JPH1012439A - 静磁波素子用ｙｉｇ薄膜チップの製造方法 - Google Patents
静磁波素子用ｙｉｇ薄膜チップの製造方法Info
- Publication number
- JPH1012439A JPH1012439A JP16554796A JP16554796A JPH1012439A JP H1012439 A JPH1012439 A JP H1012439A JP 16554796 A JP16554796 A JP 16554796A JP 16554796 A JP16554796 A JP 16554796A JP H1012439 A JPH1012439 A JP H1012439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- chip
- substrate
- magnetostatic wave
- yig thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ガーネット上にエピタキシャル成長させたＹ
ＩＧウエハは高価であるため、これを用いて静磁波素子
を量産する場合、ＹＩＧ薄膜チップのコストの静磁波素
子の製造コストにしめる比率が高く、安価な静磁波素子
が得られていないのでこの問題を解決する。 【解決手段】 ガーネット基板の両面に組成が式Ｒ3(Ｆ
ｅＭ)5Ｏ12（ここで、ＲはＢｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｇｄ
の少なくとも１つの元素、ＭはＧａ、Ａｌ、Ｓｃの少な
くとも１つの元素を表わす）で示される静磁波素子材料
を液相エピタキシャル成長させて形成したウエハから、
所望の形状の静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップを切り出し
た後、これらのチップを複数個貼り合わせ、各チップの
基板断面の中央で、エピタキシャル膜面に平行な面で切
断することを特徴とする静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップ
の製造方法。
ＩＧウエハは高価であるため、これを用いて静磁波素子
を量産する場合、ＹＩＧ薄膜チップのコストの静磁波素
子の製造コストにしめる比率が高く、安価な静磁波素子
が得られていないのでこの問題を解決する。 【解決手段】 ガーネット基板の両面に組成が式Ｒ3(Ｆ
ｅＭ)5Ｏ12（ここで、ＲはＢｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｇｄ
の少なくとも１つの元素、ＭはＧａ、Ａｌ、Ｓｃの少な
くとも１つの元素を表わす）で示される静磁波素子材料
を液相エピタキシャル成長させて形成したウエハから、
所望の形状の静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップを切り出し
た後、これらのチップを複数個貼り合わせ、各チップの
基板断面の中央で、エピタキシャル膜面に平行な面で切
断することを特徴とする静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップ
の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波帯での発
振器、共振子、衛星放送の降雨による劣化した画像の修
復に用いられるＳ／Ｎエンハンサ用材料の製造方法に関
するものである。
振器、共振子、衛星放送の降雨による劣化した画像の修
復に用いられるＳ／Ｎエンハンサ用材料の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】静磁波素子用材料は、通常Ｇｄ3 Ｇａ5
Ｏ12(Gadolinium Gallium Garnet 以下ＧＧＧと略称す
る）基板上に液相エピタキシャル法により形成されるＹ
3 Ｆｅ5 Ｏ12（Yttrium Iron Garnet 以下ＹＩＧと略
称する）に代表される薄膜を形成し、この基板付薄膜を
所望の形状に切断して用いている。［内海、堤、テレビ
ジョン学会誌 VoL.38, No.12， P1053（1984）］これら
の静磁波素子用材料はＧＧＧ基板の両面に形成されるこ
とが多いが、裏面に形成されたエピタキシャル膜を研磨
により除去して、基板表面のＹＩＧのエピタキシャル薄
膜のみを静磁波素子用材料に用いている。
Ｏ12(Gadolinium Gallium Garnet 以下ＧＧＧと略称す
る）基板上に液相エピタキシャル法により形成されるＹ
3 Ｆｅ5 Ｏ12（Yttrium Iron Garnet 以下ＹＩＧと略
称する）に代表される薄膜を形成し、この基板付薄膜を
所望の形状に切断して用いている。［内海、堤、テレビ
ジョン学会誌 VoL.38, No.12， P1053（1984）］これら
の静磁波素子用材料はＧＧＧ基板の両面に形成されるこ
