JPS61134111A - タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ - Google Patents

タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ

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Publication number
JPS61134111A
JPS61134111A JP59256291A JP25629184A JPS61134111A JP S61134111 A JPS61134111 A JP S61134111A JP 59256291 A JP59256291 A JP 59256291A JP 25629184 A JP25629184 A JP 25629184A JP S61134111 A JPS61134111 A JP S61134111A
Authority
JP
Japan
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single crystal
lithium tantalate
tantalate single
wafer
orientation flat
Prior art date
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Pending
Application number
JP59256291A
Other languages
English (en)
Inventor
Arata Sakaguchi
阪口　新
Masaaki Iguchi
雅章 井口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Priority to US06/804,188 priority patent/US4755314A/en
Publication of JPS61134111A publication Critical patent/JPS61134111A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はタンタル酸リチウム単結晶ウェーハに関するも
のであり、特には高い方位精度のもとにオリエンテーシ
ョンフラット部を形成してなる該単結晶ウェーハの提供
を目的とする。
（従来の技術） タンタル酸リチウム単結晶は、電気機械結合係数が高く
、かつ温度の変動にともなう特性変化が小さい特徴を有
するため、ＶＴＲ用共振子、テレビのＰＩＦフィルター
等各種のＳＡＷデバイス用単用品結晶材料であるいはそ
の他高周波通信機用材料として有用とされているもので
ある。
タンタル酸リチウム単結晶は一般にチョクラルスキー法
によって融液状のＬｉＴａ０．からＸ軸引上げにより製
造されており、この引上げられた単結晶は単一分域化処
理（ポーリング処理）が行われたのち、Ｘ軸カットウェ
ーハとして各種デバイス用に提供されている。
従来、このタンタル酸リチウム単結晶ウェーハは、各種
デバイス製作時に表面弾性波（超音波）の伝播方向が容
易に設定できるように、Ｘ線ラウェ法等で決定した１１
２°Ｙ方向に平行な面の側面部をフラットに研削した形
状のものすなわちオリエンテーションフラット部を形成
した形状のものとして製造されている。より具体的には
表面弾性波（超音波）の伝播方向を１１２°Ｙ方向とす
る場合、その方向にオリエンテーションフラット部を形
成することが行われている。しかしながら、この方向に
は回折結晶面がないため、切断プレートホイールが１１
２’　Ｙ方向に平行とするように結晶装置治具を使用し
たり、背面ラウェ法によってその方向を微調整すること
が必要であり１作業能率が悪く、しかもこのようにして
Ｘ線ラウェ法で１１２°Ｙ方向を決定してもその方向の
バラツキが大きく、このことがデバイス特性を悪くし、
歩留りを低下させる原因となっていた。
（発明の構成） 本発明者らはかかる従来の問題点を解決するために鋭意
検討を行った結果、ウェーハにおけるオリエンテーショ
ンフラット部の方向をタンタル酸リチウム単結晶の（１
０８〉±１５°方向または該００８〉±１５°方向に直
交した方向の少なくとも一方とすることにより、従来の
１１２．’　Ｙ方向のときのような方向決定作業の困難
性、オリエンテーションフラン１〜部の方位精度の悪さ
といった問題点が一挙に解決され、デバイスの性能・品
質の向上１歩留りの向上が顕著であることを確認し本発
明を完成した。
本発明を図面に基づいて説明する。
第１図はＸ軸カットタンタル酸リチウム単結晶ウェーハ
についてのオリエンテーションフラット（ＯＦ）部方位
を示す説明図である。同図は便宜上Ｙ軸をよ二方向Ｚ軸
を上下方向で表したものであり、ａおよびａ′は（１０
８）方向、ｂおよびｂ′はａ　−ａ　’方向と直角方向
の側面部分をそれぞれ示す。図中ａ部分については±１
５°の幅を示したが、ａ’、ｂおよびｂ′部分について
も同様である。
他方同図中点線で示した１１２°Ｙ方向は従来のＯＦ形
成方向を表したものである。
タンタル酸リチウム単結晶のＸ軸カット面において（１
０８）方向は回折結晶面方向であるので、この（１０８
）方向はＸ線ディフラクトメーター法によって、容易か
つ短時間に精度よく決定することができる。したがって
本発明になるタンタル酸リチウム単結晶ウェーハはその
０２部の方位精度がきわめて高く、このウェーハからＳ
ＡＷデバイス等を製作すると、従来にくらべて、デバイ
スの品質・性能が大幅に向上し、歩留りも向上する利点
が与えられる。また本発明の場合、従来のような１１２
’　Ｙ方向に０２部を設けるに当っての方向決定作業の
困鴛性という問題点がなく、ウェーハ製作の作業性の点
でも大きな利点を有している。
なお、本発明において、ＯＦのフラット幅は従来と同様
単結晶の直径、ユーザーの要望等により定められるもの
である。またＯＦ影形成手段としても、すり落し・研磨
、研削、切断加工等適宜の方法により行われる。
つぎに具体的実施例をあげる。
実施例 単一分域化処理したＸ軸引上げタンタル酸リチウム単結
晶（直径約８０画、長さ約ＩＱＯｎｗｎ）について。
カット面検査機（理学電気２９９１−Ｅｌ）を使用して
＜１０８＞面を決定した。このときの方位精度は±３０
″であった。
つぎに、円筒研削機（Ｒ５Ｈ−５０）によって所定の直
径７６．２ｍｎに仕上げたのち、＜１０８＞面に平行に
幅２２ｍｍの０２部を研削加工した。この単結晶を厚さ
５００μｍにＸ軸カットし、ウェーハで０２部の方位精
度を調べたところ、従来のＸ線ラウェ法により１１２°
Ｙ方向に０２部を形成した場合の値（バラツキ〉±０゜
５＠と比べて、著しく小さい±３０＃の値を得た。
このウェーハよりＳＡＷデバイスを製作したところ、共
振周波数の設計値に対するズレがきわめて小さく、従来
の場合に比べて品質・性能が向上し、歩留りも大幅に向
上した。
【図面の簡単な説明】
第１図はＸ軸カットタンタル酸リチウム単結晶ウェーハ
についてのオリエンテーションフラット部方位を示す説
明図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、単一分域化したタンタル酸リチウム単結晶の〈１０
    ８〉±１５°方向または該〈１０８〉±１５°方向に直
    交した方向の少なくとも一方にオリエンテーションフラ
    ット部を形成してなるタンタル酸リチウム単結晶ウェー
    ハ
JP59256291A 1984-12-04 1984-12-04 タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ Pending JPS61134111A (ja)

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JP59256291A JPS61134111A (ja) 1984-12-04 1984-12-04 タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ
US06/804,188 US4755314A (en) 1984-12-04 1985-12-03 Single crystal wafer of lithium tantalate

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US4755314A (en) 1988-07-05

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