JPS5945999A - 単結晶引上げ方法 - Google Patents
単結晶引上げ方法Info
- Publication number
- JPS5945999A JPS5945999A JP57153842A JP15384282A JPS5945999A JP S5945999 A JPS5945999 A JP S5945999A JP 57153842 A JP57153842 A JP 57153842A JP 15384282 A JP15384282 A JP 15384282A JP S5945999 A JPS5945999 A JP S5945999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- pulling
- crucible
- li2co3
- lio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分!&f )
本発明は単結晶引上げ方法に係り、特に微址の不純物に
よっても単結晶の育成が困難となるタンタル酸リチウム
(LiTa01)の単結晶引上げ方法に関するものであ
る。
よっても単結晶の育成が困難となるタンタル酸リチウム
(LiTa01)の単結晶引上げ方法に関するものであ
る。
表面弾性波素子の基板として使用されるLiTa01の
単結晶基板をま他の基板材料、例えば圧電セラミックス
、水晶、ニオブ酸リチウム々どの単結晶基板に比べ、い
くづかの優れた特性を有することは良く知られているが
、反面微値の不KJII物にしっても単結晶の育成が困
kmfr、こと、高師な原料を使用することなどの問題
点があるためコストが割高になる。特に不純物が原料中
に混入すると単結晶のa成過程において、単結晶中に空
孔部(ボア)やクラックか発生し、基板材料として使用
不能なものになる。
単結晶基板をま他の基板材料、例えば圧電セラミックス
、水晶、ニオブ酸リチウム々どの単結晶基板に比べ、い
くづかの優れた特性を有することは良く知られているが
、反面微値の不KJII物にしっても単結晶の育成が困
kmfr、こと、高師な原料を使用することなどの問題
点があるためコストが割高になる。特に不純物が原料中
に混入すると単結晶のa成過程において、単結晶中に空
孔部(ボア)やクラックか発生し、基板材料として使用
不能なものになる。
次に従来のTii’I’aO,の単結晶引−ヒげ方法を
設、明すると、原料として五酸化タンタル(’rato
a)と炭酸リチウム(1,i2 C05)を用意し、こ
の両方の4AA・・1を所定の割合で計−する。次に混
合機によって?14合する。次にこの混合された材料を
高温で焼結し四に例えば大ヴの大きさ位まで粉砕したの
ち、初めて引−ト炉のルツボに装填し、溶融後、この浴
醒U体からLiTaO3の単結晶を引上げる方法が使用
さftている。これはLi2 COBをそのまま混合し
て用いると熱分解するとき多μのCO3を放出するので
溶融物が突沸して作業できないfcめである。
設、明すると、原料として五酸化タンタル(’rato
a)と炭酸リチウム(1,i2 C05)を用意し、こ
の両方の4AA・・1を所定の割合で計−する。次に混
合機によって?14合する。次にこの混合された材料を
高温で焼結し四に例えば大ヴの大きさ位まで粉砕したの
ち、初めて引−ト炉のルツボに装填し、溶融後、この浴
醒U体からLiTaO3の単結晶を引上げる方法が使用
さftている。これはLi2 COBをそのまま混合し
て用いると熱分解するとき多μのCO3を放出するので
溶融物が突沸して作業できないfcめである。
然るにこのような単結晶引上げh“llモに、l:ると
、計量工程、混合工程、粉砕工程などで使用する各機器
と、’I’a205やLi、co、及びこれらの焼結体
との接触や雰囲気から、不純物による汚染を避けて通る
ことは極めて回能であり、その結果、前述したように単
結晶中にボアやクラックが発生し易く、基板材料として
不能なものになるし、また特性の良好な表面弾性波素子
を得ることが回能となり、更にコスト高になるなどの問
題点があった。
、計量工程、混合工程、粉砕工程などで使用する各機器
と、’I’a205やLi、co、及びこれらの焼結体
との接触や雰囲気から、不純物による汚染を避けて通る
ことは極めて回能であり、その結果、前述したように単
結晶中にボアやクラックが発生し易く、基板材料として
不能なものになるし、また特性の良好な表面弾性波素子
を得ることが回能となり、更にコスト高になるなどの問
題点があった。
本発明は前記従来の諸問題点に鑑みなされたものであり
、不純物による汚染をなくし、欠陥のない単結晶を育成
することが可能な単結晶用1−げ方法を提供することを
目的としている。
、不純物による汚染をなくし、欠陥のない単結晶を育成
することが可能な単結晶用1−げ方法を提供することを
目的としている。
即ち、本発明は五酸化タンタルと酸化リチウムをそれぞ
れ所定のモル比づつ直接、白金−白金ロジウムまたはイ
リジウム製のルツボ内に装填し、溶融後、タンタル酸リ
チウムの単結晶を引上げることを特徴とする単結晶引上
げ方法である。
れ所定のモル比づつ直接、白金−白金ロジウムまたはイ
リジウム製のルツボ内に装填し、溶融後、タンタル酸リ
チウムの単結晶を引上げることを特徴とする単結晶引上
げ方法である。
次に本発明の単結晶引上げ方法の一実施例を説明する。
即ち、■、+ 1’01単結晶の原料として従来のLi
、Co、に対して熱分解の必閥のない酸化リチウム(L
lo)とTa20gとを用意し、これらT、toとTa
20gを所定のモル比づつ計数したのち、単結晶引上げ
炉の白金−白金ロジウムまたはイリジウム製のルツボに
直接に装填する。この場合、■、ioは空気中の一酸化
炭素を容易に吸収し、Li2co、に変化する性質があ
るため、この防止策として原料の取扱い作業的及び引上
げ炉のルツボ周辺の雰囲気を窒素ガスによシ置換するこ
とが必要である。
、Co、に対して熱分解の必閥のない酸化リチウム(L
lo)とTa20gとを用意し、これらT、toとTa
20gを所定のモル比づつ計数したのち、単結晶引上げ
炉の白金−白金ロジウムまたはイリジウム製のルツボに
直接に装填する。この場合、■、ioは空気中の一酸化
炭素を容易に吸収し、Li2co、に変化する性質があ
るため、この防止策として原料の取扱い作業的及び引上
げ炉のルツボ周辺の雰囲気を窒素ガスによシ置換するこ
とが必要である。
本発明の単結晶引上げ方法によれば不純物の混入が大巾
に減少し、従来の単結晶引上げ方法によると、L i
、Co、をそのまま混合して用いると熱分解するとき多
量のCO,を放出するので溶解物が突沸して作業できな
いためにTa20Bと混合し焼結してC02を分解して
おく工程が必要であシ、かっこの焼結体を粉砕するとき
開用する機器や雰囲気から不純物としての81.Aj、
Peなどが約5〜lo数PPm含まれていたものが、本
発明の単結晶引上げ方法によると焼結、粉砕工程が不要
となるし、かつこれら不純物が2 PPm以下に減少さ
せることが可能となり、結果として単結晶の育成時に欠
陥が々くなり、高価な原料を効率よく使用することがで
きる単結晶す、1上げ方法が確17二でき、Li Ta
OHの結晶基板のコスト低減と、良品質の表面波弾性
素子を供給とが可能となるので、その工業的価値は極め
て大である。
に減少し、従来の単結晶引上げ方法によると、L i
、Co、をそのまま混合して用いると熱分解するとき多
量のCO,を放出するので溶解物が突沸して作業できな
いためにTa20Bと混合し焼結してC02を分解して
おく工程が必要であシ、かっこの焼結体を粉砕するとき
開用する機器や雰囲気から不純物としての81.Aj、
Peなどが約5〜lo数PPm含まれていたものが、本
発明の単結晶引上げ方法によると焼結、粉砕工程が不要
となるし、かつこれら不純物が2 PPm以下に減少さ
せることが可能となり、結果として単結晶の育成時に欠
陥が々くなり、高価な原料を効率よく使用することがで
きる単結晶す、1上げ方法が確17二でき、Li Ta
OHの結晶基板のコスト低減と、良品質の表面波弾性
素子を供給とが可能となるので、その工業的価値は極め
て大である。
代理人 弁理士 井 上 −男
Claims (1)
- タンタル酸リチウムの単結晶引上げ方法において、五酸
化タンタルと酸化リチウムをそれぞれ所定のモル比づつ
直接、白金−白金ロジウムまたはイリジウム製のルツボ
内に装填し、溶融後、前記メンタル酸リチウムの単結晶
を引上げることを特徴とする単結晶引上げ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57153842A JPS5945999A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 単結晶引上げ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57153842A JPS5945999A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 単結晶引上げ方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5945999A true JPS5945999A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15571287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57153842A Pending JPS5945999A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 単結晶引上げ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5945999A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4898641A (en) * | 1984-12-24 | 1990-02-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Single crystal wafer of lithium tantalate |
JPH04124985U (ja) * | 1991-04-24 | 1992-11-13 | 株式会社アクシード | 板状物の収納ケース |
US6503810B2 (en) * | 1999-12-29 | 2003-01-07 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming a capacitor for semiconductor devices with an amorphous LixTa1-xO3 dieletric layer having a perovskite structure |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP57153842A patent/JPS5945999A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4898641A (en) * | 1984-12-24 | 1990-02-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Single crystal wafer of lithium tantalate |
JPH04124985U (ja) * | 1991-04-24 | 1992-11-13 | 株式会社アクシード | 板状物の収納ケース |
US6503810B2 (en) * | 1999-12-29 | 2003-01-07 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming a capacitor for semiconductor devices with an amorphous LixTa1-xO3 dieletric layer having a perovskite structure |
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