JPH07307316A

JPH07307316A - Ｉｉｉ −ｖ族半導体ウエ−ハ及びその加工方法

Info

Publication number: JPH07307316A
Application number: JP12415994A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Nishiura; 隆幸西浦
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1994-05-12
Filing date: 1994-05-12
Publication date: 1995-11-21

Abstract

(57)【要約】【目的】 III −Ｖ族半導体ウエ−ハの側面に付けられ
結晶方位を示すオリエンテ−ションフラットが、真の劈
開面からずれていると、製造工程で不良品が発生しやす
いし、製造されたレ−ザ素子も性能が悪い。従来は劈開
面からの許容誤差が０．５°とされていた。この公差は
大きすぎるということがわかった。適性な公差を与える
ことが目的である。【構成】本発明のIII −Ｖ族半導体ウエ−ハは、側面
に付けるオリエンテ−ションフラットが、劈開面から
０．０２°の範囲にあるようにしている。こうすること
により、製造歩留まりが向上する。また製品は、最小発
振電流（閾値電流）が低くなり、電流／光変換効率も高
揚する高性能のレ−ザ半導体を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主に半導体レ−ザに用
いられるIII −Ｖ族化合物半導体基板及びその加工方法
に関する。半導体レ−ザの基板はＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｇ
ａＰなどのIII −Ｖ族半導体が用いられる。基板自体は
水平ブリッジマン法（ＨＢ）、液体封止チョクラルスキ
−法（ＬＥＣ）などで作られる。このインゴットを円形
に研削し、劈開面を表す２つの平面部を研削する。これ
を内周刃スライサ−によってウエ−ハに分離する。ウエ
−ハをラッピング、エッチング、ミラ−研磨してミラ−
ウエ−ハとする。

【０００２】このミラ−ウエ−ハ上にウエ−ハプロセス
により多数の単位の半導体レ−ザを縦横に作製する。ま
ず、III −Ｖ半導体の薄膜（バッファ層、活性層、クラ
ッド層）をエピタキシャル成長させる。レ−ザにするに
は素子の中央をストライプ状に残し、両側に電流を遮断
するための埋め込み層を液相エピタキシャル成長により
形成する。この上にさらにクラッド層やキャップ層をエ
ピタキシャル成長させ、ストライプ状に電極を付ける。
基板の裏面にも電極を付ける。

【０００３】これでウエ−ハプロセスが終わり、劈開に
沿って切り離し、個々の素子に分離する。これがチップ
である。チップをパッケ−ジに取り付け、ワイヤボンデ
イングしてシ−ルし、レ−ザ素子を完成する。ストライ
プ電極から裏面の電極に電流を流すと、この電流が活性
層に入り電子、正孔対を作り出す。これが再結合して光
が発生する。この光が導波路を伝搬する。導波路の両端
にある共振器で反射されてこの光が導波路を往復する。
光が伝搬することにより電子正孔の再結合を誘起し、誘
導放出を促す。共振器の間で繰り返し反射されるので増
幅され、位相の揃ったビ−ムが一方のミラ−から出てく
る。ここで半導体レ−ザの共振器を形成する反射面は結
晶の劈開面を使う。III −Ｖ族半導体結晶は｛０１１｝
が劈開面である。中括弧｛ｋｌｍ｝は面を表す集合概
念で、小括弧（ｋｌｍ）は個別の面を表す。その面に直
交する法線は集合表現＜ｋｌｍ＞で示す。個別の法線
（方向）概念は［ｋｌｍ］によって表現する。しかしこ
れらの表記方法の区別を知らない人も多く、必ずしも遵
守されておらず混用されることも多いようである。

【０００４】Ｓｉと異なりIII −Ｖ族半導体は、２種類
の劈開面がある。ＪＩＳでは上線を引くことができない
から、１の上線は−１によって表現する。（１００）面
に直交する劈開面は（０±１±１）によって表される。
これらの劈開面自体も互いに直交する。Ｒ面：（０１
１）、（０−１−１）は等価、Ｑ面：（０−１１）、
（０１−１）は等価であるが、Ｒ面とＱ面は等価でな
い。これらの面はエッチングの速度が異なる。これらの
内、エッチングした時に断面が上広がりになるものをメ
サ方向という。断面が下広がりになるものを逆メサ方向
という。二つの劈開面が等価でなく、エッチングに対す
る振る舞いが違うので、これらを区別する必要がある。

【０００５】

【従来の技術】そこで、（１００）面を持つウエ−ハの
場合は、ウエ−ハの側周に二つの劈開面を弓形に切り取
り、結晶方位を指示するようにしている。弓形の弦の長
さを違えることにより、二つの方位を区別する。このよ
うにウエ−ハの縁を弓形に切り取って結晶方位を示すも
のをオリエンテ−ションフラットという。断面がメサに
なる劈開方向の弓形の弦をより長くする。これをＯＦと
いうことがある。断面が逆メサになる劈開方向の弓形の
弦をより短くする。これをＩＦということがある。二つ
の劈開面がウエ−ハの縁にあるので、そのウエ−ハの上
面をエッチングした時に、メサになる方向と逆メサにな
る方向を区別することができる。

【０００６】従来の製品としては、例えば、ＳＥＭＩ規
格ＳＥＭＩＭ９−９０（ｐ．１３２〜１４４）に示さ
れている。一般には（１００）面の円形ウエ−ハの場
合、側面の（０１−１）面或いは（０−１１）面をＯＦ
（プライマリ−フラット）とし、（０１１）面或いは
（０−１−１）面をＩＦ（セカンダリ−フラット）とす
る。例えば２インチのＧａＡｓウエ−ハの場合、ＯＦの
弦の長さは１４ｍｍ〜１８ｍｍ、ＩＦの弦の長さは６ｍ
ｍ〜１０ｍｍとする。オリエンテ−ションフラットは劈
開面に平行であるのが最も望ましい。しかし自然劈開し
てオリエンテ−ションフラットを付けるのではなく、イ
ンゴットの段階で長い結晶全体の側面にＯＦ、ＩＦを付
けるので、オリエンテ−ションフラットと結晶の劈開面
方向とがわずかに食い違う。

【０００７】既に述べたようにインゴットの段階でＸ線
回折により結晶方位を決め、｛０１１｝を研削して印を
付ける。従来のウエ−ハでは、０．５°がずれの許容誤
差であった。つまりＯＦ、ＩＦの方位は（０±１±１）
±０．５°とする。つまり厳密な劈開面から０．５°食
い違っても差し支えないと考えられていたのである。し
かし０．５°というのはかなり大きい角度である。あま
い公差の設定である。このような大きい誤差が、製造歩
留まりを下げ、製品の品質を下げているということに、
本発明者は初めて気付いた。さらに、ウエ−ハに切り出
した後、ＯＦ、ＩＦなどのフラット面は鋭い端面が露呈
するので、割れ欠けの原因になる。そこで特開平２−７
６２２６号は、ウエ−ハ１枚ずつ、オリエンテ−ション
フラットのエッジを面取り加工することを提案してい
る。これにより割れや欠けの発生を有効に防止できる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】半導体レ−ザの素子を
製造するには次のようにする。一例として埋め込み型に
ついて説明する。まず（１００）面を持ち２つのオリエ
ンテ−ションフラットを有するIII −Ｖ族半導体ウエ−
ハ（ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ基板）にエピタキシャル
成長によりバッファ層、活性層、クラッド層などを一様
に積層する。オリエンテ−ションフラットを基準にして
マスク合わせして、選択的に各素子になるべき部分の両
側をエッチング除去する。ここにｎｐｎまたはｐｎｐの
３層よりなる埋め込み層を形成する。これらの上にクラ
ッド層、コンタクト層をエピタキシャル成長させ、絶縁
膜で覆い、コンタクト層の上部の絶縁膜を帯状に除き、
ここに電極を付ける。さらに基板の裏面にも電極を付け
る。これでウエ−ハ全体のプロセスが終わりになる。こ
こまでのウエ−ハプロセスにおいて、素子の位置決め
は、全て２つのオリエンテ−ションフラットによってい
る。活性層の方向は、何れかのオリエンテ−ションフラ
ットの面に平行である。素子が完成した時は活性層には
励起光が層面の方向に伝搬する。つまり光の伝搬方向を
決める導波路がオリエンテ−ションフラットに平行にな
る。

【０００９】ウエ−ハ全体にデバイスを形成するウエ−
ハプロセスが終わると、（１００）基板（ウエ−ハ）
を、（０±１±１）の劈開面に沿って縦横に切断する。
多数の等価なチップが得られる。これがレ−ザチップで
ある。チップの４つの切断面の内、活性層に平行な面を
側面と呼び、活性層に直交する面を端面と呼ぶ。端面は
劈開面であるからきれいな平坦面になる。これがレ−ザ
光の反射面になる。平行な２端面が共振器になる。一方
の面の反射率を１にし、他方の面を１以下にして、後者
の端面から光を外部に取り出す。

【００１０】チップを適当なパッケ−ジにダイボンド
し、ピンと電極をワイヤボンデイングによって接続し、
キャップで封止してレ−ザ素子を完成する。このような
製造方法によって半導体レ−ザが作られる。チップの切
断線は厳密に劈開面である。しかしウエ−ハの上にチッ
プ単位のデバイスを作製する段階では、オリエンテ−シ
ョンフラットによってデバイスの方位を決定している。
オリエンテ−ションフラットと劈開面の方向がΘだけ食
い違うとする。デバイスの方位と、その側面、端面の角
度がΘだけ異なることになる。劈開面に沿って切り取ら
れるのでチップは正確に長方形である。しかし、デバイ
ス自体はこれに対して平行四辺形に形成されていること
になる。

【００１１】従来はΘの公差が０．５°ということにな
っていた。これはＳＥＭＩによる基準である。しかし本
発明者は、これは角度誤差としては大きすぎるというこ
とに気付いた。これには二つの理由がある。一つは、励
起光が伝搬する導波路が劈開面である端面と直角でない
ために、反射損失が大きくなることである。これを図４
に示す。導波路と反射面との角度が直角からΘだけずれ
ているので、反射光は導波路軸線から２Θずれる。導波
路は埋め込み層によって囲まれているので境界面で光が
反射する。従って２Θ斜めの光も伝搬光にはなるが、軸
線に対して角度があるので、光エネルギ−の一部が散逸
する。励起光の一部が失われるので、レ−ザ発振が起こ
り難くなる。つまり最小発振電流（閾値）が高くなる。
さらにレ−ザ発振しても、注入電流に対する発光量の比
率が低くなる。つまり量子効率が低下する。このように
反射面と活性層の導波路の角度が９０度からずれること
によりレ−ザ性能を低下させることがわかった。Θ＝０
であるのが最も望ましい。しかし実際全てのウエ−ハに
ついて公差が０になるようにすることはできない。

【００１２】もう一つは、ウエ−ハが大きい場合に、劈
開の沿う切断面とデバイスの区分線が食い違うというこ
とである。デバイスの区分線は、オリエンテ−ションフ
ラットによって決められる。デバイス区分線は長方形を
なす。切断線と同じ大きさの長方形である。しかしΘだ
けずれているから、切断のはじめに区分線と切断線が同
一であるとすると、切断線の長さをＸとして、切断線と
区分線がＸΘだけずれてくる。ウエ−ハの直径をＤとす
ると、切断線の終点近くでは、ずれがＤΘになる。チッ
プのサイズをＫ×Ｍとする。ストライプの長さがＫでチ
ップの幅がＭである。すると、幅方向にＸΘのずれがあ
り、長手方向にもＸΘのずれが発生する。幅方向におい
て、ストライプが丁度中央に位置しないということが起
こり得る。このようなチップは不合格であり、廃棄され
なければならない。つまりオリエンテ−ションフラット
のずれによりチップの歩留まりが低下する。これは望ま
しくないことである。

【００１３】このように結晶方位を示すオリエンテ−シ
ョンフラットＯＦ，ＩＦが真の劈開面と食い違っている
ことによる不都合がある。これはインゴットの段階でＸ
線により結晶方位を定め、インゴットの側面にオリエン
テ−ションフラットを研削加工することに起因する。そ
こで、インゴットのままオリエンテ−ションフラット研
削し、ウエ−ハに切断した後、ウエ−ハ１枚１枚につい
て、予め付けられたオリエンテ−ションフラットの近
く、をこれにほぼ平行な劈開面でさらに折り取れば正し
い劈開面をオリエンテ−ションフラットにすることがで
きる。こうするとオリエンテ−ションフラットが正確な
劈開面に一致し、上記のような問題がなくなる。しかし
この方法はウエ−ハ１枚、１枚について劈開するという
余分な作業が必要になり工程が増える。人件費が増加す
る。またオリエンテ−ションフラットを２回付けること
になり、オリエンテ−ションフラットのための切り取り
部分が広くなり、有効利用できるウエ−ハ面積が少なく
なる。一つのウエ−ハから取れるチップ数が減る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明のIII −Ｖ族半導
体ウエ−ハは、（１００）面を持ち、側周に劈開面（０
±１±１）から±０．０２°以内の面を持つオリエンテ
−ションフラットを機械研削したものである。つまりイ
ンゴットの段階で、結晶方位を決め、インゴットの側面
に平坦部を研削したものである。これをウエ−ハに切断
すると、オリエンテ−ションフラットになる。図１０に
本発明のウエ−ハを示す。従来は、オリエンテ−ション
フラットの劈開面からのずれ公差が０．５°であったも
のを、０．０２°にするところに本発明の特徴がある。
さらにオリエンテ−ションフラットとウエ−ハの表面、
裏面が滑らかな円弧面によって接続されるようにしても
よい。これはオリエンテ−ションフラットの部分の割
れ、欠けを防止する上で効果がある。図１１にこれを示
す。

【００１５】

【作用】＜１００＞方向に成長させたIII −Ｖ族結晶を
インゴットの時点で、結晶側面を（０±１±１）に精密
に合わせて研削加工する。この後、インゴットを薄くス
ライスしてウエ−ハにする。予め研削加工した部分がオ
リエンテ−ションフラットになる。これは真の劈開面か
らのずれが０．０２°以内である。デバイス作製時の歩
留まりが高まり、作製されたレ−ザ素子も高性能であ
る。つまり横方向に劈開面に沿って切断した時に横劈開
面が、縦方向のスキップスクライブに交差せず、製品の
歩留まりが高くなる。活性層と反射面のなす角度が殆ど
９０度になり、反射光が同一の経路を往復することがで
きる。これはレ−ザの量子効率を高める。また最小発振
電流を小さくすることができる。インゴットの段階で側
面研削するので、１枚１枚ウエ−ハを自然劈開するのに
比べて作業時間が短くなるので、能率も高い。

【００１６】

【実施例】ＬＥＣ法で＜１００＞方向にＩｎＰ結晶を成
長させた。図１は平面方向で表した各面の方位を示す。
実際には円柱形に近い結晶が引き上るが、ここでは面の
関係を示すために角柱にしている。上面が（１００）
で、これに対して４５度の角度をなすように、４方に
（１０±１）、（１±１０）面などがある。３角形の肩
部が（１±１±１）面である。これは上面にたいして１
２０°の交角をなす。４つの側面が（０±１０）、（０
０±１）面である。他の４つの側面が（０±１±１）で
ありこれが劈開面である。インゴットからウエ−ハを切
り出したときの関係を示すために、上面にウエ−ハを描
いている。二つの劈開面に平行になるようにオリエンテ
−ションフラットＯＦ、ＩＦを付けることになる。

