JPH1197241A - 酸化物ガーネット膜の製造方法 - Google Patents
酸化物ガーネット膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH1197241A JPH1197241A JP25302697A JP25302697A JPH1197241A JP H1197241 A JPH1197241 A JP H1197241A JP 25302697 A JP25302697 A JP 25302697A JP 25302697 A JP25302697 A JP 25302697A JP H1197241 A JPH1197241 A JP H1197241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- oxide garnet
- crystal
- film
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
- H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 加工中のエピタキシャル膜のクラック発生が
低減され、磁気光学素子用チップ歩留りが向上する酸化
物ガーネット膜を提供する。 【解決手段】 液相エピタキシャル法によって融液中で
酸化物ガーネット基板の両面に酸化物ガーネット膜を成
長させる方法において、該酸化物ガーネット基板の方位
を、結晶の破壊が生じやすい {110}、{112} 、{123} の
±５°以内とすることを特徴とする酸化物ガーネット膜
の製造方法。
低減され、磁気光学素子用チップ歩留りが向上する酸化
物ガーネット膜を提供する。 【解決手段】 液相エピタキシャル法によって融液中で
酸化物ガーネット基板の両面に酸化物ガーネット膜を成
長させる方法において、該酸化物ガーネット基板の方位
を、結晶の破壊が生じやすい {110}、{112} 、{123} の
±５°以内とすることを特徴とする酸化物ガーネット膜
の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物ガーネット
膜の製造方法、特には光アイソレータや光スイッチなど
の磁気光学素子に用いられる酸化物ガーネットエピタキ
シャル膜の製造方法に関するものである。
膜の製造方法、特には光アイソレータや光スイッチなど
の磁気光学素子に用いられる酸化物ガーネットエピタキ
シャル膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液相エピタキシャル法で厚さが50
μｍ以上である酸化物ガーネット膜を形成させる方法と
しては、融液内に厚さ 0.6〜2.0 mmの {111}方位の基板
結晶を挿入し、この基板結晶の両面に酸化物ガーネット
膜を成長させ、ついで該酸化物基板を横方向から切断
し、分割するという方法が知られている。
μｍ以上である酸化物ガーネット膜を形成させる方法と
しては、融液内に厚さ 0.6〜2.0 mmの {111}方位の基板
結晶を挿入し、この基板結晶の両面に酸化物ガーネット
膜を成長させ、ついで該酸化物基板を横方向から切断
し、分割するという方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の方
法では、基板結晶を横方向から切断し、分割することが
必要であり、この切断、分割には通常、内周刃切断機が
用いられるが、切断が進むにつれ、内周刃により切断物
が微妙に振動する程度が大きくなり、基板の両面に形成
された酸化物ガーネット膜にクラックが入りやすくなっ
てしまう。このため、この方法では酸化物ガーネット膜
からなる磁気光学素子のチップの取れ数が少なくなると
いう欠点がある。
法では、基板結晶を横方向から切断し、分割することが
必要であり、この切断、分割には通常、内周刃切断機が
用いられるが、切断が進むにつれ、内周刃により切断物
が微妙に振動する程度が大きくなり、基板の両面に形成
された酸化物ガーネット膜にクラックが入りやすくなっ
てしまう。このため、この方法では酸化物ガーネット膜
からなる磁気光学素子のチップの取れ数が少なくなると
いう欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような不
