FR2575191A1 - Pastille monocristalline de tantalate de lithium - Google Patents
Pastille monocristalline de tantalate de lithium Download PDFInfo
- Publication number
- FR2575191A1 FR2575191A1 FR8519143A FR8519143A FR2575191A1 FR 2575191 A1 FR2575191 A1 FR 2575191A1 FR 8519143 A FR8519143 A FR 8519143A FR 8519143 A FR8519143 A FR 8519143A FR 2575191 A1 FR2575191 A1 FR 2575191A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- pellet
- lithium tantalate
- oas
- tablet
- monocrystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 239000008188 pellet Substances 0.000 title description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002231 Czochralski process Methods 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
- H03H9/02968—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties with optical devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
L'INVENTION SE REFERE A UNE PASTILLE MONOCRISTALLINE DE TANTALATE DE LITHIUM, CARACTERISEE EN CE QUE LA VARIATION DE L'INDICE DE LA DOUBLE REFRACTION DETERMINE A UNE LONGUEUR D'ONDE DE 632,8NM ET A UNE TEMPERATURE DE 20C N'EST PAS SUPERIEURE A 6 10 ET L'INDICE DE LA DOUBLE REFRACTION DETERMINE A LA MEME LONGUEUR D'ONDE ET A LA MEME TEMPERATURE EST EGAL A 4,5 10 6 10.
Description
La présente invention se réfère à une pastille monocristalline
de tantalate de lithium ou, plus spécialement, à une pastille monocristal-
line de tantalate de lithium appropriée comme matière de base pour la pré-
paration de dispositifs à ondes acoustiques de surface (OAS); ayant des performances et des qualités bien contr8ôlées.
Comme il est bien connu, les monocristaux de tantalate de li-
thium, de niobate de lithium, de quartz et de composés similaires, sont utiles en tant que matières ferro-électriques et piézo-électriques et, par exemple les dispositifs dits à ondes acoustiques de surface sont dans la pratique fabriqués à partir de ces matières monocristallines. Parmi ces dernières le tantalate de lithium en particulier présente un coefficient
de couplage électromécanique relativement élevé et plusieurs de ses proprié-
tés caractéristiques ont une faible dépendance thermique de sorte que les
monocristaux de tantalate de lithium sont utiles comme matière pour les ré-
sonateurs de magnétoscopes et pour les filtres de fréquence intermédiaire image dans les appareils de télévision ainsi que pour certains dispositifs
dans des installations de communication à-haute fréquence.
Les monocristaux de tantalate de lithium sont habituellement
préparés selon le procédé de Czochralski dans lequel le monocristal se dé-
veloppe sur un germe cristallin retiré d'un mélange d'oxydes en fusion
dont la composition correspond à la formule LiTaO3. La boule du monocris-
tal est soumise après la croissance d'abord à un traitement pour l'obten-
tion de p8les pour aligner les domaines ferro-électriques pour obtenir un corps à domaine unique, qui est ensuite mis sous forme de cylindre par
voie mécanique et coupé en pastilles ayant une orientation cristallogra-
phique définie. La surface de la pastille est abrasée et polie avant de
l'utiliser comme plaque de base dans différents types de dispositifs.
Les dispositifs à OAS par exemple sont fabriqués en découpant
une pastille ainsi polie et équipée d'une électrode, en général en alumi-
nium déposée sur la surface, en des puces carrées ou rectangulaires. Le nombre de puces obtenues par découpage d'une seule pastille ne peut être qu'une seule ou bien plusieurs en fonction du diamètre de la pastille et des dimensions des dispositifs recherchés. Il n'est pas rare par exemple de fabriquer 200 ou plus de dispositifs en découpant une seule pastille
ayant un diamètre de 7,6 cm. La productivité de ce procédé peut bien en-
tendu être améliorée en augmentant le nombre de dispositifs pris dans une
seule pastille, de sorte que l'on désire disposer de pastilles monocris-
-2- tallines ayant des diamètres de plus en plus grands, la tendance allant vers des diamètres de 7,6 à 10 cm ou plus là o il y a quelques années des
pastilles de 5 cm étaient encore tout à fait acceptables.
