CN114393723B - 一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法 - Google Patents

一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114393723B
CN114393723B CN202210065708.XA CN202210065708A CN114393723B CN 114393723 B CN114393723 B CN 114393723B CN 202210065708 A CN202210065708 A CN 202210065708A CN 114393723 B CN114393723 B CN 114393723B
Authority
CN
China
Prior art keywords
slotting
degrees
peak value
angle
positions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210065708.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN114393723A (zh
Inventor
黄春峰
周骁航
姚科新
王彦君
孙晨光
曹锦伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhonghuan Leading Semiconductor Technology Co ltd
Original Assignee
Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd filed Critical Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd
Priority to CN202210065708.XA priority Critical patent/CN114393723B/zh
Publication of CN114393723A publication Critical patent/CN114393723A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114393723B publication Critical patent/CN114393723B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automatic Control Of Machine Tools (AREA)

Abstract

本发明公开了一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,其复检自检一体化的方法包括以下步骤:S1、首先需要进行100单晶开槽步骤:在单晶上机自动找一条棱角角测得峰值,快速旋转至一定的角度内缓慢找信号峰值,同样方法晶向转动一定角度,一共测得4个最大峰值点,取最大峰值电流位置110原点位置为0°,100原点位置为45°+原点补正量后开槽。本发明提高了开槽精度,减少因机械磨损导致的晶向精度变差,降低开槽出错率,可实现滚磨机的全自动化加工,大幅度提高滚磨加工效率,可实现开槽后复检机械位置零位偏移量。本发明大大减少了滚磨的晶棒开槽定位时间,提高了开槽取向精度,降低开槽出错率,最终实现大幅度提高硅棒滚磨加工效率。

Description

一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法
技术领域
本发明涉及滚磨设备上实现半导体晶棒自动定位开槽和复检技术领域,具体为一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法。
背景技术
目前,公知的半导体硅棒滚磨定向开槽主要有2种方式,一种是依靠手动定向设备划线,然后滚磨开槽,此种方式效率低,定向精度差,且111单晶开槽容易开错,另一种依靠设备自动定向,但只能对100单晶进行100和 110参考面开槽,此种方式目前无法对111单晶定向开槽,方案不成熟,并且以上两种方案均不附带复检功能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,以解决上述背景技术中提出的目前,公知的半导体硅棒滚磨定向开槽主要有2种方式,一种是依靠手动定向设备划线,然后滚磨开槽,此种方式效率低,定向精度差,且111单晶开槽容易开错,另一种依靠设备自动定向,但只能对100单晶进行100和110参考面开槽,此种方式目前无法对111单晶定向开槽,方案不成熟,并且以上两种方案均不附带复检功能的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,其复检自检一体化的方法包括以下步骤:
S1、首先需要进行100单晶开槽步骤:在单晶上机自动找一条棱角角测得峰值,快速旋转至一定的角度内缓慢找信号峰值,同样方法晶向转动一定角度,一共测得4个最大峰值点,取最大峰值电流位置110原点位置为0°, 100原点位置为45°+原点补正量后开槽。
S2、其次进行一键复检参考面晶向位置:110开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定的角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与90°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,100开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与45°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数。
S3、然后111单晶开槽步骤:因110有6个等效位置,但111晶棒主参位置必须开V槽/平边必须是1-10位置,将单晶的棱朝上上料,并根据棱线画出开槽位置,其作用目的是用于确认方向性,滚磨结束后保持棱方向朝上,顺时针旋转至一定角度内寻找粗测峰值,此峰值为1-10等效面,然后测定精测峰值点,找到后逆时针返回一定角度,此时开槽位置为1-10位置,给出确认界面,打开设备门,检查划线位置基本与开槽位置一致。
S4、最后进行一键复检参考面晶向位置,111开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与60°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,1-10平参位置初始只考虑原点偏差开槽,复检方式一致,加工结束后确认1-10开槽位置在单晶头部棱顺时针 30°方向附近,否则判定开槽错误。
优选的,所述单晶上机自动找一条棱角角测得峰值快速旋转的角度和110 开槽位置-原点补正量后顺时针转角度皆为90°在±2°,且晶向转角度为 360°。
优选的,所述100开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为45°±2°,且滚磨结束后保持棱方向朝上顺时针旋转角度为45°-75°。
优选的,所述111开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为60°±2°,且找到测定精测峰值点后逆时针返回角度为60°。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明有效的提高了开槽精度,大大减少因机械磨损导致的晶向精度变差,降低开槽出错率,可实现滚磨机的全自动化加工,大幅度提高滚磨加工效率,可实现开槽后复检机械位置零位偏移量。本发明大大减少了滚磨的晶棒开槽定位时间,提高了开槽取向精度,降低开槽出错率,最终实现大幅度提高硅棒滚磨加工效率,降低加工成本。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,其复检自检一体化的方法包括以下步骤:
S1、首先需要进行100单晶开槽步骤:在单晶上机自动找一条棱角角测得峰值,快速旋转至一定的角度内缓慢找信号峰值,同样方法晶向转动一定角度,一共测得4个最大峰值点,取最大峰值电流位置110原点位置为0°, 100原点位置为45°+原点补正量后开槽。
S2、其次进行一键复检参考面晶向位置:110开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定的角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与90°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,100开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与45°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数。
S3、然后111单晶开槽步骤:因110有6个等效位置,但111晶棒主参位置必须开V槽/平边必须是1-10位置,将单晶的棱朝上上料,并根据棱线画出开槽位置,其作用目的是用于确认方向性,滚磨结束后保持棱方向朝上,顺时针旋转至一定角度内寻找粗测峰值,此峰值为1-10等效面,然后测定精测峰值点,找到后逆时针返回一定角度,此时开槽位置为1-10位置,给出确认界面,打开设备门,检查划线位置基本与开槽位置一致。
S4、最后进行一键复检参考面晶向位置,111开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与60°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,1-10平参位置初始只考虑原点偏差开槽,复检方式一致,加工结束后确认1-10开槽位置在单晶头部棱顺时针 30°方向附近,否则判定开槽错误,在一台设备实现3种方式的参考面自动开槽,大幅提高硅棒滚磨加工效率。
本实施例中:单晶上机自动找一条棱角角测得峰值快速旋转的角度和110 开槽位置-原点补正量后顺时针转角度皆为90°在±2°,且晶向转角度为 360°,以半导体硅晶体定向为基础原理,实现同一台滚磨设备对100单晶的 100和110参考面开槽以及对111单晶的1-10参考面开槽。
本实施例中:100开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为45°±2°,且滚磨结束后保持棱方向朝上顺时针旋转角度为45°-75°,通过对比100、110、1-10在晶体中的位置,确认了晶棒在确定初始参考面110零位后,如何通过转角确认其他2个晶向,并且在开槽后通过旋转一定角度后测定其等效面,确认机械位置零位偏移量。
本实施例中:111开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为60°±2°,且找到测定精测峰值点后逆时针返回角度为60°,实现开槽后复检机械位置零位偏移量。本发明大大减少了滚磨的晶棒开槽定位时间,提高了开槽取向精度,降低开槽出错率,最终实现大幅度提高硅棒滚磨加工效率。
实施例一:
一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,其复检自检一体化的方法包括以下步骤:
S1、首先需要进行100单晶开槽步骤:在单晶上机自动找一条棱角角测得峰值,快速旋转至一定的角度内缓慢找信号峰值,同样方法晶向转动一定角度,一共测得4个最大峰值点,取最大峰值电流位置110原点位置为0°, 100原点位置为45°+原点补正量后开槽。
S2、其次进行一键复检参考面晶向位置:110开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定的角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与90°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,100开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与45°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数。
S3、然后111单晶开槽步骤:因110有6个等效位置,但111晶棒主参位置必须开V槽/平边必须是1-10位置,将单晶的棱朝上上料,并根据棱线画出开槽位置,其作用目的是用于确认方向性,滚磨结束后保持棱方向朝上,顺时针旋转至一定角度内寻找粗测峰值,此峰值为1-10等效面,然后测定精测峰值点,找到后逆时针返回一定角度,此时开槽位置为1-10位置,给出确认界面,打开设备门,检查划线位置基本与开槽位置一致。
S4、最后进行一键复检参考面晶向位置,111开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与60°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,1-10平参位置初始只考虑原点偏差开槽,复检方式一致,加工结束后确认1-10开槽位置在单晶头部棱顺时针 30°方向附近,否则判定开槽错误。
本实施例中:单晶上机自动找一条棱角角测得峰值快速旋转的角度和110 开槽位置-原点补正量后顺时针转角度皆为70°在±1°,且晶向转角度为 360°。
本实施例中:100开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为25°±0.5°,且滚磨结束后保持棱方向朝上顺时针旋转角度为45°-75°。
本实施例中:111开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为30°±0.5°,且找到测定精测峰值点后逆时针返回角度为45°。
实施例二:
一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,其复检自检一体化的方法包括以下步骤:
S1、首先需要进行100单晶开槽步骤:在单晶上机自动找一条棱角角测得峰值,快速旋转至一定的角度内缓慢找信号峰值,同样方法晶向转动一定角度,一共测得4个最大峰值点,取最大峰值电流位置110原点位置为0°, 100原点位置为45°+原点补正量后开槽。
S2、其次进行一键复检参考面晶向位置:110开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定的角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与90°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,100开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与45°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数。
S3、然后111单晶开槽步骤:因110有6个等效位置,但111晶棒主参位置必须开V槽/平边必须是1-10位置,将单晶的棱朝上上料,并根据棱线画出开槽位置,其作用目的是用于确认方向性,滚磨结束后保持棱方向朝上,顺时针旋转至一定角度内寻找粗测峰值,此峰值为1-10等效面,然后测定精测峰值点,找到后逆时针返回一定角度,此时开槽位置为1-10位置,给出确认界面,打开设备门,检查划线位置基本与开槽位置一致。
S4、最后进行一键复检参考面晶向位置,111开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与60°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,1-10平参位置初始只考虑原点偏差开槽,复检方式一致,加工结束后确认1-10开槽位置在单晶头部棱顺时针 30°方向附近,否则判定开槽错误。
本实施例中:单晶上机自动找一条棱角角测得峰值快速旋转的角度和110 开槽位置-原点补正量后顺时针转角度皆为130°在±10°,且晶向转角度为 270°。
本实施例中:100开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为65°±4°,且滚磨结束后保持棱方向朝上顺时针旋转角度为45°-75°。
本实施例中:111开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为80°±5°,且找到测定精测峰值点后逆时针返回角度为90°
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (4)

1.一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,其特征在于:其复检自检一体化的方法包括以下步骤:
S1、首先需要进行100单晶开槽步骤:单晶上机自动找一条棱角测得峰值,快速旋转至一定的角度缓慢找信号峰值,同样方法晶向转动一定角度,一共测得4个最大峰值点,取最大峰值电流位置为0°,100原点位置为45°+原点补正量后开槽;
S2、其次进行一键复检参考面晶向位置:110开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定的角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与90°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,100开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与45°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数;
S3、然后111单晶开槽步骤:因110有6个等效位置,但111晶棒主参位置必须开V槽或平边必须是1-10位置,将单晶的棱朝上上料,并根据棱线画出开槽位置,其作用目的是用于确认方向性,滚磨结束后保持棱方向朝上,顺时针旋转至一定角度内寻找粗测峰值,此峰值为1-10等效面,然后测定精测峰值点,找到后逆时针返回一定角度,此时开槽位置为1-10位置,给出确认界面,打开设备门,检查划线位置基本与开槽位置一致;
S4、最后进行一键复检参考面晶向位置,111开槽位置-原点补正量后顺时针转至一定角度内缓慢找信号峰值,最高峰值的机台端位置读数与60°作比较,差值部分作为参考面位置晶向报数,1-10平参位置初始只考虑原点偏差开槽,复检方式一致,加工结束后确认1-10开槽位置在单晶头部棱顺时针30°方向附近,否则判定开槽错误。
2.根据权利要求1所述的一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,其特征在于:所述单晶上机自动找一条棱角测得峰值快速旋转的角度和110开槽位置-原点补正量后顺时针转角度皆为90°±2°,且晶向转角度为360°。
3.根据权利要求1所述的一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,其特征在于:所述100开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为45°±2°,且滚磨结束后保持棱方向朝上顺时针旋转角度为45°-75°。
4.根据权利要求1所述的一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法,其特征在于:所述111开槽位置-原点补正量后顺时针转角度为60°±2°,且找到测定精测峰值点后逆时针返回角度为60°。
CN202210065708.XA 2022-01-20 2022-01-20 一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法 Active CN114393723B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210065708.XA CN114393723B (zh) 2022-01-20 2022-01-20 一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210065708.XA CN114393723B (zh) 2022-01-20 2022-01-20 一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114393723A CN114393723A (zh) 2022-04-26
CN114393723B true CN114393723B (zh) 2023-06-13

Family

ID=81233758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210065708.XA Active CN114393723B (zh) 2022-01-20 2022-01-20 一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114393723B (zh)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006250781A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Seiko Epson Corp セラミックスの結晶構造判定方法および結晶構造判定装置
DE102007056115A1 (de) * 2007-11-15 2009-05-20 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren zum Trennen von Einkristallen
CN101994157A (zh) * 2010-03-22 2011-03-30 浙江星宇电子科技有限公司 一种开单晶1*0参考面的方法
CN106367813B (zh) * 2016-08-25 2019-02-26 西安中晶半导体材料有限公司 一种半导体单晶硅晶棒及硅片参考面的加工方法
WO2019043865A1 (ja) * 2017-08-31 2019-03-07 株式会社Sumco サセプタ、エピタキシャル成長装置、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、ならびにエピタキシャルシリコンウェーハ
CN107599196A (zh) * 2017-10-30 2018-01-19 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种<111>型单晶硅定晶向多线切割工艺
JP7148437B2 (ja) * 2019-03-01 2022-10-05 信越半導体株式会社 ワークの切断加工方法及びワークの切断加工装置
CN113119331B (zh) * 2021-04-25 2023-04-14 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 通过改善<111>晶棒晶向偏离角改善硅片warp的方法
CN113696358B (zh) * 2021-08-26 2023-04-07 西安中晶半导体材料有限公司 一种实现晶向偏离的单晶晶体的多线切割方法
CN113787638B (zh) * 2021-09-26 2023-08-18 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 一种确定晶棒的三维空间关系的晶棒加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114393723A (zh) 2022-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114393723B (zh) 一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法
JP6986166B2 (ja) レベルセンサーのポジショニングに基づく結晶体の方向調整加工法
CN110617790B (zh) 一种采用相对法实现大齿轮齿距偏差测量的方法
CN114654303B (zh) 一种机床定位精度偏差的校正方法
CN110280845B (zh) 双定点螺纹的加工方法及加工工装
CN104625436A (zh) 一种管材弯曲度补偿方法及激光切割装置
CN104535036A (zh) 重轨腹腔参数化公差判定方法
CN106295140B (zh) 一种数控推台锯工件斜切时的误差补偿方法
CN114253217A (zh) 带有自修正功能的五轴机床rtcp自动标定方法
CN113899335A (zh) 一种利用轮廓仪测量齿轮的安装误差修正方法
CN110369814B (zh) 一种卡规及利用该卡规控制螺纹起始点的方法
CN114227684B (zh) 机械臂水平度动态调节方法
CN113787638B (zh) 一种确定晶棒的三维空间关系的晶棒加工方法
CN115846774A (zh) 一种基于三坐标精确测量人字齿对中的加工方法
CN114179998B (zh) 一种大型集装箱船上艏柱的制造方法及整体艏柱分段
US20230311310A1 (en) Method and apparatus for managing robot path
CN108731572B (zh) 斜相交十字接头结构对位公差测量装置
CN114723160A (zh) 一种用于在机检测的测量路径规划方法
CN101758028B (zh) 一种基于机器视觉的芯片角度自动旋转校正方法
CN221252027U (zh) 一种卷烟条盒机调整工装
CN206544050U (zh) 切割机旋转卡盘卡爪和切割头中心校正工具
CN110729861A (zh) 定子线圈折弯工装
CN111060062A (zh) 一种用于大型折弯工件的角度测量机构
CN114161091B (zh) 一种桩腿插销孔精准开孔方法
CN106525072B (zh) 相机校正治具及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 214200 Dongjia Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee after: Zhonghuan Leading Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 214200 Dongjia Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee before: Zhonghuan leading semiconductor materials Co.,Ltd.

Country or region before: China