【００１７】溶融ＫＯＨによるエッチピットもウエ−ハ
の上に書き込んである。実際にこのようなエッチピット
になるわけではなく、断面図形状を模式的に表現したも
のである。結晶の周りにも溶融ＫＯＨによるエッチ断面
を示している。これは同じ劈開面でも（０１−１）、
（０−１１）と、（０１１）、（０−１−１）とはＫＯ
Ｈエッチングに対する性質が違うということを表してい
る。ウエ−ハにおいて、（０−１−１）と（０−１１）
をオリエンテ−ションフラットとしている。（０−１−
１）面に平行にＫＯＨエッチングすると、下側が広くえ
ぐれた断面図形状になる。これが逆メサ方向である。鳩
の尾に似ているからダブテイル型エッチピットという。

【００１８】このインゴットを円柱形に研削する。Ｘ線
結晶面方位測定装置がインゴットの外周研削装置に付い
ている。これにより、結晶の面方位を測定する。プライ
マリ−フラット（オリエンテ−ションフラット）を（０
±１±１）面から、０．０２°以内になるように位置決
めし、側面を研削加工した。これが図２に示す状態であ
る。内周刃スライサ−により、インゴットを軸線に直角
な方向に切り出す。これがウエ−ハである。ラッピン
グ、エッチング、ポリッシングしてミラ−ウエ−ハとす
る。はじめに側面研削した平坦面が、ウエ−ハのプライ
マリ−フラット（オリエンテ−ションフラット）にな
る。オリエンテ−ションフラットの部分を除く優弧分を
面取り加工する。これはウエ−ハが割れたり欠けたりし
ないようにするためである。ミラ−ウエ−ハが完成す
る。

【００１９】この後は、ウエ−ハの全体に多数のレ−ザ
素子を形成するウエ−ハプロセスになる。これは図３に
示すように、プライマリ−フラット（オリエンテ−ショ
ンフラット）を基準に方位を決める。実線で示すように
素子単位がウエ−ハ面上に、縦横に多数想定される。こ
こでは縦が３５０μｍ、横が３００μｍで、活性層の横
幅が１．２μｍの素子を作ることにする。図３で実線は
オリエンテ−ションフラットによって決められた素子単
位の境界を示す。破線は劈開面によって限定される素子
の単位を示す。プライマリ−フラットが劈開面からずれ
ていると、実際に劈開面に沿って切断されるチップ（破
線）と、仮想的なチップ（実線）が食い違うことが分か
ろう。

【００２０】素子の各層を形成するには、いくつもの方
法がある。はじめに基板の上に、バッファ層、活性層、
クラッド層を一様にエピタキシャル成長させ、両側をエ
ッチング除去して、液相エピタキシャル成長法で埋め込
み層を形成する方法もある。しかし、埋め込み層までエ
ピタキシャル成長しておいてから、溝を切り活性層を成
長させる方法もある。ここでは、はじめに埋め込み層ま
で成長させておき、活性層に対応する部分をストライプ
状に溝を切る。これが図５に示したものである。この溝
は想定された素子単位の丁度中央を縦に貫通する筈であ
る。

【００２１】溝に活性層をエピタキシャル成長させる。
この後クラッド層や、コンタクト層、電極などを付け
る。次に劈開面に沿ってウエ−ハを切断する。活性層に
平行な縦方向の切断は、後回しになる。縦方向には素子
の側辺の中間部１００μｍのみにスクライブ溝を入れ
る。活性層に対して直角の方向（横方向）にはウエ−ハ
の端に予めスクライブキズを等間隔に（３５０μｍ）入
れておく。各架空素子単位から見ると、図７のようにな
る。素子の側辺が３５０μｍの長さを持つ。このうち前
後の１２５μｍは溝を付けない。中間の１００μｍの部
分にのみスクライブ溝を付ける。縦方向に３５０μｍ毎
に１００μｍの長さのキズを付けるのでスキップスクラ
イブと呼ぶ。これはオリエンテ−ションフラットによっ
て決められたものであるから、活性層に平行である。

【００２２】はじめに横方向に劈開してゆく。図６にお
いて、端のスクライブキズから横方向に劈開に沿って切
断するので、横長の破片ができる。これは図３において
横方向の破線に沿って切り出しているのである。新たに
露出した面に、反射面のコ−テイングをする。これが反
射面になる。前後の反射面が共振器を形成する。はじめ
に横方向に切るので、反射面コ−テイングをまとめて行
なうことができる。次に縦方向に劈開面に沿って切り出
すが、この時はじめに付けたスキップスクライブによっ
て切断箇所が決まる。スキップスクライブは劈開面に平
行ではない。Θの角度をなしている。であるから縦方向
に切り出した時に切断面がスキップスクライブの前後で
異なる面になる可能性がある。

【００２３】図８のように、もしも劈開面と、オリエン
テ−ションフラットが食い違っていると、中央の活性層
が、切り取られた軸線に対してΘの角度をなす。また横
方向にＸΘだけずれる可能性がある。さらに横方向のス
クライブで、スクライブ線がスキップスクライブに衝突
すると、そこで切断線が９０度方向を変えて、縦方向の
スキップスクライブ線の方に曲がる。図９にこれを示
す。ために、これより左の素子を切り取ることができな
い。これより左の素子は不良品になる。繰り返し横スク
ライブ線が縦スキップスクライブ線に交差すると、この
ウエ−ハから殆ど良品のチップを取ることができない。

【００２４】横スクライブ線の交差を避けるために、は
じめスキップスクライブ線の前後に１２５μｍの余裕を
取っている。しかし、オリエンテ−ションフラットが劈
開面からΘずれており、スクライブの始点からの距離が
Ｘの点でＸΘの位置ずれが起こるので、横スクライブ線
が容易に縦のスキップスクライブ線に衝突する。例え
ば、ずれの角度が従来のように０．５°とすると、これ
は約０．０１ラジアンであるから、Ｘ＝１０ｍｍ程で、
ずれＸΘが１２５μｍの余裕を越えてしまう。ずれ角が
０．１°としても、Ｘ＝５０ｍｍで１２５μｍを越え
る。もしも３インチウエ−ハを使えば、周辺部の素子単
位はきわめて歩留まりが低いということになる。

【００２５】本発明のものは、Θが０．０２°より小さ
いようにしている。効果を比較するために、３インチウ
エ−ハで、Θ＝０．０２°（本発明）と比較例Θ＝０．
１°のものを作製した。０．０２°のものは横方向の自
然劈開工程での歩留まりが１００％であった。これに対
して、Θ＝０．１°のものは、２０％〜３０％の部分が
自然劈開工程で不良になってしまった。自然劈開だけで
歩留まりが７０〜８０％であるから、全体工程での歩留
まりはさらに低くなる。

【００２６】製品の性能を比較した。本発明のようにΘ
＝０．０２°のウエ−ハによる素子は発振開始電流（閾
値電流）のばらつきが５％以下であった。きわめて安定
した性能である。発振開始電流は、比較例（Θ＝０．１
°）の場合に比較して、本発明（Θ＝０．０２°）の場
合、約１０％低かった。発振開始電流が低いということ
は、発振しやすく、電気／光変換効率が高いということ
である。発熱も少なくなり、量子効率が高い。このよう
に本発明は、結晶方位を示すオリエンテ−ションフラッ
トを公差が０．０２°以下になるようにして、機械研削
によりインゴットの段階で形成する。これにより、製品
歩留まりが高くなり、製品の性能も高くなる。実用的に
優れた効果がある。

【００２７】

【発明の効果】本発明は、＜１００＞方向に成長させた
III −Ｖ族半導体においてインゴットの状態でＸ線回折
により結晶方位を決め、劈開面からのずれが±０．０２
°以内である面を研削する。ウエ−ハに切り出した時
に、オリエンテ−ションフラットとなる。これを基準と
してウエ−ハプロセスを行い、バッファ層、クラッド
層、活性層、埋め込み層などをエピタキシャル成長し、
素子を製造する。これをスクライブするのは劈開面に沿
って行なう。この場合、実際の素子の境界と、オリエン
テ−ションフラットから想定された素子の境界が殆ど合
致するので、製品歩留まりが高くなる。また製品の発振
開始電流（閾値電流）が低く、量子効率も高くなる。高
品質の半導体レ−ザを得ることができる。ウエ−ハにし
てから１枚ずつ劈開するものに比べて作業工程を簡略化
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】III −Ｖ族半導体結晶の面方位を示す平面図
と、これから切り出したウエ−ハのオリエンテ−ション
フラットとこの方向でエッチングしたときの断面図形状
を示す斜視図。

【図２】III −Ｖ族半導体結晶のインゴットの側面にオ
リエンテ−ションフラット面になるべき平坦な面を研削
した状態を示す斜視図。

【図３】ウエ−ハのオリエンテ−ションフラットが劈開
面から食い違っている場合、オリエンテ−ションフラッ
トによって決まる素子単位の形状と、劈開面に沿って切
り出される実際のチップの形状が食い違うことを示す平
面図。

【図４】活性層方向と劈開面が９０度をなさないで、９
０度からΘだけずれている場合、端面反射光が２Θだけ
活性層軸からずれるということを説明する斜視図。

【図５】ウエ−ハの上面に活性層を形成するための溝を
付けた状態を示す平面図。

【図６】活性層を形成し、その上のクラッド層やコンタ
クト層、電極などを形成したウエ−ハに縦方向にスキッ
プスクライブを入れ、横辺にはスクライブ位置を与える
ための短いスクライブキズを入れた状態を示す平面図。

【図７】ウエ−ハ中の素子１単位の仮想図。

【図８】オリエンテ−ションフラットが劈開面からずれ
ている場合において、活性層の位置が中心からＸΘだけ
ずれ、活性層の方向がΘだけずれることを示すチップの
平面図。

【図９】横スクライブ線が縦スキップスクライブ線に交
差すると、横スクライブが止まり縦方向に劈開されるこ
とを示す一部平面図。

【図１０】本発明のウエ−ハを示す斜視図。

【図１１】オリエンテ−ションフラットに面取りをした
本発明のウエ−ハを示す斜視図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/368 Ｚ 21/68 ＭＨ０１Ｓ 3/18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】 III −Ｖ族化合物半導体の（１００）面
を持つ円形ウエ−ハで、方位を示すために側周に付けら
れた２つのオリエンテ−ションフラットが、（０±１±
１）面に対する周方向の誤差が±０．０２°以内であ
り、機械加工によって形成されていることを特徴とする
III −Ｖ族半導体ウエ−ハ。
【請求項２】オリエンテ−ションフラットとウエ−ハ
の表面及び裏面が滑らかな円弧曲面でつながっているこ
とを特徴とする請求項１に記載のIII −Ｖ族半導体ウエ
−ハ。
【請求項３】 III −Ｖ族化合物半導体単結晶を＜１０
０＞方向に成長させ、結晶インゴットの外周を円柱形に
研削し、Ｘ線回折によってインゴットの結晶方位を決定
し、（０±１±１）方向からのずれが、０．０２°以下
になるような平坦面をインゴットの外周軸線方向に幅が
異なるように２本形成し、この後軸線と直角の方向に結
晶を薄く切り出してウエ−ハにすることを特徴とするII
I −Ｖ族半導体ウエ−ハの加工方法。