JPS6077192A - 単結晶の欠陥検出装置 - Google Patents
単結晶の欠陥検出装置Info
- Publication number
- JPS6077192A JPS6077192A JP18205383A JP18205383A JPS6077192A JP S6077192 A JPS6077192 A JP S6077192A JP 18205383 A JP18205383 A JP 18205383A JP 18205383 A JP18205383 A JP 18205383A JP S6077192 A JPS6077192 A JP S6077192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- reflected light
- defect
- defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａｌ 発明の技術分野
本発明は引上性単結晶育成装置に係り、特に？￥成時の
単結晶表面に現れる欠陥を検出する装置に関する。
単結晶表面に現れる欠陥を検出する装置に関する。
（１）） 技術の背景
ニオブ酸すチュームやタンクル酸リチューム等酸化物単
結晶の育成中に結晶に微細な欠陥や双晶等が発生すると
、結晶を徐冷する際、或いは結晶を加工する際に欠陥部
分に亀裂が生じたり、そこから割れる等の現象を惹起す
る。しかしこれ等の欠陥は結晶の表面に現れるため、育
成時および徐冷時の単結晶表面を子細に観察していれば
欠陥が発生した時点で検出でき、直ちに検出した欠陥部
分を溶解して再度単結晶として育成する等の対策を講じ
ることができる。
結晶の育成中に結晶に微細な欠陥や双晶等が発生すると
、結晶を徐冷する際、或いは結晶を加工する際に欠陥部
分に亀裂が生じたり、そこから割れる等の現象を惹起す
る。しかしこれ等の欠陥は結晶の表面に現れるため、育
成時および徐冷時の単結晶表面を子細に観察していれば
欠陥が発生した時点で検出でき、直ちに検出した欠陥部
分を溶解して再度単結晶として育成する等の対策を講じ
ることができる。
（Ｃ１従来技術と問題点
第１図は引上性単結晶育成装置の一例である。
保温部材１の中には結晶原料２を入れたルツボ３が固定
されており、このルツボ３を保温部材１の外部に設けら
れた高周波加熱コイル４で誘導加熱することによって結
晶原料２を熔解する。育成された結晶５はルツボ３の上
方に設りられたシャフト６によって、回転しながらゆっ
くり引上げられる。保温部材１には小さい覗き窓７が設
りられており、従来は育成時および徐冷時の単結晶表面
をこの覗き窓７から肉眼或いは拡大鏡で観察していた。
されており、このルツボ３を保温部材１の外部に設けら
れた高周波加熱コイル４で誘導加熱することによって結
晶原料２を熔解する。育成された結晶５はルツボ３の上
方に設りられたシャフト６によって、回転しながらゆっ
くり引上げられる。保温部材１には小さい覗き窓７が設
りられており、従来は育成時および徐冷時の単結晶表面
をこの覗き窓７から肉眼或いは拡大鏡で観察していた。
しかし単結晶の育成開始から徐冷完了までの長時間にわ
たる工程の間、しかも高温の単結晶育成装置の傍で、単
結晶表面に生しる微細な欠陥や双品等を見落とすことな
くＨ察を続けることは極めて困難な作業であり、完成し
た単結晶に見落とされた欠陥が若干存在することは避け
られない問題であった。
たる工程の間、しかも高温の単結晶育成装置の傍で、単
結晶表面に生しる微細な欠陥や双品等を見落とすことな
くＨ察を続けることは極めて困難な作業であり、完成し
た単結晶に見落とされた欠陥が若干存在することは避け
られない問題であった。
（ｄ＋ 発明の目的
本発明の目的は単結晶表面に生じる微細な欠陥や双晶等
を、欠陥が発生した時点で見落とすことなく早期に検出
でき、単結晶の歩留り向上や単結晶育成装置の稼働率向
上に寄与する欠陥検出装置を提供することにある。
を、欠陥が発生した時点で見落とすことなく早期に検出
でき、単結晶の歩留り向上や単結晶育成装置の稼働率向
上に寄与する欠陥検出装置を提供することにある。
（ｅ） 発明の構成
そしてこの目的は引上性単結晶育成装置において、覗き
窓を介して単結晶表面にレーザ光線を照射し、その反射
光の乱れを光検知器で検知することによって、育成時お
よび徐冷時に発生する欠陥の検出を行うことで達成して
いる。
窓を介して単結晶表面にレーザ光線を照射し、その反射
光の乱れを光検知器で検知することによって、育成時お
よび徐冷時に発生する欠陥の検出を行うことで達成して
いる。
ｆｆｌ 発明の実施例
以下添付図により本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例であり、第１図と同じ対象物
は同一符号で表す。
は同一符号で表す。
引上性単結晶育成装置において保温部材１の外部にレー
ザ光源１１を設け＼レーザ光源１１から射出された光線
１２をレンズ１３で細く絞り、覗き窓７を介して育成さ
れた結晶５の表面に照射する。結晶５の表面からの反射
光１４は覗き窓７を介して石英管１の外部に設けられた
光検知器１５に入射し、光検知器１５の出力は図示して
ない記録計に記録している。結晶５は毎分５〜１０回程
度の速さで回転しながらゆっくり引上げられており、そ
の表面からの反射光１４の強さを連続記録することによ
り、結晶５の全表面の状態を知ることができる。
ザ光源１１を設け＼レーザ光源１１から射出された光線
１２をレンズ１３で細く絞り、覗き窓７を介して育成さ
れた結晶５の表面に照射する。結晶５の表面からの反射
光１４は覗き窓７を介して石英管１の外部に設けられた
光検知器１５に入射し、光検知器１５の出力は図示して
ない記録計に記録している。結晶５は毎分５〜１０回程
度の速さで回転しながらゆっくり引上げられており、そ
の表面からの反射光１４の強さを連続記録することによ
り、結晶５の全表面の状態を知ることができる。
第３図は記録データの一例である。第３図（ａ）は結晶
５の表面に欠陥のない状態を示し、凹凸に伴う小さいう
ねりはあるが、はぼ一定の値を示している。しかし表面
に欠陥があると第３図（ｂｌに示した如く、欠陥部分で
光の乱反射を起こし反射光１４の強さは急激に変化する
。
５の表面に欠陥のない状態を示し、凹凸に伴う小さいう
ねりはあるが、はぼ一定の値を示している。しかし表面
に欠陥があると第３図（ｂｌに示した如く、欠陥部分で
光の乱反射を起こし反射光１４の強さは急激に変化する
。
引上性単結晶育成装置にかかる単結晶の欠陥検出装置を
付加することにより、装置のオペレータは結晶５の表面
を監視する作業から開放され、記録内容をチェックする
だけで欠陥の発生状況を知ることができる。また高温の
作業環境であっても欠陥の発生を見落とすこともない。
付加することにより、装置のオペレータは結晶５の表面
を監視する作業から開放され、記録内容をチェックする
だけで欠陥の発生状況を知ることができる。また高温の
作業環境であっても欠陥の発生を見落とすこともない。
（ａ 発明の効果
以上述べたように本発明によれば、単結晶表面に生じる
微細な欠陥や双晶等を、発生した時点で見落とすことな
く早期に検出でき、単結晶の歩留り向上や単結晶育成装
置の稼働率向上環に寄与する欠陥検出装置を提供するこ
とができる。
微細な欠陥や双晶等を、発生した時点で見落とすことな
く早期に検出でき、単結晶の歩留り向上や単結晶育成装
置の稼働率向上環に寄与する欠陥検出装置を提供するこ
とができる。
第１図は引上性単結晶育成装置の一例、第２図は本発明
の一実施例、第３図は記録データの一例で、第３図（ａ
ｌは表面に欠陥のない状態、第３図中）は表面に欠陥の
ある状態を示す。 図において１は保温部材、５は育成された結晶、７は覗
き窓、１１はレーザ光源、１２はレーザ光線、１３はレ
ンズ、１４は反射光、１５は光検知器を示す。 代理人 弁理士 松岡宏四部ｔ−：ｘ’ＦＴ；ｉ’Ｉ’
＋１−朗・−１−１ 第 １ 口 穿 ２ 図
の一実施例、第３図は記録データの一例で、第３図（ａ
ｌは表面に欠陥のない状態、第３図中）は表面に欠陥の
ある状態を示す。 図において１は保温部材、５は育成された結晶、７は覗
き窓、１１はレーザ光源、１２はレーザ光線、１３はレ
ンズ、１４は反射光、１５は光検知器を示す。 代理人 弁理士 松岡宏四部ｔ−：ｘ’ＦＴ；ｉ’Ｉ’
＋１−朗・−１−１ 第 １ 口 穿 ２ 図
Claims (1)
- 引上性単結晶育成装置において、覗き窓を介して単結晶
表面にレーザ光線を照射し、その反射光の乱れを光検知
器で検知することによって、育成時に発生する欠陥の検
出を行うことを特徴とする単結晶の欠陥検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18205383A JPS6077192A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 単結晶の欠陥検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18205383A JPS6077192A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 単結晶の欠陥検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077192A true JPS6077192A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16111512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18205383A Pending JPS6077192A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 単結晶の欠陥検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077192A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62101626A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-12 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂用硬化剤 |
| US4776917A (en) * | 1984-12-24 | 1988-10-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Single crystal wafer of lithium tantalate |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18205383A patent/JPS6077192A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4776917A (en) * | 1984-12-24 | 1988-10-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Single crystal wafer of lithium tantalate |
| JPS62101626A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-12 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂用硬化剤 |
| JPH0464615B2 (ja) * | 1985-10-30 | 1992-10-15 | Hitachi Chemical Co Ltd |
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