Cette tendance récente vers la fabrication d'un nombre de dis-
positifs de plus en plus important découpés dans une seule pastille mono-
cristalline de tantalate de lithium va de pair avec le problème que, simul-
tanément à la croissance de la demande pour des performances et des quali-
tés bien contrôlées des dispositifs à OAS à partir d'une seule pastille, certains paramètres caractéristiques de la pastille monocristalline varient considérablement d'une partie à une autre de la pastille et cette variation des valeurs est plus significative lorsque le diamètre de la pastille est plus important. Le problème le plus sérieux à cet égard est la variation des indices des propriétés optiques ou de la double réfraction, qui est
l'un des paramètres caractéristiques les plus importants des pastilles mo-
nocristallines de tantalate de lithium pour la fabrication des dispositifs
à OAS.
La présente invention a par conséquent pour objet de pourvoir à des pastilles monocristallines de tantalate de lithium utilisées pour la préparation de dispositifs à OAS-ne présentant pas les inconvénients et les problèmes ci-dessus mentionnés de l'art antérieur. Les inventeurs ont
trouvé, après avoir étudié en détail la relation entre l'indice de la dou-
ble réfraction dans la pastille en tant que propriété optique de celle-ci
et la vitesse du son dans un dispositif à OAS, qu'il est possible d'attein-
dre ce but si la double réfraction de la pastille présente un indice spé-
cifique dont la variation dans la pastille reste à l'intérieur d'une cer-
taine limite. C'est-à-dire que la variation de l'indice de la double ré-
fraction dans une seule pastille de tantalate de lithium ne doit pas être + -4 supérieur à + 6 x 10-4, sinon la variation de la vitesse du son dans les dispositifs OAS fabriqués à partir de la pastille peut atteindre - 1, 5 Z de sorte que les dispositifs à OAS ne peuvent avoir des performances et
des qualités uniformes contrôlées.
Par conséquent la pastille monocristalline de tantalate de lithium selon l'invention perfectionnée selon la découverte sus-mentionnée est une pastille dont la variation de l'indice de la double réfraction déterminé à une longueur d'onde de 632,8nm et à une température de 20 C n'est pas supérieur à + 6 x 10-4 ou, de préférence, à - 3 x 10-4 et dont l'indice de la double réfraction déterminé à la même longueur d'onde et à --3 - la même température que ci-dessus est de 4,5 x 10-3 + 6 x 10'4 ou, de
préférence de 4,5 x 103 - 3 x 104.
Dans les dessins joints:: la figure 1 représente schématiquement le système optique pour la détermination de la double réfraction dans une pastille la figure 2 représente un filtre obtenu par technique numérique,
fabriqué en dessinant un réseau sur une pastille mono-
cristalline de tantalate de lithium de telle façon que la direction de propagation des ondes acoustiques de surface soit parallèle à la direction 112 Y la figure 3 est un schéma-bloc du circuit électrique pour déterminer la vitesse du son des ondes acoustiques de surface dans
un dispositif OAS.
Dans la description qui suit, la pastille monocristalline de
tantalate de lithium selon l'invention est illustrée à l'aide d'exemples
et en faisant référence aux dessins joints.
Plusieurs pastilles monocristallines de tantalate de lithium sont préparées dont chacune présente un indice de double réfraction et une gamme de variations de la double réfraction dans la pastille comme consigné dans la tableau I ci-après. Ces données consignées au tableau I sont obtenues au moyen de mesures à 20 C, à l'aide d'une longueur d'onde
de 632,8 nm dans un système optique représenté dans la figure 1.
On pourvoit la surface de chacune des pastilles d'un filtre formé par une technique numérique comme représenté dans la figure 2 en dessinant un réseau orienté de telle façon que la propagation des OAS soit parallèle à la direction de 112*Y, et la vitesse du son V des OAS est mesurée à l'aide du dispositif de mesure du schéma-bloc de la figure 3.-La différence de phase entre les signaux d'entrée et de sortie est
déterminée au moyen de la fréquence d'un générateur de signaux avec ba-
layage automatique et la vitesse du son V est calculée à l'aide de l'é-
quation suivante: V = 2-tL/ dW
o V est la vitesse du son, L est la distance entre les électrodes for-
mées par technique numérique, dg est le changement de phase et dW est le changement de fréquence. V est déterminé comme V = LW au moyen d'un -4 processeur central pour la détermination automatique du changement de fré'
quence W dont la valeur d? est en retard de 20 fois la longueur d'onde.
