JPS63295500A - タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法Info
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- JPS63295500A JPS63295500A JP13085487A JP13085487A JPS63295500A JP S63295500 A JPS63295500 A JP S63295500A JP 13085487 A JP13085487 A JP 13085487A JP 13085487 A JP13085487 A JP 13085487A JP S63295500 A JPS63295500 A JP S63295500A
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- single crystal
- lithium tantalate
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- tantalate single
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 45
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 20
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はタンタル酸リチウム単結晶ウェーへの製造方法
、特には３６°±１０″Ｙ軸方向またはＺ軸方向の面方
位をもつ、テレビ受信機のＩＦフィルター、自動車電話
用などの通信機用表面弾性波フィルター、センサーとし
て有用とされるタンタル酸リチウム単結晶ウェーハの製
造方法に関するものである。
、特には３６°±１０″Ｙ軸方向またはＺ軸方向の面方
位をもつ、テレビ受信機のＩＦフィルター、自動車電話
用などの通信機用表面弾性波フィルター、センサーとし
て有用とされるタンタル酸リチウム単結晶ウェーハの製
造方法に関するものである。
（従来の技術）
タンタル酸リチウム単結晶の製造方法について本出願人
はさきにＺ軸方向に向がってＹ軸より３６°±１０′の
傾きの結晶工学的方位を有する種結晶を用いて３６°±
１０°Ｙ軸にタンタル酸リチウム単結晶を成長させる工
程、得られた単結晶を単一分域化する工程、およびこの
単結晶がら３６°±１０°Ｙ軸の面方位を持つ丸形ウェ
ーハを引上げ軸にほぼ垂直に切り出す工程からなる方法
を提案しく特公昭６０−４６０７７号公報参照）。
はさきにＺ軸方向に向がってＹ軸より３６°±１０′の
傾きの結晶工学的方位を有する種結晶を用いて３６°±
１０°Ｙ軸にタンタル酸リチウム単結晶を成長させる工
程、得られた単結晶を単一分域化する工程、およびこの
単結晶がら３６°±１０°Ｙ軸の面方位を持つ丸形ウェ
ーハを引上げ軸にほぼ垂直に切り出す工程からなる方法
を提案しく特公昭６０−４６０７７号公報参照）。
これによれば丸形ウェーハを容易に得ることができ、ウ
ェーハ切り出し時の歩留まりを向上させること、さらに
はデバイス製造工程を効率化させることができることを
確認したけれども、この場合には第２図に示したように
単結晶１１からのウェーハの切り出しがＸ軸に垂直な方
向で行なわれ、単結晶を切断するためのワイヤー１３の
往復運動がＸ軸と平行とされるのであるが、タンタル酸
リチウム単結晶は（０１２）が最もへき関し易いもので
、Ｘ軸に平行にワイヤーの往復運動が行なわれるとワイ
ヤーがこのへき開面に沿って進もうとする傾向があるた
めにワイヤが本来の切断方向からそれ易く、したがって
得られるウェーハが反り易くなり、例えば３′φのウェ
ーハはその反りが平均７０μｍにまでなることが判り、
その対策が問題とされている。
ェーハ切り出し時の歩留まりを向上させること、さらに
はデバイス製造工程を効率化させることができることを
確認したけれども、この場合には第２図に示したように
単結晶１１からのウェーハの切り出しがＸ軸に垂直な方
向で行なわれ、単結晶を切断するためのワイヤー１３の
往復運動がＸ軸と平行とされるのであるが、タンタル酸
リチウム単結晶は（０１２）が最もへき関し易いもので
、Ｘ軸に平行にワイヤーの往復運動が行なわれるとワイ
ヤーがこのへき開面に沿って進もうとする傾向があるた
めにワイヤが本来の切断方向からそれ易く、したがって
得られるウェーハが反り易くなり、例えば３′φのウェ
ーハはその反りが平均７０μｍにまでなることが判り、
その対策が問題とされている。
（発明の構成）
本発明はこのような不利を解決するタンタル酸リチウム
単結晶ウェーハの製造方法に関するものであって、これ
は切断する面にＸ軸を有するタンタル酸リチウム単結晶
を、Ｘ軸に平行な方向±１５°の範囲の方向で切断する
ことを特徴とするものである。
