JPS61151090A - ガ−ネツト膜の結晶成長方法 - Google Patents
ガ−ネツト膜の結晶成長方法Info
- Publication number
- JPS61151090A JPS61151090A JP27258684A JP27258684A JPS61151090A JP S61151090 A JPS61151090 A JP S61151090A JP 27258684 A JP27258684 A JP 27258684A JP 27258684 A JP27258684 A JP 27258684A JP S61151090 A JPS61151090 A JP S61151090A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- garnet
- film
- crystal
- crystal growth
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、結晶の成長方法に関し特に液相エピタキシャ
ル法（二よる結晶の成長に関するものである。
ル法（二よる結晶の成長に関するものである。
以下余日
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕非磁
性ガーネット基板上に、液相エビタキンヤル（ＬＰＥ）
法により育成した磁性ガーネット液相エピタキシャル（
Ｌｐｚ）膜は、磁気光学素子用として重要である。特開
昭５７−１７９１９号公報（二開示されるごとく、この
磁性ＬＰＥガーネット膜を厚膜化してもバルクのガーネ
ットと同等の性能が得られること（二より、従来高価で
あったバルクの低コスト化が試みられている。
性ガーネット基板上に、液相エビタキンヤル（ＬＰＥ）
法により育成した磁性ガーネット液相エピタキシャル（
Ｌｐｚ）膜は、磁気光学素子用として重要である。特開
昭５７−１７９１９号公報（二開示されるごとく、この
磁性ＬＰＥガーネット膜を厚膜化してもバルクのガーネ
ットと同等の性能が得られること（二より、従来高価で
あったバルクの低コスト化が試みられている。
磁性ガーオ・ット膜を厚膜化する場合の結晶成長方法は
、第１図に示されるよう（＝、縦型炉１の中心部；二、
融液２の入ったるつぼ６がおかれ。
、第１図に示されるよう（＝、縦型炉１の中心部；二、
融液２の入ったるつぼ６がおかれ。
白金冶具５とアルミナ棒６で保持された非磁性ガーネッ
ト基板４をるつぼ上部から挿入し、融液の中（二浸すこ
とによって結晶成長がおこなわれるよう（ニなっている
。
ト基板４をるつぼ上部から挿入し、融液の中（二浸すこ
とによって結晶成長がおこなわれるよう（ニなっている
。
この方法（二よると、るつぼ中の融液の温度が結晶成長
温度（飽和温度以下）で長時間（１０〜２０時間）保持
されるため、融液からの自然核発生により成長も同時に
生じ、非磁性ガーネット基板に成長するガーネット結晶
の成長速度が時間と共に減少し、やがては、結晶成長速
度が０に近づく。このため、磁性が−ネノト厚膜はある
一定の厚さまでは成長するものの、それ以上の厚さの結
晶を得ることは、この方法では極めて難しくなる。
温度（飽和温度以下）で長時間（１０〜２０時間）保持
されるため、融液からの自然核発生により成長も同時に
生じ、非磁性ガーネット基板に成長するガーネット結晶
の成長速度が時間と共に減少し、やがては、結晶成長速
度が０に近づく。このため、磁性が−ネノト厚膜はある
一定の厚さまでは成長するものの、それ以上の厚さの結
晶を得ることは、この方法では極めて難しくなる。
本発明の目的は、液相エピタキシャル法により特に、縦
型炉を使いるつぼ上部から基板を挿入して該基板上（二
結晶成長を行なわせる方法において、結晶成長時、結晶
成長速度の減衰により目的の膜厚が得られなくても、再
度結晶上部に結晶育成をおこなうことによって目的の膜
厚が得られる結晶成長方法を提供することにある。
型炉を使いるつぼ上部から基板を挿入して該基板上（二
結晶成長を行なわせる方法において、結晶成長時、結晶
成長速度の減衰により目的の膜厚が得られなくても、再
度結晶上部に結晶育成をおこなうことによって目的の膜
厚が得られる結晶成長方法を提供することにある。
本発明は、融液（二基板を浸漬させ液相エピタキシャル
法によって該基板上に単結晶膜を得る結晶成長方法にお
いて、基板上に厚さ５０μｍ以上の鉄ガーネットを育成
させ、結晶表面を無歪み研磨し、結晶上部にさらに鉄ガ
ーネット単結晶膜を育成し、目的の膜厚を得る結晶成長
方法である。
法によって該基板上に単結晶膜を得る結晶成長方法にお
いて、基板上に厚さ５０μｍ以上の鉄ガーネットを育成
させ、結晶表面を無歪み研磨し、結晶上部にさらに鉄ガ
ーネット単結晶膜を育成し、目的の膜厚を得る結晶成長
方法である。
〔実施例〕
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第２図に示すように１本発明（二より作製されたガーネ
ット単結晶厚膜１０，１１は、２層になっている。結晶
育成は、液相エピタキシャル法によりおこなった。原料
は、フラックスとして。
ット単結晶厚膜１０，１１は、２層になっている。結晶
育成は、液相エピタキシャル法によりおこなった。原料
は、フラックスとして。
ＰｂＯ，Ｂ２０５ｉ用い、ガーネット成分として。
Ｙ２Ｏ５、Ｇｄ２Ｏ３、Ｆ＋９２０３を用いた。基板９
は、 ｏｄ３ｃ）ａｓ０１２の直径１インチ、厚さ６０
０μｍのものを用いた。
は、 ｏｄ３ｃ）ａｓ０１２の直径１インチ、厚さ６０
０μｍのものを用いた。
育成温度８フ０℃、成長速度０．４μｍ／ｍｉπ、雰囲
気は大気中において行った。約４時間結晶成長後（膜厚
６０μｍ）で、厚膜を取り出しメカノケミカル研磨によ
り、成長表面を無歪み研磨した。
気は大気中において行った。約４時間結晶成長後（膜厚
６０μｍ）で、厚膜を取り出しメカノケミカル研磨によ
り、成長表面を無歪み研磨した。
再び育成温度８７０℃、成長速度０．４ ａｍ／ｍｉｎ
、雰囲気は大気中において、約４時間（計１１０〜１
２０μｍ）成長させた。この結果、従来法では１２０μ
ｍのガーネット膜を得るには、成長速度の減衰により、
結晶成長時間として１０〜２０時間を必要としたのに対
して、この方法では９合計８時間で結晶性のより良好な
膜が得られた。
、雰囲気は大気中において、約４時間（計１１０〜１
２０μｍ）成長させた。この結果、従来法では１２０μ
ｍのガーネット膜を得るには、成長速度の減衰により、
結晶成長時間として１０〜２０時間を必要としたのに対
して、この方法では９合計８時間で結晶性のより良好な
膜が得られた。
（実施例２）
第３図に示すように９本発明（二より作製されたガーネ
ット単結晶厚膜は、６層１３．１４．１５になっている
。結晶育成は、実施例１と同様に液相エピタキシャル法
によりおこなった。原料ハフラックスとして、 ＰｂＯ
、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ５を用い、ガーネット成分として
Ｇｄ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ５を用いた。基板１
２は、 Ｎｄ５Ｇａ５０１２の直径２インチ、厚さ４０
０μｍのものを用いた。育成温度７７０℃で、成長速度
０，６μｙ＠／ｍ１ｔＬ、雰囲気は大気中において行っ
た。約６時間結晶成長後（膜厚６０μｍ）で、厚膜を取
り出しメカノケミカル研磨により、成長表面を無歪み研
磨した。再び育成温度７７０℃で、成長速度０．３μｍ
、雰囲気は大気中で約６時間育成し、前述の作業を２度
繰り返した。この結果、従来法では、膜厚が１２０μｍ
以上になると、成長速度減衰のため、０μｍ／ｍｉｎに
近ずき、１２０μｍ以上の膜厚を得ることが不可能であ
ったが、この方法により、膜厚１８０μｍの結晶性の良
好な膜が得られた。
ット単結晶厚膜は、６層１３．１４．１５になっている
。結晶育成は、実施例１と同様に液相エピタキシャル法
によりおこなった。原料ハフラックスとして、 ＰｂＯ
、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ５を用い、ガーネット成分として
Ｇｄ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ５を用いた。基板１
２は、 Ｎｄ５Ｇａ５０１２の直径２インチ、厚さ４０
０μｍのものを用いた。育成温度７７０℃で、成長速度
０，６μｙ＠／ｍ１ｔＬ、雰囲気は大気中において行っ
た。約６時間結晶成長後（膜厚６０μｍ）で、厚膜を取
り出しメカノケミカル研磨により、成長表面を無歪み研
磨した。再び育成温度７７０℃で、成長速度０．３μｍ
、雰囲気は大気中で約６時間育成し、前述の作業を２度
繰り返した。この結果、従来法では、膜厚が１２０μｍ
以上になると、成長速度減衰のため、０μｍ／ｍｉｎに
近ずき、１２０μｍ以上の膜厚を得ることが不可能であ
ったが、この方法により、膜厚１８０μｍの結晶性の良
好な膜が得られた。
以上、説明したごとく１本発明を用いることにより液相
風ピタキシャル法、特に、縦型炉の中に、融液の入った
るつぼを置き、るつぼ上部から、融液の中に基板を入れ
て結晶成長させる方法において、結晶成長時に、成長速
度が減衰した時点で、結晶を取り出し、結晶表面を無歪
風ピタキシャル法、特に、縦型炉の中に、融液の入った
るつぼを置き、るつぼ上部から、融液の中に基板を入れ
て結晶成長させる方法において、結晶成長時に、成長速
度が減衰した時点で、結晶を取り出し、結晶表面を無歪
第１図は、ＬＰＦｉ炉の構成を示す断面図。
１はＬＰＥ炉本体（縦型炉）、２は融液、３はるつぼ、
４はガーネット結晶、５は白金冶具。 ６はアルミナ棒、７はヒータ、８はるつぼ支持台である
。 第２図は２本発明によＩノ成長させた２層構造のガーネ
ット厚膜の断面図。 ９はガーネット基板、１０．１１はガーネット厚膜であ
る。 第３図は９本発明により成長させた３層構造のガーネッ
ト厚膜の断面図。 １２はガーネット基板、１３，１４．１５はガーネット
厚膜である。 代理人（７１２７）弁理士後蟇洋介 、ｆ″、 ｓｉ図 第２図 第３図
４はガーネット結晶、５は白金冶具。 ６はアルミナ棒、７はヒータ、８はるつぼ支持台である
。 第２図は２本発明によＩノ成長させた２層構造のガーネ
ット厚膜の断面図。 ９はガーネット基板、１０．１１はガーネット厚膜であ
る。 第３図は９本発明により成長させた３層構造のガーネッ
ト厚膜の断面図。 １２はガーネット基板、１３，１４．１５はガーネット
厚膜である。 代理人（７１２７）弁理士後蟇洋介 、ｆ″、 ｓｉ図 第２図 第３図
Claims (1)
- １、融液に基板を浸漬させ、液相エピタキシャル法によ
り該基板上に単結晶膜を得る方法において、前記基板上
に５０μｍ以上の厚さの鉄ガーネット単結晶膜を育成さ
せ、結晶表面を無歪み研磨し、結晶上部にさらに鉄ガー
ネット単結晶膜を育成することを特徴とするガーネット
膜の結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27258684A JPS61151090A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | ガ−ネツト膜の結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27258684A JPS61151090A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | ガ−ネツト膜の結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151090A true JPS61151090A (ja) | 1986-07-09 |
Family
ID=17515980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27258684A Pending JPS61151090A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | ガ−ネツト膜の結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151090A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472996A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for growing magneto-optical crystal |
| JP2006329156A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Daikin Ind Ltd | 回転式圧縮機 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880618A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-14 | Nec Corp | エピタキシヤルガ−ネツト厚膜育成方法 |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP27258684A patent/JPS61151090A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880618A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-14 | Nec Corp | エピタキシヤルガ−ネツト厚膜育成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472996A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for growing magneto-optical crystal |
| JP2006329156A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Daikin Ind Ltd | 回転式圧縮機 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4624901A (en) | Intermediary layers for epitaxial hexagonal ferrite films | |
| US4355072A (en) | Magnetic hexagonal ferrite layer on a nonmagnetic hexagonal mixed crystal substrate | |
| US4092208A (en) | Method of growing single crystals of rare earth metal iron garnet materials | |
| US4293371A (en) | Method of making magnetic film-substrate composites | |
| US4057458A (en) | Method of making nickel zinc ferrite by liquid-phase epitaxial growth | |
| WO2003000963A1 (fr) | Substrat permettant de former une couche mince de monocristal de grenat magnetique, dispositif optique et procede de production associe | |
| JPS61151090A (ja) | ガ−ネツト膜の結晶成長方法 | |
| US4400445A (en) | Liquid phase epitaxial growth of garnet films | |
| JPH0514162U (ja) | 液相エピタキシヤル法用基板ホルダ− | |
| Hibiya et al. | Liquid phase epitaxial growth and characterization of LiNbO3 single crystal films | |
| JPH09202697A (ja) | Ｂｉ置換型ガーネットの製造方法 | |
| JPS61174192A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP3132094B2 (ja) | 単結晶の製造方法および単結晶製造装置 | |
| Shick et al. | Liquid‐phase homoepitaxial growth of rare‐earth orthoferrites | |
| US4468438A (en) | Garnet epitaxial films with high Curie temperatures | |
| JP3484738B2 (ja) | 表面静磁波素子用磁性ガーネット単結晶膜およびその製造方法 | |
| US4354254A (en) | Devices depending on garnet materials | |
| JPH068239B2 (ja) | 液相エピタキシヤル育成法 | |
| JPS60195097A (ja) | フエライト単結晶の製造法 | |
| JP2833714B2 (ja) | 酸化物ガーネット膜の製造方法 | |
| JP2818343B2 (ja) | 単結晶成長用基板ホルダー | |
| JPH01224299A (ja) | 磁性ガーネットの製法 | |
| SU1604871A1 (ru) | Способ получени феррогранатовых структур | |
| JP2756273B2 (ja) | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 | |
| JPH0294607A (ja) | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 |