JPS58211736A - ニオブ酸リチウム単結晶素子の製造方法 - Google Patents
ニオブ酸リチウム単結晶素子の製造方法Info
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- JPS58211736A JPS58211736A JP57094096A JP9409682A JPS58211736A JP S58211736 A JPS58211736 A JP S58211736A JP 57094096 A JP57094096 A JP 57094096A JP 9409682 A JP9409682 A JP 9409682A JP S58211736 A JPS58211736 A JP S58211736A
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- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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-
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の８技術分野］
本発明は１弾性表面波フィルタ用のニオブ酸リチウム単
結晶素子の製造方法に関する。
結晶素子の製造方法に関する。
し発明の技術的背景とその問題点］
従来、弾性表面波フィルタ用の主要部分である素子は、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）単結晶のインゴット
から切出しだウェハから、ダイ７ング加工により溝入れ
した後、割断することにより製造されていた。ところが
１．従来のダイシング加工においては、ダイシングライ
ンが、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）単結晶のり開
面とウェー・表面との交線方向に必ずしも一致していな
か−・た。そのため。
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）単結晶のインゴット
から切出しだウェハから、ダイ７ング加工により溝入れ
した後、割断することにより製造されていた。ところが
１．従来のダイシング加工においては、ダイシングライ
ンが、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ０３）単結晶のり開
面とウェー・表面との交線方向に必ずしも一致していな
か−・た。そのため。
研削砥石によるダイシング加工時には、弁開による素子
を分断する割れや欠けが発生しやすく、製品歩留りが低
下したり、切り込み深さが大きい為にダイシング用の研
削砥石の摩耗が著しくなり、研削能率が低Ｆするという
問題を惹起していた０［発明の目的］ 割れ、欠けの発生を極力防止できる一オプ酸リチウム単
結晶素子の製造方法を提供することにある。
を分断する割れや欠けが発生しやすく、製品歩留りが低
下したり、切り込み深さが大きい為にダイシング用の研
削砥石の摩耗が著しくなり、研削能率が低Ｆするという
問題を惹起していた０［発明の目的］ 割れ、欠けの発生を極力防止できる一オプ酸リチウム単
結晶素子の製造方法を提供することにある。
［発明の概要コ
ニオブ酸リチウム単結晶のり開面とウエノ・表面との交
線方向にダイシング加工するようにしたものである。
線方向にダイシング加工するようにしたものである。
［発明の実施例］
以下、本発明を図面を参照して実施例に基づいて説明す
る。
る。
まず、図示せぬ単結晶製造装置により、ニオブ酸リチウ
ム単結晶を製造したのち、第１図に示すニオブ酸リチウ
ムの六方単位胞のＹ−２面においてＹ軸から２軸方向に
４１．５°回転した直線人がウニ・・面の法線となるよ
うに図示せぬスライシング装置によりウェハ（２）を４
１．５°回転Ｙカットする０このときのニオブ酸リチウ
ム単結晶の弁開面は。
ム単結晶を製造したのち、第１図に示すニオブ酸リチウ
ムの六方単位胞のＹ−２面においてＹ軸から２軸方向に
４１．５°回転した直線人がウニ・・面の法線となるよ
うに図示せぬスライシング装置によりウェハ（２）を４
１．５°回転Ｙカットする０このときのニオブ酸リチウ
ム単結晶の弁開面は。
（１０１２）、（０１１２）、（１１０２）ｔｍとなっ
ているが、たとえば弁開面（１１０２）、（０１１２）
とウニ・・（２）の主面であるウエノ・面との交線方向
は、第２図に示すように、オリフラ面（３）と一定の角
度関係にあるＭ方向及びＮ方向となるように設定されて
いる。ここで、Ｍ方向は、弁開面（１１０２）とウェハ
面との交線に平行な方向、またＮ方向は、弁開面（０１
１２） とウニ・・面との交線に平行な方向である。
ているが、たとえば弁開面（１１０２）、（０１１２）
とウニ・・（２）の主面であるウエノ・面との交線方向
は、第２図に示すように、オリフラ面（３）と一定の角
度関係にあるＭ方向及びＮ方向となるように設定されて
いる。ここで、Ｍ方向は、弁開面（１１０２）とウェハ
面との交線に平行な方向、またＮ方向は、弁開面（０１
１２） とウニ・・面との交線に平行な方向である。