利、欠点を解決した酸化物ガーネット膜の製造方法に関
するものであり、これは、液相エピタキシャル法によっ
て融液中で酸化物ガーネット基板の両面に酸化物ガーネ
ット膜を成長させる方法において、該酸化物ガーネット
基板の方位を結晶の破壊が生じやすい {110}、{112} 、
{123} の±５°以内とすることを特徴とする酸化物ガー
ネット膜の製造方法を要旨とするものである。
利、欠点を解決した酸化物ガーネット膜の製造方法に関
するものであり、これは、液相エピタキシャル法によっ
て融液中で酸化物ガーネット基板の両面に酸化物ガーネ
ット膜を成長させる方法において、該酸化物ガーネット
基板の方位を結晶の破壊が生じやすい {110}、{112} 、
{123} の±５°以内とすることを特徴とする酸化物ガー
ネット膜の製造方法を要旨とするものである。
【０００５】本発明者らは酸化物ガーネット基板の両面
にエピタキシャル法で酸化物ガーネット膜を成長させる
方法について種々検討した結果、該酸化物ガーネット基
板の方位を結晶の破壊が生じやすい方位とし、とくには
酸化物ガーネット基板の方位を {110}、{112} 、{123}
±５°以内とすることで生産性が向上することを見出し
た。すなわち、酸化物ガーネット基板上にエピタキシャ
ル膜を成長させる際、エピタキシャル膜と基板結晶との
熱膨張率が異なるため、育成中はエピタキシャル膜と基
板結晶とで応力歪みを生じないとしても、基板結晶の両
面に酸化物ガーネット膜を形成したエピタキシャルウェ
ーハを室温まで冷却する過程で熱膨張係数が大きなエピ
タキシャル膜の方が基板結晶より大きく縮むため、基板
結晶を引き裂くような熱応力が働くが、このとき基板結
晶を破壊が生じやすい方位としておくと、冷却途中で基
板結晶を横方向から切断したと同様な効果がある。この
結果、このようにして製造された酸化物ガーネット膜は
製造後に横方向からの切断、分割といった工程が省略で
き、また、得られた酸化物ガーネット膜のクラックの程
度は従来方法と比較し格段に少なくなっており、この結
果、酸化物ガーネット膜からなるチップの取れ数が大幅
に増加するということを確認して本発明を完成させた。
以下にこれを詳述する。
にエピタキシャル法で酸化物ガーネット膜を成長させる
方法について種々検討した結果、該酸化物ガーネット基
板の方位を結晶の破壊が生じやすい方位とし、とくには
酸化物ガーネット基板の方位を {110}、{112} 、{123}
±５°以内とすることで生産性が向上することを見出し
た。すなわち、酸化物ガーネット基板上にエピタキシャ
ル膜を成長させる際、エピタキシャル膜と基板結晶との
熱膨張率が異なるため、育成中はエピタキシャル膜と基
板結晶とで応力歪みを生じないとしても、基板結晶の両
面に酸化物ガーネット膜を形成したエピタキシャルウェ
ーハを室温まで冷却する過程で熱膨張係数が大きなエピ
タキシャル膜の方が基板結晶より大きく縮むため、基板
結晶を引き裂くような熱応力が働くが、このとき基板結
晶を破壊が生じやすい方位としておくと、冷却途中で基
板結晶を横方向から切断したと同様な効果がある。この
結果、このようにして製造された酸化物ガーネット膜は
製造後に横方向からの切断、分割といった工程が省略で
き、また、得られた酸化物ガーネット膜のクラックの程
度は従来方法と比較し格段に少なくなっており、この結
果、酸化物ガーネット膜からなるチップの取れ数が大幅
に増加するということを確認して本発明を完成させた。
以下にこれを詳述する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明による酸化物ガーネット膜
の製造方法は酸化物ガーネット基板の両面に酸化物ガー
ネット膜を成長させる方法において、該酸化物ガーネッ
ト基板の方位を結晶の破壊が生じやすい {110}、{112}
、{123} の±５°以内とすることで、ガーネット膜結
晶を形成後、室温まで冷却する過程で熱応力を用いて自
然に基板を分割し、結果として片面だけに酸化物ガーネ
ットエピタキシャル膜を成長させたものが一度に二枚得
られるのである。
の製造方法は酸化物ガーネット基板の両面に酸化物ガー
ネット膜を成長させる方法において、該酸化物ガーネッ
ト基板の方位を結晶の破壊が生じやすい {110}、{112}
、{123} の±５°以内とすることで、ガーネット膜結
晶を形成後、室温まで冷却する過程で熱応力を用いて自
然に基板を分割し、結果として片面だけに酸化物ガーネ
ットエピタキシャル膜を成長させたものが一度に二枚得
られるのである。
【０００７】本発明において始発材とされる酸化物ガー
ネット基板は従来公知のもので良く、したがってこれに
はガドリニウム・ガリウム・ガーネット(GGG) 、ネオジ
ム・ガリウム・ガーネット(NGG) 、サマリウム・ガリウ
ム・ガーネット(SGG) 、このGGG の陽イオンの一部をC
a、Mg、Zrで置換したNOG （信越化学工業社製商品名）
等が例示される。この基板の方位を結晶の破壊が生じや
すい方位、例えば、 {110}、{112} 、{123} とした上
で、液相エピタキシャル法で酸化物ガーネット膜を形成
し、後述するように膜形成後室温まで冷却する過程で基
板結晶の中央部から基板が分離し、切断を行ったことと
同様な効果が得られる。この酸化物ガーネット基板上に
液相エピタキシャル法で成長させる酸化物ガーネット膜
としては(BiEuTb)3(FeGa)5O12 、(BiY)3Fe5O12などが例
示され、これらのエピタキシャル膜の厚さは充分な熱応
力を生じさせるため50〜700 μｍの範囲となるようにす
ればよい。
ネット基板は従来公知のもので良く、したがってこれに
はガドリニウム・ガリウム・ガーネット(GGG) 、ネオジ
ム・ガリウム・ガーネット(NGG) 、サマリウム・ガリウ
ム・ガーネット(SGG) 、このGGG の陽イオンの一部をC
a、Mg、Zrで置換したNOG （信越化学工業社製商品名）
等が例示される。この基板の方位を結晶の破壊が生じや
すい方位、例えば、 {110}、{112} 、{123} とした上
で、液相エピタキシャル法で酸化物ガーネット膜を形成
し、後述するように膜形成後室温まで冷却する過程で基
板結晶の中央部から基板が分離し、切断を行ったことと
同様な効果が得られる。この酸化物ガーネット基板上に
液相エピタキシャル法で成長させる酸化物ガーネット膜
としては(BiEuTb)3(FeGa)5O12 、(BiY)3Fe5O12などが例
示され、これらのエピタキシャル膜の厚さは充分な熱応
力を生じさせるため50〜700 μｍの範囲となるようにす
ればよい。
【０００８】本発明による酸化物ガーネットエピタキシ
ャル膜の成長は成長させるべき酸化物ガーネット膜を形
成する金属酸化物の融液中に、破壊が生じやすい方位の
酸化物ガーネット基板を浸漬し、これを回転させるとい
う公知の液相エピタキシャル法で行えばよいが、この基
板の融液内の位置についてはこの基板を融液の表面に近
いところに位置すると融液の温度が急激に変化する結
果、基板結晶の上面と下面とで温度差が生じ、上面と下
面とで異なる格子定数のエピタキシャル膜が成長するた
め好ましくなく、これには融液の表面から少なくとも10
mm以上離れた位置でエピタキシャル膜を形成することが
良く、これによれば基板結晶の上面と下面に同じ格子定
数を持つエピタキシャル膜を成長させることができる。
ャル膜の成長は成長させるべき酸化物ガーネット膜を形
成する金属酸化物の融液中に、破壊が生じやすい方位の
酸化物ガーネット基板を浸漬し、これを回転させるとい
う公知の液相エピタキシャル法で行えばよいが、この基
板の融液内の位置についてはこの基板を融液の表面に近
いところに位置すると融液の温度が急激に変化する結
果、基板結晶の上面と下面とで温度差が生じ、上面と下
面とで異なる格子定数のエピタキシャル膜が成長するた
め好ましくなく、これには融液の表面から少なくとも10
mm以上離れた位置でエピタキシャル膜を形成することが
良く、これによれば基板結晶の上面と下面に同じ格子定
数を持つエピタキシャル膜を成長させることができる。
【０００９】一般的に上述した基板結晶とエピタキシャ
ル膜の熱膨張率を比較すると、エピタキシャル膜の方が
大きい。このため、エピタキシャル膜形成時の温度であ
る 750〜 900℃において基板結晶とエピタキシャル膜と
の格子定数を一致させるようにエピタキシャル膜の組成
を選択するが、室温までの冷却過程で、エピタキシャル
膜の熱膨張率が大きいため、基板結晶を横方向に沿って