La fréquence utilisée pour les mesures est comprise entre 95 et 105 MHz.
Les résultats sont consignés au Tableau I qui montre que parmi les 8 expériences, les Numéros 2, 4, 5 et 6 donnent des résultats tout à fait satisfaisants car tant la déviation maximale de la vitesse du son des OAS que la valeur standard et la plage des variations des vitesses du son des OAS dans une pastille est restreinte. Les valeurs du Tableau I
sont toutes obtenues à 20 C.
TABLEAU I
Expérience Double Limites de Déviation maxi- Limites de No. réfracvariation de mum de la vitesse variation de tion,3 la double des OAS de la la vitesse x 103 réfraction dans valeur standard - des OAS dans une pastille, une pastille x 103
1 5,2 + 0,6 0,17 -0,08
2 5,0 + 0,1 0,08 + 0,01
3 4,8 08 0,14 + 0,10
4 4,6 0,2 0,04 0,02
0,0
4,4 0,5 0,08 0,06
+ +
6 4,2 - 0,3 0,08 - 0,04
7 4,0 0,7 0,16 - 0,09.
3,8 + 0,13 0,04
2575 1 9 1
-- 5 --
Claims (1)
1. Pastille monocristalline de tantalate de lithium, caractérisée en ce que la variation de l'indice de la double réfraction déterminé à une
longueur d'onde de 632,8 nm et à une température de 20 C n'est pas supé-
rieure à - 6 x 10-4 et l'indice de la double réfraction déterminé à la même longueur d'onde et à la même température est égal à 4,5 x 10-3
+ x 0-4.
-6 x10
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59280820A JPS61151098A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2575191A1 true FR2575191A1 (fr) | 1986-06-27 |
| FR2575191B1 FR2575191B1 (fr) | 1990-09-28 |
Family
ID=17630432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR858519143A Expired - Fee Related FR2575191B1 (fr) | 1984-12-24 | 1985-12-24 | Pastille monocristalline de tantalate de lithium |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4776917A (fr) |
| JP (1) | JPS61151098A (fr) |
| DE (1) | DE3545355C2 (fr) |
| FR (1) | FR2575191B1 (fr) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151098A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
| US5746823A (en) * | 1995-09-08 | 1998-05-05 | University Of Puerto Rico | Organic crystalline films for optical applications and related methods of fabrication |
| US5835205A (en) * | 1996-02-12 | 1998-11-10 | C3, Inc. | Optical testing system for distinguishing a silicon carbide gemstone from a diamond |
| EP1329744B1 (fr) * | 2002-01-10 | 2007-08-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Etalon en Niobate de Lithium ou en Tantalate de Lithium et méthode de fabrication correspondante |
| DE10237308B4 (de) * | 2002-08-14 | 2007-01-04 | Linos Photonics Gmbh & Co. Kg | Elektrooptisches Element |
| US7999983B2 (en) * | 2003-11-21 | 2011-08-16 | National Institute For Materials Science | Lens material, optical electronic component and optical electronic device |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3788890A (en) * | 1972-03-03 | 1974-01-29 | Ibm | Method of preparing dislocation-free crystals |
| US3976535A (en) * | 1975-05-27 | 1976-08-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Screening seeds for quartz growth |
| JPS604599B2 (ja) * | 1976-03-17 | 1985-02-05 | 株式会社東芝 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
| JPS52114246A (en) * | 1976-03-22 | 1977-09-24 | Toshiba Corp | Elastic surface wave device |
| JPS5825078B2 (ja) * | 1977-06-24 | 1983-05-25 | 株式会社東芝 | 単結晶の製造方法 |
| JPS5497585A (en) * | 1978-01-19 | 1979-08-01 | Toshiba Corp | Manufacture of syngle crystal |
| SU769415A1 (ru) * | 1978-07-07 | 1980-10-07 | Всесоюзный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Синтеза Минерального Сырья | Способ оценки качества кристаллов |
| US4257825A (en) * | 1978-08-30 | 1981-03-24 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing semiconductor devices having improvements in device reliability by thermally treating selectively implanted test figures in wafers |
| US4379620A (en) * | 1980-03-20 | 1983-04-12 | Keuffel & Esser Company | Light modulator employing electrooptic crystals |
| GB2105953B (en) * | 1981-08-14 | 1985-05-22 | Sony Corp | Methods of and apparatus for coding television signals |
| JPS595560A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Citizen Watch Co Ltd | 小形薄形電池の製造方法 |
| JPS5945999A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-15 | Toshiba Corp | 単結晶引上げ方法 |
| JPS6077192A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | Fujitsu Ltd | 単結晶の欠陥検出装置 |
| JPS61134111A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
| JPS61151098A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP59280820A patent/JPS61151098A/ja active Granted
-
1985
- 1985-12-20 DE DE3545355A patent/DE3545355C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-12-24 FR FR858519143A patent/FR2575191B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-03-04 US US07/022,591 patent/US4776917A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-07-19 US US07/221,325 patent/US4898641A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. ED-17, no. 3, mars 1970, pages 229-235, New York, US; R.W. DIXON: "Acoustooptic interactions and devices" * |
| INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, vol. 17, no. 5II, septembre/octobre 1974, pages 1473-1475, Plenum Publishing Corp, New York, US; A.F. LEVITES et al.: "Optical heterodyne method of measuring the change in the velocity of ultrasound in crystals" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2575191B1 (fr) | 1990-09-28 |
| JPH0425240B2 (fr) | 1992-04-30 |
| US4776917A (en) | 1988-10-11 |
| JPS61151098A (ja) | 1986-07-09 |
| DE3545355C2 (de) | 1994-09-29 |
| US4898641A (en) | 1990-02-06 |
| DE3545355A1 (de) | 1986-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2575191A1 (fr) | Pastille monocristalline de tantalate de lithium | |
| FR2473729A1 (fr) | Dispositif de mesure de tension et de champ electrique utilisant la lumiere | |
| US9146349B2 (en) | Monolithic integration of dielectric waveguides and germanium-based devices | |
| EP0014115A2 (fr) | Oscillateur accordable hyperfréquence à ondes magnétostatiques | |
| US4355910A (en) | Method and apparatus for an optical sensor utilizing semiconductor filters | |
| EP3394323A1 (fr) | Procede de fabrication d'une couche piezoelectrique monocristalline et dispositif microelectronique, photonique ou optique comprenant une telle couche | |
| CN109477985A (zh) | 带介电薄膜的基板及使用其的光调制元件 | |
| EP0324694A1 (fr) | Dispositif d'optique intégrée permettant de séparer les composantes polarisées d'un champ électromagnétique guide et procédé de réalisation du dispositif | |
| Shiosaki et al. | Sputtering and chemical vapour deposition of piezoelectric ZnO, AlN and K3Li2Nb5O15 films for optical waveguides and surface acoustic wave devices | |
| JP2003517636A (ja) | 光導波路における複屈折の制御 | |
| Singh et al. | Devices made from vapor-phase-grown mercurous chloride crystals | |
| Khan et al. | Optical guided modes and surface acoustic waves in GaN grown on (0001) sapphire substrates | |
| US4401694A (en) | Method and apparatus for an optical sensor utilizing semiconductor filters | |
| Hickernell | Low loss zinc oxide optical waveguides on amorphous substrates | |
| JP2003165795A (ja) | 酸化物単結晶ウエーハ及びその製造方法並びに評価方法 | |
| US5000546A (en) | Optical device with optical polarizer/analyzer formed of yttrium vanadate | |
| FR2612335A1 (fr) | Photodiode hgcdte a reponse rapide | |
| FR2805546A1 (fr) | Procede de fabrication d'un substrat de langasite, substrat monocristallin et dispositif piezoelectrique | |
| JPH0783231B2 (ja) | Ｓａｗ用タンタル酸リチウム単結晶ウエーハの選択方法 | |
| CN110108401B (zh) | 一种通过偏振旋转测量获得波导内应力信息的方法及装置 | |
| JP3040857B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| WO2023169962A1 (fr) | Substrat piézoélectrique sur isolant (poi) et procédé de fabrication d'un substrat piézoélectrique sur isolant (poi) | |
| Ostrovsky et al. | The control system of hardware and software complex to determine thin films thickness by interferential method | |
| Brandt et al. | Mercurous halides for long time-delay Bragg cells | |
| CN111735793A (zh) | 一种无损寻找石英晶体光轴方向的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |