JP2008019122A - 圧電単結晶組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】 電気機械結合係数が大きく、フィルター、ジャイロ等の波動デバイス用途の小型化、高圧電応答性を可能にする圧電単結晶組成物を提供すること。
【解決手段】 ランガサイト型構造を有し化学式(BaaSrbCac)3(NbdTaeWf)Ga5-x(Ge1-gSig)xO14で表され、a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、d+e+f=1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦x≦5の範囲内の単結晶から成る圧電単結晶組成物を可能にする。
【選択図】 なし
Description
本発明は、波動デバイス、フィルター、発振子、ジャイロ等に用いられる圧電単結晶振動子として用いられる圧電単結晶組成物に関するものである。
フィルター、発振子、ジャイロ等の圧電デバイスは、携帯電話、パソコン、デジタルカメラなどの搭載機器の小型化に伴い、大いに小型化の要求が高まっている。小型化に影響を与える材料特性としては電気機械結合係数が挙げられ、振動子構造を固定した場合、電気機械結合係数が大きいほど振動子の小型化が可能となる。
従来、圧電振動子には、水晶やランガサイト、ニオブ酸リチウムなどの圧電単結晶材料が用いられてきた。水晶はエッチング加工が可能であり、さらに圧電特性の温度安定性、加工性、量産性に優れていることから広く用いられているが、電気機械結合係数が小さく出力信号が微弱であり圧電応答が弱いという問題がある。また、ランガサイト系の化学式Sr3Ga2Ge4O14(SGG)で表される結晶は水晶と比べれば、電気機械結合係数は大きいが十分な値とはいえない。
ランガサイトは化学式A3BC3D2O14で表されるA、B、C、D4つのサイトから構成され、各サイトには合計9個の元素が入る。価数、イオン半径の大きさにより、各サイトを占める元素が決定される。
特許文献1には、ランガサイト系のLa3Ga5.5Nb0.5O14単結晶を用いた弾性表面波装置の例、特許文献2には、ランガサイト系のLa3Ta0.5Ga5.5O14単結晶を用いた弾性表面波装置の例が開示されている。
しかしながら、特許文献1は、ランガサイト系のLa3Ga5.5Nb0.5O14単結晶を用いた弾性表面波デバイスが開示され、電気機械結合係数k2が0.82%、SAW速度が2100m/sと記されている。また、特許文献2は、小型化のためにランガサイト系のLa3Ta0.5Ga5.5O14単結晶を用いた弾性表面波装置が公開されており、電気機械結合係数k2が0.06〜1.32%、SAW速度が2286〜2664m/sと記載されている。しかしながら、両者とも電気機械結合係数、SAW速度とも十分とは言えず、更なる特性向上が望まれている。
本発明は、従来の課題を解決すべくなされたもので、本発明はランガサイトの構成元素を調整することにより、電気機械結合係数が大きい圧電単結晶の材料組成物を提供することにある。
本発明は、前記課題の解決のため、ランガサイト型構造を有し化学式(BaaSrbCac)3(NbdTaeWf)Ga5-x(Ge1-gSig)xO14で表され、a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、d+e+f=1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦x≦5である単結晶から成ることを特徴とする圧電単結晶組成物である。
従って、本発明によれば、ランガサイト型構造を有し化学式(BaaSrbCac)3(NbdTaeWf)Ga5-x(Ge1-gSig)xO14で表され、a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、d+e+f=1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦x≦5の範囲内で、電気機械結合係数が大きい圧電単結晶組成物を提供することができる。
次に、本発明による圧電単結晶組成物の実施の形態について、具体的に説明する。
ランガサイト型構造を有し化学式(BaaSrbCac)3(NbdTaeWf)Ga5-x(Ge1-gSig)xO14で表される組成の圧電単結晶組成物の原料である純度99.99%の粉末原料BaCO3、SrCO3、CaCO3、Nb2O5、Ta2O5、WO3、Ga2O3、Ge2O3、SiO2を所定の組成になるようにそれぞれ秤量し、湿式混合した。この混合物に圧力をかけ、ペレット状にし、高温炉で所定の温度、時間にて仮焼を行い、仮焼後ペレットを粉砕し原料粉末とする。
次に、得られた原料粉末を高周波加熱方式の単結晶育成炉内の坩堝に入れ、所定の温度に加熱することにより、原料粉末を溶融し、この融液に種結晶を浸し、所定の引き下げ速度で単結晶の育成を行う。
次に、得られた育成単結晶からX板Y軸方向に切り出し、次いで鏡面研磨を行い、2.2×0.7×10mmの大きさに加工した。この切り出した単結晶上に体積弾性波が伝搬する方向の上下面にクロム/金を電極として成膜形成し、圧電振動子を作製する。図1は、本発明の実施の形態に係わる圧電振動子を示す斜視図である。1は単結晶、2は電極である。圧電特性は共振−反共振法によりインピーダンスアナライザーにより測定を行い、測定する振動モードはY方向が長さ方向振動で、電界印加がX方向である。
次に、実施例、及び比較例を挙げ、本発明の圧電単結晶組成物について、さらに詳しく説明する。
化学量論組成のSr3Ga2Ge4O14(以下、SGGと表す)、Sr3NbGa3Ge2O14(以下、SNGGと表す)、Sr3WGa4GeO14(以下、SWGGと表す)、Sr3ReGa5O14(以下、SRGGと表す)となるように、純度99.99%の粉末原料SrCO3、Ga2O3、Ge2O3、Nb2O5、WO3、Re2O7を秤量した。
前記の組成では、AサイトはSr、BサイトはGa、Nb、W、Reがそれぞれ入る。残りのC、DサイトはGaとGeが入る。SGG(比較例)では、2つあるGaのうち1つはBサイトに入るため、C、Dサイトに入るGaとGeの比は1:4である。SNGG(本発明の実施例)はGa:Ge=3:2であり、SWGG(本発明の実施例)はGa:Ge=4:1、SRGG(比較例)はGa:Ge=5:0となる。
その後、湿式混合し、この混合物に圧力をかけ、ペレット状にし、高温炉で保持温度1000℃、保持時間20時間で、仮焼を行った。仮焼を行ったものを粉末状にし、約1400℃で溶融し、ランガサイト型種結晶を用い、バルク単結晶を育成した。SGG(比較例1)、SNGG(本発明10)、SWGG(本発明64)では圧電特性可能な結晶の育成が出来たが、SRGG(比較例2)では良好な結晶が育成できなかった。