破壊するような応力が発生し、基板は中央部から剥がれ
るように割れ、ちょうど切断を行ったと同じ効果が得ら
れる。また、公知の方法で基板結晶を例えば内周刃切断
機を用いて横方向から切断すると、切断が進むにつれ切
断物の微妙な凹凸によると考えられる振動が切断対象物
であるエピタキシャル膜に伝わる結果、エピタキシャル
膜にひび割れが発生し、このエピタキシャル膜からダイ
シングソーにより切り出される例えば２mm角のチップの
取れ数が少なくなってしまうが、本発明ではこのような
基板結晶を横方向から切断する工程が不要になるため、
エピタキシャル膜にひび割れが入ることがなくなり、チ
ップも取れ数が大幅に増える利点が生じる。
ル膜の熱膨張率を比較すると、エピタキシャル膜の方が
大きい。このため、エピタキシャル膜形成時の温度であ
る 750〜 900℃において基板結晶とエピタキシャル膜と
の格子定数を一致させるようにエピタキシャル膜の組成
を選択するが、室温までの冷却過程で、エピタキシャル
膜の熱膨張率が大きいため、基板結晶を横方向に沿って
破壊するような応力が発生し、基板は中央部から剥がれ
るように割れ、ちょうど切断を行ったと同じ効果が得ら
れる。また、公知の方法で基板結晶を例えば内周刃切断
機を用いて横方向から切断すると、切断が進むにつれ切
断物の微妙な凹凸によると考えられる振動が切断対象物
であるエピタキシャル膜に伝わる結果、エピタキシャル
膜にひび割れが発生し、このエピタキシャル膜からダイ
シングソーにより切り出される例えば２mm角のチップの
取れ数が少なくなってしまうが、本発明ではこのような
基板結晶を横方向から切断する工程が不要になるため、
エピタキシャル膜にひび割れが入ることがなくなり、チ
ップも取れ数が大幅に増える利点が生じる。
【００１０】なお、このようにして得られた基板結晶の
片面にのみ酸化物ガーネットエピタキシャル膜が成長し
ている酸化物ガーネット基板は硝酸等の酸溶液中で洗浄
してフラックスを落としたのち、基板結晶を砥粒を用い
てラッピングして完全に取り除いた後、研磨機を用いて
鏡面研磨すれば、光アイソレータ、光スイッチ等の磁気
光学素子として有用な、例えばファラデー回転子のチッ
プが取得される。
片面にのみ酸化物ガーネットエピタキシャル膜が成長し
ている酸化物ガーネット基板は硝酸等の酸溶液中で洗浄
してフラックスを落としたのち、基板結晶を砥粒を用い
てラッピングして完全に取り除いた後、研磨機を用いて
鏡面研磨すれば、光アイソレータ、光スイッチ等の磁気
光学素子として有用な、例えばファラデー回転子のチッ
プが取得される。
【００１１】また、基板結晶の方位としては結晶破壊を
容易に生じさせる点から {110}、{112} 、{123} とする
のが好ましいが、ちょうどこの方位とするとガーネット
エピタキシャル膜を育成するときの成長速度が小さくな
るという不利が生じるため、これらの方位から±５°以
内ずらしたオフアングル基板を用いるのが、生産性の面
からは好ましい。±５°を超えると結晶破壊が生じにく
い。
容易に生じさせる点から {110}、{112} 、{123} とする
のが好ましいが、ちょうどこの方位とするとガーネット
エピタキシャル膜を育成するときの成長速度が小さくな
るという不利が生じるため、これらの方位から±５°以
内ずらしたオフアングル基板を用いるのが、生産性の面
からは好ましい。±５°を超えると結晶破壊が生じにく
い。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例、比較例を挙げる。な
お、格子定数の測定はＸ線回折装置、BOND法による。 （実施例１）基板結晶として、結晶方位が {110}５°オ
フアングルで格子定数が各々12.4965 Åである直径２イ
ンチ、厚み 1.5mmの GGG単結晶の陽イオンの一部をCa、
Mg、Zrで置換した単結晶 NOG（前出、信越化学工業社製
商品名）の両面が研磨されたウェーハを用意した。酸化
物ガーネットエピタキシャル膜を形成させる金属酸化物
として、Bi2O3 977.38ｇ、 Eu2O3 1.489ｇ、Tb4O7 13.9
29ｇ、 Fe2O3 122.86 ｇ、Ga2O3 5.272 ｇと、フラック
ス成分としてのPbO 936.36ｇ、B2O3 41.72ｇとを白金ル
ツボに秤量し、加熱溶融させ、上述した基板結晶を白金
製のウェーハホルダにセットしてこの融液の液面下20mm
の位置に浸漬し、育成温度 750℃で50時間にわたり基板
結晶を回転させながらエピタキシャル膜を成長させた。
この基板結晶をエピタキシャル炉から取り出し室温冷却
したところ、基板結晶は横方向に剥れ、各々の基板結晶
上には膜厚 550μｍのエピタキシャル膜が形成されてい
た。
お、格子定数の測定はＸ線回折装置、BOND法による。 （実施例１）基板結晶として、結晶方位が {110}５°オ
フアングルで格子定数が各々12.4965 Åである直径２イ
ンチ、厚み 1.5mmの GGG単結晶の陽イオンの一部をCa、
Mg、Zrで置換した単結晶 NOG（前出、信越化学工業社製
商品名）の両面が研磨されたウェーハを用意した。酸化
物ガーネットエピタキシャル膜を形成させる金属酸化物
として、Bi2O3 977.38ｇ、 Eu2O3 1.489ｇ、Tb4O7 13.9
29ｇ、 Fe2O3 122.86 ｇ、Ga2O3 5.272 ｇと、フラック
ス成分としてのPbO 936.36ｇ、B2O3 41.72ｇとを白金ル
ツボに秤量し、加熱溶融させ、上述した基板結晶を白金
製のウェーハホルダにセットしてこの融液の液面下20mm
の位置に浸漬し、育成温度 750℃で50時間にわたり基板
結晶を回転させながらエピタキシャル膜を成長させた。
この基板結晶をエピタキシャル炉から取り出し室温冷却
したところ、基板結晶は横方向に剥れ、各々の基板結晶
上には膜厚 550μｍのエピタキシャル膜が形成されてい
た。
【００１３】次いで、この基板結晶を10容量％の硝酸中
で洗浄してフラックス成分を洗い落とし、エピタキシャ
ル膜を調べたところ、これは、(BiEuTb)3(FeGa)5O12 で
示される酸化物ガーネットであり、この室温におけるエ
ピタキシャル膜の格子定数は各々12.4926 Å、12.4925
Åと、ほぼ同一の値をとるものであることが確認され
た。次にこの酸化物ガーネットエピタキシャル膜の基板
結晶をGC #600 のグリーンカーボンでラッピングして凹
凸をなくし、コロイダルシリカとクロスを用いた研磨機
で 420μｍ厚まで鏡面研磨して得られた酸化物ガーネッ
トエピタキシャル膜を、ダイシングソーで２mm角に切断
したところ、 520個の光アイソレータ用として有用とさ
れる磁気光学素子としてのファラデー回転子が得られ
た。
で洗浄してフラックス成分を洗い落とし、エピタキシャ
ル膜を調べたところ、これは、(BiEuTb)3(FeGa)5O12 で
示される酸化物ガーネットであり、この室温におけるエ
ピタキシャル膜の格子定数は各々12.4926 Å、12.4925
Åと、ほぼ同一の値をとるものであることが確認され
た。次にこの酸化物ガーネットエピタキシャル膜の基板
結晶をGC #600 のグリーンカーボンでラッピングして凹
凸をなくし、コロイダルシリカとクロスを用いた研磨機
で 420μｍ厚まで鏡面研磨して得られた酸化物ガーネッ
トエピタキシャル膜を、ダイシングソーで２mm角に切断
したところ、 520個の光アイソレータ用として有用とさ
れる磁気光学素子としてのファラデー回転子が得られ
た。
【００１４】（実施例２）基板結晶の結晶方位が {112}
（オフアングル５°）であり、格子定数が12.508Åであ
る NGG結晶とし、かつ育成温度を 715℃とした以外は、
実施例１と同様にしてガーネットエピタキシャル膜を成
長させた。この基板結晶をエピタキシャル炉から取り出
し冷却したところ、基板結晶は横方向に剥れ、各々の基
板結晶上には膜厚 480μｍのエピタキシャル膜が形成さ
れていた。この酸化物ガーネットエピタキシャル膜か
ら、厚さを 380μｍとした以外は実施例１と同様にファ
ラデー回転子を作製したところ、550 個を得ることがで
きた。
（オフアングル５°）であり、格子定数が12.508Åであ
る NGG結晶とし、かつ育成温度を 715℃とした以外は、
実施例１と同様にしてガーネットエピタキシャル膜を成
長させた。この基板結晶をエピタキシャル炉から取り出
し冷却したところ、基板結晶は横方向に剥れ、各々の基
板結晶上には膜厚 480μｍのエピタキシャル膜が形成さ
れていた。この酸化物ガーネットエピタキシャル膜か
ら、厚さを 380μｍとした以外は実施例１と同様にファ
ラデー回転子を作製したところ、550 個を得ることがで
きた。
【００１５】（比較例１）結晶方位が {111}である基板
結晶とした以外は、実施例１と同様にしてエピタキシャ
ル膜を成長させた。この基板結晶をエピタキシャル炉か
ら取り出し冷却したところ、基板結晶には横方向の剥れ
はなく、その両面には膜厚 550μｍのエピタキシャル膜
が形成されていた。次いで、実施例１と同様にしてエピ
タキシャル膜を調べたところ、(BiEuTb)3(FeGa)5O12 で
示される酸化物ガーネットであり、これは上面も下面も
格子定数が12.493Åと、同一の値をとるものであること
が確認された。次にこの酸化物ガーネットエピタキシャ
ル膜を持つ基板結晶をエポキシ樹脂からなる接着剤で２
枚のカーボンの間に挟んで固定し、内周刃切断機で横方
向から切断した。この後実施例１と同様にラッピング、
鏡面研磨して得られた酸化物ガーネットエピタキシャル
膜を、ダイシングソーで２mm角に切断したところ、加工
中にひびが入り、光アイソレータ用として有用とされる
磁気光学素子としてのファラデー回転子は 260個しか得
られなかった。
結晶とした以外は、実施例１と同様にしてエピタキシャ
ル膜を成長させた。この基板結晶をエピタキシャル炉か
ら取り出し冷却したところ、基板結晶には横方向の剥れ
はなく、その両面には膜厚 550μｍのエピタキシャル膜
が形成されていた。次いで、実施例１と同様にしてエピ
タキシャル膜を調べたところ、(BiEuTb)3(FeGa)5O12 で
示される酸化物ガーネットであり、これは上面も下面も
格子定数が12.493Åと、同一の値をとるものであること
が確認された。次にこの酸化物ガーネットエピタキシャ
ル膜を持つ基板結晶をエポキシ樹脂からなる接着剤で２
枚のカーボンの間に挟んで固定し、内周刃切断機で横方
向から切断した。この後実施例１と同様にラッピング、
鏡面研磨して得られた酸化物ガーネットエピタキシャル
膜を、ダイシングソーで２mm角に切断したところ、加工
中にひびが入り、光アイソレータ用として有用とされる
磁気光学素子としてのファラデー回転子は 260個しか得
られなかった。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、基板結晶の両面に成長
させた酸化物ガーネット膜を室温まで冷却する際、熱応
力により基板結晶が横方向に剥れるので基板結晶を横方
向に切断する工程が不要になり、エピタキシャル膜にひ
び割れが入ることがなく、チップ加工の際の割れがなく
なり、磁気光学素子用チップの取れ数が大幅に向上す
る。
させた酸化物ガーネット膜を室温まで冷却する際、熱応
力により基板結晶が横方向に剥れるので基板結晶を横方
向に切断する工程が不要になり、エピタキシャル膜にひ
び割れが入ることがなく、チップ加工の際の割れがなく
なり、磁気光学素子用チップの取れ数が大幅に向上す
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 博樹 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 流王 俊彦 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 碇 真憲 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 液相エピタキシャル法によって融液中で
酸化物ガーネット基板の両面に酸化物ガーネット膜を成
長させる方法において、該酸化物ガーネット基板の方位
を、結晶の破壊が生じやすい {110}、{112} 、{123} の
±５°以内とすることを特徴とする酸化物ガーネット膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25302697A JPH1197241A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 酸化物ガーネット膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25302697A JPH1197241A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 酸化物ガーネット膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197241A true JPH1197241A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17245457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25302697A Pending JPH1197241A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 酸化物ガーネット膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197241A (ja) |
-
1997
- 1997-09-18 JP JP25302697A patent/JPH1197241A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014221692A (ja) | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、並びにβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板及びその製造方法 | |
| US4412886A (en) | Method for the preparation of a ferroelectric substrate plate | |
| JPH1197241A (ja) | 酸化物ガーネット膜の製造方法 | |
| JP2833714B2 (ja) | 酸化物ガーネット膜の製造方法 | |
| JP3894685B2 (ja) | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| JPH0475879B2 (ja) | ||
| JP4348539B2 (ja) | 非磁性ガーネット基板の製造方法とその非磁性ガーネット基板およびこの基板を用いて得られるビスマス置換型磁性ガーネット膜 | |
| JPS6294263A (ja) | カツタ−ブレ−ドおよびその製造方法 | |
| JPH10233314A (ja) | 酸化物ガーネット膜の製造方法 | |
| US4154025A (en) | Method for preparing oxide piezoelectric material wafers | |
| JP4736622B2 (ja) | 単結晶育成用基板 | |
| JPS63295500A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハの製造方法 | |
| US20020013053A1 (en) | Method of producing a microwave device | |
| JPH0377160B2 (ja) | ||
| JPS58155719A (ja) | 単結晶体の製造法 | |
| JP3119795B2 (ja) | Ｌｐｅ法による磁性ガーネット単結晶の製造方法 | |
| JPS6335496A (ja) | 単結晶ガ−ネツト体の製造法 | |
| JP2002111420A (ja) | 弾性表面波素子用ウエハ及びその作製方法 | |
| JP2787996B2 (ja) | 四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JP2005089216A (ja) | ファラデー回転子の製造方法 | |
| JPH1012439A (ja) | 静磁波素子用ｙｉｇ薄膜チップの製造方法 | |
| JP2640615B2 (ja) | 圧電性結晶の製造方法 | |
| JPS5849520B2 (ja) | ガ−ネツトケツシヨウノカコウホウホウ | |
| JPS5926994A (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JP2003002792A (ja) | 磁性ガーネット単結晶膜の製造方法 |