単結晶ウェーハの製造方法に関するものであって、これ
は切断する面にＸ軸を有するタンタル酸リチウム単結晶
を、Ｘ軸に平行な方向±１５°の範囲の方向で切断する
ことを特徴とするものである。
すなわち、本発明者は上記した公知の方法における不利
を解決する方法について種々検討した結果、第１図に示
したように上記した公知の方法におけるタンタル酸リチ
ウム単結晶１の切断をＸ軸に平行な方向で行なうように
すると単結晶を切断するためのワイヤー３の運動方向が
Ｘ軸に垂直なものとなるのでこれがタンタル酸リチウム
単結晶のへき関し易い面（Ｏｌ ２）に沿って進むこと
がなくなり、それ故に得られるウェーハの反りは小さい
ものとなることを見出し、これによれば例えば３１φの
ウェーハにおける反りを２０μｍ以下とすることができ
ることを確認して本発明を完成させた。本発明の方法は
ワイヤーソーによるスライスの場合に最も顕著な硬化が
認められるが、ハンドソー、マルチブレードソー、内周
刃スライスなど他の切断方法においても同様の硬化があ
る。
を解決する方法について種々検討した結果、第１図に示
したように上記した公知の方法におけるタンタル酸リチ
ウム単結晶１の切断をＸ軸に平行な方向で行なうように
すると単結晶を切断するためのワイヤー３の運動方向が
Ｘ軸に垂直なものとなるのでこれがタンタル酸リチウム
単結晶のへき関し易い面（Ｏｌ ２）に沿って進むこと
がなくなり、それ故に得られるウェーハの反りは小さい
ものとなることを見出し、これによれば例えば３１φの
ウェーハにおける反りを２０μｍ以下とすることができ
ることを確認して本発明を完成させた。本発明の方法は
ワイヤーソーによるスライスの場合に最も顕著な硬化が
認められるが、ハンドソー、マルチブレードソー、内周
刃スライスなど他の切断方法においても同様の硬化があ
る。
本発明の方法を実施するために使用されるタンタル酸リ
チウム単結晶は切断する面にＸ軸を有するもので１例え
ばＺ軸方向に向ってＹ軸より３６°±１０’の傾き、Ｙ
軸およびＸ軸などの結晶工学的方位を有するものが例示
されるが、このものは従来法で製作したタンタル酸リチ
ウム単結晶から切り出した切片を種結晶とし、これを用
いてタンタル酸リチウムの溶融液から結晶を引き上げる
ことによって得ることができる。
チウム単結晶は切断する面にＸ軸を有するもので１例え
ばＺ軸方向に向ってＹ軸より３６°±１０’の傾き、Ｙ
軸およびＸ軸などの結晶工学的方位を有するものが例示
されるが、このものは従来法で製作したタンタル酸リチ
ウム単結晶から切り出した切片を種結晶とし、これを用
いてタンタル酸リチウムの溶融液から結晶を引き上げる
ことによって得ることができる。
本発明の方法はこのようにして作られた切断する面にＸ
軸を有するタンタル酸リチウム単結晶を切断するのであ
るが、これは第１図に示したようにこのようにして得ら
れたタンタル酸リチウム単結晶１をＸ軸に平行な方向±
１５°の範、囲の方向で切断するように行なえばよく、
これによればこの切断ワイヤー３の運動方向がＸ軸と垂
直な方向となるので、タンタル酸リチウム単結晶１のへ
き関し易い面（０１２）に沿うものとはならず、したが
って得られるウェーハは反りの少ないものになり、ウェ
ーハ製造工程が効率化されるという有利性が与えられる
。
軸を有するタンタル酸リチウム単結晶を切断するのであ
るが、これは第１図に示したようにこのようにして得ら
れたタンタル酸リチウム単結晶１をＸ軸に平行な方向±
１５°の範、囲の方向で切断するように行なえばよく、
これによればこの切断ワイヤー３の運動方向がＸ軸と垂
直な方向となるので、タンタル酸リチウム単結晶１のへ
き関し易い面（０１２）に沿うものとはならず、したが
って得られるウェーハは反りの少ないものになり、ウェ
ーハ製造工程が効率化されるという有利性が与えられる
。
つぎに本発明の実施例および比較例をあげる。
実施例
直径１２０ｍ、高さ１２０ｍのイリジウムるつぼに純度
９９．９９％のタンタル酸すチウム粉未焼成原料８，４
２０ｇを入れて高周波誘導加熱装置を用いて溶融し、こ
れに３６°Ｙ軸方向の方位をもつタンタル酸リチウム単
結晶を浸し、径約７８ｍ＋、長さ約１４０ｍのタンタル
酸リチウム単結晶を引き上げ、成長終了後種が保温筒の
中に入った位置で酸素を３０容量％含有する窒素ガス中
で冷却した後、装置から取り出した。
９９．９９％のタンタル酸すチウム粉未焼成原料８，４
２０ｇを入れて高周波誘導加熱装置を用いて溶融し、こ
れに３６°Ｙ軸方向の方位をもつタンタル酸リチウム単
結晶を浸し、径約７８ｍ＋、長さ約１４０ｍのタンタル
酸リチウム単結晶を引き上げ、成長終了後種が保温筒の
中に入った位置で酸素を３０容量％含有する窒素ガス中
で冷却した後、装置から取り出した。
つぎにこのようにして得たタンタル酸リチウム単結晶を
切断してから単一分極化して径７６．２閣、長さ１４０
ｍ＋の円柱状体とし、つぎにワイヤーソーを用いてワイ
ヤーの運動方向がＸ軸と垂直な方向で、切断方向がＸ軸
