JPS6360194A - 単結晶の引上げ方法 - Google Patents
単結晶の引上げ方法Info
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- JPS6360194A JPS6360194A JP20307486A JP20307486A JPS6360194A JP S6360194 A JPS6360194 A JP S6360194A JP 20307486 A JP20307486 A JP 20307486A JP 20307486 A JP20307486 A JP 20307486A JP S6360194 A JPS6360194 A JP S6360194A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、チョクラルスキー法（以下ＣＺ法と称す）に
よシＬｉＮｂＯ５やＬｉＴａＯ５などの単結晶を歩留り
良く製造する方法に関する。
よシＬｉＮｂＯ５やＬｉＴａＯ５などの単結晶を歩留り
良く製造する方法に関する。
（従来技術）
Ｃ２法によシ育成される単結晶は育成を行なう単結晶と
同じ方位の種結晶を使用する。この種結晶に粒界が含ま
れていると育成される結晶に粒界が伝搬し、結晶の熱歪
や静電反発力に二り粒界部分でクラックが入り易く育成
歩留の向上や品質の向上環に関して重要な問題である。
同じ方位の種結晶を使用する。この種結晶に粒界が含ま
れていると育成される結晶に粒界が伝搬し、結晶の熱歪
や静電反発力に二り粒界部分でクラックが入り易く育成
歩留の向上や品質の向上環に関して重要な問題である。
第４図は、ＣＺ法によシ育成したＬｉＮｂＯ５の２方位
結晶からＬｉ Ｎｂ Ｏｓの２方位引上げに使用する種
結晶２の切り出し方の概略図である。図中紙面に対して
垂直方向がＸ軸である。第４図は従来方法を示したもの
であるが、図から分かるように結晶の育成方向（この場
合はＺ軸方向）に粒界が存在する場合、種結晶も同様の
方向に粒界が存在する０ （発明が解決しようとする問題点） 粒界は結晶の育成方向に伝搬する性質があるので、上記
従来方法で作成した種結晶を用い結晶を育成すると種結
晶中の粒界がそのまま育成結晶に伝搬してしまう。その
為育成結晶の品質は悪くなシ、粒界部分でクラックが発
生し易くなりクラックにより歩留の低下を招くという欠
点がある０本発明の目的は上述した種結晶からの育成結
晶への粒界の伝搬を極力減少させ、品質良好でクランク
の発生の少ない単結晶の引上方法を提供することである
。
結晶からＬｉ Ｎｂ Ｏｓの２方位引上げに使用する種
結晶２の切り出し方の概略図である。図中紙面に対して
垂直方向がＸ軸である。第４図は従来方法を示したもの
であるが、図から分かるように結晶の育成方向（この場
合はＺ軸方向）に粒界が存在する場合、種結晶も同様の
方向に粒界が存在する０ （発明が解決しようとする問題点） 粒界は結晶の育成方向に伝搬する性質があるので、上記
従来方法で作成した種結晶を用い結晶を育成すると種結
晶中の粒界がそのまま育成結晶に伝搬してしまう。その
為育成結晶の品質は悪くなシ、粒界部分でクラックが発
生し易くなりクラックにより歩留の低下を招くという欠
点がある０本発明の目的は上述した種結晶からの育成結
晶への粒界の伝搬を極力減少させ、品質良好でクランク
の発生の少ない単結晶の引上方法を提供することである
。
（問題点を解決するための手段）
本発明の単結晶の引上方法はＣ２法を用いてＬ ｉ Ｎ
ｂ ＯｓやＬｉＴａＯ５などの単結晶を育成する際、単
結晶育成に使用する種結晶を育成する結晶と異なる方位
の結晶から作成したものを使用することを特命とするも
のである。
ｂ ＯｓやＬｉＴａＯ５などの単結晶を育成する際、単
結晶育成に使用する種結晶を育成する結晶と異なる方位
の結晶から作成したものを使用することを特命とするも
のである。
（作 用）
上述した方法で作成した種結晶は、種結晶中の粒界が育
成する結晶の育成方向と異なっている為に種結晶から育
成結晶への粒界の伝搬が少をい。
成する結晶の育成方向と異なっている為に種結晶から育
成結晶への粒界の伝搬が少をい。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面によシ説明する。
第１図はＬｉＮｂＯｘの２方位引上の結晶よｆｉＹ方位
