JPH0375520B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0375520B2 JPH0375520B2 JP13085487A JP13085487A JPH0375520B2 JP H0375520 B2 JPH0375520 B2 JP H0375520B2 JP 13085487 A JP13085487 A JP 13085487A JP 13085487 A JP13085487 A JP 13085487A JP H0375520 B2 JPH0375520 B2 JP H0375520B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- lithium tantalate
- axis
- tantalate single
- cutting
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はタンタル酸リチウム単結晶ウエーハの
製造方法、特には36゜±10゜Y軸方向、Y′軸方向ま
たはＺ軸方向の面方位をもつ、テレビ受信機の
IFフイルター、自動車電話用などの通信機用表
面弾性波フイルター、センサーとして有用とされ
るタンタル酸リチウム単結晶ウエーハの製造方法
に関するものである。
製造方法、特には36゜±10゜Y軸方向、Y′軸方向ま
たはＺ軸方向の面方位をもつ、テレビ受信機の
IFフイルター、自動車電話用などの通信機用表
面弾性波フイルター、センサーとして有用とされ
るタンタル酸リチウム単結晶ウエーハの製造方法
に関するものである。
（従来の技術）
タンタル酸リチウム単結晶の製造方法について
本出願人はさきにＺ軸方向に向かつてＹ軸より
36゜±10゜の傾きの結晶工学的方位を有する種結晶
を用いて36゜±10゜Y軸にタンタル酸リチウム単結
晶を成長させる工程、得られた単結晶を単一分域
化する工程、およびこの単結晶から36゜±10゜Y軸
の面方位を持つ丸形ウエーハを引上げ軸にほぼ垂
直に切り出す工程からなる方法を提案し（特公昭
60−46077号公報参照）、これによれば丸形ウエー
ハを容易に得ることができ、ウエーハ切り出し時
の歩留まりを向上させること、さらにはデバイス
製造工程を効率化させることができることを確認
したけれども、この場合には第２図に示したよう
に単結晶１１からのウエーハの初り出しがＸ軸に
垂直な方向で行なわれ、単結晶を切断するための
ワイヤー１３の往復運動がＸ軸と方行とされるの
であるが、タンタル酸リチウム単結晶（012）が
最もへき開し易いもので、Ｘ軸に平行にワイヤー
の往復運動が行なわれるとワイヤーがこのへき開
面に沿つて進もうとする傾向があるためにワイヤ
が本来の切断方向からそれ易く、したがつて得ら
れるウエーハが反り易くなり、例えば３″φのウ
エーハはその反りが平均70μmにまでなることが
判り、その対策が問題とされている。
本出願人はさきにＺ軸方向に向かつてＹ軸より
36゜±10゜の傾きの結晶工学的方位を有する種結晶
を用いて36゜±10゜Y軸にタンタル酸リチウム単結
晶を成長させる工程、得られた単結晶を単一分域
化する工程、およびこの単結晶から36゜±10゜Y軸
の面方位を持つ丸形ウエーハを引上げ軸にほぼ垂
直に切り出す工程からなる方法を提案し（特公昭
60−46077号公報参照）、これによれば丸形ウエー
ハを容易に得ることができ、ウエーハ切り出し時
の歩留まりを向上させること、さらにはデバイス
製造工程を効率化させることができることを確認
したけれども、この場合には第２図に示したよう
に単結晶１１からのウエーハの初り出しがＸ軸に
垂直な方向で行なわれ、単結晶を切断するための
ワイヤー１３の往復運動がＸ軸と方行とされるの
であるが、タンタル酸リチウム単結晶（012）が
最もへき開し易いもので、Ｘ軸に平行にワイヤー
の往復運動が行なわれるとワイヤーがこのへき開
面に沿つて進もうとする傾向があるためにワイヤ
が本来の切断方向からそれ易く、したがつて得ら
れるウエーハが反り易くなり、例えば３″φのウ
エーハはその反りが平均70μmにまでなることが
判り、その対策が問題とされている。
（発明の構成）
本発明はこのような不利を解決するタンタル酸
リチウム単結晶ウエーハの製造方法に関するもの
であつて、これは切断する面にＸ軸を有するタン
タル酸リチウム単結晶を、Ｘ軸に平行な方向±
15゜の範囲の方向で切断することを特徴とするも
のである。
リチウム単結晶ウエーハの製造方法に関するもの
であつて、これは切断する面にＸ軸を有するタン
タル酸リチウム単結晶を、Ｘ軸に平行な方向±
15゜の範囲の方向で切断することを特徴とするも
のである。
すなわち、本発明者は上記した公知の方法にお
ける不利を解決する方法について種々検討した結
果、第１図に示したように上記した公知の方法に
おけるタンタル酸リチウム単結晶１の切断をＸ軸
に平行な方向で行なうようにすると単結晶を切断
するためのワイヤー３の運動方向がＸ軸に垂直な
