JPS61151098A - タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハInfo
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- JPS61151098A JPS61151098A JP59280820A JP28082084A JPS61151098A JP S61151098 A JPS61151098 A JP S61151098A JP 59280820 A JP59280820 A JP 59280820A JP 28082084 A JP28082084 A JP 28082084A JP S61151098 A JPS61151098 A JP S61151098A
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- lithium tantalate
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
- H03H9/02968—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties with optical devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はタンタル酸リチウム単結晶ウェーハに関するも
のであり、特には性能・品質の一定したSAWデバイス
を作成するために好適とされる該単結晶ウェーハの提供
を目的とする。
のであり、特には性能・品質の一定したSAWデバイス
を作成するために好適とされる該単結晶ウェーハの提供
を目的とする。
(従来の技術)
従来、タンタル酸リチウム、二オフ酸リチウム、水晶等
の1p−結晶は強誘電体および圧電材料として知られて
おり、たとえばSAWデバイス用単用品結晶材料て実用
化されている。二九らの単結晶材料のうちでタンタル酸
リチウムは電気機械結合係数が比較的高く、かつ温度の
変動にともなう特性変化が小さいため、VTR用共振子
、テレビのPIFフィルターに使用されているほか、高
周波通信機用に有用な材料である。
の1p−結晶は強誘電体および圧電材料として知られて
おり、たとえばSAWデバイス用単用品結晶材料て実用
化されている。二九らの単結晶材料のうちでタンタル酸
リチウムは電気機械結合係数が比較的高く、かつ温度の
変動にともなう特性変化が小さいため、VTR用共振子
、テレビのPIFフィルターに使用されているほか、高
周波通信機用に有用な材料である。
タンタル酸リチウム単結晶は一般にチョクラルスキー法
によって融液状のL i T a O,から引上げ成長
させることにより製造されており、この引上げられた単
結晶は分極処理(ポーリング処理)により単分域強誘電
体としたのち、円柱状に加工し、さらに一定の結晶面方
位を有するつ工−ハ状に切断し研磨した基板状で各種デ
バイス用に提供されている。
によって融液状のL i T a O,から引上げ成長
させることにより製造されており、この引上げられた単
結晶は分極処理(ポーリング処理)により単分域強誘電
体としたのち、円柱状に加工し、さらに一定の結晶面方
位を有するつ工−ハ状に切断し研磨した基板状で各種デ
バイス用に提供されている。
たとえばSAWデバイスはこのようにして製作されたウ
ェーハ基板上に主としてAQからなる電極を形成したの
ち角形のチップ状に切り出すことにより作成される。こ
の際、デバイスのサイズによって1枚のj&板から1個
あるいは同時に複数個、多い場合には3インチウェーハ
の場合で200個以−ヒのデバイスが作成される。さら
にコスト低減の観点から基板の直径は2インチから3イ
ンチ、4インチへと大口径化が進み、1枚のウェーハか
らきわめて多数個のデバイスを作成することが多く行わ
れており、ますますデバイスの性質1品質の均一化が要
求される。
ェーハ基板上に主としてAQからなる電極を形成したの
ち角形のチップ状に切り出すことにより作成される。こ
の際、デバイスのサイズによって1枚のj&板から1個
あるいは同時に複数個、多い場合には3インチウェーハ
の場合で200個以−ヒのデバイスが作成される。さら
にコスト低減の観点から基板の直径は2インチから3イ
ンチ、4インチへと大口径化が進み、1枚のウェーハか
らきわめて多数個のデバイスを作成することが多く行わ
れており、ますますデバイスの性質1品質の均一化が要
求される。
しかしながら、従来のタンタル酸リチウム単結晶ウェー
ハは、これから作成されたSAWデバイスに関し重要な
特性とされる光学的性質(複屈折)を調へると その値
の変動幅がかなり大きく、これがSAWデバイスの性質
・品質を低下させる原因となっている。
ハは、これから作成されたSAWデバイスに関し重要な
特性とされる光学的性質(複屈折)を調へると その値
の変動幅がかなり大きく、これがSAWデバイスの性質
・品質を低下させる原因となっている。
(発明の構成)
本発明者らは従来のかかる不利欠点を解決するため、S
AWデバイス作成に使用されるタンタル酸リチウム単結
晶ウェーハについて、光学的性質である複屈折値とSA
Wデバイスの音速との関係について詳細に調べた結果、
同一のウェーハ内において複屈折値の変動幅がある特定
の値に入っており、ウェーハの複屈折値が特定値の場合
に、性質・品質の一定したすぐれたSAWデバイスが得
られることを確認した。すなわち、ウェーハ内の複屈折
値の変動幅が±6XIO−’をこえると、このウェーハ
から作成されたSAWデバイスは音速が0.1椙と大き
く変動し1品質・性質が一定でなくなり劣るものとなる
本発明は上記知見に基いて完成されたものであり、これ
はウェーハ内の、温度20℃波長0.6328μmで測
定した複屈折値の変動幅が±6X10−’以内、より好
ましくは±3 X 10−’以内であるタンタル酸リチ
ウム単結晶ウェーハ、特には温度20℃波長0.632
8μmで測定した複屈折値が4.5 X 10−’±6
×10−’、好ましくは4.5 X 10−3±3 X
to−’である該ウェーハに関するものである。
AWデバイス作成に使用されるタンタル酸リチウム単結
晶ウェーハについて、光学的性質である複屈折値とSA
Wデバイスの音速との関係について詳細に調べた結果、
同一のウェーハ内において複屈折値の変動幅がある特定
の値に入っており、ウェーハの複屈折値が特定値の場合
に、性質・品質の一定したすぐれたSAWデバイスが得
られることを確認した。すなわち、ウェーハ内の複屈折
値の変動幅が±6XIO−’をこえると、このウェーハ
から作成されたSAWデバイスは音速が0.1椙と大き
く変動し1品質・性質が一定でなくなり劣るものとなる
本発明は上記知見に基いて完成されたものであり、これ
はウェーハ内の、温度20℃波長0.6328μmで測
定した複屈折値の変動幅が±6X10−’以内、より好
ましくは±3 X 10−’以内であるタンタル酸リチ
ウム単結晶ウェーハ、特には温度20℃波長0.632
8μmで測定した複屈折値が4.5 X 10−’±6
×10−’、好ましくは4.5 X 10−3±3 X
to−’である該ウェーハに関するものである。
つぎに実施例をあげて具体的に説明する。
実施例1
表−」に示されるような複屈折の値、同一ウェーハ内の
複屈折の変動幅をもつ種々のタンクル酸リチウt1単結
晶ウェーハを準備した。ただし、複屈折値の測定は第1
図に示した光学系により、温度20°C波長00632
8μmで行った。
複屈折の変動幅をもつ種々のタンクル酸リチウt1単結
晶ウェーハを準備した。ただし、複屈折値の測定は第1
図に示した光学系により、温度20°C波長00632
8μmで行った。
つぎに各ウェーハ上に、第2図に示すくし形フィルター
をSAWの伝播方向が112°Y方向と平行となるよう
にパターニングし、第3図に示すシステ11でSAWの
音速■を測定した。シグナルジェネレータの周波数を自
動スキャンしながら人出信号間の位相差を測定し音速V
を次式によって求めた。
をSAWの伝播方向が112°Y方向と平行となるよう
にパターニングし、第3図に示すシステ11でSAWの
音速■を測定した。シグナルジェネレータの周波数を自
動スキャンしながら人出信号間の位相差を測定し音速V
を次式によって求めた。
V=2πL/dg
W
■ = 音速
L : くし形電極間の距離
dφ :位相変化
dv:周波数変化
dφの大きさが20波長遅れる周波数変化ΔWをCP
Uにより自動測定してV=L・Δす/20として決定し
た。なお、測定周波数は95 Mtlzから105M1
17である。
Uにより自動測定してV=L・Δす/20として決定し
た。なお、測定周波数は95 Mtlzから105M1
17である。
結果は表−1に示すとおりてあり、各実験例中N092
、No、 4、No、5およびNo、6はSAWの音速
の基準値に対する最大のズレ、およびSAWの音速の同
一ウェーハ内の変動幅が共に小さく、すぐれていること
が判る。
、No、 4、No、5およびNo、6はSAWの音速
の基準値に対する最大のズレ、およびSAWの音速の同
一ウェーハ内の変動幅が共に小さく、すぐれていること
が判る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ウエーハ内の、温度20℃波長0.6328μmで
測定した複屈折値の変動幅が±6×10^−^4以内で
あるタンタル酸リチウム単結晶ウエーハ。 2、温度20℃波長0.6328μmで測定した複屈折
値が4.5×10^−^3±6×10^−^4である、
特許請求の範囲第1項記載のタンタル酸リチウム単結晶
ウエーハ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59280820A JPS61151098A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
DE3545355A DE3545355C2 (de) | 1984-12-24 | 1985-12-20 | Lithium-Tantalat-Einkristallwafer |
FR858519143A FR2575191B1 (fr) | 1984-12-24 | 1985-12-24 | Pastille monocristalline de tantalate de lithium |
US07/022,591 US4776917A (en) | 1984-12-24 | 1987-03-04 | Single crystal wafer of lithium tantalate |
US07/221,325 US4898641A (en) | 1984-12-24 | 1988-07-19 | Single crystal wafer of lithium tantalate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59280820A JPS61151098A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61151098A true JPS61151098A (ja) | 1986-07-09 |
JPH0425240B2 JPH0425240B2 (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17630432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59280820A Granted JPS61151098A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4776917A (ja) |
JP (1) | JPS61151098A (ja) |
DE (1) | DE3545355C2 (ja) |
FR (1) | FR2575191B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61151098A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
US5746823A (en) * | 1995-09-08 | 1998-05-05 | University Of Puerto Rico | Organic crystalline films for optical applications and related methods of fabrication |
US5835205A (en) * | 1996-02-12 | 1998-11-10 | C3, Inc. | Optical testing system for distinguishing a silicon carbide gemstone from a diamond |
EP1329744B1 (en) * | 2002-01-10 | 2007-08-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Lithium Niobate and Lithium Tantalate Etalons and corresponding producing method |
DE10237308B4 (de) * | 2002-08-14 | 2007-01-04 | Linos Photonics Gmbh & Co. Kg | Elektrooptisches Element |
US7999983B2 (en) * | 2003-11-21 | 2011-08-16 | National Institute For Materials Science | Lens material, optical electronic component and optical electronic device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5829280A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Sony Corp | テレビジヨン信号のコ−デイング方法 |
JPS595560A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Citizen Watch Co Ltd | 小形薄形電池の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3788890A (en) * | 1972-03-03 | 1974-01-29 | Ibm | Method of preparing dislocation-free crystals |
US3976535A (en) * | 1975-05-27 | 1976-08-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Screening seeds for quartz growth |
JPS604599B2 (ja) * | 1976-03-17 | 1985-02-05 | 株式会社東芝 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
JPS52114246A (en) * | 1976-03-22 | 1977-09-24 | Toshiba Corp | Elastic surface wave device |
JPS5825078B2 (ja) * | 1977-06-24 | 1983-05-25 | 株式会社東芝 | 単結晶の製造方法 |
JPS5497585A (en) * | 1978-01-19 | 1979-08-01 | Toshiba Corp | Manufacture of syngle crystal |
SU769415A1 (ru) * | 1978-07-07 | 1980-10-07 | Всесоюзный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Синтеза Минерального Сырья | Способ оценки качества кристаллов |
US4257825A (en) * | 1978-08-30 | 1981-03-24 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices having improvements in device reliability by thermally treating selectively implanted test figures in wafers |
US4379620A (en) * | 1980-03-20 | 1983-04-12 | Keuffel & Esser Company | Light modulator employing electrooptic crystals |
JPS5945999A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-15 | Toshiba Corp | 単結晶引上げ方法 |
JPS6077192A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | Fujitsu Ltd | 単結晶の欠陥検出装置 |
JPS61134111A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
JPS61151098A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP59280820A patent/JPS61151098A/ja active Granted
-
1985
- 1985-12-20 DE DE3545355A patent/DE3545355C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-12-24 FR FR858519143A patent/FR2575191B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-03-04 US US07/022,591 patent/US4776917A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-07-19 US US07/221,325 patent/US4898641A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5829280A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-21 | Sony Corp | テレビジヨン信号のコ−デイング方法 |
JPS595560A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Citizen Watch Co Ltd | 小形薄形電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3545355C2 (de) | 1994-09-29 |
US4898641A (en) | 1990-02-06 |
FR2575191A1 (fr) | 1986-06-27 |
DE3545355A1 (de) | 1986-07-31 |
JPH0425240B2 (ja) | 1992-04-30 |
FR2575191B1 (fr) | 1990-09-28 |
US4776917A (en) | 1988-10-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |