JPS5849520B2 - ガ−ネツトケツシヨウノカコウホウホウ - Google Patents
ガ−ネツトケツシヨウノカコウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5849520B2 JPS5849520B2 JP50138044A JP13804475A JPS5849520B2 JP S5849520 B2 JPS5849520 B2 JP S5849520B2 JP 50138044 A JP50138044 A JP 50138044A JP 13804475 A JP13804475 A JP 13804475A JP S5849520 B2 JPS5849520 B2 JP S5849520B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- garnet
- crystal
- film
- molten salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は棒状ガーネット結晶より磁性ガーネット膜等の
エビタキシャル或長用のガーネット結晶基板を製造する
方法に関する。
エビタキシャル或長用のガーネット結晶基板を製造する
方法に関する。
磁気バブル素子用磁性ガーネット膜の基板は、チョコラ
ルスキー法（引上げ法）によって育或した非磁性ガーネ
ット結晶の表面を、例えば任意の寸法の円柱状に研削加
工したのちウエーハー状に切断し、研摩して作製される
。
ルスキー法（引上げ法）によって育或した非磁性ガーネ
ット結晶の表面を、例えば任意の寸法の円柱状に研削加
工したのちウエーハー状に切断し、研摩して作製される
。
磁性ガーネット膜は、定温液相法によって非磁性ガーネ
ット基板上にエビタキシャル成長される。
ット基板上にエビタキシャル成長される。
ＰｂＯを主体とするフラツクスとガーネット構成成分の
酸化物の粉末を、電気炉内に設置した白金るつぼに充填
して約１２００’Ｃで均質化したのち、約９００℃の温
度に保持する。
酸化物の粉末を、電気炉内に設置した白金るつぼに充填
して約１２００’Ｃで均質化したのち、約９００℃の温
度に保持する。
９００℃前後の一定温度に保持された溶融塩に基板を浸
漬し、一定時間回転させてガーネット膜を成長させる。
漬し、一定時間回転させてガーネット膜を成長させる。
エビタキシャル成長後の基板を、溶融塩から引き出し、
基板に付着した溶融塩を振り切った後、電気炉の外に取
り出す。
基板に付着した溶融塩を振り切った後、電気炉の外に取
り出す。
以上のガーネット膜作製工程において、ガーネット膜を
成長させた基板を冷却して電気炉外に取り出すと基板が
しばしば割れる。
成長させた基板を冷却して電気炉外に取り出すと基板が
しばしば割れる。
割れの多くは、基板の周囲の溶融塩が残留した領域から
発生している。
発生している。
このような割れの原因は、冷却時の熱ショックとガーネ
ット膜成長後の基板に残留したフラツクスが冷却時に固
化し、収縮する際に、基板に応力が加わることにある。
ット膜成長後の基板に残留したフラツクスが冷却時に固
化し、収縮する際に、基板に応力が加わることにある。
一方、化学研摩した基板を用いた場合、このような基板
の割れは起こらない。
の割れは起こらない。
このことは、基板の周囲に円柱研削によって導入された
欠け、加工歪層が核となり、ここに上記した応力が加わ
ることによって割れが発生することを示唆している。
欠け、加工歪層が核となり、ここに上記した応力が加わ
ることによって割れが発生することを示唆している。
したがって、基板の周囲に導入された欠け、加工歪層を
除去した基板を用いた場合、基板の割れは防止できる。
除去した基板を用いた場合、基板の割れは防止できる。
そこで、本発明は、エビタキシャル成長後の冷却時に割
れることがな《、かつ平坦な基板を作製するガーネット
結晶の加工方法を提供することを目的としたものである
。
れることがな《、かつ平坦な基板を作製するガーネット
結晶の加工方法を提供することを目的としたものである
。
本発明は、磁性ガーネット膜の基板の作製に際し、棒状
ガーネット結晶の表面を研削加工後、この研削によって