ものとなるのでこれがタンタル酸リチウム単結晶
のへき開し易い面（012）に沿つて進すことがな
くなり、それ故に得られるウエーハの反りは小さ
いものとなることを見出し、これによれば例えば
３″φのウエーハにおける反りを20μm以下とす
ることができることを確認して本発明を完成させ
た。本発明の方法はワイヤーソーによるスライス
の場合に最も顕著な効果が認められるが、バンド
ソー、マルチブレードソー、内周刃スライスなど
他の切断方法においても同様の硬化がある。
ける不利を解決する方法について種々検討した結
果、第１図に示したように上記した公知の方法に
おけるタンタル酸リチウム単結晶１の切断をＸ軸
に平行な方向で行なうようにすると単結晶を切断
するためのワイヤー３の運動方向がＸ軸に垂直な
ものとなるのでこれがタンタル酸リチウム単結晶
のへき開し易い面（012）に沿つて進すことがな
くなり、それ故に得られるウエーハの反りは小さ
いものとなることを見出し、これによれば例えば
３″φのウエーハにおける反りを20μm以下とす
ることができることを確認して本発明を完成させ
た。本発明の方法はワイヤーソーによるスライス
の場合に最も顕著な効果が認められるが、バンド
ソー、マルチブレードソー、内周刃スライスなど
他の切断方法においても同様の硬化がある。
本発明の方法を実施するために使用されるタン
タル酸リチウム単結晶は切断する面にＸ軸を有す
るもので、例えばＺ軸方向に向つてＹ軸より36゜
±10゜の傾き、Ｙ軸およびＺ軸などの結晶工学方
位を有するものが例示されるが、このものは従来
法で製作したタンタル酸リチウム単結晶から切り
出した切片を種結晶とし、これを用いてタンタル
酸リチウムの溶融液から結晶を引き上げることに
よつて得ることができる。
タル酸リチウム単結晶は切断する面にＸ軸を有す
るもので、例えばＺ軸方向に向つてＹ軸より36゜
±10゜の傾き、Ｙ軸およびＺ軸などの結晶工学方
位を有するものが例示されるが、このものは従来
法で製作したタンタル酸リチウム単結晶から切り
出した切片を種結晶とし、これを用いてタンタル
酸リチウムの溶融液から結晶を引き上げることに
よつて得ることができる。
本発明の方法はこのようにして作られた切断す
る面にＸ軸を有するタンタル酸リチウム単結晶を
切断するのであるが、これは第１図に示したよう
にこのようにして得られたタンタル酸リチウム単
結晶１をＸ軸に平行な方向±15゜の範囲の方向で
切断するように行なえばよく、これによればこの
切断ワイヤー３の運動方向がＸ軸と垂直な方向と
なるので、タンタル酸リチウム単結晶１のへき開
し易い面（012）に沿うものとはならず、したが
つて得られるウエーハは反りの少ないものにな
り、ウエーハ製造工程が効率化されるという有利
性が与えられる。
る面にＸ軸を有するタンタル酸リチウム単結晶を
切断するのであるが、これは第１図に示したよう
にこのようにして得られたタンタル酸リチウム単
結晶１をＸ軸に平行な方向±15゜の範囲の方向で
切断するように行なえばよく、これによればこの
切断ワイヤー３の運動方向がＸ軸と垂直な方向と
なるので、タンタル酸リチウム単結晶１のへき開
し易い面（012）に沿うものとはならず、したが
つて得られるウエーハは反りの少ないものにな
り、ウエーハ製造工程が効率化されるという有利
性が与えられる。
つぎに本発明の実施例および比較例をあげる。
実施例
直径50mm、高さ150mmのイリジウムるつぼに純
度99.99％のタンタル酸リチウム粉末焼成原料
8420ｇを入れて高周波誘導加熱装置を用いて溶融
し、これに36゜Y軸方向の方位をもつタンタル酸
リチウム種結晶を浸し、径約78mm、長さ約140mm
のタンタル酸リチウム単結晶を引き上げ、成長終
了後種が保温筒の中に入つた位置で酸素を30容量
％含有する窒素ガス中で冷却した後、装置から取
り出した。
度99.99％のタンタル酸リチウム粉末焼成原料
8420ｇを入れて高周波誘導加熱装置を用いて溶融
し、これに36゜Y軸方向の方位をもつタンタル酸
リチウム種結晶を浸し、径約78mm、長さ約140mm
のタンタル酸リチウム単結晶を引き上げ、成長終
了後種が保温筒の中に入つた位置で酸素を30容量
％含有する窒素ガス中で冷却した後、装置から取
り出した。
つぎにこのようにして得たタンタル酸リチウム
単結晶を切断してから単一分極化して径76.2mm、
長さ140mmの円柱状体とし、つぎにワイヤーソー
を用いてワイヤーの運動方向がＸ軸と垂直な方向
で、切断方向がＸ軸に方行な方向に厚さ0.5mmに
切断したところ、径76.2mm、厚さ0.5mmの丸型ウ
エーハ200枚が得られたが、このウエーハの反り
は20μm以下であつた。
単結晶を切断してから単一分極化して径76.2mm、
長さ140mmの円柱状体とし、つぎにワイヤーソー
を用いてワイヤーの運動方向がＸ軸と垂直な方向
で、切断方向がＸ軸に方行な方向に厚さ0.5mmに
切断したところ、径76.2mm、厚さ0.5mmの丸型ウ
エーハ200枚が得られたが、このウエーハの反り