そこで、ニオブ酸リチウム単結晶のインゴット製造後、
弁開面（１丁０２）をＸ線回折により同定し、上配り開
面（１１０２）のウニ・・面との交線と、オリフラ面（
３）とウェー・面との交線とが、平行になるように、オ
リフラ面（３）を研削加工によシ形！戊する。したがっ
て、上記Ｍ方向は１９７２面（３）とウェハ面との交線
に対して平行になっている。
弁開面（１丁０２）をＸ線回折により同定し、上配り開
面（１１０２）のウニ・・面との交線と、オリフラ面（
３）とウェー・面との交線とが、平行になるように、オ
リフラ面（３）を研削加工によシ形！戊する。したがっ
て、上記Ｍ方向は１９７２面（３）とウェハ面との交線
に対して平行になっている。
しかして、ウエノ・（２）を上記オリフラ面（３）を基
準として、一定位置に保持し、図示せぬダイシング装置
により、そのダイシングラインが、上記Ｍ方向及びＮ方
向に平行な方向となるように所定間隔ととにダイシング
加工し、第２図で示すような切除溝である一方の第１の
ダイシングライン（４）・・・（Ｎ方向に平行）と、こ
れら第１のダイジングライン（４）・・・に交差する第
２のダイシングライン（５）・・・（Ｍ方向に平行）を
形成する。しかるのち分割加工によυ割断して、第３図
に示すよりなニオブ酸リチウム単結晶素子（６）を得る
。この素子（６）の隅角θ１゜θ２は、それぞれ１３３
．５°及び４６．５０である。
準として、一定位置に保持し、図示せぬダイシング装置
により、そのダイシングラインが、上記Ｍ方向及びＮ方
向に平行な方向となるように所定間隔ととにダイシング
加工し、第２図で示すような切除溝である一方の第１の
ダイシングライン（４）・・・（Ｎ方向に平行）と、こ
れら第１のダイジングライン（４）・・・に交差する第
２のダイシングライン（５）・・・（Ｍ方向に平行）を
形成する。しかるのち分割加工によυ割断して、第３図
に示すよりなニオブ酸リチウム単結晶素子（６）を得る
。この素子（６）の隅角θ１゜θ２は、それぞれ１３３
．５°及び４６．５０である。
上記のようにしてニオブ酸リチウム単結晶素子を製造し
た場合、素子（６）の各辺（力、 ｆ８） 、 （９）
、 Ｈと弁開面がウェハ表面と交わる方向とが平行に
なるように形成しているので、ダイシング加工後、割断
する際に切断溝に発生した割れや欠けかり開面に沿って
伝播し個々の素子が分断するようなことが匝めて少なく
なり、割断工程における歩留りが著しく向トする。また
、ダイ／ノブ加工において溝深さを従゛来よりも浅くし
ても、容易に分割できることから、ダイ／ノブ加工を行
うＱ、１ｍｍ以下のＪ’Ｊさの円形薄刃状のダイヤモン
ド砥石め寿命を増大せしめる効果が得られた。
た場合、素子（６）の各辺（力、 ｆ８） 、 （９）
、 Ｈと弁開面がウェハ表面と交わる方向とが平行に
なるように形成しているので、ダイシング加工後、割断
する際に切断溝に発生した割れや欠けかり開面に沿って
伝播し個々の素子が分断するようなことが匝めて少なく
なり、割断工程における歩留りが著しく向トする。また
、ダイ／ノブ加工において溝深さを従゛来よりも浅くし
ても、容易に分割できることから、ダイ／ノブ加工を行
うＱ、１ｍｍ以下のＪ’Ｊさの円形薄刃状のダイヤモン
ド砥石め寿命を増大せしめる効果が得られた。
なお、他の実施例として、他の弁開面の組合わせ、すな
わち、弁開面（１０１２）と弁開面（１１０２）との組
合わせ（第４図参照：隅角θ３＝８７°、θ４＝９３°
）、弁開面（０１１２）と弁開面（１０１２）きの組合
せ（第５図参照：隅角θ５＝４６．５０．θ６＝１３３
．５０）、弁開面（０１丁２）と弁開面（１１０２）と
弁開面（１０１２）との絹合せ（第６図参照：隅角θ７
＝４６．５０．θ８二８７０、θ９＝４．６．５０ ）
の中から任意の組合わせを選択し、そのり開面とウェハ
面との交線方向にダイシング加工するようにしてもよい
。この際、オリフラ面はそれぞれの弁開面の組合わせの
いずれか一つの方位をＸ線回折によシ同定して、研削に
より作成する。
わち、弁開面（１０１２）と弁開面（１１０２）との組
合わせ（第４図参照：隅角θ３＝８７°、θ４＝９３°
）、弁開面（０１１２）と弁開面（１０１２）きの組合
せ（第５図参照：隅角θ５＝４６．５０．θ６＝１３３
．５０）、弁開面（０１丁２）と弁開面（１１０２）と
弁開面（１０１２）との絹合せ（第６図参照：隅角θ７
＝４６．５０．θ８二８７０、θ９＝４．６．５０ ）
の中から任意の組合わせを選択し、そのり開面とウェハ
面との交線方向にダイシング加工するようにしてもよい
。この際、オリフラ面はそれぞれの弁開面の組合わせの
いずれか一つの方位をＸ線回折によシ同定して、研削に
より作成する。
し発明の効果］
本発明によれば、発生した割れや欠けが弁開面に市って
伝播し、個々の素子が分断する虞がなくなるので、歩留
りが向上する。また、素子のダイシング加工による切断
方向が、弁開面がウニＩ・表面と交わる方向に一致して
いるので、婢・深さを従来より浅くしても、その後の割
断は容易であシ、砥石寿命が増大する。
伝播し、個々の素子が分断する虞がなくなるので、歩留
りが向上する。また、素子のダイシング加工による切断
方向が、弁開面がウニＩ・表面と交わる方向に一致して
いるので、婢・深さを従来より浅くしても、その後の割
断は容易であシ、砥石寿命が増大する。
【図面の簡単な説明】
第１図はニオブ酸リチウムの六方単位胞を示す図、第２
図は本発明の一実施例においてダイシング加工によシ所
定の方向の溝が形成されたウニ・・を示す図、第３図は
本発明の一実施例により得られた素子を示す図、第４図
、第４図、第６図は本発明の他の実施例により得られた
素子を示す図である。 （２）・・・ウェハ、 （６）・・・素子。
図は本発明の一実施例においてダイシング加工によシ所
定の方向の溝が形成されたウニ・・を示す図、第３図は
本発明の一実施例により得られた素子を示す図、第４図
、第４図、第６図は本発明の他の実施例により得られた
素子を示す図である。 （２）・・・ウェハ、 （６）・・・素子。
Claims (1)
- ニオブ酸リチウム単結晶のインゴットから４１．５０回
転Ｙカットウェハを切出す工程と、上記ウェハの弁開面
（〒０１２）、（０１１２）、（１１０２）と上記ウニ
・−の主面との交線方向に平行な方向に溝入れする工程
と、上記溝入れされだウェー・を複数の素子に割断する
工程とを具備することを特徴とするニオブ酸リチウム単
結晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094096A JPS58211736A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | ニオブ酸リチウム単結晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094096A JPS58211736A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | ニオブ酸リチウム単結晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58211736A true JPS58211736A (ja) | 1983-12-09 |
Family
ID=14100914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57094096A Pending JPS58211736A (ja) | 1982-06-03 | 1982-06-03 | ニオブ酸リチウム単結晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58211736A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005031046A1 (en) * | 2003-09-23 | 2005-04-07 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel boules, wafers, and methods for fabricating same |
| US7045223B2 (en) | 2003-09-23 | 2006-05-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel articles and methods for forming same |
| US7919815B1 (en) | 2005-02-24 | 2011-04-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel wafers and methods of preparation |
-
1982
- 1982-06-03 JP JP57094096A patent/JPS58211736A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005031046A1 (en) * | 2003-09-23 | 2005-04-07 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel boules, wafers, and methods for fabricating same |
| US7045223B2 (en) | 2003-09-23 | 2006-05-16 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel articles and methods for forming same |
| US7326477B2 (en) | 2003-09-23 | 2008-02-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel boules, wafers, and methods for fabricating same |
| US7919815B1 (en) | 2005-02-24 | 2011-04-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Spinel wafers and methods of preparation |
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