SU769415A1

SU769415A1 - Способ оценки качества кристаллов

Info

Publication number: SU769415A1
Application number: SU782639764A
Authority: SU
Inventors: Валентин Евстафьевич Хаджи; Михаил Исаакович Самойлович; Олег Михайлович Орлов; Леонид Иосифович Цинобер; Леонид Александрович Гордиенко
Priority date: 1978-07-07
Filing date: 1978-07-07
Publication date: 1980-10-07

Description

дексами и выросших одновременно и в тех же услови х, но обладающих большой чувствительностью своих физических свойств от условий роста.

Кроме того, ири оценке качества кристаллов синтетического кварца, состо ш,их из основных пирамид роста пинакоида (0001), оценку качества пирамиды (0001) производ т посредством измерени характеристик кристаллического материала пирамиды (1120).

Гидротермальным или растворрасплавным методом (когда на кристаллах хорошо заметно секториальное строение вследствие наличи различных пирамид роста) выращиваютс кристаллы дл оптической, ювелирной и пьезооптической промышленности . Поэтому на примере кварца можно рассмотреть особенности предлагаемого способа оценки качества кристаллов.

Многочисленные сравнительные измерени оптических и механических характеристик образцов, вырезанных из одного и того же кристалла из основной пирамиды роста кварца - пинакоида и неосновных (вторичных) пирамид роста (например, ;+А:, -х, ;+s) показали следующее. Вторичные пирамиды роста обладают большей чувствительностью к услови м роста, а именно изменени любого параметра (пропускание в ультрафиолете или в инфракрасной области, добротность и т. д.) происход т в большем интервале , чем дл аналогичных параметров основной пирамиды роста. Это приводит к тому, что оценка качества кристаллов, выросших в разных, но близких услови х, становитс невозможной, так как существующие методы оценки (посредством измерени добротности, тангенса угла диэлектрических потерь, поглощени в инфракрасной области) дают одинаковые параметры (в пределах существующих точности и погрешности измерений) дл фактически разных кристаллических материалов . В то же врем , если измерени вести на материале из вторичных пирамид роста (из того же кристалла), то, использу эти же методы, можно оценить различи в свойствах кристаллов, выросших в близких физико-химических услови х. Последнее очень важно в практике синтеза и в использовании кристаллов в особо ответственных издели х.

На фиг. 1 представлен схематический разрез кристалла синтетического кварца; на фиг. 2 - график зависимости среднего оптического пропускаии (Т,%) в области

о

2000-3000 А во вторичной, неосновной, пирамиде роста (i+x) от среднего оптического пропускани (Т, %) в области

2000-3000 А в основной пирамиде роста (пинакоид); на фиг. 3 - график зависимости добротности пьезоиздели из основной

пирамиды роста (пинакоид) AT, 1 мГц от оптического поглощени в ИК-области ( см-1) во вторичной (неосновной) пирамиде роста.

Если оптическое пропускание (см. фиг. 3), дл основной пирамиды роста мен етс в интервале 88-96%, то аналогична характеристика дл неосновной пирамиды роста мен етс (дл тех же кристаллов) в значительно более широком интервале. На фиг. 2 аналогичным образом изменению добротности пьезоизделий из основной пирамиды роста от 4 до 6 миллионов (т. е. в 1,5 раза) соответствует изменение ноглощени в ИК-области дл образцов из вторичной иирамиды роста от 0,2 до 0,7 см (т. е. в 3,5 раза). Дл образцов из основной пирамиды роста поглощение в ИК-области мен етс тоже приблизительно в

1,5 раза. Таким образом, в качестве критери оценки качества необходимо выбирать поглощение в определенном спектральном диапазоне (в зависимости от оптических свойств кристаллов и целей его

использовани ) во вторичной пирамиде роста . Этот параметр путем построени соответствующих зависимостей можно св зать с другими параметрами, характеризующими кристаллический материал из основной пирамиды роста.

Эффективность предлагаемого изобретени заключаетс в повышении чувствительности и наделсности определени качества кристаллов, а также возможностью

оценки различий в качестве кристаллов, выращенных в близких физико-химических услови х.

Claims

1.Способ оценки качества кристаллов, содержащих различные иирамиды роста, например, по поглощению электромагниткого излучени , отличающийс тем, что, с целью повышени чувствительности и надел ности определени , оценку качества кристаллических материалов основных пирамид роста производ т посредством измереии характеристик кристаллического материала в иеосновных пирамидах роста с кристаллографическими индексами, отличающимис от кристаллографических индексов основных пирамид роста, кристаллический материал которых используетс при изготовлении изделий.

2.Способ по п. 1, отличающийс тем, что при оценке качества кристаллов

синтетического кварца, состо щих из основных пирамид роста пинакоида (0001), оценку качества пирамиды (0001) производ т посредством измерени характеристик кристаллического материала пирамиды (1120).

5.

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе

I. Авторское свидетельство СССР № 375726. кл. Н OIL 21/66, 1970.

769415

2. Патент США №. 3351757, кл. 25083 .3, 1967.

Затраёка

Оснобные пирамиды С), из которых изго паб/1и§ают оптические и пьезоэ/1ектрические изде/ги

-5s

,S

8850329fy

реднее оптическое лропусканае (.т, %; ZOOO-3000A 6 основной пираииде роста (пинакоид)

Вторичные пирамиды роста ,S),-xy

Фиг 1

Фиг. 2

II

Hi

c

4i N,

Д||

./.

liIII

./ 4§l

02.0,0,6

Оптическое пог/ющени-е 6 ИК- oOfiacmu (3385CH -1} 6a SmopuVHOu (неосна ой/ пирамидеpocmOy см

Фиг.З