導入された結晶表面の欠け、加工歪層を、化学研摩、あ
るいは機械化学研摩して除去し、その後ウエー・・一状
に切断し、研摩することを特徴とする。
ガーネット結晶の表面を研削加工後、この研削によって
導入された結晶表面の欠け、加工歪層を、化学研摩、あ
るいは機械化学研摩して除去し、その後ウエー・・一状
に切断し、研摩することを特徴とする。
化学研摩は、１００℃〜２００゜Ｃに加熱したリン酸、
あるいはリン酸を主体とした液を用いておこなうのが適
当である。
あるいはリン酸を主体とした液を用いておこなうのが適
当である。
機械化学研摩は、研摩材としてコロイダルシリカ溶液を
、研摩盤として合成皮革を用いておこなうのが適当であ
る。
、研摩盤として合成皮革を用いておこなうのが適当であ
る。
以下の実施例によって詳細に説明する。
実施例 １
基板結晶としては直径３８關の円柱状に研削加工したＧ
ｄ３Ｇａ，５０１２を用いた。
ｄ３Ｇａ，５０１２を用いた。
この結晶を、約４００ｅＣのリン酸槽に浸漬し、室温か
ら徐々に温度を上昇させて１８０℃で約１００分間加熱
して結晶表面層を０．２ｍｍ化学研摩した。
ら徐々に温度を上昇させて１８０℃で約１００分間加熱
して結晶表面層を０．２ｍｍ化学研摩した。
このように表面層を除去した結晶を０．７ｍｍ厚のウエ
ー・・一状に切断したのち、ウエーハーの表裏各々０．
１關を研摩した。
ー・・一状に切断したのち、ウエーハーの表裏各々０．
１關を研摩した。
この基板を用いて、液相エピタキシャル成長法によって
（Ｙ Ｓｍ Ｃａ）３（Ｆｅ Ｇｅ）ｓＯｔ２の膜を作
製した。
（Ｙ Ｓｍ Ｃａ）３（Ｆｅ Ｇｅ）ｓＯｔ２の膜を作
製した。
ＰｂＯを主体とするフラツクスとガーネット構成々分の
酸化物とを縦型電気炉内に設置した１ｏｏｃｃの白金る
つぼに充填して、約１２００゜Ｃの温度で２０時間の均
質化をしたのち、９２０℃の温度に保持した。
酸化物とを縦型電気炉内に設置した１ｏｏｃｃの白金る
つぼに充填して、約１２００゜Ｃの温度で２０時間の均
質化をしたのち、９２０℃の温度に保持した。
９２０℃の温度に保持された溶融塩に上記の基板を浸漬
し、１０分間１００ｒ，ｐ．ｍ，で回転させて基板上に （Ｙ ＳｍＣａ．）３ （Ｆｅ Ｇｅ）５０１２の膜を
エビタキシャル成長させた。
し、１０分間１００ｒ，ｐ．ｍ，で回転させて基板上に （Ｙ ＳｍＣａ．）３ （Ｆｅ Ｇｅ）５０１２の膜を
エビタキシャル成長させた。
エビタキャル成長後、基板を溶融塩から引き出し、５
０ ０ ｒ，ｐ，ｍ．の回転で基板に付着した溶融塩を
振り切った後、１ ０ｃｍ／ｍｉｙｒの上昇速度で電気
炉外に取り出した。
０ ０ ｒ，ｐ，ｍ．の回転で基板に付着した溶融塩を
振り切った後、１ ０ｃｍ／ｍｉｙｒの上昇速度で電気
炉外に取り出した。
以上の方法により、基板が割れることもなく、良質の磁
性ガーネット膜を作製できた。
性ガーネット膜を作製できた。
本発明を用いずにＧｄ３Ｇａ５０，２ の基板を製作し
た場合と、本発明を用いた場合の割れ頻度を第１表に示
す。
た場合と、本発明を用いた場合の割れ頻度を第１表に示
す。
実施例 ２
基板結晶としては直径３８ｍｍの円柱状に研削加工した
Ｇｄ３Ｇａ５０１２を用いた。
Ｇｄ３Ｇａ５０１２を用いた。
コロイダルシリ力を主成分としたアルカリ性の研摩材（
商品名スノーテツクス）を用い、合成皮革（商品名ポリ
テツクス）を接着した研摩盤上で上記の結晶を機械化学
研摩し、結晶表面層を０．２ｍｍ除去した。
商品名スノーテツクス）を用い、合成皮革（商品名ポリ
テツクス）を接着した研摩盤上で上記の結晶を機械化学
研摩し、結晶表面層を０．２ｍｍ除去した。
このように表面層を除去した結晶を、ウエーハ状に切断
、研摩して基板を作製した。
、研摩して基板を作製した。
この基板を用いて、実施例１に述べたのと同一の液相エ
ピタキシャル成長条件によって（Ｙ ＳｍＣａ）３（Ｆ
ｅ Ｇｅ）５０１２の膜を作製した結果、基板が割れる
こともなく、良質の磁性ガーネット膜を作製できた。
ピタキシャル成長条件によって（Ｙ ＳｍＣａ）３（Ｆ
ｅ Ｇｅ）５０１２の膜を作製した結果、基板が割れる
こともなく、良質の磁性ガーネット膜を作製できた。
上記実施例はＣａ−Ｇｅ系ガーネットの代表例である（