得られた結晶を、2.2×0.7×10mmに加工した。スパッタリング法により、図1に示すように、上下面にクロム/金を電極として成膜した。圧電特性は、12モードを共振−反共振法により測定した。各試料の電気機械結合係数k12を表1に示す。
SGG(比較例1)は電気機械結合係数k12が18%であり、SNGG(本発明10)、およびSWGG(本発明67)は電気機械結合係数k12が各々18.5%、18.8%とSGG(比較例1)より電気機械結合係数が向上した。
ランガサイト型構造を有し化学式(BaaSrbCac)3(NbdTaeWf)Ga5-x(Ge1-gSig)xO14で、a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、d+e+f=1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦x≦5の範囲で表され、f=0、x=2の時、化学量論組成の(BaaSrbCac)3(NbdTae)Ga3(Ge1-gSig)2O14で、(a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、d+e=1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦g≦1)となるように、純度99.99%の粉末原料BaCO3、SrCO3、CaCO3、Nb2O5、Ta2O5、Ga2O3、Ge2O3、SiO2を表2に表す組成になるようにそれぞれ秤量し、湿式混合した。この混合物に圧力をかけ、ペレット状にし、高温炉で保持温度1000℃、保持時間20時間で、仮焼を行った。仮焼を行ったものを粉末状にし、1300〜1400℃で溶融し、ランガサイト型種結晶を用い、バルク単結晶を育成した。
得られた結晶を、2.2×0.7×10mmに加工した。スパッタリング法により、図1に示すように、上下面にクロム/金を電極として成膜した。圧電特性は12モードを共振−反共振法により測定した。各試料の電気機械結合係数k12を表2に示す。
AサイトがBaのみ、BサイトがNbのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明1)の場合、電気機械結合係数k12は19.5%となった。さらに、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明2、3)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)と比べより大きな値を示した。AサイトがBaのみの組成において、BサイトのNb:Ta比を変え、またDサイトのGe:Si比を変えた場合(本発明4〜9)、電気機械結合係数k12は18.2%〜18.0%となり、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値となった。
AサイトがSrのみ、BサイトNbのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明10(SNGG))の場合、電気機械結合係数k12は18.5%となった。さらに、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明11、12)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値を示した。AサイトがSrのみの組成において、BサイトのNb:Ta比を変え、またDサイトのGe:Si比を変えた場合(本発明13〜18)、電気機械結合係数k12は18.5%〜18.0%となり、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値となった。
AサイトがCaのみ、BサイトNbのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明19)の場合、電気機械結合係数k12は18.2%となった。さらに、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明20、21)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値を示した。AサイトがCaのみの組成において、BサイトのNb:Ta比を変え、またDサイトのGe:Si比を変えた場合(本発明22〜27)、電気機械結合係数k12は18.1%〜18.0%となり、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値となった。
AサイトがBaとSrとから同比率にて構成され、BサイトNbのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明28)の場合、電気機械結合係数k12は19.0%となった。さらに、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明29、30)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)と比べ、より大きな値を示した。AサイトがBaとSrとから同比率にて構成される組成において、BサイトのNb:Ta比を変え、またDサイトのGe:Si比を変えた場合(本発明31〜36)、電気機械結合係数k12は18.0%となり、SGG(比較例1)と比べ同等な値となった。
AサイトがBaとCaとから同比率にて構成され、BサイトNbのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明37)の場合、電気機械結合係数k12は18.5%となった。さらに、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明38、39)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値を示した。AサイトがBaとCaとから同比率にて構成される組成において、BサイトのNb:Ta比を変え、またDサイトのGe:Si比を変えた場合(本発明40〜45)、電気機械結合係数k12は18.5%〜18.0%となり、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値となった。
AサイトがSrとCaとから同比率にて構成され、BサイトNbのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明46)の場合、電気機械結合係数k12は18.3%となった。さらに、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明47、48)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値を示した。AサイトがSrとCaとから同比率にて構成される組成において、BサイトのNb:Ta比を変え、またDサイトのGe:Si比を変えた場合(本発明49〜54)、電気機械結合係数k12は18.2%〜18.0%となり、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値となった。
AサイトがBaとSrとCaとから同比率にて構成され、BサイトNbのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明55)の場合、電気機械結合係数k12は18.5%となった。さらに、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明56、57)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)と比べ、より大きな値を示した。AサイトがBaとSrとCaとから同比率にて構成される組成において、BサイトのNb:Ta比を変え、またDサイトのGe:Si比を変えた場合(本発明58〜63)、電気機械結合係数k12は18.5%〜18.0%となり、SGG(比較例1)と比べ同等または大きな値となった。
ランガサイト型構造を有し化学式(BaaSrbCac)3(NbdTaeWf)Ga5-x(Ge1-gSig)xO14で、a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、d+e+f=1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦x≦5の範囲で表され、f=1、x=1の時、化学量論組成の(BaaSrbCac)3WGa4(Ge1-gSig)xO14で、(a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、0≦g≦1)となるように、純度99.99%の粉末原料BaCO3、SrCO3、CaCO3、WO3、Ga2O3、Ge2O3、SiO2を表3に表す組成になるようにそれぞれ秤量し、湿式混合した。この混合物に圧力をかけ、ペレット状にし、高温炉で保持温度1000℃、保持時間20時間で、仮焼を行った。仮焼を行ったものを粉末状にし、1300℃で溶融し、ランガサイト型種結晶を用い、バルク単結晶を育成した。
得られた結晶を、2.2×0.7×10mmに加工した。スパッタリング法により、板状上下面にクロム/金を電極として成膜した。圧電特性は12モードを共振−反共振法により測定した。各試料の電気機械結合係数k12を表3に示す。
AサイトがBaのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明64)にて電気機械結合係数k12は19.5%となった。この組成において、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明65、66)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)より大きな値を示した。
AサイトがSrのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成[本発明67(SWGG)]にて電気機械結合係数k12は18.8%となった。この組成において、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明68、69)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)より大きな値を示した。
AサイトがCaのみ、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明70)にて電気機械結合係数k12は18.3%となった。この組成に於いて、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明71、72)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)より大きな値を示した。
AサイトがBaとSrとから同比率にて構成され、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明73)にて電気機械結合係数k12は19.0%となった。この組成において、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明74、75)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)より大きな値を示した。
AサイトがBaとCaとから同比率にて構成され、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明76)にて電気機械結合係数k12は18.5%となった。この組成において、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明77、78)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)より大きな値を示した。
AサイトがSrとCaとから同比率にて構成され、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明79)にて電気機械結合係数k12は18.8%となった。この組成において、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明80、81)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)より大きな値を示した。
AサイトがBaとSrとCaとから同比率にて構成され、DサイトがGe:Si=1:0の組成(本発明82)にて電気機械結合係数k12は18.8%となった。この組成において、DサイトのGe:Si比を変えると(本発明83、84)電気機械結合係数k12は低下するが、SGG(比較例1)より大きな値を示した。
1 単結晶
2 電極
2 電極
Claims (1)
- ランガサイト型構造を有し化学式(BaaSrbCac)3(NbdTaeWf)Ga5-x(Ge1-gSig)xO14で表され、a+b+c=1、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、d+e+f=1、0≦d≦1、0≦e≦1、0≦f≦1、0≦g≦1、0≦x≦5である単結晶から成ることを特徴とする圧電単結晶組成物。
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