とが多いが、裏面に形成されたエピタキシャル膜を研磨
により除去して、基板表面のＹＩＧのエピタキシャル薄
膜のみを静磁波素子用材料に用いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このガーネッ
トエピタキシャル成長させたＹＩＧウエハは高価である
ため静磁波素子を量産する際、ＹＩＧ薄膜チップのコス
トの静磁波素子の製造コストにしめる比率が高く、安価
な静磁波素子を生産できないという問題点があった。本
発明は安価な静磁波素子を提供することのできる、静磁
波素子用ＹＩＧ薄膜チップの製造方法を提供するもので
ある。
トエピタキシャル成長させたＹＩＧウエハは高価である
ため静磁波素子を量産する際、ＹＩＧ薄膜チップのコス
トの静磁波素子の製造コストにしめる比率が高く、安価
な静磁波素子を生産できないという問題点があった。本
発明は安価な静磁波素子を提供することのできる、静磁
波素子用ＹＩＧ薄膜チップの製造方法を提供するもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】即ち本発明は、ガーネッ
ト基板の両面に組成が式Ｒ3(ＦｅＭ)5Ｏ12（ここで、Ｒ
はＢｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｇｄの少なくとも１つの元
素、ＭはＧａ、Ａｌ、Ｓｃの少なくとも１つの元素を表
わす）で示される静磁波素子材料を液相エピタキシャル
成長させて形成したウエハから、所望の形状の静磁波素
子用ＹＩＧ薄膜チップを切り出した後、これらのチップ
を複数個貼り合わせ、各チップの基板断面の中央で、エ
ピタキシャル膜面に平行な面で切断することを特徴とす
る静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップの製造方法である。
ト基板の両面に組成が式Ｒ3(ＦｅＭ)5Ｏ12（ここで、Ｒ
はＢｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｇｄの少なくとも１つの元
素、ＭはＧａ、Ａｌ、Ｓｃの少なくとも１つの元素を表
わす）で示される静磁波素子材料を液相エピタキシャル
成長させて形成したウエハから、所望の形状の静磁波素
子用ＹＩＧ薄膜チップを切り出した後、これらのチップ
を複数個貼り合わせ、各チップの基板断面の中央で、エ
ピタキシャル膜面に平行な面で切断することを特徴とす
る静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップの製造方法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下本発明について詳細に説明す
る。本発明においては、所望の形状の静磁波素子用ＹＩ
Ｇ薄膜チップを切り出した後、これらのチップを複数個
貼り合わせるのであるが、具体的にはＹＩＧ薄膜チップ
を複数枚治具等につめ、薄膜面を互いにワックスで貼り
合わせて圧着させる。使用するワックスでは例えばアド
フィックス（日化精工社製商品名）などが好適である。
上記基板断面の切断には約 0.3mm程度の厚さのブレード
を備えた多刃切断機などを用いることが望ましい。上記
基板の厚さが 0.8mm未満であると、このように約 0.3mm
程度の厚さのブレードを使用した切断の際、基板のロス
を生じ基板にクラックが入り、各チップの基板断面の中
央で、エピタキシャル膜面に平行な面で切断することが
困難になるため、基板の厚さは 0.8mm以上が必要であ
り、またエピタキシャル液相成長の際に基板の厚さが3.
0 mmを超えると、基板が脱落してしまうため、基板の厚
さは3.0 mm以下が好ましい。またＹＩＧ薄膜チップを貼
り合わせる際、各チップの間にダミーガラス等の乾燥材
を挿入しても良い。本発明の方法によればガーネット基
板の両面に形成されたＹＩＧ薄膜を別々のチップとして
使用でき、ＹＩＧ薄膜チップのコストを大幅に下げるこ
とができ、従って静磁波素子の製造コストに占めるＹＩ
Ｇ薄膜チップのコスト比率を大幅に下げることができ
る。
る。本発明においては、所望の形状の静磁波素子用ＹＩ
Ｇ薄膜チップを切り出した後、これらのチップを複数個
貼り合わせるのであるが、具体的にはＹＩＧ薄膜チップ
を複数枚治具等につめ、薄膜面を互いにワックスで貼り
合わせて圧着させる。使用するワックスでは例えばアド
フィックス（日化精工社製商品名）などが好適である。
上記基板断面の切断には約 0.3mm程度の厚さのブレード
を備えた多刃切断機などを用いることが望ましい。上記
基板の厚さが 0.8mm未満であると、このように約 0.3mm
程度の厚さのブレードを使用した切断の際、基板のロス
を生じ基板にクラックが入り、各チップの基板断面の中
央で、エピタキシャル膜面に平行な面で切断することが
困難になるため、基板の厚さは 0.8mm以上が必要であ
り、またエピタキシャル液相成長の際に基板の厚さが3.
0 mmを超えると、基板が脱落してしまうため、基板の厚
さは3.0 mm以下が好ましい。またＹＩＧ薄膜チップを貼
り合わせる際、各チップの間にダミーガラス等の乾燥材
を挿入しても良い。本発明の方法によればガーネット基
板の両面に形成されたＹＩＧ薄膜を別々のチップとして
使用でき、ＹＩＧ薄膜チップのコストを大幅に下げるこ
とができ、従って静磁波素子の製造コストに占めるＹＩ
Ｇ薄膜チップのコスト比率を大幅に下げることができ
る。
【０００６】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。 （実施例１）Ｙ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｇａ
2 Ｏ3 とＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフラックス成分とを混合し
白金等のルツボに充填し、これを約1,100 ℃に加熱し原
料を溶融した後、ガーネット結晶が析出する温度よりも
低い温度（約 900℃）に保ち、ここへ白金治具にセット
した清浄な３インチ径で 0.8mm厚のＧＧＧ基板ウエハを
ディップし回転・反転させてＧＧＧ基板の両面上に静磁
波素子用のエピタキシャルＹＩＧ薄膜を膜厚50μｍに成
長させた。得られたＧＧＧ基板上のエピタキシャルＹＩ
Ｇ薄膜の組成を分析したところ、Ｌａ0.1 Ｙ2.9 Ｆｅ
4.7 Ｇａ0.3 Ｏ12であった。次にこの３インチウエハか
ら２mm×10mmの長方形のチップをダイシングソーにより
切出した。このＹＩＧ／ＧＧＧ／ＹＩＧ三層構造に切り
出されたＹＩＧ薄膜チップ20枚を図１のように薄膜面を
互いにワックス（日化精工社製商品名アドフィックス）
で貼り合わせた。ワックスは130 ℃で溶融するものを用
い、貼り合わせの際に各ＹＩＧ薄膜チップの薄膜面が互
いに平行となるように圧力を加えて接着した。
本発明はこれに限定されるものではない。 （実施例１）Ｙ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｇａ
2 Ｏ3 とＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフラックス成分とを混合し
白金等のルツボに充填し、これを約1,100 ℃に加熱し原
料を溶融した後、ガーネット結晶が析出する温度よりも
低い温度（約 900℃）に保ち、ここへ白金治具にセット
した清浄な３インチ径で 0.8mm厚のＧＧＧ基板ウエハを
ディップし回転・反転させてＧＧＧ基板の両面上に静磁
波素子用のエピタキシャルＹＩＧ薄膜を膜厚50μｍに成
長させた。得られたＧＧＧ基板上のエピタキシャルＹＩ
Ｇ薄膜の組成を分析したところ、Ｌａ0.1 Ｙ2.9 Ｆｅ
4.7 Ｇａ0.3 Ｏ12であった。次にこの３インチウエハか
ら２mm×10mmの長方形のチップをダイシングソーにより
切出した。このＹＩＧ／ＧＧＧ／ＹＩＧ三層構造に切り
出されたＹＩＧ薄膜チップ20枚を図１のように薄膜面を
互いにワックス（日化精工社製商品名アドフィックス）
で貼り合わせた。ワックスは130 ℃で溶融するものを用
い、貼り合わせの際に各ＹＩＧ薄膜チップの薄膜面が互
いに平行となるように圧力を加えて接着した。
【０００７】次に、多刃切断機を用いて図１に示すよう
な方法で各ＹＩＧ薄膜チップ１のＧＧＧ基板２の中央
で、切断線４に沿って、ＹＩＧ薄膜チップ全部を同時に
切断した。切断に用いたブレードの厚さは0.25mmであっ
た。切断後ワックスを溶かして、各ＹＩＧ薄膜チップの
ＧＧＧ基板表面、裏面に形成されたＹＩＧ薄膜３を有す
る40枚の静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップが得られた。こ
れらは全てクラックのない良好なものであった。得られ
たＹＩＧ薄膜チップの断面を研磨し、このチップを用い
てＳ／Ｎエンハンサを作製した。
な方法で各ＹＩＧ薄膜チップ１のＧＧＧ基板２の中央
で、切断線４に沿って、ＹＩＧ薄膜チップ全部を同時に
切断した。切断に用いたブレードの厚さは0.25mmであっ
た。切断後ワックスを溶かして、各ＹＩＧ薄膜チップの
ＧＧＧ基板表面、裏面に形成されたＹＩＧ薄膜３を有す
る40枚の静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップが得られた。こ
れらは全てクラックのない良好なものであった。得られ
たＹＩＧ薄膜チップの断面を研磨し、このチップを用い
てＳ／Ｎエンハンサを作製した。
【０００８】（比較例１）Ｙ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｌａ
2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 とＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフラックス成
分とを混合し白金等のルツボに充填し、これを約1,100
℃に加熱し原料を溶融した後、ガーネット結晶が析出す
る温度よりも低い 900℃の温度に保ち、ここへ白金治具
にセットした清浄な３インチ径で 0.4mm厚のＧＧＧ基板
ウエハをディップし回転・反転させてＧＧＧ基板の両面
上に静磁波素子用のエピタキシャルＹＩＧ薄膜を膜厚50
μｍに成長させた。こうして得られたＧＧＧ基板上のエ
ピタキシャルＹＩＧ薄膜組成を分析したところ、Ｌａ
0.1 Ｙ2.9 Ｆｅ4.7 Ｇａ0.3 Ｏ12であった。この３イン
チウエハの裏面に形成されているエピタキシャルＹＩＧ
薄膜を研磨により除去し、次いで３インチウエハから２
mm×10mmの長方形のチップをダイシングソーにより切出
した。この断面を研磨後、この静磁波素子用のＹＩＧ薄
膜チップを用いて実施例と同じＳ／Ｎエンハンサを作製
した。
2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 とＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフラックス成
分とを混合し白金等のルツボに充填し、これを約1,100
℃に加熱し原料を溶融した後、ガーネット結晶が析出す
る温度よりも低い 900℃の温度に保ち、ここへ白金治具
にセットした清浄な３インチ径で 0.4mm厚のＧＧＧ基板
ウエハをディップし回転・反転させてＧＧＧ基板の両面
上に静磁波素子用のエピタキシャルＹＩＧ薄膜を膜厚50
μｍに成長させた。こうして得られたＧＧＧ基板上のエ
ピタキシャルＹＩＧ薄膜組成を分析したところ、Ｌａ
0.1 Ｙ2.9 Ｆｅ4.7 Ｇａ0.3 Ｏ12であった。この３イン
チウエハの裏面に形成されているエピタキシャルＹＩＧ
薄膜を研磨により除去し、次いで３インチウエハから２
mm×10mmの長方形のチップをダイシングソーにより切出
した。この断面を研磨後、この静磁波素子用のＹＩＧ薄
膜チップを用いて実施例と同じＳ／Ｎエンハンサを作製
した。
【０００９】（比較例２）Ｙ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｌａ
2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 とＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフラックス成
分とを混合し白金等のルツボに充填し、これを約1,100
℃に加熱し原料を溶融した後、ガーネット結晶が析出す
る温度よりも低い 900℃の温度に保ち、ここへ白金治具
にセットした清浄な３インチ径で 0.4mm厚のＧＧＧ基板
ウエハをディップし回転・反転させてＧＧＧ基板の両面
上に静磁波素子用のエピタキシャルＹＩＧ薄膜を膜厚50
μｍに成長させた。こうして得られたＧＧＧ基板上のエ
ピタキシャルＹＩＧ薄膜組成を分析したところ、Ｌａ
0.1 Ｙ2.9 Ｆｅ4.7 Ｇａ0.3 Ｏ12であった。次いで３イ
ンチウエハから２mm×10mmの長方形のチップをダイシン
グソーにより切出した。このＹＩＧ／ＧＧＧ／ＹＩＧ三
層構造に切り出されたＹＩＧ薄膜チップ約20枚を実施例
１と同じ方法で各ＹＩＧ薄膜チップの薄膜面を互いにワ
ックスで貼り合わせた。次に、多刃切断装置を用いて実
施例１と同じ方法で各ＹＩＧ薄膜チップ１のＧＧＧ基板
を同時に切断した。しかしＧＧＧ基板が薄かったため、
ＹＩＧ薄膜チップにクラックが入り、静磁波素子用のＹ
ＩＧ薄膜チップを得ることは出来なかった。
2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 とＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフラックス成
分とを混合し白金等のルツボに充填し、これを約1,100
℃に加熱し原料を溶融した後、ガーネット結晶が析出す
る温度よりも低い 900℃の温度に保ち、ここへ白金治具
にセットした清浄な３インチ径で 0.4mm厚のＧＧＧ基板
ウエハをディップし回転・反転させてＧＧＧ基板の両面
上に静磁波素子用のエピタキシャルＹＩＧ薄膜を膜厚50
μｍに成長させた。こうして得られたＧＧＧ基板上のエ
ピタキシャルＹＩＧ薄膜組成を分析したところ、Ｌａ
0.1 Ｙ2.9 Ｆｅ4.7 Ｇａ0.3 Ｏ12であった。次いで３イ
ンチウエハから２mm×10mmの長方形のチップをダイシン
グソーにより切出した。このＹＩＧ／ＧＧＧ／ＹＩＧ三
層構造に切り出されたＹＩＧ薄膜チップ約20枚を実施例
１と同じ方法で各ＹＩＧ薄膜チップの薄膜面を互いにワ
ックスで貼り合わせた。次に、多刃切断装置を用いて実
施例１と同じ方法で各ＹＩＧ薄膜チップ１のＧＧＧ基板
を同時に切断した。しかしＧＧＧ基板が薄かったため、
ＹＩＧ薄膜チップにクラックが入り、静磁波素子用のＹ
ＩＧ薄膜チップを得ることは出来なかった。
【００１０】（比較例３）Ｙ2 Ｏ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｌａ
2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 とＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフラックス成
分とを混合し白金等のルツボに充填し、これを約1,100
℃で加熱し原料を溶融した後、ガーネット結晶が析出す
る温度よりも低い約 900℃の温度に保ち、ここへ白金治
具にセットした清浄な３インチ径で 3.1mm厚のＧＧＧ基
板ウエハをディップし回転・反転させてＧＧＧ基板の両
面上に静磁波素子用のエピタキシャル薄膜を膜厚50μｍ
に成長させた。しかしＧＧＧ基板が厚かったために、エ
ピタキシャル膜の成膜中、基板が外れてしまい、これを
取り出して室温まで冷やしたところバラバラに割れ、静
磁波素子用のＹＩＧ薄膜チップを得ることは出来なかっ
た。
2 Ｏ3 、Ｇａ2 Ｏ3 とＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 のフラックス成
分とを混合し白金等のルツボに充填し、これを約1,100
℃で加熱し原料を溶融した後、ガーネット結晶が析出す
る温度よりも低い約 900℃の温度に保ち、ここへ白金治
具にセットした清浄な３インチ径で 3.1mm厚のＧＧＧ基
板ウエハをディップし回転・反転させてＧＧＧ基板の両
面上に静磁波素子用のエピタキシャル薄膜を膜厚50μｍ
に成長させた。しかしＧＧＧ基板が厚かったために、エ
ピタキシャル膜の成膜中、基板が外れてしまい、これを
取り出して室温まで冷やしたところバラバラに割れ、静
磁波素子用のＹＩＧ薄膜チップを得ることは出来なかっ
た。
【００１１】実施例１の製造方法で作製したＹＩＧ薄膜
チップを用いて静磁波素子を試作したところ、静磁波素
子の製造コストに占めるＹＩＧ薄膜チップのコスト比率
は15％であった。一方比較例１に示す製造方法により作
製したＹＩＧ薄膜チップを用いて、同じ静磁波素子を試
作したところ、静磁波素子の製造コストに占めるＹＩＧ
薄膜チップのコストの比率は28％であった。しかし実施
例１と比較例１で得られた静磁波素子の特性は全く同様
に良好であった。即ち本発明の静磁波素子用ＹＩＧ薄膜
チップの製造方法を使用することにより、静磁波素子の
製造コストに占める静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップのコ
スト比率を大幅に下げることができ、従って静磁波素子
の製造コストも下げることができた。
チップを用いて静磁波素子を試作したところ、静磁波素
子の製造コストに占めるＹＩＧ薄膜チップのコスト比率
は15％であった。一方比較例１に示す製造方法により作
製したＹＩＧ薄膜チップを用いて、同じ静磁波素子を試
作したところ、静磁波素子の製造コストに占めるＹＩＧ
薄膜チップのコストの比率は28％であった。しかし実施
例１と比較例１で得られた静磁波素子の特性は全く同様
に良好であった。即ち本発明の静磁波素子用ＹＩＧ薄膜
チップの製造方法を使用することにより、静磁波素子の
製造コストに占める静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップのコ
スト比率を大幅に下げることができ、従って静磁波素子
の製造コストも下げることができた。
【００１２】
【発明の効果】本発明の方法によればガーネット基板の
両面に形成されたＹＩＧ薄膜を別々のチップとして使用
でき、ＹＩＧ薄膜チップのコストを大幅に下げることが
でき、従って静磁波素子の製造コストに占めるＹＩＧ薄
膜チップのコスト比率を大幅に下げ、安価な静磁波素子
を提供することができる。
両面に形成されたＹＩＧ薄膜を別々のチップとして使用
でき、ＹＩＧ薄膜チップのコストを大幅に下げることが
でき、従って静磁波素子の製造コストに占めるＹＩＧ薄
膜チップのコスト比率を大幅に下げ、安価な静磁波素子
を提供することができる。
【図１】本発明の静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップの製造
方法の一部を示す斜視図である。
方法の一部を示す斜視図である。
１． ＹＩＧ薄膜チップ、 ２． ＧＧＧ基板、 ３． ＹＩＧ薄膜、 ４． 切断線（面）。
Claims (2)
- 【請求項１】 ガーネット基板の両面に組成が式Ｒ3(Ｆ
ｅＭ)5Ｏ12（ここで、ＲはＢｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｇｄ
の少なくとも１つの元素、ＭはＧａ、Ａｌ、Ｓｃの少な
くとも１つの元素を表わす）で示される静磁波素子材料
を液相エピタキシャル成長させて形成したウエハから、
所望の形状の静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップを切り出し
た後、これらのチップを複数個貼り合わせ、各チップの
基板断面の中央で、エピタキシャル膜面に平行な面で切
断することを特徴とする静磁波素子用ＹＩＧ薄膜チップ
の製造方法。 - 【請求項２】 ガーネット基板の厚さが 0.8mm以上、3.
0mm 以下であることを特徴とする請求項１記載の静磁波
素子用ＹＩＧ薄膜チップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16554796A JPH1012439A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 静磁波素子用ｙｉｇ薄膜チップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16554796A JPH1012439A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 静磁波素子用ｙｉｇ薄膜チップの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012439A true JPH1012439A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15814459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16554796A Pending JPH1012439A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 静磁波素子用ｙｉｇ薄膜チップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012439A (ja) |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP16554796A patent/JPH1012439A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6114188A (en) | Method of fabricating an integrated complex-transition metal oxide device | |
| JPH09208399A (ja) | 圧電基体及び弾性表面波装置 | |
| JPH1012439A (ja) | 静磁波素子用ｙｉｇ薄膜チップの製造方法 | |
| JP2786078B2 (ja) | ファラデー回転子および光アイソレータ | |
| US20090133811A1 (en) | Process for transferring films | |
| Glass | Growth of thick single-crystal layers of yttrium iron garnet by liquid phase epitaxy | |
| US4944857A (en) | Monolithic frequency selective limiter fabrication | |
| JPS60195097A (ja) | フエライト単結晶の製造法 | |
| JPH1197241A (ja) | 酸化物ガーネット膜の製造方法 | |
| JPH10233314A (ja) | 酸化物ガーネット膜の製造方法 | |
| JPH09110583A (ja) | 単結晶膜の製造方法 | |
| JP2002029893A (ja) | マイクロ波素子の製造方法 | |
| JPH09213593A (ja) | 接着基板及びその製造方法 | |
| JP2004152380A (ja) | Ｍｉｇ型磁気ヘッド | |
| JP2833714B2 (ja) | 酸化物ガーネット膜の製造方法 | |
| JPS61146781A (ja) | 単結晶の製造法 | |
| JPH02232606A (ja) | 薄膜導波型光アイソレータの製造方法 | |
| JP2802439B2 (ja) | 半導体基板 | |
| JPS61146779A (ja) | 単結晶の製造法 | |
| JP2003117920A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の切断方法 | |
| JPH02271997A (ja) | 酸化物ガーネット単結晶エピタキシヤル基板およびその製造方法 | |
| JPS61151090A (ja) | ガ−ネツト膜の結晶成長方法 | |
| SU631014A1 (ru) | Способ изготовлени р-п-N гетеропереходов | |
| JPH06333771A (ja) | ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| JP2712306B2 (ja) | 液相エピタキシャル磁性ガーネット厚膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040426 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040823 |