に平行な方向に厚さ０．５ｍに切断したところ、径７６
．２ｎ＋ｍ、厚さｏ、５１の丸型ウェーハ２００枚が得
られたが、このウェーハの反りは２０μｍ以下であった
。
切断してから単一分極化して径７６．２閣、長さ１４０
ｍ＋の円柱状体とし、つぎにワイヤーソーを用いてワイ
ヤーの運動方向がＸ軸と垂直な方向で、切断方向がＸ軸
に平行な方向に厚さ０．５ｍに切断したところ、径７６
．２ｎ＋ｍ、厚さｏ、５１の丸型ウェーハ２００枚が得
られたが、このウェーハの反りは２０μｍ以下であった
。
比較例
上記実施例において得られた円柱状のタンタル酸リチウ
ム単結晶をワイヤーソーを用いてワイヤーの運動方向が
Ｘ軸と平行な方向で、切断方向がＸ軸に垂直な方向に厚
さ０．５ｍｍに切断したところ、径７６．２＋ａ、厚さ
０．５■の丸型ウェーハ２００枚が得られたが、このウ
ェーハの反りは平均７０μｍと大きいものであった。
ム単結晶をワイヤーソーを用いてワイヤーの運動方向が
Ｘ軸と平行な方向で、切断方向がＸ軸に垂直な方向に厚
さ０．５ｍｍに切断したところ、径７６．２＋ａ、厚さ
０．５■の丸型ウェーハ２００枚が得られたが、このウ
ェーハの反りは平均７０μｍと大きいものであった。
第１図は本発明の方法によるタンタル酸リチウム単結晶
ウェーハの切断方法の斜視図、第２図は従来法によるタ
ンタル酸リチウム単結晶の切断方法の斜視図を示したも
のである。 １．１１・・・タンタル酸リチウム単結晶捧、２．１２
・・・切り出し線 ３．１３・・・切り出しワイヤー 第１図 第２図 昭和６３年６月１０日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１３０８５４号 ２、発明の名称 タンタル酸リチウム単結晶ウェーハの製造方法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２０６）信越化学工業株式会社４、代理人 明細書におけるｒ発明の詳細な説明の欄」６、補正の内
容 明細書第２頁４行の「Ｙ軸方向またはＺ軸方向」を「Ｙ
軸方向、Ｙ軸方向またはＺ軸方向」と補正する。 ２）明細書第４頁１６行および１８行の「硬化」を「効
果」と補正し、同頁１６行〜１７行の「ハンドソー」を
「パントン−」を補正する。 ３）明細書第５頁２行の「Ｘ軸」を「Ｚ軸」と補正する
。 ４）明細書第６頁２行の「直径１２０ｍｍ、高さ１２０
ＩＩ１１」を「直径１５０ｍｍ、高さ１５０ｍｍＪと補
正し、同頁６行の「単結晶」をｒ種結晶」と補正する。 以上
ウェーハの切断方法の斜視図、第２図は従来法によるタ
ンタル酸リチウム単結晶の切断方法の斜視図を示したも
のである。 １．１１・・・タンタル酸リチウム単結晶捧、２．１２
・・・切り出し線 ３．１３・・・切り出しワイヤー 第１図 第２図 昭和６３年６月１０日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第１３０８５４号 ２、発明の名称 タンタル酸リチウム単結晶ウェーハの製造方法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２０６）信越化学工業株式会社４、代理人 明細書におけるｒ発明の詳細な説明の欄」６、補正の内
容 明細書第２頁４行の「Ｙ軸方向またはＺ軸方向」を「Ｙ
軸方向、Ｙ軸方向またはＺ軸方向」と補正する。 ２）明細書第４頁１６行および１８行の「硬化」を「効
果」と補正し、同頁１６行〜１７行の「ハンドソー」を
「パントン−」を補正する。 ３）明細書第５頁２行の「Ｘ軸」を「Ｚ軸」と補正する
。 ４）明細書第６頁２行の「直径１２０ｍｍ、高さ１２０
ＩＩ１１」を「直径１５０ｍｍ、高さ１５０ｍｍＪと補
正し、同頁６行の「単結晶」をｒ種結晶」と補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、切断する面にＸ軸を有するタンタル酸リチウム単結
晶をＸ軸に平行な方向±１５°の範囲の方向で切断する
ことを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶ウェーハの
製造方法。 ２、該タンタル酸リチウム単結晶がＺ軸方向に向ってＹ
軸より３６°±１０°の傾きの結晶工学方位を有するも
のである特許請求の範囲第１項記載のタンタル酸リチウ
ム単結晶ウェーハの製造方法。 ３、該タンタル酸リチウム単結晶がＹ軸結晶工学方位を
有するものである特許請求の範囲第１項記載のタンタル
酸リチウム単結晶ウェーハの製造方法。 ４、該タンタル酸リチウム単結晶がＺ軸結晶工学方位を
有するものである特許請求の範囲第１項記載のタンタル
