RU2005135646A - Тигель для устройства для получения блока кристаллического вещества и способ его получения - Google Patents

Тигель для устройства для получения блока кристаллического вещества и способ его получения Download PDF

Info

Publication number
RU2005135646A
RU2005135646A RU2005135646/15A RU2005135646A RU2005135646A RU 2005135646 A RU2005135646 A RU 2005135646A RU 2005135646/15 A RU2005135646/15 A RU 2005135646/15A RU 2005135646 A RU2005135646 A RU 2005135646A RU 2005135646 A RU2005135646 A RU 2005135646A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crucible
base
side walls
crystalline
thermal conductivity
Prior art date
Application number
RU2005135646/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2344206C2 (ru
Inventor
Роланд АЙНХАУС (FR)
Роланд Айнхаус
Франсуа ЛИССАЛЬД (FR)
Франсуа ЛИССАЛЬД
Паскаль РИВА (FR)
Паскаль РИВА
Original Assignee
Аполлон Солар (Fr)
Аполлон Солар
Сиберстар (Fr)
Сиберстар
Эфд Эндюксьон Са (Fr)
Эфд Эндюксьон Са
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=33041932&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2005135646(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Аполлон Солар (Fr), Аполлон Солар, Сиберстар (Fr), Сиберстар, Эфд Эндюксьон Са (Fr), Эфд Эндюксьон Са filed Critical Аполлон Солар (Fr)
Publication of RU2005135646A publication Critical patent/RU2005135646A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2344206C2 publication Critical patent/RU2344206C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S65/00—Glass manufacturing
    • Y10S65/08—Quartz
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]

Claims (10)

1. Тигель для устройства для изготовления блоков кристаллического вещества направленной кристаллизацией, состоящий из боковых стенок (8) и основания (7), при этом основание (7) обладает параллельно направлению по существу перпендикулярному основанию, значительно лучшими характеристиками теплопередачи по сравнению с характеристиками теплопередачи боковых стенок вдоль указанного направления, отличающийся тем, что основание (7) и боковые стенки (8) выполнены из материалов, содержащих по существу одинаковые основные химические компоненты.
2. Тигель по п.1, отличающийся тем, что основание (7) является прозрачным для инфракрасного излучения, при этом боковые стенки (8) являются непрозрачными для инфракрасного излучения.
3. Тигель по п.2, отличающийся тем, что основание (7) выполнено из аморфной двуокиси кремния, при этом боковые стенки (8) сделаны из непрозрачной кварцевой керамики.
4. Тигель по п.1, отличающийся тем, что основание (7) и боковые стенки (8) образованы пластинами, выполненными из одного и того же материала, обладающего анизотропными характеристиками теплопроводности, при этом теплопроводность пластин в плоскости пластин является намного меньшей, чем их теплопроводность в направлении перпендикулярном к данной плоскости.
5. Тигель по п.4, отличающийся тем, что тигель выполнен из графита.
6. Тигель по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что тигель содержит, по меньшей мере, одно покрытие (11), по меньшей мере, на одной поверхности боковых стенок (8).
7. Тигель по п.6, отличающийся тем, что вещество для покрытия (11) выбрано из нитрида кремния и отражающих веществ.
8. Устройство для изготовления блоков кристаллического вещества направленной кристаллизацией, содержащее тигель, расположенный в герметизирующем кожухе (2) между средствами (3) нагревания, расположенными над тиглем, и средствами (4) охлаждения, расположенными под тиглем, отличающееся тем, что содержит тигель по любому из пп.1-7.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что снабжено графитовым войлоком (9), расположенным между основанием (7) тигля и средствами (4) охлаждения, при этом предусмотрены средства уплотнения (10), для уплотнения графитового войлока во время кристаллизации кристаллического вещества.
10. Способ изготовления блоков кристаллического вещества направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что в способе используют устройство по любому из пп.8 и 9 так, чтобы установить в жидкой фазе температурный градиент в диапазоне от 8 до 30°C/см.
RU2005135646/15A 2003-04-17 2004-04-09 Тигель для устройства для получения блока кристаллического вещества и способ его получения RU2344206C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0304803A FR2853913B1 (fr) 2003-04-17 2003-04-17 Creuset pour un dispositif de fabrication d'un bloc de materiau cristallin et procede de fabrication
FR0304803 2003-04-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005135646A true RU2005135646A (ru) 2006-03-10
RU2344206C2 RU2344206C2 (ru) 2009-01-20

Family

ID=33041932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005135646/15A RU2344206C2 (ru) 2003-04-17 2004-04-09 Тигель для устройства для получения блока кристаллического вещества и способ его получения

Country Status (14)

Country Link
US (1) US7442255B2 (ru)
EP (1) EP1613795B2 (ru)
JP (1) JP4607096B2 (ru)
CN (1) CN100429333C (ru)
AT (1) ATE350519T1 (ru)
BR (1) BRPI0409464A (ru)
DE (1) DE602004004095T3 (ru)
ES (1) ES2279402T5 (ru)
FR (1) FR2853913B1 (ru)
NO (1) NO20055454L (ru)
PL (1) PL1613795T5 (ru)
RU (1) RU2344206C2 (ru)
WO (1) WO2004094704A2 (ru)
ZA (1) ZA200507846B (ru)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2892426B1 (fr) * 2005-10-26 2008-01-11 Apollon Solar Soc Par Actions Dispositif de fabrication d'un ruban de silicium ou autres materiaux cristallins et procede de fabrication
FR2895749B1 (fr) * 2006-01-04 2008-05-02 Apollon Solar Soc Par Actions Dispositif et procede de fabrication d'un bloc de materiau cristallin
JP2009541195A (ja) * 2006-06-23 2009-11-26 アール・イー・シー・スキャンウェハー・アー・エス 半導体グレードの多結晶シリコンのインゴットの方向性凝固用の方法及び坩堝
FR2908125B1 (fr) * 2006-11-02 2009-11-20 Commissariat Energie Atomique Procede de purification de silicium metallurgique par solidification dirigee
FR2909990B1 (fr) * 2006-12-13 2009-03-13 Efd Induction Sa Sa Procede et installation de fabrication de blocs d'un materiau semiconducteur
FR2913434B1 (fr) * 2007-03-08 2009-11-20 Apollon Solar Dispositif et procede de fabrication de plaques autosupportees de silicium ou autres materiaux cristallins.
DE102007026298A1 (de) 2007-06-06 2008-12-11 Freiberger Compound Materials Gmbh Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus der Schmelze eines Rohmaterials sowie Einkristall
FR2918675B1 (fr) * 2007-07-10 2009-08-28 Commissariat Energie Atomique Dispositif de fabrication d'un bloc de materiau cristallin avec modulation de la conductivite thermique.
JP5277654B2 (ja) * 2008-02-15 2013-08-28 住友化学株式会社 ホウ素添加シリコンの製造方法
US20090280050A1 (en) * 2008-04-25 2009-11-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Casting Multi-Crystalline Silicon Ingots
US20110180229A1 (en) * 2010-01-28 2011-07-28 Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) Crucible For Use In A Directional Solidification Furnace
JP5676900B2 (ja) * 2010-03-26 2015-02-25 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンインゴットの製造方法
US8562740B2 (en) * 2010-11-17 2013-10-22 Silicor Materials Inc. Apparatus for directional solidification of silicon including a refractory material
US20120248286A1 (en) 2011-03-31 2012-10-04 Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) Systems For Insulating Directional Solidification Furnaces
KR20140057305A (ko) * 2011-08-01 2014-05-12 지티에이티 코포레이션 액체냉각식 열교환기
FR2979638A1 (fr) 2011-09-05 2013-03-08 Commissariat Energie Atomique Dispositif de fabrication de materiau cristallin a partir d'un creuset a resistance thermique non uniforme
CN102677166B (zh) * 2012-06-08 2015-06-03 常州天合光能有限公司 一种多晶硅铸锭用梯度坩埚的制备方法
CN102703969B (zh) * 2012-06-14 2015-04-15 天威新能源控股有限公司 低碳准单晶铸锭炉及应用该铸锭炉进行铸锭的方法
DE102015118042A1 (de) 2015-10-22 2017-04-27 Nexwafe Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Halbleiterschicht
JP7068914B2 (ja) * 2018-04-26 2022-05-17 昭和電工株式会社 断熱性遮蔽部材及びそれを備えた単結晶製造装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2508803C3 (de) † 1975-02-28 1982-07-08 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung plattenförmiger Siliciumkristalle mit Kolumnarstruktur
DE2543752B2 (de) * 1975-10-01 1979-03-15 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalles
FR2487863A1 (fr) * 1980-08-01 1982-02-05 Sklyarov Alexei Dispositif pour la croissance des monocristaux a partir d'alliages a constituants multiples
IT1137729B (it) * 1981-07-20 1986-09-10 Heliosil Spa Stampo e procedimento per la fusione di lingotti di silicio atti ad essere utilizzati come materiale per celle solari
US4590043A (en) * 1982-12-27 1986-05-20 Sri International Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid
JPH01142464U (ru) * 1988-03-23 1989-09-29
JP2553633B2 (ja) 1988-05-19 1996-11-13 住友電気工業株式会社 高温炉の断熱方法
CN1025633C (zh) * 1992-06-19 1994-08-10 中国科学院固体物理研究所 金属双晶及三晶体的生长技术和装置
DE4236827A1 (de) * 1992-10-30 1994-05-05 Wacker Chemitronic Vorrichtung zur Herstellung multikristalliner Halbleiter-Blöcke mit kolumnarer Kristallstruktur
JP2934121B2 (ja) * 1993-06-25 1999-08-16 信越化学工業株式会社 単結晶の製造方法
JPH08301683A (ja) * 1995-05-09 1996-11-19 Nippon Koki Co Ltd エアバッグ用ガス発生器
JP2936392B2 (ja) * 1995-12-12 1999-08-23 三菱マテリアルクォーツ株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ
JPH10101484A (ja) * 1996-09-30 1998-04-21 Canon Inc 結晶製造装置及び方法
JPH10139580A (ja) * 1996-11-13 1998-05-26 Japan Steel Works Ltd:The 一方向凝固材の製造方法および一方向凝固装置
WO1998035075A1 (de) 1997-02-06 1998-08-13 Bayer Aktiengesellschaft Mit siliciumschutzschichten versehene schmelztiegel, ein verfahren zum aufbringen der siliciumschutzschicht und deren verwendung
JP2000351688A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Mitsubishi Materials Corp 結晶シリコン製造用ルツボ及びその製造方法
JP2002160997A (ja) * 2000-11-24 2002-06-04 Ibiden Co Ltd シリコン単結晶引上用ルツボの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
BRPI0409464A (pt) 2006-04-18
DE602004004095D1 (de) 2007-02-15
EP1613795B2 (fr) 2010-06-02
CN1774526A (zh) 2006-05-17
ATE350519T1 (de) 2007-01-15
WO2004094704A2 (fr) 2004-11-04
ES2279402T3 (es) 2007-08-16
JP2006526751A (ja) 2006-11-24
EP1613795A2 (fr) 2006-01-11
EP1613795B1 (fr) 2007-01-03
NO20055454L (no) 2005-11-17
FR2853913B1 (fr) 2006-09-29
DE602004004095T2 (de) 2007-07-12
WO2004094704A3 (fr) 2004-12-16
DE602004004095T3 (de) 2010-12-02
FR2853913A1 (fr) 2004-10-22
US20060144326A1 (en) 2006-07-06
PL1613795T3 (pl) 2007-05-31
RU2344206C2 (ru) 2009-01-20
PL1613795T5 (pl) 2010-10-29
ZA200507846B (en) 2007-02-28
CN100429333C (zh) 2008-10-29
JP4607096B2 (ja) 2011-01-05
US7442255B2 (en) 2008-10-28
ES2279402T5 (es) 2010-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005135646A (ru) Тигель для устройства для получения блока кристаллического вещества и способ его получения
DK145828B (da) Fremgangsmaade til fremstilling af skiveformede siliciumkrystaller med kolumnastruktur
CN107021524B (zh) 水溶性盐辅助转移cvd二维过渡金属硫族化合物的方法
Ciftja et al. Wetting properties of molten silicon with graphite materials
CN104040038B (zh) 坩埚及(近)单晶半导体锭的生产方法
RU2428524C2 (ru) Устройство и способ для производства блоков кристаллического материала
TWI770905B (zh) 用於加熱多個坩鍋之裝置
DE3669418D1 (de) Traegerscheibe fuer halbleiteranordnung aus siliziumcarbid.
JPH0656590A (ja) ベータバリウムホウ酸塩の結晶成長方法
JP2002193610A (ja) 結晶シリコン製造装置
US6574264B2 (en) Apparatus for growing a silicon ingot
Dabkowski et al. Growth and properties of single crystals of relaxor PZN–PT materials obtained from high-temperature solution
Arivanandhan et al. Directional growth of organic NLO crystal by different growth methods: A comparative study by means of XRD, HRXRD and laser damage threshold
TWI432617B (zh) 長晶裝置
Biegelsen et al. Laser-induced crystallization of silicon on bulk amorphous substrates: an overview
KR20040001384A (ko) 유기물 진공 증발원의 열투명 도가니 구조
JPH10101484A (ja) 結晶製造装置及び方法
JP2003243732A (ja) 熱電材料、及び、熱電材料の製造方法並びに製造装置
RU2006124273A (ru) Способ выращивания монокристалла
Jain et al. Single Crystal Growth via Solid→ Solid Transformation of Glass
KR100477214B1 (ko) 유브이 램프를 이용한 다결정 실리콘박막 제조장치 및방법
KR101547329B1 (ko) 사파이어 단결정 성장장치 및 성장방법
US6126742A (en) Method of drawing single crystals
WO2014141473A1 (ja) 多結晶シリコンインゴットの製造装置及びその製造方法
Singh et al. Ternary halides: novel NLO compounds for LWIR

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130410