JPH0555143A - 円形ウエハ上の結晶成長方法 - Google Patents
円形ウエハ上の結晶成長方法Info
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- JPH0555143A JPH0555143A JP24276891A JP24276891A JPH0555143A JP H0555143 A JPH0555143 A JP H0555143A JP 24276891 A JP24276891 A JP 24276891A JP 24276891 A JP24276891 A JP 24276891A JP H0555143 A JPH0555143 A JP H0555143A
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- circular
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 自然劈開オリフラ付円形ウェハのオリフラ部
分を保護膜により保護して結晶成長を行う。 【効果】 劈開オリエンテーションフラットをベアウェ
ハ状態の際と同じ状態で保存できることにより、この劈
開オリエンテーションフラットを用いて導波路の形成や
電極の形成といったアライメントが容易に精度よく行え
るようになり、デバイス特性の均一化が図れ、かつ高歩
留が得られる。
分を保護膜により保護して結晶成長を行う。 【効果】 劈開オリエンテーションフラットをベアウェ
ハ状態の際と同じ状態で保存できることにより、この劈
開オリエンテーションフラットを用いて導波路の形成や
電極の形成といったアライメントが容易に精度よく行え
るようになり、デバイス特性の均一化が図れ、かつ高歩
留が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は円形ウェハ上の結晶成
長方法に関し、特に高精度の劈開方位合わせが容易にで
きる光デバイス用円形ウェハ上の結晶成長方法に関する
ものである。
長方法に関し、特に高精度の劈開方位合わせが容易にで
きる光デバイス用円形ウェハ上の結晶成長方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の光デバイス（ＬＤ，ＬＥ
Ｄ，ＰＤ，ＯＥＩＣ等）用の角形ウェハを示した図であ
り、この角形ウェハはＩｎＰ，ＧａＡｓ等で結晶成長さ
せたものであり、図において１は角形ウェハ、２は劈開
面である。劈開面２は（１００），（０１１），（０１
／１）の３方向の結晶面を有している。
Ｄ，ＰＤ，ＯＥＩＣ等）用の角形ウェハを示した図であ
り、この角形ウェハはＩｎＰ，ＧａＡｓ等で結晶成長さ
せたものであり、図において１は角形ウェハ、２は劈開
面である。劈開面２は（１００），（０１１），（０１
／１）の３方向の結晶面を有している。
【０００３】図４は前記角形ウェハ１上に、各種パター
ンを形成するための転写工程における劈開方位合わせ方
法の様子を示した図であり、図において、３はマスク、
４はストライプ状のマスクパターンである。
ンを形成するための転写工程における劈開方位合わせ方
法の様子を示した図であり、図において、３はマスク、
４はストライプ状のマスクパターンである。
【０００４】一般に、光デバイスはＳｉ及びＧａＡｓを
用いたＬＳＩとは異なり、その機能上結晶軸に沿って劈
開を行う必要がある。従来の光デバイスでは、角形ウェ
ハを用いてその角形ウェハ上に液相、もしくは気相成長
方法により、エピタキシャル成長を行っていた。その結
晶成長を行った角形ウェハ上に、埋め込み構造レーザの
活性導波路や電極を形成する場合、最初に行うフォトレ
ジストを用いた転写工程では、図３に示すように角形ウ
ェハ１の一辺である劈開面２を基準にマスク合わせを行
っていた。
用いたＬＳＩとは異なり、その機能上結晶軸に沿って劈
開を行う必要がある。従来の光デバイスでは、角形ウェ
ハを用いてその角形ウェハ上に液相、もしくは気相成長
方法により、エピタキシャル成長を行っていた。その結
晶成長を行った角形ウェハ上に、埋め込み構造レーザの
活性導波路や電極を形成する場合、最初に行うフォトレ
ジストを用いた転写工程では、図３に示すように角形ウ