酸リチウム単結晶ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13085487A JPS63295500A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13085487A JPS63295500A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295500A true JPS63295500A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0375520B2 JPH0375520B2 (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=15044247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13085487A Granted JPS63295500A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295500A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477698A1 (en) * | 1990-09-19 | 1992-04-01 | Kyoto Handotai Co., Ltd. | Method for slicing a semiconductor silicon single crystal |
| US6317015B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-11-13 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device using a leaky surface acoustic wave with an optimized cut angle of a piezoelectric substrate |
| WO2002045143A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Origin Energy Retail Limited | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area |
| WO2010118687A1 (zh) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Zhu Huilong | 用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP13085487A patent/JPS63295500A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0477698A1 (en) * | 1990-09-19 | 1992-04-01 | Kyoto Handotai Co., Ltd. | Method for slicing a semiconductor silicon single crystal |
| US6317015B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-11-13 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device using a leaky surface acoustic wave with an optimized cut angle of a piezoelectric substrate |
| WO2002045143A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Origin Energy Retail Limited | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area |
| AU2002220348B2 (en) * | 2000-11-29 | 2007-07-19 | The Australian National University | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area |
| US9583668B2 (en) | 2000-11-29 | 2017-02-28 | The Australian National University | Semiconductor device |
| WO2010118687A1 (zh) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Zhu Huilong | 用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375520B2 (ja) | 1991-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |