて配置しようとすると、タブ線の曲げ応力により、セルのエッジが破損する。
 一方、図2の本発明の太陽電池モジュールでは、第1導電型基板を用いた太陽電池セル1と、第2導電型基板を用いた太陽電池セル2とを交互に配置することで、同一面上に第1の極性の電極を持つセルと第2の極性の電極を持つセルが並んで存在することになり、受光面同士及び非受光面同士のタブ線を繋ぐことで直列繋ぎが行われている。その結果、隣接するセル同士を3.0mm以下、特に1.0mm以下に近接させて配置することができる。セル同士の間隔が長すぎると太陽電池モジュールの面積に対する太陽電池セルの充填率が低下し、モジュール変換効率が低下する場合がある。セル同士の間隔は短い方が好ましいが、短すぎるとセル同士が接触し、割れ欠けの原因となるため、0.1mm以上であることが好ましい。また、外周フレームを設置する場合、外周フレームとモジュール端部(最外列)の太陽電池セルとの間隔は0.1~3.0mm、特に0.1~1.0mmが好ましい。この間隔が狭すぎると太陽電池セルとフレームが重なると、シャドーロスとなってモジュール変換効率が低下する場合があり、広すぎると太陽電池モジュールの面積に対する太陽電池セルの充填率が低下し、モジュール変換効率が低下する場合がある。なお、タブ線の接続方法は、常法に従って半田等で接続すればよい。
 次に、図3に一般的な太陽電池モジュール全体の配線例を、図4に本発明の太陽電池モジュール全体の配線例を示す。ここでは太陽電池セルを4枚×4枚の複数列で並べて直列に接続した例を示した。図3,4において、1は第1の導電型基板を用いた第1太陽電池セル、2は第2の導電型基板を用いた第2太陽電池セル、5は第1の極性の電極の終端、6は第2の極性の電極の終端、7は外周フレームを示す。図3と図4を比較すれば解るように、一般的な太陽電池モジュールに比べ、本発明の太陽電池モジュールは、モジュール面積に対するセルの充填率が高いことが解る。
 ここで、本発明の太陽電池モジュールは、第1及び第2の太陽電池セルが直列に接続された部分を有していることが好ましく、この直列接続部分において、第1の導電型基板を用いた第1太陽電池セルの使用枚数は5割以上7割以下の割合であることが好ましく、より好ましくは5割以上6割以下の割合であり、第2の導電型基板を用いた第2太陽電池セルの使用枚数は3割以上5割以下の割合であることが好ましく、より好ましくは4割以上5割以下の割合である。第1もしくは第2の太陽電池セルのどちらかが極端に多くなると本発明によるメリットが生かせる直列つなぎ配線ができなくなる場合がある。
 また、第1太陽電池セルと第2太陽電池セルの短絡電流密度の差は20%以下であることが好ましく、より好ましくは10%以下である。短絡電流密度の差が大きすぎると太陽電池モジュールの短絡電流密度は直列つなぎされたセルの中で短絡電流密度の小さいものに制限される場合がある。
 以下、実施例及び比較例を示し、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。下記実施例において、太陽電池セル及び太陽電池モジュールの特性は、ソーラーシミュレーター(光強度:1kW/m2、スペクトル:AM1.5グローバル)を用いて、短絡電流密度、開放電圧、フィルファクタ、変換効率を測定した。
  [実施例1]
 実施例として、図4記載の構造の太陽電池モジュールを下記の通り作製した。
 第1の導電型基板としてN型シリコン単結晶基板を、第2の導電型基板としてP型シリコン単結晶基板を用いた太陽電池セルを用意した。用意したセルのサイズは何れも100mm角サイズであった。
 N型基板を用いた太陽電池セルの平均特性は、短絡電流密度35.1mA/cm2、開放電圧0.619V、フィルファクタ78.3%、変換効率17.0%であった。
 P型基板を用いた太陽電池セルの平均特性は、短絡電流密度35.1mA/cm2、開放電圧0.618V、フィルファクタ78.5%、変換効率17.0%であった。
 太陽電池モジュールでは太陽電池セルを直列繋ぎにするため、セルを用意するにあたり、特性は短絡電流密度を同程度に揃えた。
 上記2種類の太陽電池セルを用い、4×4の16枚を用いて本発明の太陽電池モジュールを作製した。このとき、太陽電池セル同士の隙間は0.5mmとし、モジュール外周のセルとフレームの隙間は1.0mmとし、フレームの幅は5.0mmのものを使用した。バスバー方向におけるモジュールの端となるセルからは、タブ線を3.0mm飛び出す形で、次の列のバスバー電極と配線を接続した。
 作製したモジュールは、フレームを含めて縦413.5mm×横419.5mmのサイズであった。
 得られた太陽電池モジュールの特性は、短絡電流3.50A、開放電圧9.88V、フィルファクタ77.9%、変換効率15.5%であった。
 なお、太陽電池セル同士の隙間を0.5mmとしたが、セルのエッジに破損は無かった。
  [比較例1]
 比較例として、図3記載の一般的な構造の太陽電池モジュールを下記の通り作製した。
 太陽電池セルは、上記実施例の第1の導電型基板を用いたセルのみを用い、4×4の16枚を用いた。このとき、太陽電池セル同士の隙間は、バスバー方向でタブ線による配線の隙間は4.0mmとし、タブ線による配線がない隙間は0.5mmとした。その他、モジュール外周のセルとフレームの隙間、フレームの幅、バスバー方向におけるモジュールの端となるセルからのタブ線の飛び出し幅は、上記実施例と同じとした。
 作製したモジュールは、フレームを含めて縦413.5mm×横430mmのサイズであった。
 比較例で作製した太陽電池モジュールの特性は、短絡電流3.51A、開放電圧9.90V、フィルファクタ77.4%、変換効率15.2%であった。
 1 第1の導電型基板を用いた第1太陽電池セル
 2 第2の導電型基板を用いた第2太陽電池セル
 3 バスバー電極
 4 タブ線
 5 第1の極性の電極の終端
 6 第2の極性の電極の終端
 7 外周フレーム

Claims (5)

  1.  受光面及び非受光面を有する第1の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極を具備する第1太陽電池セルと、受光面及び非受光面を有する第2の導電型基板と、これら受光面及び非受光面上にそれぞれ形成され、互いに異なる極性を有する電極を具備する第2太陽電池セルとが交互に配置されてなることを特徴とする太陽電池モジュール。
  2.  第1及び第2の太陽電池セルが直列に接続された部分を有し、この直列接続部分において、第1太陽電池セルの使用枚数が5割以上7割以下の割合であり、第2太陽電池セルの使用枚数が3割以上5割以下の割合である請求項1記載の太陽電池モジュール。
  3.  第1の導電型基板がN型半導体基板であって、第2の導電型基板がP型半導体基板である請求項1又は2記載の太陽電池モジュール。
  4.  太陽電池セル同士の間隔が0.1mm以上3.0mm以下である請求項1、2又は3記載の太陽電池モジュール。
  5.  第1及び第2太陽電池セルの短絡電流密度の差が20%以下である請求項1乃至4のいずれか1項記載の太陽電池モジュール。
PCT/JP2010/052320 2009-02-17 2010-02-17 太陽電池モジュール WO2010095634A1 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011138163/28A RU2526894C2 (ru) 2009-02-17 2010-02-17 Модуль солнечной батареи
US13/201,792 US20120103386A1 (en) 2009-02-17 2010-02-17 Solar battery module
SG2011058815A SG173708A1 (en) 2009-02-17 2010-02-17 Solar battery module
CN201080011928.XA CN102356471B (zh) 2009-02-17 2010-02-17 太阳能电池模块
ES10743760T ES2785221T3 (es) 2009-02-17 2010-02-17 Módulo de batería solar
EP10743760.0A EP2400560B1 (en) 2009-02-17 2010-02-17 Solar battery module
JP2011500618A JPWO2010095634A1 (ja) 2009-02-17 2010-02-17 太陽電池モジュール
AU2010216750A AU2010216750B2 (en) 2009-02-17 2010-02-17 Solar battery module
KR1020117020737A KR101733687B1 (ko) 2009-02-17 2010-02-17 태양전지 모듈

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-033843 2009-02-17
JP2009033843 2009-02-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010095634A1 true WO2010095634A1 (ja) 2010-08-26

Family

ID=42633914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/052320 WO2010095634A1 (ja) 2009-02-17 2010-02-17 太陽電池モジュール

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20120103386A1 (ja)
EP (1) EP2400560B1 (ja)
JP (1) JPWO2010095634A1 (ja)
KR (1) KR101733687B1 (ja)
CN (1) CN102356471B (ja)
AU (1) AU2010216750B2 (ja)
ES (1) ES2785221T3 (ja)
MY (1) MY159905A (ja)
RU (1) RU2526894C2 (ja)
SG (1) SG173708A1 (ja)
TW (1) TWI493732B (ja)
WO (1) WO2010095634A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012211008A1 (de) 2012-06-27 2014-01-02 Robert Bosch Gmbh Batterie mit mechanisch miteinander verbundenen Batteriezellen
US20140311548A1 (en) * 2011-11-10 2014-10-23 Lg Innotek Co., Ltd Solar cell module
JP2015520516A (ja) * 2012-06-05 2015-07-16 サン−ゴバン グラス フランスSaint−Gobain Glass France 光起電性モジュールが組み込まれたルーフパネル

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150194551A1 (en) * 2014-01-09 2015-07-09 Emcore Solar Power, Inc. Solar cell array having two different types of cells
EP2919275B1 (en) * 2014-03-13 2021-08-18 Airbus Defence and Space GmbH Solar cell interconnector, solar cell array and method of interconnecting solar cells of a solar cell array
FR3024283B1 (fr) * 2014-07-25 2016-08-12 Commissariat Energie Atomique Module photovoltaique comprenant une pluralite de cellules bifaciales et procede de fabrication d'un tel module
CN104701415A (zh) * 2015-02-13 2015-06-10 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种利用不同结构太阳能电池片制作太阳能电池组件的方法
KR102583243B1 (ko) 2015-10-08 2023-09-27 한국과학기술원 모바일 디바이스를 이용한 증강 현실 기반 가이드 방법
CN106784052A (zh) * 2017-02-10 2017-05-31 泰州中来光电科技有限公司 一种太阳能电池组件
CN111755569A (zh) * 2020-06-17 2020-10-09 无锡先导智能装备股份有限公司 电池串制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0951117A (ja) 1995-05-31 1997-02-18 Sharp Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
JPH11354822A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 両面入射型太陽電池モジュール
JP2000315811A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Sekisui Jushi Co Ltd 太陽電池素子の直列接続方法及び太陽電池モジュール
JP2001077386A (ja) 1999-09-07 2001-03-23 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
JP2002026361A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Hitachi Ltd 両面受光型太陽電池モジュール
JP2007201331A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力モジュール
WO2008016043A1 (en) * 2006-07-31 2008-02-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell module
JP2008147260A (ja) 2006-12-06 2008-06-26 Sharp Corp インターコネクタ、太陽電池ストリング、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュール製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3370986A (en) * 1963-12-10 1968-02-27 Westinghouse Electric Corp Photovoltaic series array comprising p/n and n/p cells
DE3124581A1 (de) * 1980-09-26 1982-05-19 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Solarzellenanordnung
US4467438A (en) * 1982-01-18 1984-08-21 Dset Laboratories, Inc. Method and apparatus for determining spectral response and spectral response mismatch between photovoltaic devices
US4746618A (en) * 1987-08-31 1988-05-24 Energy Conversion Devices, Inc. Method of continuously forming an array of photovoltaic cells electrically connected in series
CN1291502C (zh) * 2001-03-19 2006-12-20 信越半导体株式会社 太阳能电池及其制造方法
US20070137698A1 (en) * 2002-02-27 2007-06-21 Wanlass Mark W Monolithic photovoltaic energy conversion device
RU2234166C1 (ru) * 2003-04-21 2004-08-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Квант" Гибкий модуль солнечной батареи
US7714224B2 (en) * 2004-09-03 2010-05-11 Shin - Etsu Chemical Co., Ltd. Photovoltaic power generation module and photovoltaic power generation system employing same
DE102006021804A1 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Solarzellenmodul sowie Verfahren zur Herstellung von Solarzellenmodulen
JP5507034B2 (ja) * 2007-03-01 2014-05-28 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0951117A (ja) 1995-05-31 1997-02-18 Sharp Corp 太陽電池モジュール及びその製造方法
JPH11354822A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 両面入射型太陽電池モジュール
JP2000315811A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Sekisui Jushi Co Ltd 太陽電池素子の直列接続方法及び太陽電池モジュール
JP2001077386A (ja) 1999-09-07 2001-03-23 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
JP2002026361A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Hitachi Ltd 両面受光型太陽電池モジュール
JP2007201331A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力モジュール
WO2008016043A1 (en) * 2006-07-31 2008-02-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell module
JP2008147260A (ja) 2006-12-06 2008-06-26 Sharp Corp インターコネクタ、太陽電池ストリング、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュール製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140311548A1 (en) * 2011-11-10 2014-10-23 Lg Innotek Co., Ltd Solar cell module
JP2015520516A (ja) * 2012-06-05 2015-07-16 サン−ゴバン グラス フランスSaint−Gobain Glass France 光起電性モジュールが組み込まれたルーフパネル
DE102012211008A1 (de) 2012-06-27 2014-01-02 Robert Bosch Gmbh Batterie mit mechanisch miteinander verbundenen Batteriezellen
WO2014001034A1 (de) 2012-06-27 2014-01-03 Robert Bosch Gmbh Batterie mit mechanisch miteinander verbundenen batteriezellen
US10644291B2 (en) 2012-06-27 2020-05-05 Robert Bosch Gmbh Battery comprising battery cells which are mechanically connected to one another

Also Published As

Publication number Publication date
TW201101509A (en) 2011-01-01
TWI493732B (zh) 2015-07-21
ES2785221T3 (es) 2020-10-06
EP2400560A1 (en) 2011-12-28
US20120103386A1 (en) 2012-05-03
AU2010216750A1 (en) 2011-09-01
MY159905A (en) 2017-02-15
SG173708A1 (en) 2011-09-29
AU2010216750B2 (en) 2014-11-27
KR20110122176A (ko) 2011-11-09
EP2400560A4 (en) 2017-03-08
KR101733687B1 (ko) 2017-05-11
EP2400560B1 (en) 2020-03-25
CN102356471A (zh) 2012-02-15
CN102356471B (zh) 2015-11-25
JPWO2010095634A1 (ja) 2012-08-23
RU2011138163A (ru) 2013-03-27
RU2526894C2 (ru) 2014-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010095634A1 (ja) 太陽電池モジュール
US9455360B2 (en) Method of fabricating a metal wrap through solar cell
JP5289625B1 (ja) 太陽電池モジュール
EP2916361B1 (en) Solar cell and solar cell module
WO2011024587A1 (ja) 導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法
CN107104161A (zh) 具有反射器的双面晶体硅太阳能板
JP2010192572A (ja) 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
US20140210073A1 (en) Conductive paste, electrode for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP4953562B2 (ja) 太陽電池モジュール
KR101875742B1 (ko) 태양 전지 모듈
JP2010080578A (ja) 光電変換素子およびその製造方法
JP4185332B2 (ja) 太陽電池セル及びそれを用いた太陽電池モジュール
US20120211050A1 (en) Solar battery module
JP5516441B2 (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5868755B2 (ja) 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
EP3125300B1 (en) Solar cell and solar cell module using same
JP2006013173A (ja) 太陽電池モジュール
ES2942985T3 (es) Celda solar de tipo electrodo de superficie posterior de alta eficiencia y método de fabricación de la misma
JP2016178280A (ja) 太陽電池素子およびこれを用いた太陽電池モジュール
JP2012054286A (ja) 太陽電池モジュール
JP2010267990A (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール
JP2015029014A (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080011928.X

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10743760

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011500618

Country of ref document: JP

Ref document number: 6105/DELNP/2011

Country of ref document: IN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010216750

Country of ref document: AU

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010743760

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2010216750

Country of ref document: AU

Date of ref document: 20100217

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117020737

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011138163

Country of ref document: RU

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13201792

Country of ref document: US