JPS5945999A - 単結晶引上げ方法 - Google Patents

単結晶引上げ方法

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Publication number
JPS5945999A
JPS5945999A JP57153842A JP15384282A JPS5945999A JP S5945999 A JPS5945999 A JP S5945999A JP 57153842 A JP57153842 A JP 57153842A JP 15384282 A JP15384282 A JP 15384282A JP S5945999 A JPS5945999 A JP S5945999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
pulling
crucible
li2co3
lio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57153842A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Enokida
榎田 憲治
Masao Tsunoda
角田 柾雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57153842A priority Critical patent/JPS5945999A/ja
Publication of JPS5945999A publication Critical patent/JPS5945999A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/30Niobates; Vanadates; Tantalates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分!&f ) 本発明は単結晶引上げ方法に係り、特に微址の不純物に
よっても単結晶の育成が困難となるタンタル酸リチウム
(LiTa01)の単結晶引上げ方法に関するものであ
る。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
表面弾性波素子の基板として使用されるLiTa01の
単結晶基板をま他の基板材料、例えば圧電セラミックス
、水晶、ニオブ酸リチウム々どの単結晶基板に比べ、い
くづかの優れた特性を有することは良く知られているが
、反面微値の不KJII物にしっても単結晶の育成が困
kmfr、こと、高師な原料を使用することなどの問題
点があるためコストが割高になる。特に不純物が原料中
に混入すると単結晶のa成過程において、単結晶中に空
孔部(ボア)やクラックか発生し、基板材料として使用
不能なものになる。
次に従来のTii’I’aO,の単結晶引−ヒげ方法を
設、明すると、原料として五酸化タンタル(’rato
a)と炭酸リチウム(1,i2 C05)を用意し、こ
の両方の4AA・・1を所定の割合で計−する。次に混
合機によって?14合する。次にこの混合された材料を
高温で焼結し四に例えば大ヴの大きさ位まで粉砕したの
ち、初めて引−ト炉のルツボに装填し、溶融後、この浴
醒U体からLiTaO3の単結晶を引上げる方法が使用
さftている。これはLi2 COBをそのまま混合し
て用いると熱分解するとき多μのCO3を放出するので
溶融物が突沸して作業できないfcめである。
然るにこのような単結晶引上げh“llモに、l:ると
、計量工程、混合工程、粉砕工程などで使用する各機器
と、’I’a205やLi、co、及びこれらの焼結体
との接触や雰囲気から、不純物による汚染を避けて通る
ことは極めて回能であり、その結果、前述したように単
結晶中にボアやクラックが発生し易く、基板材料として
不能なものになるし、また特性の良好な表面弾性波素子
を得ることが回能となり、更にコスト高になるなどの問
題点があった。
〔発明の目的〕
本発明は前記従来の諸問題点に鑑みなされたものであり
、不純物による汚染をなくし、欠陥のない単結晶を育成
することが可能な単結晶用1−げ方法を提供することを
目的としている。
〔発明の概要〕
即ち、本発明は五酸化タンタルと酸化リチウムをそれぞ
れ所定のモル比づつ直接、白金−白金ロジウムまたはイ
リジウム製のルツボ内に装填し、溶融後、タンタル酸リ
チウムの単結晶を引上げることを特徴とする単結晶引上
げ方法である。
〔発明の実施例〕
次に本発明の単結晶引上げ方法の一実施例を説明する。
即ち、■、+ 1’01単結晶の原料として従来のLi
、Co、に対して熱分解の必閥のない酸化リチウム(L
lo)とTa20gとを用意し、これらT、toとTa
20gを所定のモル比づつ計数したのち、単結晶引上げ
炉の白金−白金ロジウムまたはイリジウム製のルツボに
直接に装填する。この場合、■、ioは空気中の一酸化
炭素を容易に吸収し、Li2co、に変化する性質があ
るため、この防止策として原料の取扱い作業的及び引上
げ炉のルツボ周辺の雰囲気を窒素ガスによシ置換するこ
とが必要である。
〔発明の効果〕
本発明の単結晶引上げ方法によれば不純物の混入が大巾
に減少し、従来の単結晶引上げ方法によると、L i 
、Co、をそのまま混合して用いると熱分解するとき多
量のCO,を放出するので溶解物が突沸して作業できな
いためにTa20Bと混合し焼結してC02を分解して
おく工程が必要であシ、かっこの焼結体を粉砕するとき
開用する機器や雰囲気から不純物としての81.Aj、
Peなどが約5〜lo数PPm含まれていたものが、本
発明の単結晶引上げ方法によると焼結、粉砕工程が不要
となるし、かつこれら不純物が2 PPm以下に減少さ
せることが可能となり、結果として単結晶の育成時に欠
陥が々くなり、高価な原料を効率よく使用することがで
きる単結晶す、1上げ方法が確17二でき、Li Ta
 OHの結晶基板のコスト低減と、良品質の表面波弾性
素子を供給とが可能となるので、その工業的価値は極め
て大である。
代理人 弁理士 井 上 −男

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. タンタル酸リチウムの単結晶引上げ方法において、五酸
    化タンタルと酸化リチウムをそれぞれ所定のモル比づつ
    直接、白金−白金ロジウムまたはイリジウム製のルツボ
    内に装填し、溶融後、前記メンタル酸リチウムの単結晶
    を引上げることを特徴とする単結晶引上げ方法。
JP57153842A 1982-09-06 1982-09-06 単結晶引上げ方法 Pending JPS5945999A (ja)

Priority Applications (1)

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JP57153842A JPS5945999A (ja) 1982-09-06 1982-09-06 単結晶引上げ方法

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JPS5945999A true JPS5945999A (ja) 1984-03-15

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JP57153842A Pending JPS5945999A (ja) 1982-09-06 1982-09-06 単結晶引上げ方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4898641A (en) * 1984-12-24 1990-02-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Single crystal wafer of lithium tantalate
JPH04124985U (ja) * 1991-04-24 1992-11-13 株式会社アクシード 板状物の収納ケース
US6503810B2 (en) * 1999-12-29 2003-01-07 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method for forming a capacitor for semiconductor devices with an amorphous LixTa1-xO3 dieletric layer having a perovskite structure

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH04124985U (ja) * 1991-04-24 1992-11-13 株式会社アクシード 板状物の収納ケース
US6503810B2 (en) * 1999-12-29 2003-01-07 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method for forming a capacitor for semiconductor devices with an amorphous LixTa1-xO3 dieletric layer having a perovskite structure

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