Ｙ Ｓｍ Ｃａ ）ｓ （Ｆｅ Ｇｅ ）５０１２を
例として説明した。
Ｙ Ｓｍ Ｃａ ）ｓ （Ｆｅ Ｇｅ ）５０１２を
例として説明した。
当然、他のガーネット膜、例えば（ＹＳｍＬｕＣａ）３
（ＦｅＧｅ）５０１。
（ＦｅＧｅ）５０１。
、（ＹＥｕＬｕＣａ）３ （ＦｅＧｅｌｓＯｔ２等広く
一般的なガーネット膜に対するエビタキシャル成長用基
板の製造に本発明を適用出来ることはいうまでもない。
一般的なガーネット膜に対するエビタキシャル成長用基
板の製造に本発明を適用出来ることはいうまでもない。
Claims (1)
- １ 棒状ガーネット結晶を所望形状に研削する工程、前
記ガーネット結晶の表面を化学研磨または機械化学研磨
する工程、次いで前記ガーネット結晶を所要形状のウエ
ーハー状に切断する工程を有することを特徴とする（Ｙ
ＳｍＣ ａ ） ３ （Ｆｅ Ｇｅ） ５ ０１エピタ
キシャル成長用結晶基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50138044A JPS5849520B2 (ja) | 1975-11-19 | 1975-11-19 | ガ−ネツトケツシヨウノカコウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50138044A JPS5849520B2 (ja) | 1975-11-19 | 1975-11-19 | ガ−ネツトケツシヨウノカコウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5262698A JPS5262698A (en) | 1977-05-24 |
| JPS5849520B2 true JPS5849520B2 (ja) | 1983-11-04 |
Family
ID=15212688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50138044A Expired JPS5849520B2 (ja) | 1975-11-19 | 1975-11-19 | ガ−ネツトケツシヨウノカコウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849520B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711837U (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-21 | 中部電力株式会社 | くさび型引留クランプ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2500763B1 (en) * | 2011-03-16 | 2015-07-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process of producing a Faraday rotator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983676A (ja) * | 1972-12-18 | 1974-08-12 |
-
1975
- 1975-11-19 JP JP50138044A patent/JPS5849520B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983676A (ja) * | 1972-12-18 | 1974-08-12 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711837U (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-21 | 中部電力株式会社 | くさび型引留クランプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5262698A (en) | 1977-05-24 |
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