JPH05294722A - 固体レーザ用多結晶透明ｙａｇセラミックスの製造方法 - Google Patents
固体レーザ用多結晶透明ｙａｇセラミックスの製造方法Info
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- JPH05294722A JPH05294722A JP4091156A JP9115692A JPH05294722A JP H05294722 A JPH05294722 A JP H05294722A JP 4091156 A JP4091156 A JP 4091156A JP 9115692 A JP9115692 A JP 9115692A JP H05294722 A JPH05294722 A JP H05294722A
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- yag
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種レーザ発光元素を添加し、良質の光学的
特性を有する透明ＹＡＧセラミックスを比較的簡単に製
造する手段を見出す。 【構成】 原料粉末の純度が９９．９重量％以上で、そ
れぞれの一次粒子径が０．１〜５μｍ及び０．０１〜２
μｍのＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 粉末をＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ
5 Ｏ12）組成となるように秤量し、これにランタニド元
素及びＣｒ、Ｔｉ元素の１種以上を添加して混練成形
後、１６００〜１８５０℃の温度により焼成する。
特性を有する透明ＹＡＧセラミックスを比較的簡単に製
造する手段を見出す。 【構成】 原料粉末の純度が９９．９重量％以上で、そ
れぞれの一次粒子径が０．１〜５μｍ及び０．０１〜２
μｍのＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 粉末をＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ
5 Ｏ12）組成となるように秤量し、これにランタニド元
素及びＣｒ、Ｔｉ元素の１種以上を添加して混練成形
後、１６００〜１８５０℃の温度により焼成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ発振素子として
好適に使用されるガーネット構造を有し、化学式がＹ3
Ａｌ5 Ｏ12として表される透明化したイットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）セラミックスの製造
に関する。
好適に使用されるガーネット構造を有し、化学式がＹ3
Ａｌ5 Ｏ12として表される透明化したイットリウム・ア
ルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）セラミックスの製造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＹＡＧは、発光に関与する元素として、
Ｎｄ、Ｈｏ等のランタニド元素を添加し、チョコラルス
キー法、フローティングゾーン法あるいはブリッジマン
法にて単結晶化することによってレーザ光を発振するこ
とが可能となる。
Ｎｄ、Ｈｏ等のランタニド元素を添加し、チョコラルス
キー法、フローティングゾーン法あるいはブリッジマン
法にて単結晶化することによってレーザ光を発振するこ
とが可能となる。
【０００３】ＹＡＧレーザは、添加元素により発振波長
が異なり、高出力なレーザ光が得られることから、ファ
イバー分岐用光源や各種材料の切断、溶接、アニールま
たは近年ＳＨＧ素子を用い波長変換することによる微細
加工及びレーザメス等、多岐に亘って利用されている。
が異なり、高出力なレーザ光が得られることから、ファ
イバー分岐用光源や各種材料の切断、溶接、アニールま
たは近年ＳＨＧ素子を用い波長変換することによる微細
加工及びレーザメス等、多岐に亘って利用されている。
【０００４】単結晶を合成する場合に、単結晶を育成す
る装置や育成に用いるイリジウム坩堝が極めて高価であ
ること、育成温度が約２０００℃を必要とし、かつ育成
速度が０．２〜０．３ｍｍ／ｈｒと極めて遅く、製造コ
スト及び製造時間がかかりすぎること、装置１基に対し
