RU2006109199A - Шпинельные були и пластины и способы их изготовления - Google Patents

Шпинельные були и пластины и способы их изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2006109199A
RU2006109199A RU2006109199/15A RU2006109199A RU2006109199A RU 2006109199 A RU2006109199 A RU 2006109199A RU 2006109199/15 A RU2006109199/15 A RU 2006109199/15A RU 2006109199 A RU2006109199 A RU 2006109199A RU 2006109199 A RU2006109199 A RU 2006109199A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plate according
flat surface
plate
spinel
crystal spinel
Prior art date
Application number
RU2006109199/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2335582C2 (ru
Inventor
Дженнифер СТОУН-САНДБЕРГ (US)
Дженнифер СТОУН-САНДБЕРГ
Милэн КОКТА (US)
Милэн КОКТА
Роберт СИНК (US)
Роберт СИНК
Ханг ОНГ (US)
Ханг ОНГ
Original Assignee
Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. (Us)
Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. (Us), Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. filed Critical Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. (Us)
Publication of RU2006109199A publication Critical patent/RU2006109199A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2335582C2 publication Critical patent/RU2335582C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/26—Complex oxides with formula BMe2O4, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn, or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Claims (38)

1. Однокристаллическая шпинельная пластина, содержащая переднюю сторону и заднюю сторону; и внешний периметр, имеющий первую и вторую плоские поверхности.
2. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.1, имеющая <111> кристаллографическую ориентацию.
3. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.1, в которой передняя и задняя стороны пластины идут вдоль {111} кристаллографической плоскости.
4. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.1, в которой первая плоская поверхность указывает ориентацию плоскости спайности пластины.
5. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.4, в которой плоскость спайности пластины пересекает переднюю сторону в местоположении точек, идущих вдоль линии, параллельной первой плоской поверхности.
6. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.5, в которой первая плоская поверхность идет вдоль плоскости {22-4) и {11-2} семейства плоскостей.
7. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.5, в которой вторая плоская поверхность указывает направление распространения разлома плоскости спайности.
8. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.5, в которой вторая плоская поверхность идентифицирует переднюю и заднюю поверхности пластины.
9. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.5, в которой плоскость спайности образует угол около 55° по отношению к передней стороне.
10. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.1, в которой вторая плоская поверхность идет вдоль плоскости в семействе плоскостей {02-2}, {01-1}, {22-4} и {11-2}, которая не является параллельной плоскости главной плоской поверхности.
11. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.1, в которой нормаль к первой плоской поверхности и нормаль ко второй плоской поверхности лежат в одной и той же плоскости, так что нормали пересекают друг друга, причем нормали образуют угол 60, 90, 120 или 150°.
12. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.1, содержащая не стехиометрическую шпинель.
13. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.12, имеющая композицию в соответствии с общей формулой aAD. bE2D3, в которой А выбирают из группы, в которую входят Mg, Ca, Zn, Mn, Ba, Sr, Cd, Fe, а также их комбинации, Е выбирают из группы, в которую входят Al, In, Cr, Sc, Lu, Fe, а также их комбинации, и D выбирают из группы, в которую входят О, S, Se, а также их комбинации, причем отношение b:а>1:1, так что шпинель богата E2D3.
14. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.13, в которой А представляет собой Mg, D представляет собой О, а Е представляет собой Al, так что однокристаллическая шпинель имеет формулу aMgO·bAl2O3.
15. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.13, в которой отношение b:а составляет ориентировочно не меньше, чем 1.2:1.
16. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.13, в которой отношение b:а составляет ориентировочно не меньше, чем 1.5:1.
17. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.13, в которой отношение b:а составляет ориентировочно не меньше, чем 2.0:1.
18. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.13, в которой отношение b:а составляет ориентировочно не меньше, чем 2.5:1.
19. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.13, в которой отношение b:а составляет ориентировочно не больше, чем 4:1.
20. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.13, имеющая меньшие механические напряжения по сравнению со стехиометрической шпинелью.
21. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.1, дополнительно содержащая активный слой, представляющий собой нитридный полупроводниковый слой.
22. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.21, в которой нитридный полупроводниковый слой содержит AlxGa1-х-уInyN, где 0≤х≤0.25 и 0≤y≤0.5.
23. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.21, в которой плоскость спайности пластины пересекает переднюю сторону в местоположении точек, идущих вдоль линии, являющейся параллельной первой плоской поверхности и параллельной плоскости спайности активного слоя.
24. Однокристаллическая шпинельная пластина по п.1, в которой первая плоская поверхность представляет собой главную плоскую поверхность, а вторая плоская поверхность представляет собой вспомогательную плоскую поверхность.
25. Активное устройство, полученное на пластине по п.1.
26. Устройство по п.25, представляющее собой оптоэлектронное устройство, выбранное из группы, в которую входят лазер или СИД.
27. Однокристаллическая пластина, содержащая переднюю сторону и заднюю сторону; плоскость спайности, пересекающую переднюю сторону в местоположении точек, идущих вдоль первой линии; и внешний периметр, имеющий первую и вторую плоские поверхности, причем первая и вторая плоские поверхности идентифицируют (i) ориентацию плоскости спайности пластины, определенную связью между первой линией и первой плоской поверхностью, и (ii) направление распространения разлома плоскости спайности от линии.
28. Пластина по п.27, в которой первая линия и плоскость спайности имеют заданный угол относительно друг друга.
29. Пластина по п.27, в которой первая линия и плоскость спайности параллельны друг другу.
30. Пластина по п.27, в которой плоскость спайности пересекает нижнюю сторону вдоль местоположения точек, образующих вторую линию, причем плоскость спайности ориентирована таким образом, что она имеет наклон с удалением от первой плоской поверхности, при этом вторая линия расположена на расстоянии от первой плоской поверхности, которое больше, чем расстояние между первой линией и первой плоской поверхностью.
31. Пластина по п.30, в которой первая плоская поверхность представляет собой главную плоскую поверхность, а вторая плоская поверхность представляет собой вспомогательную плоскую поверхность.
32. Пластина по п.30, в которой расположение второй плоской поверхности указывает направление наклона плоскости спайности.
33. Пластина по п.27, состоящая главным образом из одного кристалла, имеющего шпинельную кристаллическую структуру.
34. Способ изготовления активного устройства, включающий следующие операции: использование однокристаллической шпинельной пластины, имеющей переднюю сторону, заднюю сторону и внешний периметр, имеющий первую и вторую плоские поверхности; ориентирование пластины на основании положений первой и второй плоских поверхностей; образование по меньшей мере одного активного слоя, перекрывающего пластину; и разламывание пластины.
35. Однокристаллическая шпинельная буля, которая содержит внешний периметр, имеющий первую и вторую плоские поверхности.
36. Способ изготовления пластин, включающий следующие операции: образование однокристаллической були, имеющей <111> ориентацию; образование первой и второй плоских поверхностей були; и резка були на пластины, причем первая и вторая плоские поверхности указывают ориентацию плоскости спайности пластины и идентифицируют переднюю и заднюю стороны пластины.
37. Способ по п.36, в котором местоположение первой и второй плоских поверхностей определяют при помощи электронного формирования изображений.
38. Способ по п.36, который дополнительно предусматривает образование первой и второй противоположных плоских поверхностей на первом и втором концах були, причем плоские поверхности образуют таким образом, что центральная ось були, которая идет перпендикулярно к первой и второй плоским поверхностям, находится в пределах 5° от <111> направления.
RU2006109199/15A 2003-09-23 2004-09-17 Монокристаллическая шпинельная пластина RU2335582C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/668,610 US7326477B2 (en) 2003-09-23 2003-09-23 Spinel boules, wafers, and methods for fabricating same
US10/668,610 2003-09-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006109199A true RU2006109199A (ru) 2006-09-10
RU2335582C2 RU2335582C2 (ru) 2008-10-10

Family

ID=34313522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006109199/15A RU2335582C2 (ru) 2003-09-23 2004-09-17 Монокристаллическая шпинельная пластина

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7326477B2 (ru)
EP (1) EP1670975B1 (ru)
JP (1) JP4949839B2 (ru)
AT (1) ATE510940T1 (ru)
IL (1) IL174351A0 (ru)
MY (1) MY137813A (ru)
RU (1) RU2335582C2 (ru)
TW (1) TWI290965B (ru)
WO (1) WO2005031046A1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8161388B2 (en) * 2004-01-21 2012-04-17 Rodriguez Arturo A Interactive discovery of display device characteristics
US7919815B1 (en) * 2005-02-24 2011-04-05 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Spinel wafers and methods of preparation
EP2168935A1 (de) 2008-09-29 2010-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Materialzusammensetzung zur Herstellung eines Feuerfestwerkstoffes sowie ihre Verwendung und Feuerfestformkörper sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009013685B4 (de) 2009-03-20 2013-01-31 Novaled Ag Verwendung einer organischen Diode als organische Zenerdiode und Verfahren zum Betreiben
DE102012003483B3 (de) 2012-02-21 2013-02-21 Technische Universität Bergakademie Freiberg Thermoschock- und korrosionsbeständiger Keramikwerkstoff auf der Basis von Calciumzirkonat und Verfahren zu seiner Herstellung
US10872759B2 (en) * 2014-09-08 2020-12-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide single crystal substrate and method for manufacturing the same
JP7128067B2 (ja) * 2018-09-14 2022-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置

Family Cites Families (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2634554A (en) * 1953-04-14 Synthetic gem production
DE1544261C3 (de) * 1965-03-30 1975-12-18 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer einkristallinen Schicht eines nach dem Diamant- oder nach Zinkblendegitter kristallisierenden Halbleitermaterials
FR1471976A (fr) 1965-03-30 1967-03-03 Siemens Ag Procédé pour déposer épitaxialement une substance semi-conductrice cristallisantdans le réseau du diamant ou dans celui de la blende
US3885978A (en) * 1968-05-31 1975-05-27 Matsushita Electric Works Ltd Inorganic coating composition
FR1597033A (ru) * 1968-06-19 1970-06-22
DE1769635A1 (de) * 1968-06-20 1972-03-30 Siemens Ag Duenne Halbleiter-Aufwachsschicht auf tonerdearmen,tiegelgezogenem Magnesium-Aluminium-Spinell-Einkristall,sowie Verfahren zur Herstellung der Schicht und zur Herstellung der Einkristalle
US3658586A (en) * 1969-04-11 1972-04-25 Rca Corp Epitaxial silicon on hydrogen magnesium aluminate spinel single crystals
US3816906A (en) * 1969-06-20 1974-06-18 Siemens Ag Method of dividing mg-al spinel substrate wafers coated with semiconductor material and provided with semiconductor components
US3964942A (en) * 1970-10-16 1976-06-22 International Business Machines Corporation Chemical polishing of single crystal dielectrics
US3796597A (en) * 1970-11-02 1974-03-12 Texas Instruments Inc Method of producing semiconducting monocrystalline silicon on spinel substrates
US3753775A (en) * 1971-03-01 1973-08-21 Rca Corp Chemical polishing of sapphire
US3736158A (en) * 1971-03-19 1973-05-29 G Cullen Czochralski-grown spinel for use as epitaxial silicon substrate
US3808065A (en) * 1972-02-28 1974-04-30 Rca Corp Method of polishing sapphire and spinel
US4177321A (en) * 1972-07-25 1979-12-04 Semiconductor Research Foundation Single crystal of semiconductive material on crystal of insulating material
US3808836A (en) * 1972-11-30 1974-05-07 H Jones Doublet gem construction
US3883313A (en) * 1972-12-14 1975-05-13 Rca Corp Modified czochralski-grown magnesium aluminate spinel and method of making same
US3898051A (en) * 1973-12-28 1975-08-05 Crystal Syst Crystal growing
GB1488940A (en) * 1974-03-28 1977-10-19 Siemens Ag Production of monocrystals by the verneuil method
JPS5117663A (en) * 1974-08-02 1976-02-12 Handotai Kenkyu Shinkokai Handotaikibanyo supineruketsusho
US3950504A (en) * 1974-09-26 1976-04-13 Quigley Company, Inc. Process for producing magnesium aluminate spinel
JPS5343481A (en) 1976-10-01 1978-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Mirror surface etching method of sapphire substrate crystal
JPS5426873A (en) 1977-07-30 1979-02-28 Matsushita Electric Works Ltd Method of strengthing base material of paper for resin impregnation
US4347210A (en) * 1980-05-09 1982-08-31 Raytheon Company Method of forging spinel domes
US4370739A (en) * 1980-06-09 1983-01-25 Rca Corporation Spinel video disc playback stylus
JPS5890736A (ja) 1981-11-25 1983-05-30 Toshiba Corp 半導体装置用サフアイア基板
FR2521123A1 (fr) * 1982-02-09 1983-08-12 Thomson Csf Procede de production de verre de silice dopee destine a l'elaboration de preforme pour fibre optique
JPS58211736A (ja) 1982-06-03 1983-12-09 Toshiba Corp ニオブ酸リチウム単結晶素子の製造方法
FR2555157B1 (fr) * 1983-11-22 1989-03-03 France Etat Nouveaux oxydes mixtes utilisables en particulier dans des lasers accordables
JPS61134111A (ja) * 1984-12-04 1986-06-21 Shin Etsu Chem Co Ltd タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ
JPS61142759A (ja) * 1984-12-14 1986-06-30 Ngk Spark Plug Co Ltd Ｉｃパツケ−ジ用基板
US4657754A (en) * 1985-11-21 1987-04-14 Norton Company Aluminum oxide powders and process
JPS62123059A (ja) 1985-11-25 1987-06-04 株式会社住友金属セラミックス 表面平滑性の良いセラミック組成物の製造方法
JPS62188325A (ja) 1986-02-14 1987-08-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体のｏｆ面出し方法及び装置
US4790982A (en) * 1986-04-07 1988-12-13 Katalistiks International, Inc. Metal-containing spinel composition and process of using same
US4819167A (en) * 1987-04-20 1989-04-04 Applied Materials, Inc. System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer
US5138298A (en) * 1989-11-02 1992-08-11 Sanken Electric Co., Ltd. Metallic oxide resistive bodies having a nonlinear volt-ampere characteristic and method of fabrication
US6258137B1 (en) * 1992-02-05 2001-07-10 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. CMP products
AU650382B2 (en) * 1992-02-05 1994-06-16 Norton Company Nano-sized alpha alumina particles
JPH07235692A (ja) 1993-12-30 1995-09-05 Sony Corp 化合物半導体装置及びその形成方法
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
JPH07307316A (ja) 1994-05-12 1995-11-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ −ｖ族半導体ウエ−ハ及びその加工方法
US5426083A (en) 1994-06-01 1995-06-20 Amoco Corporation Absorbent and process for removing sulfur oxides from a gaseous mixture
US5741729A (en) * 1994-07-11 1998-04-21 Sun Microsystems, Inc. Ball grid array package for an integrated circuit
JP3559315B2 (ja) 1994-07-29 2004-09-02 京セラ株式会社 膜組成分析方法
JP3015261B2 (ja) 1994-09-12 2000-03-06 科学技術振興事業団 表面特性を改善するサファイア単結晶基板の熱処理方法
JP3329594B2 (ja) 1994-09-28 2002-09-30 有限会社遠野精器 フォトマスク用サファイヤ基板の製造方法
US5643044A (en) * 1994-11-01 1997-07-01 Lund; Douglas E. Automatic chemical and mechanical polishing system for semiconductor wafers
US5557624A (en) * 1995-01-20 1996-09-17 Hughes Aircraft Company Laser system using U-doped crystal Q-switch
US5530267A (en) * 1995-03-14 1996-06-25 At&T Corp. Article comprising heteroepitaxial III-V nitride semiconductor material on a substrate
JPH08316571A (ja) * 1995-03-16 1996-11-29 Fujitsu Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
US5850410A (en) * 1995-03-16 1998-12-15 Fujitsu Limited Semiconductor laser and method for fabricating the same
US5654973A (en) * 1995-05-05 1997-08-05 Hughes Electronics Laser system using Co2+ -doped crystal Q-switch
US5742026A (en) * 1995-06-26 1998-04-21 Corning Incorporated Processes for polishing glass and glass-ceramic surfaces using excimer laser radiation
US5825913A (en) * 1995-07-18 1998-10-20 Cognex Corporation System for finding the orientation of a wafer
JP2987111B2 (ja) 1995-08-31 1999-12-06 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JPH09129651A (ja) 1995-08-31 1997-05-16 Hewlett Packard Co <Hp> サファイア基板のサーマル・アニーリング方法及び装置
US5802083A (en) * 1995-12-11 1998-09-01 Milton Birnbaum Saturable absorber Q-switches for 2-μm lasers
US5968267A (en) * 1996-01-25 1999-10-19 General Signal Technology Corporation Antivibration support for Czochralski crystal growing systems
US5644400A (en) * 1996-03-29 1997-07-01 Lam Research Corporation Method and apparatus for determining the center and orientation of a wafer-like object
US5822213A (en) * 1996-03-29 1998-10-13 Lam Research Corporation Method and apparatus for determining the center and orientation of a wafer-like object
JP2882355B2 (ja) 1996-04-10 1999-04-12 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体ウエハ及びその製造方法
US6021380A (en) * 1996-07-09 2000-02-01 Scanis, Inc. Automatic semiconductor wafer sorter/prober with extended optical inspection
US6533874B1 (en) * 1996-12-03 2003-03-18 Advanced Technology Materials, Inc. GaN-based devices using thick (Ga, Al, In)N base layers
US5741724A (en) 1996-12-27 1998-04-21 Motorola Method of growing gallium nitride on a spinel substrate
USRE38489E1 (en) 1997-01-30 2004-04-06 Commissariat A L'energie Atomique Solid microlaser passively switched by a saturable absorber and its production process
FR2758915B1 (fr) * 1997-01-30 1999-03-05 Commissariat Energie Atomique Microlaser solide declenche passivement par absorbant saturable et son procede de fabrication
US5768335A (en) * 1997-02-10 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for measuring the orientation of a single crystal surface
JP3652861B2 (ja) 1997-11-27 2005-05-25 京セラ株式会社 薄膜成長用基板及びそれを用いた発光装置
US5982796A (en) * 1997-12-16 1999-11-09 Union Carbide Chemicals & Plastics 2.7 μM laser crystalline material utilizing multiple-channel optical pumping
JP3805883B2 (ja) 1997-12-26 2006-08-09 東芝電子エンジニアリング株式会社 窒化ガリウム系半導体ウエハおよび窒化ガリウム系半導体素子、ならびにそれらの製造方法
JPH11235659A (ja) 1998-02-18 1999-08-31 Ricoh Co Ltd 摩擦によって誘起される化学的除去加工方法およびその加工装置
US5989301A (en) * 1998-02-18 1999-11-23 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Optical polishing formulation
JP3338360B2 (ja) 1998-03-23 2002-10-28 三洋電機株式会社 窒化ガリウム系半導体ウエハの製造方法
EP0947895B1 (fr) * 1998-04-02 2004-11-24 Comadur S.A. Glace de montre comprenant une lentille et procédé de fabrication d'une telle lentille
EP0997445B1 (en) 1998-10-27 2004-03-10 Corning Incorporated Low expansion glass-ceramics
JP4097343B2 (ja) * 1999-01-26 2008-06-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
KR100304664B1 (ko) 1999-02-05 2001-09-26 윤종용 ＧａＮ막 제조 방법
US6104529A (en) * 1999-03-08 2000-08-15 Lucent Technologies Inc. Optical fiber communication system employing wide band crystal alloy light generation devices
US6238450B1 (en) * 1999-06-16 2001-05-29 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Ceria powder
US6265089B1 (en) * 1999-07-15 2001-07-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices grown on off-axis sapphire substrate
CN1154194C (zh) 1999-08-30 2004-06-16 光磊科技股份有限公司 发光二极管的基板构造
US6366596B1 (en) * 2000-01-21 2002-04-02 Photonics Industries International, Inc. High power laser
JP3662806B2 (ja) * 2000-03-29 2005-06-22 日本電気株式会社 窒化物系半導体層の製造方法
US6364920B1 (en) * 2000-04-21 2002-04-02 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. CMP formulations
US6391072B1 (en) * 2000-05-04 2002-05-21 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Abrasive grain
US6746777B1 (en) * 2000-05-31 2004-06-08 Applied Optoelectronics, Inc. Alternative substrates for epitaxial growth
US6627974B2 (en) * 2000-06-19 2003-09-30 Nichia Corporation Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and nitride semiconductor device using nitride semiconductor substrate
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US6657237B2 (en) * 2000-12-18 2003-12-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same
US6418921B1 (en) * 2001-01-24 2002-07-16 Crystal Systems, Inc. Method and apparatus for cutting workpieces
US6839362B2 (en) * 2001-05-22 2005-01-04 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Cobalt-doped saturable absorber Q-switches and laser systems
JP3768943B2 (ja) 2001-09-28 2006-04-19 日本碍子株式会社 Ｉｉｉ族窒化物エピタキシャル基板、ｉｉｉ族窒化物素子用エピタキシャル基板及びｉｉｉ族窒化物素子
EP1451394B1 (en) * 2001-12-04 2008-08-13 Landauer, Inc. Aluminum oxide material for optical data storage
US6844084B2 (en) * 2002-04-03 2005-01-18 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Spinel substrate and heteroepitaxial growth of III-V materials thereon
US6818532B2 (en) * 2002-04-09 2004-11-16 Oriol, Inc. Method of etching substrates
CN1167140C (zh) 2002-05-17 2004-09-15 清华大学 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
CN1227730C (zh) 2003-04-30 2005-11-16 东莞市福地电子材料有限公司 一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法
CN1207756C (zh) 2003-06-27 2005-06-22 中国科学院上海光学精密机械研究所 ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底材料的制备方法
CN1204598C (zh) 2003-06-27 2005-06-01 中国科学院上海光学精密机械研究所 γ－LiAlO2/α－Al2O3复合衬底材料的制备方法
US7045223B2 (en) * 2003-09-23 2006-05-16 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Spinel articles and methods for forming same

Also Published As

Publication number Publication date
TW200513550A (en) 2005-04-16
TWI290965B (en) 2007-12-11
MY137813A (en) 2009-03-31
US20050061231A1 (en) 2005-03-24
ATE510940T1 (de) 2011-06-15
EP1670975B1 (en) 2011-05-25
WO2005031046A1 (en) 2005-04-07
IL174351A0 (en) 2006-08-01
RU2335582C2 (ru) 2008-10-10
US7326477B2 (en) 2008-02-05
JP2007506639A (ja) 2007-03-22
JP4949839B2 (ja) 2012-06-13
EP1670975A1 (en) 2006-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101427390B (zh) 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯
EP2067884B1 (en) III Nitride crystal substrate, and light-emitting device and method of its manufacture
KR101077078B1 (ko) 질화 갈륨계 화합물 반도체 발광소자
CN101410992A (zh) GaN系半导体发光元件和灯
KR100988143B1 (ko) 반도체 발광 소자, 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 램프
KR101151158B1 (ko) 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법, 화합물 반도체 발광 소자용 도전형 투광성 전극, 램프, 전자 기기 및 기계 장치
EP3267495A1 (en) Semiconductor light emitting element
US6716655B2 (en) Group III nitride compound semiconductor element and method for producing the same
CN102714152A (zh) 功能元件及其制造方法
US9797069B2 (en) Substrate with high fracture strength
KR20200118881A (ko) 압전막, 그 제조 방법, 압전막 적층체, 그 제조 방법
CN101449397A (zh) 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和使用它的灯
RU2006109199A (ru) Шпинельные були и пластины и способы их изготовления
KR20080049622A (ko) 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
TW548702B (en) Compound semiconductor wafer with notch
JP3462370B2 (ja) ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途
JP2007506639A5 (ru)
KR20050116008A (ko) 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR101016317B1 (ko) 반도체 소자의 칩 제조 방법 및 그 방법에 사용하는 웨이퍼
JPH07277884A (ja) 半導体用単結晶の製造方法
JP2011073931A (ja) 窒化ガリウム基板
JPH10189498A (ja) ３−５族化合物半導体チップの製造方法
JP4282743B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
KR200318416Y1 (ko) 질화물 반도체 레이저 소자
JP2002289491A (ja) 窒化物半導体基板、それも用いた窒化物半導体素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100918