の種結晶の切り出し方の概略図である。図中紙面に対し
て垂直方向がＸ軸である。この例では種結晶の方位は結
晶引上方向に対して９０°傾いている。第２図はＬｉＮ
ｂＯ５の２方位引上の結晶より１２８°Ｙ方位の種結晶
の切シ出し方の概略図である。この例では種結晶の方位
は結晶引上方向に対して３８°傾いている。第３図はＬ
ｉＴａＯ５の３６°Ｙ方位引上の結晶よりＸ方位の種結
晶の切シ出し方の概略図である。図中紙面に対して垂直
方向が１２６ ｙ軸となる。この例では種結晶の方位は
結晶引上方向に対して９０°傾いている。
の種結晶の切り出し方の概略図である。図中紙面に対し
て垂直方向がＸ軸である。この例では種結晶の方位は結
晶引上方向に対して９０°傾いている。第２図はＬｉＮ
ｂＯ５の２方位引上の結晶より１２８°Ｙ方位の種結晶
の切シ出し方の概略図である。この例では種結晶の方位
は結晶引上方向に対して３８°傾いている。第３図はＬ
ｉＴａＯ５の３６°Ｙ方位引上の結晶よりＸ方位の種結
晶の切シ出し方の概略図である。図中紙面に対して垂直
方向が１２６ ｙ軸となる。この例では種結晶の方位は
結晶引上方向に対して９０°傾いている。
上記方法で作成した種結晶に含まれている粒界は引上方
向に対して斜めもしくは直角となシ易く、この種結晶を
用いて育成した結晶は種結晶からの粒界の伝搬が少なく
なる。種結晶とメルトの接する部分に粒界があった場合
も、結晶育成初めの結晶径を絞り込む工程のネック工程
において、粒界が結晶外へ出易くなシ育成結晶迄粒界が
伝搬し難い。
向に対して斜めもしくは直角となシ易く、この種結晶を
用いて育成した結晶は種結晶からの粒界の伝搬が少なく
なる。種結晶とメルトの接する部分に粒界があった場合
も、結晶育成初めの結晶径を絞り込む工程のネック工程
において、粒界が結晶外へ出易くなシ育成結晶迄粒界が
伝搬し難い。
（具体例１．）
ＬｉＮｂＯ３の原料を白金ルツボに入れ１２８０℃以上
の温度にし溶解を行ない図１の方法で作成した種結晶を
浸し、結晶を１３ｒｐｍで回転させながら引上げを行な
いＬｉＮｂＯ５のＹ方位の単結晶を生長させた後、溶液
よ多結晶を切り離し、１００℃Ｉｈｒで冷却を行なった
。この方法で結晶の育成を３０本行なったところ、クラ
ック発生率は３チとなシ従来の発生率６０％に比べ１／
２ｏとなり大幅に改善されていることが確認された。
の温度にし溶解を行ない図１の方法で作成した種結晶を
浸し、結晶を１３ｒｐｍで回転させながら引上げを行な
いＬｉＮｂＯ５のＹ方位の単結晶を生長させた後、溶液
よ多結晶を切り離し、１００℃Ｉｈｒで冷却を行なった
。この方法で結晶の育成を３０本行なったところ、クラ
ック発生率は３チとなシ従来の発生率６０％に比べ１／
２ｏとなり大幅に改善されていることが確認された。
（具体例２）
Ｌｉ Ｎｂ Ｏｓの原料を白金ルツボに入れ１２８０’
Ｃ以上の温度にし溶解を行ない、図２の方法で作成した
種結晶を浸し、結晶を１３ｒｐｍで回転させながら引上
げを行ないＬｉＮｂＯ５の１２８°Ｙ方位の単結晶を成
長させた後、溶液よ多結晶を切シ離し、１００Ｃ／ｂ
ｒで冷却を行なった。この方法で結晶の育成を３０本行
なったところクラック発生率は９％となシ、従来の発生
率５５Ｌｌｂに比べ大幅に改善されていることが確認さ
れた。
Ｃ以上の温度にし溶解を行ない、図２の方法で作成した
種結晶を浸し、結晶を１３ｒｐｍで回転させながら引上
げを行ないＬｉＮｂＯ５の１２８°Ｙ方位の単結晶を成
長させた後、溶液よ多結晶を切シ離し、１００Ｃ／ｂ
ｒで冷却を行なった。この方法で結晶の育成を３０本行
なったところクラック発生率は９％となシ、従来の発生
率５５Ｌｌｂに比べ大幅に改善されていることが確認さ
れた。
（具体例３）
ＬｉＴａＯｓの原料を白金ルツボに入れ１０００℃以上
の温度にし溶解を行ない図３の方法で作成した種結晶を
浸し、結晶を１３ｒｐｍで回転させながら引上げを行な
いＬｉＴａＯ５のＸ方位の単結晶を成長させた後、溶液
より結晶を切シ離し１００ ’Ｃ／ｈｒで冷却を行なっ
た。この方法で結晶の育成を３０本行なったところクラ
ックはまったく発生せず、従来の発生率３０％に比べ大
幅に改善された。
の温度にし溶解を行ない図３の方法で作成した種結晶を
浸し、結晶を１３ｒｐｍで回転させながら引上げを行な
いＬｉＴａＯ５のＸ方位の単結晶を成長させた後、溶液
より結晶を切シ離し１００ ’Ｃ／ｈｒで冷却を行なっ
