JP2014218428A - 単結晶 - Google Patents

単結晶 Download PDF

Info

Publication number
JP2014218428A
JP2014218428A JP2014115493A JP2014115493A JP2014218428A JP 2014218428 A JP2014218428 A JP 2014218428A JP 2014115493 A JP2014115493 A JP 2014115493A JP 2014115493 A JP2014115493 A JP 2014115493A JP 2014218428 A JP2014218428 A JP 2014218428A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
crack
cleavage
cleavage plane
flat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014115493A
Other languages
English (en)
Inventor
ハンマー，ラルフ
Ralf Hammer
ユーリッシュ，マンフレッド
Jurisch Manfred
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Freiberger Compound Materials GmbH
Original Assignee
Freiberger Compound Materials GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Freiberger Compound Materials GmbH filed Critical Freiberger Compound Materials GmbH
Publication of JP2014218428A publication Critical patent/JP2014218428A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/915—Separating from substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
    • Y10T225/10—Methods
    • Y10T225/12—With preliminary weakening
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】所望の部分の完全な分割に至るまでの距離にわたる正確な劈開面を保証する単結
晶を提供すること。
【解決手段】フラットの長さを測定した場合、あるいはフラットの表面領域内で分割方向に延びて2 mm以上の長さである複数個の各表面部分について測定した場合に、自然の結晶学的劈開面 (2’) に沿って−0.001°〜＋0.001°の角度偏倚（精度）で伸びる、フラットとして形成された劈開表面を有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は単結晶、例えば単結晶板または単結晶ウェーハに関する。より詳細には、自己整合的な亀裂の伝播を含む単結晶に関する。
半導体物質を含む単結晶ウェーハは、電界効果トランジスタまたはヘテロバイポーラトラ
ンジスタのような超小型電子部品、及び半導体レーザまたは発光ダイオードのような電気
光学部品製造用の基板として使用される。その機能層は、CVD（化学蒸着法）、MOCVD（金
属・有機化学気相成長）、LPE（液相エピタキシー）、MBE（分子線エピタキシー）のよう
な独特のプロセスによって基板上に堆積させられ、必要に応じて再加工される、あるいは
イオン注入によって基板内部に生成させられる。これらの基板は、次いで複数回の露光マ
スクの適用を受ける複雑な構造化プロセスを経る。
露光マスクの方向付け（整合）のためと、必要に応じて基板の表面と裏面を識別するため
に、基板にはいわゆるオリエンテーションフラット (OF) 及びアイデンティフィケーショ
ンフラット (IF) とが含まれており、アイデンティフィケーションフラットはオリエンテ
ーションフラットに対して時計回り方向または反時計回り方向に90°オフセットされてい
る。それらフラットのウェーハ法線及び表面法線は、互いに直交しているのが普通である
。それらのフラットを有するウェーハを製造するための従来のプロセスは、研磨によるそ
れらフラットの生成を含む。従来技術によるウェーハ製造の場合、結晶学的<110> 方向
に関するオリエンテーションフラットの整合精度は±1°、アイデンティフィケーション
フラットでは±5°に達することがあるが、上述の方法を用いれば、最高±0.02°という
高い精度が得られることもある。研磨によって得られるフラットは、フラットに沿って不
規則に変化するミスオリエンテーション及びエッジにおける欠けを含んでおり、それらが
露光マスクの整合基準としてのそれらフラットの機能に悪影響を及ぼす。これは特にレー
ザ・ダイオード製造の場合に言えるのであり、レーザ・ダイオードには高い精度に加えて
、技術的価値を持つ全長にわたって測定した整合精度が≦｜0.02°｜であるような、シャ
ープなエッジのフラットが必要とされる。
フラットを研磨によって生成させる代わりに、一般に脆い半導体材料を劈開させることに
より、自然の劈開面を利用して生成させるならば、得られるフラットの方位精度を高め得
ることは周知である。例えば III - V 半導体の場合、{110} 面が自然の劈開面である。
それに応じて、特許文献１ 及び 特許文献２ により、このような劈開によって生成され
たフラットを備えたウェーハが知られている。特許文献３ により、ウェーハを傷つける
ことによって生じた亀裂核を有するウェーハに、あらかじめ定められた曲げ応力を加えて
劈開させるために使用される劈開治具が知られている。しかしながら、機械的な劈開治具
は、亀裂の進行を制御することができず、またウェーハのエッジにおける破壊核を用いて