ェハ１の一辺である劈開面２を基準にマスク合わせを行
っていた。
【０００５】角形ウェハでは、結晶成長により劈開面が
ダレた場合においても、容易に角形ウェハの一部を結晶
軸に沿って劈開することが可能であるため、新しい劈開
面を形成することが可能である。
ダレた場合においても、容易に角形ウェハの一部を結晶
軸に沿って劈開することが可能であるため、新しい劈開
面を形成することが可能である。
【０００６】また、フォトレジストを用いた転写工程で
は、マスク合わせは劈開面２を基準に行うため、電極形
成プロセス過程を経た角形ウェハは、最終的にチップ状
態になった時も導波路方向に対して垂直に劈開面を持つ
デバイスとしてできあがる。
は、マスク合わせは劈開面２を基準に行うため、電極形
成プロセス過程を経た角形ウェハは、最終的にチップ状
態になった時も導波路方向に対して垂直に劈開面を持つ
デバイスとしてできあがる。
【０００７】ところが、光デバイスは電子デバイスの集
積化やアレイ化に伴い、チップサイズの拡大や加工精度
の向上を図るために、用いるウェハが角形ウェハから円
形大口径ウェハへと移り行く可能性がある。
積化やアレイ化に伴い、チップサイズの拡大や加工精度
の向上を図るために、用いるウェハが角形ウェハから円
形大口径ウェハへと移り行く可能性がある。
【０００８】ＳｉやＧａＡｓのＬＳＩでは、露光装置に
付帯したオリエンテーションフラット検出器を用いて、
その基板となるウェハにアライメント用マーカを形成し
てから各種プロセスを行っており、最終的にチップ状態
にする場合も、ダイシング装置を用いて機械的にチップ
の分離を行っているので、光デバイスに用いるウェハの
場合のように劈開面を形成する必要がない。
付帯したオリエンテーションフラット検出器を用いて、
その基板となるウェハにアライメント用マーカを形成し
てから各種プロセスを行っており、最終的にチップ状態
にする場合も、ダイシング装置を用いて機械的にチップ
の分離を行っているので、光デバイスに用いるウェハの
場合のように劈開面を形成する必要がない。
【０００９】また、ＳｉやＧａＡｓのＬＳＩ用のウェハ
のオリエンテーションフラットは、劈開ではなく研磨に
より形成しており、その精度は劈開面に対して０．５°
程度である。
のオリエンテーションフラットは、劈開ではなく研磨に
より形成しており、その精度は劈開面に対して０．５°
程度である。
【００１０】しかし、光デバイス用のウェハの場合には
劈開面を必要とし、デバイスの特性及びその加工精度
上、オリエンテーションフラットは劈開面に対して０．
０１°以下の精度で加工する必要がある。
劈開面を必要とし、デバイスの特性及びその加工精度
上、オリエンテーションフラットは劈開面に対して０．
０１°以下の精度で加工する必要がある。
【００１１】図５はオリエンテーションフラットの形成
された円形ウェハを示した図であり、図において１０は
円形ウェハ、１１はオリエンテーションフラット、１２
は結晶成長層である。図５(b),(c) は、(a) に示した円
形ウェハ１０のＡＡ’における断面を示した図である。
された円形ウェハを示した図であり、図において１０は
円形ウェハ、１１はオリエンテーションフラット、１２
は結晶成長層である。図５(b),(c) は、(a) に示した円
形ウェハ１０のＡＡ’における断面を示した図である。
【００１２】これまでの円形ウェハ１０では、図に示す
ようにオリエンテーションフラット１１が形成されてお
り、このオリエンテーションフラット１１がマスク合わ
せの基準となっていた。
ようにオリエンテーションフラット１１が形成されてお
り、このオリエンテーションフラット１１がマスク合わ
せの基準となっていた。
【００１３】このオリエンテーションフラット１１は研
磨により得、さらに円形ウェハ１０表面はミラーポリッ
シュしてあるため、図５(b) に示すようにこのベアウェ
ハ状態の円形ウェハ１０のエッジ部分は丸くダレてい
る。その上に図５(c) のように結晶成長を行った場合、
ベアウェハと同様にエッジ部分はダレてしまう。このよ
うな結晶成長ウェハ上に、オリエンテーションフラット
１１部分を用いて、劈開面に対し０．０１°以下の精度
でパターニングすることは不可能である。
磨により得、さらに円形ウェハ１０表面はミラーポリッ
シュしてあるため、図５(b) に示すようにこのベアウェ
ハ状態の円形ウェハ１０のエッジ部分は丸くダレてい
る。その上に図５(c) のように結晶成長を行った場合、
ベアウェハと同様にエッジ部分はダレてしまう。このよ
うな結晶成長ウェハ上に、オリエンテーションフラット
１１部分を用いて、劈開面に対し０．０１°以下の精度
でパターニングすることは不可能である。
【００１４】図６は円形ウェハ１０の表面をミラーポリ
ッシュした後、劈開面に沿って自然劈開し、それをオリ
エンテーションフラットとした円形ウェハ１０を示した
図であり、図中の符号は図５と同様であり、図６(b),
(c) は図６(a) のＡＡ’における断面を表した図であ
る。
ッシュした後、劈開面に沿って自然劈開し、それをオリ
エンテーションフラットとした円形ウェハ１０を示した
図であり、図中の符号は図５と同様であり、図６(b),
(c) は図６(a) のＡＡ’における断面を表した図であ
る。
【００１５】円形ウェハ１０上に結晶成長を行った場
合、図６(c) のように劈開面上にも結晶が成長し、成長
前は図６(b) に示したように直角であった劈開面も結晶
成長によりダレが生じてしまう。
合、図６(c) のように劈開面上にも結晶が成長し、成長
前は図６(b) に示したように直角であった劈開面も結晶
成長によりダレが生じてしまう。
【００１６】角形ウェハの場合は、結晶成長したことに
よりエッジ部分がダレてしまっても、劈開面としたい部
分の“ダレ”を劈開により取り除き、新たな劈開面を形
成することが可能であるが、円形ウェハ１０の場合には
そのような劈開操作は非常に難しい。
よりエッジ部分がダレてしまっても、劈開面としたい部
分の“ダレ”を劈開により取り除き、新たな劈開面を形
成することが可能であるが、円形ウェハ１０の場合には
そのような劈開操作は非常に難しい。
【００１７】一般に円形ウェハのオリエンテーションフ
ラットの長さは２ｃｍ程度であるので、このオリエンテ
ーションフラット部分を用いてウェハ全域に高精度にパ
ターニングを行うためには、結晶成長後のウェハであっ
ても、オリエンテーションフラット部分が自然劈開に準
じたものでなければならない。
ラットの長さは２ｃｍ程度であるので、このオリエンテ
ーションフラット部分を用いてウェハ全域に高精度にパ
ターニングを行うためには、結晶成長後のウェハであっ
ても、オリエンテーションフラット部分が自然劈開に準
じたものでなければならない。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】従来の円形ウェハ上の
結晶成長方法は以上のように構成されているので、２イ
ンチ以上の円形ウェハを用いて光デバイスを作製する場
合に、自然劈開オリエンテーションフラット付ウェハを
使用しても、そのウェハ上に結晶成長を行うと、劈開オ
リエンテーションフラット部分がダレてしまい、高精度
なパターニングができなくなるという問題点があった。
結晶成長方法は以上のように構成されているので、２イ
ンチ以上の円形ウェハを用いて光デバイスを作製する場
合に、自然劈開オリエンテーションフラット付ウェハを
使用しても、そのウェハ上に結晶成長を行うと、劈開オ
リエンテーションフラット部分がダレてしまい、高精度
なパターニングができなくなるという問題点があった。
【００１９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、劈開オリエンテーションフラッ
ト付円形ウェハ上に結晶成長を行った後も、劈開面をそ
の精度のまま保持でき、その劈開オリエンテーションフ
ラット部を用いてアライメントを行うことにより、円形
ウェハのままで、導波路形成や電極形成プロセスを行う
ことが可能となるような、円形ウェハ上の結晶成長方法
を得ることを目的としている。
ためになされたもので、劈開オリエンテーションフラッ
ト付円形ウェハ上に結晶成長を行った後も、劈開面をそ
の精度のまま保持でき、その劈開オリエンテーションフ
ラット部を用いてアライメントを行うことにより、円形
ウェハのままで、導波路形成や電極形成プロセスを行う
ことが可能となるような、円形ウェハ上の結晶成長方法
を得ることを目的としている。
【００２０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る円形ウェ
ハ上の結晶成長方法は、オリエンテーションフラット部
分に保護膜を形成し、その保護膜により前記オリエンテ
ーションフラット部分を保護して結晶成長を行うもので
あり、また、前記保護膜の形成方法は、ベアウェハ状態
の円形ウェハを劈開オリエンテーションフラットの劈開
面が揃うように複数枚重ね合わせ、その複数枚重ね合わ
せた円形ウェハをそのままの状態で、あるいは、斜めに
ずらした状態とし、その劈開オリエンテーションフラッ
ト側に保護膜を成膜するものである。
ハ上の結晶成長方法は、オリエンテーションフラット部
分に保護膜を形成し、その保護膜により前記オリエンテ
ーションフラット部分を保護して結晶成長を行うもので
あり、また、前記保護膜の形成方法は、ベアウェハ状態
の円形ウェハを劈開オリエンテーションフラットの劈開
面が揃うように複数枚重ね合わせ、その複数枚重ね合わ
せた円形ウェハをそのままの状態で、あるいは、斜めに
ずらした状態とし、その劈開オリエンテーションフラッ
ト側に保護膜を成膜するものである。
【００２１】
【作用】この発明における円形ウェハ上の結晶成長方法
は、劈開オリエンテーションフラットをベアウェハ状態
の際と同じ状態で保存できることにより、この劈開オリ
エンテーションフラットを用いて導波路の形成や電極の
形成といったアライメントが容易に精度よく行えるよう
になり、デバイス特性の均一化が可能となり、かつ高歩
留が得られる。
は、劈開オリエンテーションフラットをベアウェハ状態
の際と同じ状態で保存できることにより、この劈開オリ
エンテーションフラットを用いて導波路の形成や電極の
形成といったアライメントが容易に精度よく行えるよう
になり、デバイス特性の均一化が可能となり、かつ高歩
留が得られる。
【００２２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による円形ウェハ上の
結晶成長方法を示した図であり、また、図２はこの発明
の一実施例による保護膜の形成方法を示した図であり、
図において１０はＩｎＰ，ＧａＡｓ等で結晶成長させた
円形ウェハ、１１は自然劈開により形成したオリエンテ
ーションフラット、１２は結晶成長層、１３は保護膜で
ある。なお、図１(b) 〜(e) は図１(a) のＡＡ’断面を
示している。
する。図１はこの発明の一実施例による円形ウェハ上の
結晶成長方法を示した図であり、また、図２はこの発明
の一実施例による保護膜の形成方法を示した図であり、
図において１０はＩｎＰ，ＧａＡｓ等で結晶成長させた
円形ウェハ、１１は自然劈開により形成したオリエンテ
ーションフラット、１２は結晶成長層、１３は保護膜で
ある。なお、図１(b) 〜(e) は図１(a) のＡＡ’断面を
示している。
【００２３】２インチ以上のＧａＡｓまたはＩｎＰ単結
晶（伝導型はｐ，ｎ半絶縁のいずれか）をスライス状に
切り出し、ミラーポリッシュを行いウェハとしたものの
一部（例えば（１００）面を有するウェハの場合、（０
１１）面または（０１／１面））に長さ約２ｃｍ程度の
自然劈開オリエンテーションフラット１１を形成したも
のを円形ウェハ１０とし、そのベアウェハ状態の断面を
図１(b) に示している。
晶（伝導型はｐ，ｎ半絶縁のいずれか）をスライス状に
切り出し、ミラーポリッシュを行いウェハとしたものの
一部（例えば（１００）面を有するウェハの場合、（０
１１）面または（０１／１面））に長さ約２ｃｍ程度の
自然劈開オリエンテーションフラット１１を形成したも
のを円形ウェハ１０とし、そのベアウェハ状態の断面を
図１(b) に示している。
【００２４】次に結晶成長方法の動作について説明す
る。まず、オリエンテーションフラット１１部分に保護
膜１３を形成する操作を行う。図１(a) あるいは(b) に
示したベアウェハ状態の円形ウェハ１０を、図２(a)に
示すように劈開オリエンテーションフラット１１の劈開
面に合わせて揃えて複数枚重ね合わせてセットする。円
形ウェハ１０間にはダミーウェハ等を入れることによ
り、円形ウェハ１０表面を保護しておく。
る。まず、オリエンテーションフラット１１部分に保護
膜１３を形成する操作を行う。図１(a) あるいは(b) に
示したベアウェハ状態の円形ウェハ１０を、図２(a)に
示すように劈開オリエンテーションフラット１１の劈開
面に合わせて揃えて複数枚重ね合わせてセットする。円
形ウェハ１０間にはダミーウェハ等を入れることによ
り、円形ウェハ１０表面を保護しておく。
【００２５】上記のようにセットした複数枚の円形ウェ
ハ１０を、図２(a)に示すように垂直に、もしくは図２
(b) に示すように斜めにした状態で、電子ビーム蒸着に
より、保護膜１３としてＳｉＯ2 膜を数百〜数千 の厚
さでオリエンテーションフラット１１側に成膜する。こ
のようにして、オリエンテーションフラット１１の部分
にＳｉＯ2 の保護膜１３が図１(c) に示すように形成さ
れる。
ハ１０を、図２(a)に示すように垂直に、もしくは図２
(b) に示すように斜めにした状態で、電子ビーム蒸着に
より、保護膜１３としてＳｉＯ2 膜を数百〜数千 の厚
さでオリエンテーションフラット１１側に成膜する。こ
のようにして、オリエンテーションフラット１１の部分
にＳｉＯ2 の保護膜１３が図１(c) に示すように形成さ
れる。
【００２６】次にＭＯＣＶＤ法を用いてウェハ１０上に
ｎ型半導体層、ｐ型半導体層からなるエピタキシャル成
長層を形成してｐｎ接合を作る。図１(d) に示すように
ウェハ上にＳｉＯ2 膜があると、その部分には結晶成長
しない。
ｎ型半導体層、ｐ型半導体層からなるエピタキシャル成
長層を形成してｐｎ接合を作る。図１(d) に示すように
ウェハ上にＳｉＯ2 膜があると、その部分には結晶成長
しない。
【００２７】結晶成長後、フッ酸を用いてＳｉＯ2 の保
護膜１３を除去すると、オリエンテーションフラット１
１の部分を除く円形ウェハ１０表面には、図１(e) に示
すように〜５μｍ程度の結晶成長層１２が形成できる。
こうして、オリエンテーションフラット１１周辺部は結
晶成長前と同じ状態を維持した結晶成長ウェハが得られ
る。
護膜１３を除去すると、オリエンテーションフラット１
１の部分を除く円形ウェハ１０表面には、図１(e) に示
すように〜５μｍ程度の結晶成長層１２が形成できる。
こうして、オリエンテーションフラット１１周辺部は結
晶成長前と同じ状態を維持した結晶成長ウェハが得られ
る。
【００２８】上記実施例により得られた円形ウェハ１０
を用いて、埋め込み構造レーザの光導波路，ストライプ
構造レーザの光導波路等の光導波路を形成する場合、最
初に行うフォトレジストを用いた転写工程では、この劈
開オリエンテーションフラット１１を基準にマスク合わ
せを行う。光導波路は劈開面に対して垂直に形成する必
要があり、アライメント精度として０．０１°以下が要
求されるが、上記実施例により得られた円形ウェハ１０
のオリエンテーションフラット１１の部分はベアウェハ
の劈開状態と同じ形状をしているため、オリエンテーシ
ョンフラット１１の部分を基準としてマスク合わせを行
うと、０．００１°程度の比較的高いアライメント精度
を得ることができる。
を用いて、埋め込み構造レーザの光導波路，ストライプ
構造レーザの光導波路等の光導波路を形成する場合、最
初に行うフォトレジストを用いた転写工程では、この劈
開オリエンテーションフラット１１を基準にマスク合わ
せを行う。光導波路は劈開面に対して垂直に形成する必
要があり、アライメント精度として０．０１°以下が要
求されるが、上記実施例により得られた円形ウェハ１０
のオリエンテーションフラット１１の部分はベアウェハ
の劈開状態と同じ形状をしているため、オリエンテーシ
ョンフラット１１の部分を基準としてマスク合わせを行
うと、０．００１°程度の比較的高いアライメント精度
を得ることができる。
【００２９】また、上記実施例で得られた円形ウェハ
を、最終的にチップ状態にした場合、各チップは劈開面
に対して垂直に導波路が形成されている。
を、最終的にチップ状態にした場合、各チップは劈開面
に対して垂直に導波路が形成されている。
【００３０】さらに、上記実施例では、電子ビーム蒸着
により形成したＳｉＯ2 膜を保護膜１３としたが、Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 等の誘電体酸化膜、ＡｌＮ，ＳｉＮ等
のチッ化膜、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰ等の半導体膜（但
し、円形ウェハ１０の材料，結晶成長層１２とは異
種）、ＳｉＣ等の絶縁体膜を保護膜１３としてもよい。
により形成したＳｉＯ2 膜を保護膜１３としたが、Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 等の誘電体酸化膜、ＡｌＮ，ＳｉＮ等
のチッ化膜、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰ等の半導体膜（但
し、円形ウェハ１０の材料，結晶成長層１２とは異
種）、ＳｉＣ等の絶縁体膜を保護膜１３としてもよい。
【００３１】また、保護膜１３としては、Ａｕ，Ｔｉ，
Ｐｔ，Ｍｏ等の高融点金属薄膜でもよい。
Ｐｔ，Ｍｏ等の高融点金属薄膜でもよい。
【００３２】さらに、結晶成長層１２に影響を及ぼさ
ず、かつオリエンテーションフラット１１部分を保護で
きる保護膜ならば、誘電体膜，半導体膜，金属膜以外の
他の保護膜となり得る材料でもよい。
ず、かつオリエンテーションフラット１１部分を保護で
きる保護膜ならば、誘電体膜，半導体膜，金属膜以外の
他の保護膜となり得る材料でもよい。
【００３３】また、保護膜１３の形成方法としては、電
子ビーム蒸着方法のみならず、抵抗加熱，スパッタ，熱
ＣＶＤ，光ＣＶＤ，プラズマＣＶＤ，ＥＣＲ−ＣＶＤ，
ＶＰＥ，ＭＯＣＶＤ，ＭＢＥ等の成膜方法を用いてもよ
い。
子ビーム蒸着方法のみならず、抵抗加熱，スパッタ，熱
ＣＶＤ，光ＣＶＤ，プラズマＣＶＤ，ＥＣＲ−ＣＶＤ，
ＶＰＥ，ＭＯＣＶＤ，ＭＢＥ等の成膜方法を用いてもよ
い。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る円形ウェ
ハ上の結晶成長方法によれば、劈開オリエンテーション
フラット部分を保護膜により保護し結晶成長を行ったの
で、劈開オリエンテーションフラットをベアウェハ状態
の際と同じ状態で保存でき、さらに、この劈開オリエン
テーションフラットを用いて導波路の形成や電極の形成
といったアライメントが容易に精度よく行えるようにな
り、デバイス特性の均一化が可能となり、かつ高歩留が
得られるという効果がある。
ハ上の結晶成長方法によれば、劈開オリエンテーション
フラット部分を保護膜により保護し結晶成長を行ったの
で、劈開オリエンテーションフラットをベアウェハ状態
の際と同じ状態で保存でき、さらに、この劈開オリエン
テーションフラットを用いて導波路の形成や電極の形成
といったアライメントが容易に精度よく行えるようにな
り、デバイス特性の均一化が可能となり、かつ高歩留が
得られるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による円形ウェハ上の結晶
成長方法を示した図である。
成長方法を示した図である。
【図２】この発明の一実施例による円形ウェハ上の結晶
成長の際の保護膜形成方法を示した断面図である。
成長の際の保護膜形成方法を示した断面図である。
【図３】従来の光デバイス用角形ウェハを示した平面図
である。
である。
【図４】従来の光デバイス用角形ウェハを用いた劈開方
位合わせ方法を示す図である。
位合わせ方法を示す図である。
【図５】従来のオリエンテーションフラット付円形ウェ
ハ上の結晶成長方法を示した図である。
ハ上の結晶成長方法を示した図である。
【図６】従来の自然劈開オリエンテーションフラット付
円形ウェハ上の結晶成長方法を示した図である。
円形ウェハ上の結晶成長方法を示した図である。
１ 角形ウェハ ２ 劈開面 ３ マスク ４ ストライプ状のマスクパターン １０ 円形ウェハ １１ オリエンテーションフラット １２ 結晶成長層 １３ 保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 自然劈開により形成されたオリエンテー
ションフラットを有する光デバイス用円形ウェハ上に結
晶を成長する方法において、 前記オリエンテーションフラット部分に保護膜を形成す
る工程と、 前記保護膜により前記オリエンテーションフラット部分
を保護して結晶成長を行う工程とを含むことを特徴とす
る円形ウェハ上の結晶成長方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の保護膜を形成する工程
は、 ベアウェハ状態の円形ウェハを劈開オリエンテーション
フラットの劈開面が揃うように複数枚重ね合わせる工程
と、 前記複数枚重ね合わせた円形ウェハをそのままの状態
で、あるいは、斜めにずらした状態とし、その劈開オリ
エンテーションフラット側に保護膜を成膜する工程とか
らなることを特徴とする円形ウェハ上の結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24276891A JPH0555143A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 円形ウエハ上の結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24276891A JPH0555143A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 円形ウエハ上の結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555143A true JPH0555143A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=17093994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24276891A Pending JPH0555143A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 円形ウエハ上の結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555143A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377807A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Unitika Ltd | 歯科用レジン組成物 |
| CN100440429C (zh) * | 2005-09-28 | 2008-12-03 | 日立电线株式会社 | 半导体外延晶片及其制造方法 |
| JP2014186264A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光機能素子の作製方法 |
| JP2014218428A (ja) * | 2007-11-15 | 2014-11-20 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＦｒｅｉｂｅｒｇｅｒ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｍｂｈ | 単結晶 |
| CN107195580A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-22 | 商洛学院 | 一种可在不同衬底块同步生长的两用mocvd衬底架托盘结构 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP24276891A patent/JPH0555143A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377807A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Unitika Ltd | 歯科用レジン組成物 |
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| CN107195580A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-22 | 商洛学院 | 一种可在不同衬底块同步生长的两用mocvd衬底架托盘结构 |
| CN107195580B (zh) * | 2017-05-23 | 2023-05-05 | 商洛学院 | 一种可在不同衬底块同步生长的两用mocvd衬底架托盘结构 |
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