た。この方法で結晶の育成を３０本行なったところクラ
ックはまったく発生せず、従来の発生率３０％に比べ大
幅に改善された。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、ＬｆＮｂＯｍやＬ
ｉ Ｔａ Ｏｓ等の単結晶のクラック発生率が大幅に減
少出来、歩留が向上すると共に品質の向上も図ることが
出来るという効果を奏する。
ｉ Ｔａ Ｏｓ等の単結晶のクラック発生率が大幅に減
少出来、歩留が向上すると共に品質の向上も図ることが
出来るという効果を奏する。
第１図、第２図、第３図は、本発明の種結晶の切シ出し
方法の概略説明図、第４図は従来法による種結晶の一例
の概略説明図である。 １・・・結 晶 ２・・・種結晶第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ｌ 日 ｌ：拮 嘉 ２：禰Ｊ１晶
方法の概略説明図、第４図は従来法による種結晶の一例
の概略説明図である。 １・・・結 晶 ２・・・種結晶第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ｌ 日 ｌ：拮 嘉 ２：禰Ｊ１晶
Claims (1)
- チョクラルスキー法による単結晶の引上方法において、
育成に使用する種結晶として育成結晶と異なる方位の結
晶から作成した種結晶を使用することを特徴とする単結
晶の引上方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20307486A JPS6360194A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 単結晶の引上げ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20307486A JPS6360194A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 単結晶の引上げ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360194A true JPS6360194A (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=16467916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20307486A Pending JPS6360194A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 単結晶の引上げ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6360194A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020001937A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 種結晶の製造方法、種結晶の選別方法および金属酸化物単結晶の製造方法 |
| JP2020050543A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 鉄ガリウム合金の単結晶育成用種結晶の製造方法および鉄ガリウム合金の単結晶育成方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20307486A patent/JPS6360194A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020001937A (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-09 | 住友金属鉱山株式会社 | 種結晶の製造方法、種結晶の選別方法および金属酸化物単結晶の製造方法 |
| JP2020050543A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 鉄ガリウム合金の単結晶育成用種結晶の製造方法および鉄ガリウム合金の単結晶育成方法 |
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