１本の単結晶ロッドしか得られず生産性が低いこと、単
結晶ロッドの径が５０ｍｍ前後の小さなものしか得られ
ないこと、さらにはＮｄを添加する場合には、添加元素
の偏析が起こるため添加元素濃度を１原子％以上にでき
ない等、様々な問題が存在している。
る装置や育成に用いるイリジウム坩堝が極めて高価であ
ること、育成温度が約２０００℃を必要とし、かつ育成
速度が０．２〜０．３ｍｍ／ｈｒと極めて遅く、製造コ
スト及び製造時間がかかりすぎること、装置１基に対し
１本の単結晶ロッドしか得られず生産性が低いこと、単
結晶ロッドの径が５０ｍｍ前後の小さなものしか得られ
ないこと、さらにはＮｄを添加する場合には、添加元素
の偏析が起こるため添加元素濃度を１原子％以上にでき
ない等、様々な問題が存在している。
【０００５】近年、透明ＹＡＧセラミックスの合成法と
して、たとえば、特開平１−２６４９６３号公報、特開
平２−２８３６６３号公報に記載されているが、これら
は複雑な湿式法により複合粉末を合成しなくてはなら
ず、製造コストの面で問題があり、また光学特性の点で
も不十分である。
して、たとえば、特開平１−２６４９６３号公報、特開
平２−２８３６６３号公報に記載されているが、これら
は複雑な湿式法により複合粉末を合成しなくてはなら
ず、製造コストの面で問題があり、また光学特性の点で
も不十分である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決すべき課
題は、各種レーザ発光元素を添加し、良質の光学的特性
を有する透明ＹＡＧセラミックスを比較的簡単に製造す
る手段を見出すことにある。
題は、各種レーザ発光元素を添加し、良質の光学的特性
を有する透明ＹＡＧセラミックスを比較的簡単に製造す
る手段を見出すことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の透明ＹＡＧセラ
ミックスの合成法は、原料粉末の純度が９９．９重量％
以上で、それぞれの一次粒子径が０．１〜５μｍ及び
０．０１〜２μｍのＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 粉末をＹＡ
Ｇ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）組成となるように秤量し、これに
ランタニド元素及びＣｒ、Ｔｉ元素の１種以上を添加し
て混練成形後、１６００〜１８５０℃の温度により焼成
することによって前記目的を達成した。
ミックスの合成法は、原料粉末の純度が９９．９重量％
以上で、それぞれの一次粒子径が０．１〜５μｍ及び
０．０１〜２μｍのＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 粉末をＹＡ
Ｇ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）組成となるように秤量し、これに
ランタニド元素及びＣｒ、Ｔｉ元素の１種以上を添加し
て混練成形後、１６００〜１８５０℃の温度により焼成
することによって前記目的を達成した。
【０００８】
【作用】本発明は、適正な純度及び粒度のＡｌ2 Ｏ3 、
Ｙ2 Ｏ3 粉末を用い、ランタニド元素及びＣｒ、Ｔｉ元
素成分を添加し、適正な条件下での合成を行うことで、
レーザ発振機能が付加された透明な高密度焼結体を得る
ことができ、大型のセラミックスレーザを工業的に安価
に製造することが可能となる。
Ｙ2 Ｏ3 粉末を用い、ランタニド元素及びＣｒ、Ｔｉ元
素成分を添加し、適正な条件下での合成を行うことで、
レーザ発振機能が付加された透明な高密度焼結体を得る
ことができ、大型のセラミックスレーザを工業的に安価
に製造することが可能となる。
【０００９】本発明で使用するＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 の
それぞれの原料粉末の合成プロセスは、特には限定され
ないが、焼結性、すなわち、低温焼結の観点及び反応焼
結の観点からいえば、易焼結性で、かつ粒子径もできる
だけ小さい方が望ましい。
それぞれの原料粉末の合成プロセスは、特には限定され
ないが、焼結性、すなわち、低温焼結の観点及び反応焼
結の観点からいえば、易焼結性で、かつ粒子径もできる
だけ小さい方が望ましい。
【００１０】Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 粉末をＹＡＧ組成に
秤量するとき、ランタニド元素成分を添加する場合はＹ
2 Ｏ3 の一部を、またＣｒ、Ｔｉ元素成分を添加する場
合にはＡｌ2 Ｏ3 の一部を置換する。添加に際しては、
硫酸塩，硝酸塩等の塩類、アルコキシド、酸化物粉末を
使用できるが、適用する添加方法について特に限定され
るものではない。
秤量するとき、ランタニド元素成分を添加する場合はＹ
2 Ｏ3 の一部を、またＣｒ、Ｔｉ元素成分を添加する場
合にはＡｌ2 Ｏ3 の一部を置換する。添加に際しては、
硫酸塩，硝酸塩等の塩類、アルコキシド、酸化物粉末を
使用できるが、適用する添加方法について特に限定され
るものではない。
【００１１】この配合にアルコール等の有機溶媒又は蒸
留水を加え、ポットミル中で混合する。この混合された
粉末を減圧下又は常圧下で乾燥させる。得られた均一な
混合粉末は、一軸プレスまたは冷間等方圧プレス等によ
って所定形状に成形する。次いで１６００〜１８５０℃
の温度で５〜１００時間、酸素ガス，水素ガス中、また
は１０-1Ｔｏｒｒ以上の真空中で焼成することによっ
て、また場合によっては、ＨＰやＨＩＰで処理すること
によっても透明度の高い高密度ＹＡＧセラミックスが得
られる。
留水を加え、ポットミル中で混合する。この混合された
粉末を減圧下又は常圧下で乾燥させる。得られた均一な
混合粉末は、一軸プレスまたは冷間等方圧プレス等によ
って所定形状に成形する。次いで１６００〜１８５０℃
の温度で５〜１００時間、酸素ガス，水素ガス中、また
は１０-1Ｔｏｒｒ以上の真空中で焼成することによっ
て、また場合によっては、ＨＰやＨＩＰで処理すること
によっても透明度の高い高密度ＹＡＧセラミックスが得
られる。
【００１２】本発明では、焼結中に出発原料であるＡｌ
2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 粉末が反応をしながら焼結が進行して
いくが、最初にＹ4 Ａｌ2 Ｏ9 が生成し、その後ＹＡｌ
Ｏ3が生成し、次いでこのＹＡｌＯ3 が残存するＡｌ2
Ｏ3 と反応して最終的にＹＡＧとなる。この焼結過程に
おいて、使用粉末の反応性が低い場合は、焼結の最終段
階まで光学的に異方性を示すＹＡｌＯ3 が残存し、焼結
体の透明度を著しく低下させることとなる。
2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 粉末が反応をしながら焼結が進行して
いくが、最初にＹ4 Ａｌ2 Ｏ9 が生成し、その後ＹＡｌ
Ｏ3が生成し、次いでこのＹＡｌＯ3 が残存するＡｌ2
Ｏ3 と反応して最終的にＹＡＧとなる。この焼結過程に
おいて、使用粉末の反応性が低い場合は、焼結の最終段
階まで光学的に異方性を示すＹＡｌＯ3 が残存し、焼結
体の透明度を著しく低下させることとなる。
【００１３】本発明では、透明度の高い高密度ＹＡＧセ
ラミックスを製造するためには、Ａｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ
3 の粒度が重要であることが判明しており、Ａｌ2 Ｏ3
及びＹ2 Ｏ3 粉末の沈降速度の差による混練後の不均一
な混合状態を防ぎ、またＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 の静電
的差異（凝集力の差）を利用してＡｌ2 Ｏ3 粉末の周り
に小径のＹ2 Ｏ3 粉末を付着させることによって、混合
状態を均一にするため、Ａｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 のそれ
ぞれ一次粒子形状を、０．１〜５μｍ及び０．０１〜２
μｍの範囲とするのが望ましい。
ラミックスを製造するためには、Ａｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ
3 の粒度が重要であることが判明しており、Ａｌ2 Ｏ3
及びＹ2 Ｏ3 粉末の沈降速度の差による混練後の不均一
な混合状態を防ぎ、またＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 の静電
的差異（凝集力の差）を利用してＡｌ2 Ｏ3 粉末の周り
に小径のＹ2 Ｏ3 粉末を付着させることによって、混合
状態を均一にするため、Ａｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 のそれ
ぞれ一次粒子形状を、０．１〜５μｍ及び０．０１〜２
μｍの範囲とするのが望ましい。
【００１４】上記粒度とすることによって、粒子径の大
きなＡｌ2 Ｏ3 粉末の周りに粒子径の小さなＹ2 Ｏ3 を
付着させ混合状態を均一にすることができるばかりでな
く、焼結中にＡｌ2 Ｏ3 の周りのＹ2 Ｏ3 が優先的に反
応し、焼結中の粒成長を抑制する効果がある。すなわ
ち、Ａｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 とを混合して単純に焼結した
場合、粒成長と同時に焼結中に上記ＹＡｌＯ3 が生成さ
れ、このＹＡｌＯ3 相は密度が５．３５ｇ／ｃｍ3 と高
いため、この相を経由して密度の低いＹＡＧが生成して
いく際に焼結体が膨張し、密度上昇が阻害されて透明度
を向上させることはできない。これを上記したようにそ
れぞれ粒子径の異なる適正な２種類の粉末を使用するこ
とによって、焼結中の粒成長を抑制し且つ膨張減少を解
消し、透明度の高い高密度なＹＡＧセラミックスが得ら
れる。
きなＡｌ2 Ｏ3 粉末の周りに粒子径の小さなＹ2 Ｏ3 を
付着させ混合状態を均一にすることができるばかりでな
く、焼結中にＡｌ2 Ｏ3 の周りのＹ2 Ｏ3 が優先的に反
応し、焼結中の粒成長を抑制する効果がある。すなわ
ち、Ａｌ2 Ｏ3 とＹ2 Ｏ3 とを混合して単純に焼結した
場合、粒成長と同時に焼結中に上記ＹＡｌＯ3 が生成さ
れ、このＹＡｌＯ3 相は密度が５．３５ｇ／ｃｍ3 と高
いため、この相を経由して密度の低いＹＡＧが生成して
いく際に焼結体が膨張し、密度上昇が阻害されて透明度
を向上させることはできない。これを上記したようにそ
れぞれ粒子径の異なる適正な２種類の粉末を使用するこ
とによって、焼結中の粒成長を抑制し且つ膨張減少を解
消し、透明度の高い高密度なＹＡＧセラミックスが得ら
れる。
【００１５】また、焼結助剤としてＳｉＯ2 成分を添加
する際には、硫酸塩，硝酸塩等の塩類、アルコキシド、
ＳｉＯ2 粉末そのものを使用できるが、適用する添加方
法について特に限定されるものではない。ＳｉＯ2 は、
焼結体末期のＹＡＧセラミックス粒子を若干粒成長させ
ると同時に、前述した光学的異方性を示すＹＡｌＯ3や
Ａｌ2 Ｏ3 等の異相の除去を促進させる効果があり、Ｓ
ｉＯ2 の添加により焼成時間を極めて短縮できる。また
焼結温度を低下させることもできる。ＳｉイオンはＡｌ
イオンと置換できることから、焼結体中に異物として存
在することはなく、したがって光学的特性を低下させる
要因にはならない。しかし、所定量以上を添加した場合
には、粒界中にＳｉＯ2 が析出したり、また異常粒成長
を起こして不均一な組織となり、光学的性質を低下させ
る要因となる。また、ＳｉＯ2 量が少ない場合には、そ
の効果を十分に発揮できず、特定の範囲に限定される。
する際には、硫酸塩，硝酸塩等の塩類、アルコキシド、
ＳｉＯ2 粉末そのものを使用できるが、適用する添加方
法について特に限定されるものではない。ＳｉＯ2 は、
焼結体末期のＹＡＧセラミックス粒子を若干粒成長させ
ると同時に、前述した光学的異方性を示すＹＡｌＯ3や
Ａｌ2 Ｏ3 等の異相の除去を促進させる効果があり、Ｓ
ｉＯ2 の添加により焼成時間を極めて短縮できる。また
焼結温度を低下させることもできる。ＳｉイオンはＡｌ
イオンと置換できることから、焼結体中に異物として存
在することはなく、したがって光学的特性を低下させる
要因にはならない。しかし、所定量以上を添加した場合
には、粒界中にＳｉＯ2 が析出したり、また異常粒成長
を起こして不均一な組織となり、光学的性質を低下させ
る要因となる。また、ＳｉＯ2 量が少ない場合には、そ
の効果を十分に発揮できず、特定の範囲に限定される。
【００１６】
【実施例】Ａｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 それぞれの粉末を合量
１００ｇ秤量し、ポットミル中へそれぞれの粉末とエチ
ルアルコール３００ｃｃ、さらにアルミナボール５００
ｇを入れ、２４時間混合した。混合した粉末を５００ｍ
ｍＨｇの減圧下で乾燥し、乾燥した粉末を乳鉢で軽く再
混合した。
１００ｇ秤量し、ポットミル中へそれぞれの粉末とエチ
ルアルコール３００ｃｃ、さらにアルミナボール５００
ｇを入れ、２４時間混合した。混合した粉末を５００ｍ
ｍＨｇの減圧下で乾燥し、乾燥した粉末を乳鉢で軽く再
混合した。
【００１７】この粉末を直径５０ｍｍ、高さ１５ｍｍの
タブレットに仮成形後、ラバープレスにより成形圧１０
００ｋｇ／ｃｍ2 で成形した。
タブレットに仮成形後、ラバープレスにより成形圧１０
００ｋｇ／ｃｍ2 で成形した。
【００１８】この成形体を電気炉に入れ、１００℃／ｈ
ｒで昇温し、所定温度にて５時間焼成後、１００℃／ｈ
ｒで冷却した。得られた焼結体は直径１５ｍｍ、厚さ１
ｍｍの試料に加工した。試料の両面は１μｍのダイヤモ
ンドペーストにより鏡面仕上げした。
ｒで昇温し、所定温度にて５時間焼成後、１００℃／ｈ
ｒで冷却した。得られた焼結体は直径１５ｍｍ、厚さ１
ｍｍの試料に加工した。試料の両面は１μｍのダイヤモ
ンドペーストにより鏡面仕上げした。
【００１９】表１に示す実施例１〜１９は、純度９９．
９９重量％のＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 粉末の組成比を４
２．９：５７．１（すなわちモル比で５：３）とするこ
とを基準とし、ランタニド元素及びＣｒ、Ｔｉ元素成分
の添加量によってＡｌ2 Ｏ3、Ｙ2 Ｏ3 量を調節したも
の、またＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 粉末の粒度をそれぞれ
０．５〜２μｍ、０．０１〜０．８μｍの範囲で変動さ
せたもの、さらには焼結温度を１６００〜１８００℃ま
で変化させた結果を示す。なお、ランタニド元素及びＣ
ｒ、Ｔｉ元素成分としてＮｄ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｃｒのみの
記載となっているが、他の添加物質においても同等の結
果が得られた。
９９重量％のＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 粉末の組成比を４
２．９：５７．１（すなわちモル比で５：３）とするこ
とを基準とし、ランタニド元素及びＣｒ、Ｔｉ元素成分
の添加量によってＡｌ2 Ｏ3、Ｙ2 Ｏ3 量を調節したも
の、またＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 粉末の粒度をそれぞれ
０．５〜２μｍ、０．０１〜０．８μｍの範囲で変動さ
せたもの、さらには焼結温度を１６００〜１８００℃ま
で変化させた結果を示す。なお、ランタニド元素及びＣ
ｒ、Ｔｉ元素成分としてＮｄ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｃｒのみの
記載となっているが、他の添加物質においても同等の結
果が得られた。
【００２０】
【表１】 表２に示す実施例２０〜２７は同じく純度９９．９９重
量％のＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 粉末のそれぞれの粒度を
０．５μｍ、０．０７μｍと固定した。これに前記と同
様のランタニド元素を添加し、さらに焼結助剤としてＳ
ｉＯ2 を添加し、真空中で焼成したときの結果を示す。
ここでは、ランタニド元素としてＮｄのみの記載となっ
ているが、他の添加物質においても同等の結果が得られ
た。
量％のＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 粉末のそれぞれの粒度を
０．５μｍ、０．０７μｍと固定した。これに前記と同
様のランタニド元素を添加し、さらに焼結助剤としてＳ
ｉＯ2 を添加し、真空中で焼成したときの結果を示す。
ここでは、ランタニド元素としてＮｄのみの記載となっ
ているが、他の添加物質においても同等の結果が得られ
た。
【００２１】
【表２】 比較例 市販されているＮｄ：ＹＡＧ（０．６ａｔ％）単結晶を
同じ試料サイズに切り出し、両面研磨後、透過率を測定
したところ、波長７００ｎｍでの透過率が８０％であっ
た。
同じ試料サイズに切り出し、両面研磨後、透過率を測定
したところ、波長７００ｎｍでの透過率が８０％であっ
た。
【００２２】表３に示す比較例１〜８は、市販のＡｌ2
Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 粉末（粒度１０μｍ、３μｍ）を使用し
た場合、または、Ａｌ2 Ｏ3 あるいはＹ2 Ｏ3 のどちら
かの粉末が特許請求範囲外であるもの、さらにはこれに
特許請求範囲内のＳｉＯ2 を添加した場合の結果を示
す。さらには特許請求範囲内のＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 粉
末にＳｉＯ2 を特許請求範囲外の添加量加えた場合の結
果を示す。
Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 粉末（粒度１０μｍ、３μｍ）を使用し
た場合、または、Ａｌ2 Ｏ3 あるいはＹ2 Ｏ3 のどちら
かの粉末が特許請求範囲外であるもの、さらにはこれに
特許請求範囲内のＳｉＯ2 を添加した場合の結果を示
す。さらには特許請求範囲内のＡｌ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 粉
末にＳｉＯ2 を特許請求範囲外の添加量加えた場合の結
果を示す。
【００２３】
【表３】 表１及び表２に示す実施例においては、いずれも市販の
ＹＡＧ単結晶と略同等の透過率のものを製造できた。
ＹＡＧ単結晶と略同等の透過率のものを製造できた。
【００２４】また、粒度の大きな粉末を使用した場合、
あるいはどちらかの粉末が特許請求範囲外の粒度の粉末
を用いた場合は、粉末の反応性が低いために焼結体中に
光学的異方性を示す相が多く存在し、このため透過率は
向上しなかった。さらに、この配合に特許請求範囲内の
ＳｉＯ2 を添加しても透過率の向上は見られない。ま
た、ＳｉＯ2 の添加量が５０ｐｐｍ未満の場合には、焼
結促進の効果は全く見られず、逆に添加量が１００００
ｐｐｍを超えると、異常粒成長が起こり透過率が低くな
った。
あるいはどちらかの粉末が特許請求範囲外の粒度の粉末
を用いた場合は、粉末の反応性が低いために焼結体中に
光学的異方性を示す相が多く存在し、このため透過率は
向上しなかった。さらに、この配合に特許請求範囲内の
ＳｉＯ2 を添加しても透過率の向上は見られない。ま
た、ＳｉＯ2 の添加量が５０ｐｐｍ未満の場合には、焼
結促進の効果は全く見られず、逆に添加量が１００００
ｐｐｍを超えると、異常粒成長が起こり透過率が低くな
った。
【００２５】
【発明の効果】本発明によって以下の効果を奏すること
ができる。
ができる。
【００２６】（１）アルコキシドや共沈法等の複雑でか
つコスト的に高価な湿式法による粉末合成も必要とせ
ず、比較的簡単なプロセスによって単結晶とほぼ同等の
光学的特性を有する透明なＹＡＧセラミックスの合成が
可能となる。
つコスト的に高価な湿式法による粉末合成も必要とせ
ず、比較的簡単なプロセスによって単結晶とほぼ同等の
光学的特性を有する透明なＹＡＧセラミックスの合成が
可能となる。
【００２７】（２）得られた各種元素を添加した透明な
ＹＡＧセラミックスは、レーザ発振小ロッドとして好適
に使用される。
ＹＡＧセラミックスは、レーザ発振小ロッドとして好適
に使用される。
【００２８】（３）得られた各種元素を添加した透明な
ＹＡＧセラミックスは、従来の単結晶に比較してレーザ
発振に寄与する元素を高濃度にすることが可能であるの
で、高出力のレーザが発振でき、従来の単結晶より小型
化できる。
ＹＡＧセラミックスは、従来の単結晶に比較してレーザ
発振に寄与する元素を高濃度にすることが可能であるの
で、高出力のレーザが発振でき、従来の単結晶より小型
化できる。
【００２９】（４）製造法自体が従来とは異なるセラミ
ックス技術により、合成が可能であるので、製造コスト
の大幅低下、製造工程の大幅短縮、さらには大型ロッド
やスラブの作成が可能である。
ックス技術により、合成が可能であるので、製造コスト
の大幅低下、製造工程の大幅短縮、さらには大型ロッド
やスラブの作成が可能である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年６月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決すべき課
題は、レーザ発振子として好適に使用されるＹＡＧ単結
晶と同等またはそれ以上の光学的特性を有する多結晶透
明ＹＡＧセラミックスを製造する手段を提供することに
ある。
題は、レーザ発振子として好適に使用されるＹＡＧ単結
晶と同等またはそれ以上の光学的特性を有する多結晶透
明ＹＡＧセラミックスを製造する手段を提供することに
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】 原料粉末の純度が９９．９重量％以上
で、それぞれの一次粒子径が０．１〜５μｍ及び０．０
１〜２μｍのＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 粉末をＹＡＧ（Ｙ
3 Ａｌ5 Ｏ12）組成となるように秤量し、これにランタ
ニド元素及びＣｒ、Ｔｉ元素の１種以上を添加して混練
成形後、１６００〜１８５０℃の温度により焼成する固
体レーザ用多結晶透明イットリウム・アルミニウム・ガ
ーネット・セラミックスの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１の記載において、焼結助剤とし
てＳｉＯ2 成分を５０〜１００００ｐｐｍの範囲で添加
してなる固体レーザ用多結晶透明イットリウム・アルミ
ニウム・ガーネット・セラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091156A JPH05294722A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 固体レーザ用多結晶透明ｙａｇセラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091156A JPH05294722A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 固体レーザ用多結晶透明ｙａｇセラミックスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294722A true JPH05294722A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=14018652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4091156A Pending JPH05294722A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 固体レーザ用多結晶透明ｙａｇセラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05294722A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0877453A1 (en) * | 1996-09-04 | 1998-11-11 | Fanuc Ltd. | Laser oscillator |
| JP2008258627A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Topcon Corp | Ｑスイッチマイクロレーザ装置と利用方法 |
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| DE10392603B4 (de) * | 2002-05-29 | 2018-01-18 | Osram Gmbh | Leuchtstoffpulver, Verfahren zum Herstellen des Leuchtstoffpulvers und Verwendung eines Leuchtstoffpulvers |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP4091156A patent/JPH05294722A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0877453A1 (en) * | 1996-09-04 | 1998-11-11 | Fanuc Ltd. | Laser oscillator |
| EP0877453A4 (en) * | 1996-09-04 | 1999-01-13 | Fanuc Ltd | LASER OSCILLATOR |
| DE10392603B4 (de) * | 2002-05-29 | 2018-01-18 | Osram Gmbh | Leuchtstoffpulver, Verfahren zum Herstellen des Leuchtstoffpulvers und Verwendung eines Leuchtstoffpulvers |
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| JP2008258627A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Topcon Corp | Ｑスイッチマイクロレーザ装置と利用方法 |
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