破壊を開始させるために、複合的な破壊モードが現実化されるという不都合が生ずる。
これに代わる方法として、局部的加熱と隣接部分への局部的冷却を併用する熱的な分割方
法がある。基本的な方法は、特許文献４に記述されている、熱的に誘起される応力を利用
する平板ガラスの切断方法に関連している。この方法では、ガラスの一部分が加熱され、
他の一部分が冷却される。そして、その両方の部分が、ガラスの二つの主要面の少なくと
も一方に、意図された真っ直ぐな切断線上に次々に並べられ、切断線に関して鮮鋭かつ対
称に設けられている。その結果、ガラス内には厚さ方向、スクライブラインの方向に温度
勾配が発生する。その温度勾配によって熱応力が生じ、それがエッジの初期亀裂に始まり
、主要面に垂直に、かつあらかじめ定められた真っ直ぐな切断線に沿って亀裂を発生させ
る。その場合、亀裂の進行速度は、加熱装置と冷却装置によって加えられる温度と熱の供
給の調節によって制御することができる。
特許文献５ により、半導体部品の分割方法が知られている。この方法によれば、レーザ
・ビームによる加熱とそれに続く冷却の間の領域に引っ張り応力を発生させることによっ
て破壊が開始される。この方法を使用すれば、熱応力によって生じる破壊の形状、方向、
深さ及び伝播速度は勿論、破壊の精度も制御されると主張されている。
脆性を有する材料を亀裂の伝播によって分割する従来知られた諸々の方法における一つの
特徴は、初期亀裂を発生させること、あるいは初期亀裂が存在することである。亀裂先端
の近傍に、例えば上記の機械的曲げ応力のような適当な方法により、あるいは熱負荷を加
えることにより、応力場を発生させる。この応力場は、亀裂の伝播先端における複雑な負
荷を導き、その負荷は応力拡大係数Kによって特徴づけられる。応力場が
K > KC (1.1)
KC ：材料に固有の限界応力拡大係数
となるならば、亀裂の長さは
K≦KC (1.2)
を満足するまで増大する。K > KC は分割プロセスの伝播条件であって、完全な分割が達
成されるまで、連続して、あるいは間欠的に維持されねばならない。
亀裂の伝播は、分割されるべき物体の自由エネルギーを最小にするという原理に従って進
行する。これは、等方性材料の場合には、機械的エネルギー解放率Gが最大になるような
態様で亀裂が伝播することを意味する。異方性材料の場合には、分割される表面の有効表
面エネルギー 2γe を最小にするという原理が、亀裂の伝播中に系の全エネルギーを最小
ならしめる時に機械的エネルギー解放率が最大になるという原理と競合する。
dU/dC ＝ 2γe−G → 最小 (Min) (1.3)
U：系の全エネルギー
C：亀裂の伝播によって発生する表面の面積
これは、上に述べた方法に関しては、亀裂の伝播は等方性材料の場合、時間と位置に依存
する応力場によって制御されることを意味する。もし最小の有効表面エネルギーによって
特徴づけられる結晶学的劈開面が複数個存在するならば、複数個の引張応力場（G → 最
大）によって強制される亀裂伝播の方向は、亀裂伝播におけるこれら結晶学的劈開面の方
向と競合する。その結果、上に述べた方法を用いる場合、実際にはステップ又は隣接格子
面への急な移行を含む劈開面しか得られないという制約を免れない。これはレーザ部品の
共振器表面のような技術的価値を有する劈開面に対し、あるいは劈開されたフラットの配
向の精度に対し、不利な影響を及ぼすおそれがある。
理論上、所望の劈開面に対して垂直な面引張応力場を発生させられる場合には、完全に平
坦な劈開表面の生成を達成できる。この場合、応力場と劈開面とは、相互に競合しない程
度に協調している。しかしながら、これらの条件は、実際には維持することができない。
例えば、レーザの構成部分を劈開させる場合に、少なくともそのレーザ構成部分の全長を
通じて劈開面の十分な品質を達成するには、ウェーハを劈開治具に対して高精度に配向さ
せなければならない。発生する引張応力場に対してウェーハの配向が僅かに逸脱しただけ
でも、劈開面にステップが形成されることは不可避となる。
米国特許ＵＳ5,279,077号明細書 米国特許ＵＳ5,439,723号明細書 米国特許ＵＳ5,154,333号明細書 ドイツ特許ＤＥ28 13 302B1号明細書 国際公開公報ＷＯ93/20015A1号
本発明の課題は、上に述べたような不利益を回避し、所望の部分の完全な分割に至るまで
の距離にわたる正確な劈開面を保証する単結晶を提供することである。
上記の課題は、請求項1に記載の単結晶によって解決される。本発明の実施形態及び様相は、従属請求項に記載されている。
本発明により、技術的価値のある各領域の範囲、もしくはその複数部分について測定した
場合に、≦｜0.02°｜、≦｜0.01°｜、≦｜0.005°｜、さらに <｜0.001°｜の精度を有
する劈開面が得られる。技術的価値のある各領域は、例えばレーザ・ダイオードの場合に
はレーザ共振器の長さに相当し、集積回路の場合には分割されるべきチップのエッジ長さ
に相当する。複数のフラットを形成するために材料を分割する際には、フラットの長さに
相当する。それ故、結晶学的格子面に沿って自然劈開面を製造することも、ここに提案さ
れている自己整合的な劈開プロセスによって可能となる。
結晶学的格子面に対する単結晶切断表面の配向精度は、切断表面の少なくとも2点が基準
面に接するように、結晶を基準面に合わせることによって計測される。そして、X線ゴニ
オメータを使用すれば、この基準面に対する結晶格子面の配向を決定することができる。
格子面の配向は、角度差を生じる基準面と関連付けられており、その角度差が精度を表わ
す。
格子面の配向決定に用いられる方法によって得られる、基準面に対する切断表面の配向は
、上に述べた機械的接触とは異なった手法をとる（例えば光学的な方法を適用する）こと
によっても求めることができる。
技術的価値のある長さを用いるこの方法に従って得られる劈開面の広域的な配向差の決定
以外に、技術的価値のある表面長さを例えば2 mmの部分に細分し、例えば光学顕微鏡、小
型干渉計、白色光干渉計またはオートコリメータを使用して配向測定を行うことにより、
局部的な配向差を求めることもできる。その場合、配向の精度は、これら測定された局部
的な配向差の最大値に相当する。
本発明によって得られる劈開面は、LEED（低エネルギー電子線回折）法のような公知の測
定方法を適用すれば、他の配向を有する半導体板の表面と区別することができる（Qian,
G.X., Martin, R.M., Chadi, D.J., in Phys. Rev. B, Vol. 37, p. 1303, (1988) また
は Bechstedt, F. “Principles of Surface Physics,” Springer Verlag, Berlin, ISB
N 978- 3-540-00635-0, Chapter 1.2.4; p. 16〜18 参照）。その場合、III - V 半導体
における自然の劈開面は、表面付近の緩和された原子配列だけを示し、再構成された原子
配列は示さない（後者は、他の配向の場合に見られる）という事実が利用される。
その他の長所ならびに効果は、添付図面と関連させて行われる説明によって明らかになる
。
劈開によって分割されるべきウェーハを模式的に示す俯瞰図である。 第1の条件下における機械的エネルギー解放率G及び有効表面エネルギー2γe を示す図である。 第2の条件下における機械的エネルギー解放率G及び有効表面エネルギー2γe を示す図である。 第3の条件下における機械的エネルギー解放率G及び有効表面エネルギー2γe を示す図である。 第4の条件下における機械的エネルギー解放率G及び有効表面エネルギー2γe を示す図である。 亀裂伝播の第1段階を示す図である。 相対的な応力場の移動によって制御される（例えば等方性材料における）亀裂伝播の第2段階を示す図である。 結晶学的劈開面が存在し、かつ応力場が該劈開面に関して非対称に整合されている時に、所望の劈開方向から逸脱している場合における亀裂伝播の一段階を示す図である。 応力場が劈開面に関して理想的対称に整合されている場合における、所望の劈開方向への亀裂伝播の一段階を示す図である。 劈開用治具内におけるGaAs（ガリウム砒素）ウェーハの方向付けを模式的に示す図である。 所望の劈開面と移動方向の間の位置ならびに方向の逸脱から成る最大誤差の例、及び開始領域で発生する応力場を示す図である。 所望の劈開面と移動方向の間の位置ならびに方向の逸脱から成る最大誤差の例、及び目標領域で発生する応力場を示す図である。 開始領域及び目標領域における機械的エネルギー開放率G- 及びG+と角度αの関係を示す図である。 本発明の諸条件が満たされている場合の亀裂伝播の一段階を示す。
以下、熱的に誘起される応力場を用いて行われるGaAsウェーハの劈開プロセスの一実施形
態によって、本発明を詳細に説明する。まず、ウェーハが劈開治具に取り付けられる。劈
開治具に対するウェーハの整合は、あらかじめ形成されている目印、例えば短いフラット
に基づいて実行され、該目印は見本を用いて研磨され、X線回折測定によって方向付けさ
れる。これにより、{110} 劈開面については、実際に0.1°の平面配向精度を達成するこ
とができる。同様に、劈開面に対して垂直な、またはあらかじめ定められた関係を持つ他
の目印または短いフラットを、事前整合手段として考慮することも可能である。移動方向
に関する事前整合は、止め具によるか、もしくは光学的な方法を用いて行うことができる
。
図1に図解されているように、GaAsウェーハの {110} 劈開面に1個の初期亀裂2が形成され
る。理想的には、この初期亀裂2は、α-転位の好ましい滑り方向に平行な劈開面内に形成
される。
初期亀裂2は、例えば定義された形状を有する圧子（ビッカース試験やヌープ押込み試験
に使用されるような）を用いて生成させる。同様に、他の形状あるいは傷付け方法も可能
である。押込み負荷と圧子の形状を適切に選択することにより、それに垂直なB-亀裂の生
成を回避することができる。
熱的に誘起された応力場によって、{110} 劈開面に押込みによって誘起された亀裂からウ
ェーハの裏側へ伸びる、面のエッジ亀裂が発生する。このエッジ亀裂は、さらなる亀裂伝
播、所要の亀裂方向、あるいは劈開面2’ のための初期亀裂としての役割を果たす。この
場合、熱的に誘起される応力場の大きさは、この段階では該初期亀裂がまだ伝播し得ない
ように定められる。
その後に、応力拡大係数K が亀裂伝播のために設定され、劈開面からの角度αの亀裂のゆ
がみに依存するその後の亀裂伝播におけるエネルギーの解放率を表わす量 G (α) が決定
される。亀裂の伝播は、初期亀裂の亀裂先端に垂直な軸の周囲に起こる角度φの捩じり（
捩じり形態）と、初期亀裂の亀裂先端内にある軸の周囲に起こる角度θの回転（傾斜形態
）が重なり合ったものと見做して良い。これら二つの場合は、別個に考察することができ
る。ここに説明されている本発明の方法は、いずれの場合にも妥当であり、そのため以後
の考察のためには、偏倚角αに言及すれば十分である（α＝θならば傾斜形態、α＝φな
らば捩じり形態となる）。実施形態は、傾斜形態の例について、一般的な場合の妥当性を
限定せずに詳述する。応力拡大係数K は、例えば特許文献４に記載の方法、または特許文
献５に記載の方法のような既知の方法によって設定される。その場合、ウェーハの厚さに
関して、また所望の劈開方向に関して理想的な対称応力場が得られるように、ウェーハの
片面または両面に、1個以上の熱源4ならびに1個以上のヒートシンク３が配置される。熱
源は例えばレーザ光の吸収によって、ヒートシンクは例えば特許文献５に記述されている
ような冷却エアロゾルの使用によって設けることができる。同様に、他の変法も可能であ
る。上記熱源ならびにヒートシンクは、亀裂の伝播が可能となるように制御され、位置決
めされる。塑性変形を避けるために、温度は十分に低くしなければならない。GaAsの場合
には、約300℃未満の温度が適切と考えられている。
応力場の大きさ決定、制御、またはフィードバック制御は亀裂が継続的もしくは間欠的に
伝播するように行われ、亀裂伝播は条件G(0)≧2γe(0)によって特徴づけられる。本発明
によれば、応力場の大きさ決定もしくは制御は、下記(2.1)及び(2.2)の条件の少なくとも
一方を満足する。
｜∂G/∂α｜α＝0≦2βe/h 但し ∂2G/∂α2≦0 (2.1)
｜∂G/∂α｜≦2βe/h ∀α：α1 < α < α2 (2.2)
α：亀裂が伝播する際の、劈開面からの可能な偏倚角度
α1, α2 ：亀裂伝播に必要な条件 G(α)≧2γe(α) が満足される角度の範囲
G(α) ：劈開面からの角度αの偏倚に依存する機械的エネルギー解放率
γe(0) ：劈開表面の有効表面エネルギー
γe ：方向に依存する有効表面エネルギー
βe ：有効段エネルギー（材料に固有）
h：ステップ高さ（材料に固有）
劈開の力学で使用される有効自由表面エネルギーγe は、破壊実験で、破壊強さと亀裂の
長さの関係から決定される。この量は、（ 固有表面エネルギーγs と比較して）散逸的
過程の部分エネルギーを含む。これらには特に、プロセス領域または可塑性領域内におけ
る転位の形成、音響エネルギーの放出、あるいは破断表面における散逸的構造（破断構造
）の発生が所属する。このため、表面エネルギーγe は、固有表面エネルギーγs よりも
大きい。
固有のステップ自由エネルギーは、熱力学的平衡を考慮して、下記の近似式から求められ
る。
βe ＝−nkBT lnη(1 + 2η )
η ＝ exp(−ε/kBT )
n：ステップ密度（n ＝ 1/a ）
kB ：ボルツマン定数
ε：結晶格子内で最も近接して隣り合う構成粒子の間の結合エネルギー
a：ステップ内にある構成単位の間の距離
結合エネルギー ε は、結晶の昇華（「一致気化」）エネルギー ΔHsub(T) 及び考えら
れる結晶の配位数 Z から概算できる。
Figure 2014218428
 式中、ΔHsub(T) は固相 (s) 及び気相 (g) の熱力学的データXを用い、熱力学的平衡
Figure 2014218428
の計算によって得られる。
ステップ自由エネルギーは、実験的にも求めることができる。
GaAsについては、下記の値を仮定することができる。すなわち、破壊実験で得られる G
aAs {110} 劈開面の有効表面自由エネルギーは
Figure 2014218428
 となる。
劈開先端近傍の研究により、散逸的過程は無視できる。すなわち、測定される有効表面自
由エネルギーは固有表面エネルギーに近似しており、
Figure 2014218428
 となり、後者は結晶の成長から推論される。
GaAs {110} / < 001 > 、すなわち < 001 > ベクトルに平行な傾斜軸を有する、{110} 劈
開面上にある <001> 配向のステップについて、ステップエネルギーは下記のデータを用
いて見積もられている。
Figure 2014218428
 而して T ＝ 300 K の場合；
Figure 2014218428
<001> ベクトルに平行なステップ内にある原子の距離は、a0 ＝ 0.565325 nmであり、2重
ステップの高さはh ＝ a0/ √2 ＝ 0.399 nmである。上の式の結果、ステップ自由エネ
ルギーは下記のようになる。
Figure 2014218428
 この値は、{110} 劈開面の固有表面自由エネルギー
Figure 2014218428
 とほぼ一致する。
ステップ自由エネルギーに対しても、表面エネルギーに対すると同じ結論が導かれる。実
験的に誘導される有効ステップエネルギーは、散逸的部分のために、ここで見積もられる
ステップエネルギーよりも大きくなる可能性がある。理論的に得られるステップエネルギ
ーを示すことにより、条件 (2.1) 及び (2.2) における右辺がわかる。
応力場は、熱源とヒートシンクの諸条件に従って、シミュレーション計算で計算すること
ができる。しかしながら、例えば応力による複屈折、超音波顕微鏡検査、マイクロ・ラマ
ン分光法等によって応力の直接測定も可能である。その機械的エネルギー解放率 G は、
従属する応力場について、生じうる角度αの亀裂の偏倚から計算される。熱源とヒートシ
ンクを制御しつつ位置決めすることにより、応力場は、上に述べた本発明の諸条件が満足
されるように調整される。
その場合、G≧2γe が満足される角度範囲 α1 < α < α2 が存在する。この範囲は応
力場及び材料の特性に依存し、また使用される劈開治具の、目標とされる劈開面からの配
向偏倚にも依存する。α1〜α2 の角度範囲内では、亀裂伝播に必要な条件 (1.1) は満足
される。条件 (2.1) または(2.2) が満たされるように、本発明による制御または応力拡
大係数Kの大きさ決定を行うことによって、亀裂が角度範囲 α1 < α < α2 内で偏倚す
ることなく、全切断距離にわたって目標とされる劈開面内で移動することが保証される。
劈開治具の避けられないミスオリエンテーション、すなわち亀裂開口モードの重ね合わせ
KI+KII+ KIII である応力拡大係数Kが、所望の劈開面 α＝ 0内の亀裂伝播方向に関して
非対称で生じうる偏倚角αに依存する機械的エネルギー解放率 G(α) をもたらす。さら
に、亀裂は g ＝ G−2γe が最大となる方向に伝播する。条件 (2.1) または (2.2) が満
たされるように、本発明による制御または応力拡大係数Kの大きさ決定を行うことにより
、劈開治具にミスオリエンテーションがある場合や、応力拡大係数Kが亀裂開口モードの
重ね合わせKI+KII+KIII である場合でも、上記gの最大値が必ずα＝0の時に得られること
が保証される。このため、亀裂伝播は亀裂伝播方向の自己調整によって所望の格子面内で
進展させらされる。その結果、最低 ≦｜0.01°｜、あるいは ≦｜0.005°｜、さらには
≦｜0.001°｜の範囲にさえ達する高い配向精度を有する劈開表面を生成させることがで
きる。さらに、技術的価値のある全領域内のステップ密度がきわめて小さい、理想的には
ステップが皆無の劈開面（平滑面、共振器表面など）を作ることもできる。
本発明の条件を満足する2つの状態を、図2及び図3に示す。
図2は、｜∂G/∂α｜α＝0≦2βe/h 及び ∂2G/∂α2≦0 ∀α：α1 < α < α2 の条件
を満たす場合のエネルギー解放率G、有効表面エネルギー 2γe 、及び g ＝ G− 2γe
を示す。
図3は、｜∂G/∂α｜≦2βe/h ∀α：α1 < α < α2 の条件を満たす場合のエネルギー
解放率G、有効表面エネルギー 2γe 、及び g ＝ G−2γe を示す。
この方法を使用すれば、例えば 0.01°の配向精度 （技術的価値のある表面範囲全域にわ
たって測定した場合）を有する平滑面をウェーハに持たせることができる。すなわち、研
磨によって通常得られる精度を、1オーダー高めることができる。この方法は、劈開面内
での亀裂の伝播を≦0.01°の精度で行うためには、移動方向と劈開面の間の調整精度を0.
1°にすれば十分であることを保証する。初期の結果は、≦0.005°もしくは ≦0.001°も
の精度が得られる可能性があることを示している。最終的には、正確に自然の結晶学的な
面に沿って広がる、ステップが全くない理想的な劈開表面を得ることができる。
図4及び5は、劈開治具のミスオリエンテーション、もしくは複数の亀裂開口モードが重ね
合わせられた応力拡大係数K が存在し、本発明の諸条件が満足されない状態を示す。
図4は、｜∂G/∂α｜α＝0 > 2βe/h である場合のエネルギー解放率G、有効表面エネル
ギー 2γe 、及び g ＝ G−2γe を示す。図4では、亀裂の伝播は α＝αf で起こる。
すなわち、亀裂は所望の劈開方向 α＝0 からはずれる。そのため生成する表面には、ス
テップや曲がった表面領域が生ずる。技術的価値のある領域（平滑面、共振器表面）にお
ける配向精度は不十分であり、所望の品質より劣る。
図5は、｜∂G/∂α｜> 2βe/h で α > αg である場合のエネルギー解放率G、有効表面
エネルギー 2γe 、及び g ＝ G−2γe を示す。図5では、α = 0 における亀裂の伝播が
不安定である。角度の超過 α > αg の場合に、所望の面 α = 0 からの亀裂伝播の逸脱
が起こる。
図6〜9は、ウェーハ内で起こる亀裂伝播の種々の場合を示す。熱源とヒートシンクを制御
して位置決めすることにより、最大圧縮応力4’ ならびに最大引張応力3’ を発生させる
。図6に示すように、伝播方向において、最大圧縮応力4’ が亀裂先端5の前方に位置し、
最大引張応力3’ が亀裂先端の後方に位置するように、熱源ならびにヒートシンクを位置
決めする。最大引張応力と最大圧縮応力の間の範囲内では、あらかじめ定められた位置 P
(0) で時間 t ＝ t0 において、K ＝ KC または G ＝ 2γe の条件が満足される。温度領
域とウェーハとの、図7に矢印6で示される相対的な移動により、条件 (1.1) K > KC また
は G > 2γe 、もしくは条件 (1.2) K ≦ KC または G≦2γe を制御することができる。
すなわち、亀裂先端5を望み通りに前進させ、停止させ、あるいはさらに移動させること
ができる。温度領域とウェーハとの相対移動は、熱源とヒートシンク（それぞれレーザ光
の焦点及び冷却ノズル）またはウェーハの移動によって、あるいはそれら両方の組み合わ
せによって実行することができる。伝播速度を制御することにより、散逸的もしくは動的
効果を回避することができる。伝播速度は、熱力学的平衡における準静的な亀裂伝播が仮
定され得るように、十分小さな値（v ≪音速の 1/3）まで選択することができる。亀裂伝
播は、応力場とウェーハ1との相対移動6に従う。これは、直線的であれ曲線的であれ複雑
な形状を切断するために、従来技術で利用されている。
結晶学的劈開面が存在するならば、その劈開面の影響は、上に述べたような応力場とウェ
ーハとの相対移動６中における応力場3’ 及び4’ の影響と競合する。あるいは、劈開方
向2’ は亀裂が成長する間の治具の移動方向6と競合する。その状態を図8に示す。最小の
相対移動
Figure 2014218428
では、エネルギー法則(1.3) によって、一般に亀裂は角度 αf だけ偏倚する。これは図
4に示した状態に相当する。亀裂の先端はP (t0 + dt) の位置にあり、その位置では時間
t ＝ t0 + dt 後に条件 G(αf) ＝ 2γe(αf) が達成される（準静的な亀裂伝播）。この
ようにして望ましくないステップが劈開表面上に通常作られる、または所望の劈開方向か
らの逸脱が起こる。
劈開方向と応力場の競合を避けるために、引張応力の最大値は（既知の破壊機構の原理に
従って）所望の劈開面に垂直な方向に向けられなければならない。この状態を適切に達成
するために、劈開面に関して、応力場4’ 及び3’（すなわち熱源とヒートシンク）の理
想的に対称な整合が行わなければならない。また、この整合は全分割過程を通じて、すな
わちGaAsウェーハの横断面の全長にわたって、維持されねばならない。これは、治具の移
動方向6が、劈開面2’ にも、また応力場の対称線に対しても、理想的に平行となるよう
に整合されなければならないことを意味する。この状態を、図9に示す。距離
Figure 2014218428
だけの相対移動の後、亀裂の先端は、条件G(0) ＝ 2γe(0) が時間 t ＝ t0 + dt 後に得
られる位置 P (t0 + dt) に留まっている。これは、亀裂が完全に劈開面内に広がること
を意味する。しかしながら、この理想的な状態を実際に達成することは不可能である。こ
れが実現されるためには、熱源及びヒートシンクに関する、また治具の移動方向に関する
、劈開面のきわめて精度の高い計測及び調整が求められ、現在の製造技術ならびに経済性
の観点から、それらを実行することができないからである。しかしながら、本発明を使用
することにより、配向精度のきわめて高い表面が生成される。
図10は、劈開治具内におけるGaAsウェーハ１の位置付けを示す。上に述べたように、普通
は1個の目印、すなわち短いフラット7が存在し、そのフラットは結晶学的方向に対して、
あらかじめ定められた配向公差を有するように研磨される。それにより、実際の状況下で
あたりまえの動作をすれば、{110} 劈開面に対して0.1°のフラットの配向8の精度を達成
することができる。フラット7は、応力場とウェーハとの相対移動方向６に対してあらか
じめ調整されている。本発明の分割方法を適用することにより、ウェーハ上に ≦｜0.01
°｜の配向精度を有する表面（平面）が形成される。すなわち、実際に研磨法を用いて達
成できる精度よりも、1オーダー高められている。本発明の方法では、移動方向6と劈開面
2’ の間の整合精度が0.1°であれば、亀裂伝播を劈開面内で±0.01°以内の精度に抑え
ることができる。これは、ウェーハにおける一方のエッジ9から反対側のエッジ9まで継続
され、また生成されるべき平面11の配向精度に対する要求が満たされねばならない、あら
かじめ定められた領域10が存在しても良い。この領域10の大きさと形状は、種々の技術的
要求に従って変化しても良い。結晶学的な面に沿ったステップのない精密な劈開と共に、
≦｜0.005°｜、さらには ≦｜0.001°｜といった高精度さえも達成可能である。
事前に行われるシミュレーション計算によって、好ましくは熱源ならびにヒートシンクに
関する選択された諸条件を用いて、応力場が計算される。シミュレーションは、あらかじ
め設定された分割プロセスの開始点と目標点の領域で実施される。これは例えば当該技術
で使用される領域10の両方のエッジにおける部分12及び13内で行われる。上に述べた方法
により、開始部分12のエッジ、好ましくは領域10の外側における劈開面内に、初期亀裂2
が存在する。他の位置でも良い。図10のウェーハに対する初期亀裂の大きさの比率は、正
しい縮尺率に従って描かれたものではなく、説明の便宜上誇張して図示されている。従来
知られている測定精度（例えばX線回折法による）、研磨法に関して知られている公差、
及び公知の位置決め精度が、ウェーハの事前整合における最大誤差を決定する。例えば、
簡単な幾何学的関係を用いて、所望の劈開面の位置及び方向と移動方向6との最大誤差を
決定することも、また分割プロセスの開始部分12及び目標部分13内に発生する引張応力場
3’ 及び4’ に関する最大誤差を決定することも可能である。図11は、開始部分12におけ
る最大誤差の一例を示す。図12は、目標部分13における最大誤差の一例を示す。鏡像的な
位置も可能であることに注意されたい。
所与の応力場で開始位置12内の初期亀裂の先端5にて生じうる角度αの偏倚に依存する最
小亀裂伝播の場合について、機械的エネルギー解放率Gを計算することができる。亀裂が
劈開面2’ を離れていないという仮定の下に、計画されている目標部分13内の機械的エネ
ルギー解放率Gも同様に計算することができる。その結果、開始位置ならびに目標位置に
おける既知の最大誤差によって与えられる二つの関数 G-(α) と G+(α) が求められる。
真の関数G(α) は未知であるが、G-(α) とG+(α) の間の状態を表わす。熱源とヒートシ
ンクの大きさと位置とを定めることにより、本発明に従う (3.1) 及び (3.2) の条件が、
G-(α) 及びG+(α) のいずれの関数についても満足されるように、応力場が配置される。
それによって、いかなる中間状態G(α) においても、本発明の条件
｜∂G/∂α｜α＝0≦2βe/h (3.1)
∂２G/∂α2≦0 (3.2)
が同様に満足され、亀裂は全分割過程を通じて劈開面内に留まる。
図13は、安定した状態の一例を示す。関数G-(α) 及びG+(α) のいずれについても本発明
の条件が満足される時は、関数gはα＝0における分割過程中のいかなる（未知の）中間状
態においても最大値を持ち、かつ開始位置から目標位置に至る全分割過程について、亀裂
が劈開面内に自己整合されることが保証される。図7に示したような亀裂の偏倚が阻止さ
れ、亀裂の先端は t ＝ t0+ dt であるいかなる時間でも、図14に示すように α= 0 の
劈開方向に移動する。
また、関数G-(α) 及びG+(α) の計算と応力場の安定化も反復して、事前整合に起因する
既知の最大誤差のあらゆる可能な組み合わせに対して行うことができる。応力場の制御と
大きさの決定は、簡単な方式、例えば既知の方法を用いてレーザ出力を制御すること、及
び／またはレーザ光の焦点、及び／または冷却ノズルのレーザ照射点に関する配置を変え
ることにより可能である。しかしながら、他の代替法も同様に考えることができる。
さらに本発明では、条件 (2.1) または (2.2) を判断する処理中に角度の最大許容範囲
α1 < α < α2 が決定される。この範囲内では、∂2G/∂α2≦0 が条件 (2.1) において
、あるいは G(α) ≧ 2γe(α) が条件 (2.2) において、それぞれ有効でなければならな
い。次に、決定された角度範囲は、分割治具に対する結晶学的劈開面(2’) の配向のあら
かじめ定められた平均アライメントまたは整合の誤差と比較される。次いで、比較の結果
に応じて応力場 (3’, 4’) の制御及び／または結晶の事前整合が行われる。
本発明は、ここで一実施例として説明したGaAsウェーハの分割に限定されるものではない
。すなわち本発明は、いかなる単結晶にも適用できる。例えばCaF2 の(111) 面について
の適切な諸数値は、下記の通りである。
Figure 2014218428
 （初めから Hartree-Fock の計算法による）
Figure 2014218428
 h=0.32nmを用いて、
Figure 2014218428
さらに本発明は、単結晶基板上に単結晶層として形成されている単結晶にも適用すること
ができる。その場合、各層ならびに基板は、同一組成の材料で形成されていても、また異
なる組成の材料で形成されていても良い。
上記の実施例においては、応力場の特定の配置が記述されている。その場合、亀裂の伝播
は、ヒートシンクと熱源の間の応力場内に維持されている。しかしながら、本発明はその
ような応力場の特定の配置に限定されるものではない。例えば、応力場はヒートシンクだ
けの、あるいは熱源だけの存在によって生じさせることができ、そして亀裂伝播の先端が
ヒートシンク及び／または熱源の前方に維持されていれば、それらのいずれかの後方また
はそれらの間に維持されなくても良い。
さらに本発明は、添付されている方法のクレームに記載の各処置を実行し制御するように
編成されたコンピュータ・プログラムとして実行することもできる。

Claims (5)

  1. フラットの長さを測定した場合、あるいはフラットの表面領域内で分割方向に延びて2 mm以上の長さである複数個の各表面部分について測定した場合に、自然の結晶学的劈開面 (2’) に沿って−0.001°〜＋0.001°の角度偏倚（精度）で伸びる、フラットとして形成された劈開表面を有することを特徴とする単結晶。
  2. 請求項1に記載の単結晶において、
    2個のウェーハの表面の少なくとも1個に、単結晶の材料とは異なる材料から成る少なくとも一つの層が堆積されていることを特徴とする単結晶。
  3. 請求項2に記載の単結晶において、
    前記少なくとも一つの層が、リソグラフィによって形成された構造を含むことを特徴とす
    る単結晶。
  4. 請求項3に記載の単結晶において、
    前記構造を有する少なくとも一つの層が集積回路であることを特徴とする単結晶。
  5. 請求項3または4のいずれかに記載の単結晶において、
    層の構造及び／または組成が、電気光学的部品、特にレーザまたは発光ダイオードを含む
    か、それらを伴って形成されていることを特徴とする単結晶。
JP2014115493A 2007-11-15 2014-06-04 単結晶 Pending JP2014218428A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US99639607P 2007-11-15 2007-11-15
DE102007056115.8 2007-11-15
US60/996,396 2007-11-15
DE200710056115 DE102007056115A1 (de) 2007-11-15 2007-11-15 Verfahren zum Trennen von Einkristallen

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010533506A Division JP5697984B2 (ja) 2007-11-15 2008-11-14 単結晶の分割方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014218428A true JP2014218428A (ja) 2014-11-20

Family

ID=40560840

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010533506A Active JP5697984B2 (ja) 2007-11-15 2008-11-14 単結晶の分割方法
JP2014115493A Pending JP2014218428A (ja) 2007-11-15 2014-06-04 単結晶

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010533506A Active JP5697984B2 (ja) 2007-11-15 2008-11-14 単結晶の分割方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8097080B2 (ja)
EP (2) EP2106331B1 (ja)
JP (2) JP5697984B2 (ja)
CN (1) CN101861237B (ja)
AT (1) ATE543622T1 (ja)
DE (1) DE102007056115A1 (ja)
WO (1) WO2009062744A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100945506B1 (ko) * 2007-06-26 2010-03-09 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
US20100310775A1 (en) * 2009-06-09 2010-12-09 International Business Machines Corporation Spalling for a Semiconductor Substrate
US20160008926A1 (en) * 2014-07-14 2016-01-14 Rubicon Technology, Inc. Method of cold-cleaving sapphire material at cryogenic temperatures
CN107922259B (zh) * 2015-09-04 2021-05-07 Ａｇｃ株式会社 玻璃板的制造方法、玻璃板、玻璃物品的制造方法、玻璃物品以及玻璃物品的制造装置
FR3055063B1 (fr) * 2016-08-11 2018-08-31 Soitec Procede de transfert d'une couche utile
JP6795811B2 (ja) * 2017-02-16 2020-12-02 国立大学法人埼玉大学 剥離基板製造方法
EP3795855A1 (fr) * 2019-09-20 2021-03-24 Patek Philippe SA Genève Procede de realisation d'un ressort horloger en materiau monocristallin et ressort horloger obtenu par ce procede
CN111640687B (zh) * 2020-06-08 2023-03-14 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法
CN112326707B (zh) * 2020-09-27 2024-06-25 威科赛乐微电子股份有限公司 一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法
CN114393723B (zh) * 2022-01-20 2023-06-13 中环领先半导体材料有限公司 一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555143A (ja) * 1991-08-27 1993-03-05 Mitsubishi Electric Corp 円形ウエハ上の結晶成長方法
JPH091370A (ja) * 1995-06-20 1997-01-07 Souei Tsusho Kk 割断加工方法及び割断加工装置
JP2006024839A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体ウェーハの劈開方法および劈開治具
WO2008099663A1 (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 The Japan Steel Works, Ltd. 高脆性非金属材料製の被加工物の加工方法及びその装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2813302C2 (de) 1978-03-28 1979-09-13 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V., 8000 Muenchen Verfahren und Vorrichtung zum geradlinigen Schneiden von Flachglas mit Hilfe von thermisch induzierten Spannungen
US4244348A (en) * 1979-09-10 1981-01-13 Atlantic Richfield Company Process for cleaving crystalline materials
US5198069A (en) * 1989-12-04 1993-03-30 Loral Infrared & Imaging Systems, Inc. Method for fabricating buttable epitaxial infrared detector arrays by dimensionally controlled cleaving of single crystal substrates
US5154333A (en) 1991-10-30 1992-10-13 International Business Machines Corporation Jaw cleaving device
JPH05259016A (ja) 1992-03-12 1993-10-08 Mitsubishi Electric Corp ウエハ作製用基板及び半導体ウエハの製造方法
RU2024441C1 (ru) 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
GB2269268B (en) * 1992-07-31 1995-11-29 Northern Telecom Ltd Semiconductor slice cleaving
CN1113269A (zh) * 1995-01-29 1995-12-13 陈秋生 单晶刚玉的生产方法
JP3580631B2 (ja) * 1996-02-29 2004-10-27 京セラ株式会社 単結晶サファイア基板及び単結晶サファイアの分割方法及び単結晶サファイア体
JPH09256472A (ja) 1996-03-19 1997-09-30 Sumitomo Forestry Co Ltd 住宅ユニット及びその組立方法
CN1064723C (zh) * 1997-12-11 2001-04-18 西北有色金属研究院 一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法
CN1241803A (zh) * 1998-05-15 2000-01-19 佳能株式会社 半导体衬底、半导体薄膜以及多层结构的制造工艺
JPH11340576A (ja) 1998-05-28 1999-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体デバイス
US6252197B1 (en) * 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
FR2828428B1 (fr) * 2001-08-07 2003-10-17 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de decollement de substrats et procede associe
JP4566478B2 (ja) * 2001-08-09 2010-10-20 シルトロニック・ジャパン株式会社 シリコン半導体基板およびその製造方法
JP3982324B2 (ja) 2002-05-15 2007-09-26 日本電気株式会社 ベクトル演算処理装置、ベクトル演算方法およびベクトル演算プログラム
JP2004063860A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7687372B2 (en) * 2005-04-08 2010-03-30 Versatilis Llc System and method for manufacturing thick and thin film devices using a donee layer cleaved from a crystalline donor
JP2007073761A (ja) 2005-09-07 2007-03-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の加工方法
US7811900B2 (en) * 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555143A (ja) * 1991-08-27 1993-03-05 Mitsubishi Electric Corp 円形ウエハ上の結晶成長方法
JPH091370A (ja) * 1995-06-20 1997-01-07 Souei Tsusho Kk 割断加工方法及び割断加工装置
JP2006024839A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 半導体ウェーハの劈開方法および劈開治具
WO2008099663A1 (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 The Japan Steel Works, Ltd. 高脆性非金属材料製の被加工物の加工方法及びその装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2377662A1 (de) 2011-10-19
US20110318221A1 (en) 2011-12-29
CN101861237B (zh) 2015-06-24
WO2009062744A1 (de) 2009-05-22
JP2011503888A (ja) 2011-01-27
JP5697984B2 (ja) 2015-04-08
US20090283761A1 (en) 2009-11-19
DE102007056115A1 (de) 2009-05-20
ATE543622T1 (de) 2012-02-15
EP2106331B1 (de) 2012-02-01
EP2106331A1 (de) 2009-10-07
US8723288B2 (en) 2014-05-13
US8097080B2 (en) 2012-01-17
CN101861237A (zh) 2010-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5697984B2 (ja) 単結晶の分割方法
CN108883502B (zh) 待分裂固体的组合的激光处理
JP7271501B2 (ja) 固体状物における改質の平面生成のための装置及び方法
JP2019073402A (ja) 窒化物半導体基板、窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板の製造装置及び窒化物半導体デバイス
Almeida et al. Incubation effect during laser micromachining of GaN films with femtosecond pulses
Wang et al. Study on the processing outcomes of the atomic force microscopy tip-based nanoscratching on GaAs
KR102440115B1 (ko) 엑시머 레이저 어닐링 방법
Gao et al. Study on mechanical cleavage mechanism of GaAs via anisotropic stress field and experiments
Schreck et al. Liftoff of single crystal diamond by epitaxial lateral overgrowth using SiO2 masks
Tripathy et al. Micro-Raman scattering in laterally epitaxial overgrown GaN
TW200809945A (en) Process for smoothening III-N substrates
Zápražný et al. Nano-machining for advanced X-ray crystal optics
Rutkowski et al. Surface smoothness improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD
Li et al. Study of subsurface damage during nano-grinding of B3-GaN using molecular dynamics simulations
Goss et al. Mechanical lithography using a single point diamond machining
Qiang et al. Research on Milling Subsurface Layer Damages of DD5 Ni-based Single Crystal Superalloy.
JP2004284101A (ja) ビームを用いた加工方法と装置
KEPLER Thermal conductivity of GaAs/AlAs superlattices via the 3ω method
Windisch et al. Investigation of Ripple Formation on Surface of Silicon by Low-Energy Gallium Ion Bombardment
Maximova et al. Development of in situ magneto-ellipsometry for studying correlation between the optical and magneto-optical properties of ferromagnetic thin films
Madejczyk et al. Morphology issues of HgCdTe samples grown by MOCVD
Hayes Paths toward lower cost, high efficiency thin film solar cells
Friel Molecular beam epitaxy growth of aluminum gallium nitride/gallium nitride quantum wells and investigation of excitonic and intersubband transitions
Niyamakom Influence of deposition parameters on morphology, growth and structure of crystalline and amorphous organic thin films:(the case of perylene and α-NPD [alpha-NPD])
Dalmau Aluminum nitride bulk crystal growth in a resistively heated reactor

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150312

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150317

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150611

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150803

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150915

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160301