は20μm以下であつた。
比較例
上記実施例において得られた円柱状のタンタル
酸リチウム単結晶をワイヤーソーを用いてワイヤ
ーの運動方向がＸ軸と平行な方向で、切断方向が
Ｘ軸に垂直な方向に厚さ0.5mmに切断したところ、
径76.2mm、厚さ0.5mmの丸型ウエーハ200枚が得ら
れたが、このウエーハの反りは平均70μmと大き
いものであつた。
酸リチウム単結晶をワイヤーソーを用いてワイヤ
ーの運動方向がＸ軸と平行な方向で、切断方向が
Ｘ軸に垂直な方向に厚さ0.5mmに切断したところ、
径76.2mm、厚さ0.5mmの丸型ウエーハ200枚が得ら
れたが、このウエーハの反りは平均70μmと大き
いものであつた。
第１図は本発明の方法によるタンタル酸リチウ
ム単結晶ウエーハの切断方法の斜視図、第２図は
従来法によるタンタル酸リチウム単結晶の切断方
法の斜視図を示したものである。 １，１１…タンタル酸リチウム単結晶棒、２，
１２…切り出し線、３，１３…切り出しワイヤ
ー。
ム単結晶ウエーハの切断方法の斜視図、第２図は
従来法によるタンタル酸リチウム単結晶の切断方
法の斜視図を示したものである。 １，１１…タンタル酸リチウム単結晶棒、２，
１２…切り出し線、３，１３…切り出しワイヤ
ー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 切断する面にＸ軸を有するタンタル酸リチウ
ム単結晶をＸ軸に平行な方向±15゜の範囲の方向
で切断することを特徴とするタンタル酸リチウム
単結晶ウエーハの製造方法。 ２ 該タンタル酸リチウム単結晶がＺ軸方向に向
つてＹ軸より36゜±10゜の傾きの結晶工学方位を有
するものである特許請求の範囲第１項記載のタン
タル酸リチウム単結晶ウエーハの製造方法。 ３ 該タンタル酸リチウム単結晶がＹ軸結晶工学
方位を有するものである特許請求の範囲第１項記
載のタンタル酸リチウム単結晶ウエーハの製造方
法。 ４ 該タンタル酸リチウム単結晶がＺ軸結晶工学
方位を有するものである特許請求の範囲第１項記
載のタンタル酸リチウム単結晶ウエーハの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13085487A JPS63295500A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13085487A JPS63295500A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295500A JPS63295500A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0375520B2 true JPH0375520B2 (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=15044247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13085487A Granted JPS63295500A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295500A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04128010A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Kyoto Handotai Kk | シリコン単結晶の切断方法 |
| JPH09167936A (ja) | 1995-10-13 | 1997-06-24 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
| AUPR174800A0 (en) * | 2000-11-29 | 2000-12-21 | Australian National University, The | Semiconductor processing |
| EP2421050A1 (en) * | 2009-04-15 | 2012-02-22 | Sunovel (Suzhou) Technologies Limited | Thin film of solar battery structure, thin film of solar battery array and manufacturing method thereof |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP13085487A patent/JPS63295500A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63295500A (ja) | 1988-12-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |