FR2487863A1 - Dispositif pour la croissance des monocristaux a partir d'alliages a constituants multiples - Google Patents

Dispositif pour la croissance des monocristaux a partir d'alliages a constituants multiples Download PDF

Info

Publication number
FR2487863A1
FR2487863A1 FR8017122A FR8017122A FR2487863A1 FR 2487863 A1 FR2487863 A1 FR 2487863A1 FR 8017122 A FR8017122 A FR 8017122A FR 8017122 A FR8017122 A FR 8017122A FR 2487863 A1 FR2487863 A1 FR 2487863A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
container
cooler
alloy
recess
single crystals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8017122A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2487863B1 (fr
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SKLYAROV ALEXEI
Original Assignee
SKLYAROV ALEXEI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SKLYAROV ALEXEI filed Critical SKLYAROV ALEXEI
Priority to FR8017122A priority Critical patent/FR2487863A1/fr
Publication of FR2487863A1 publication Critical patent/FR2487863A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2487863B1 publication Critical patent/FR2487863B1/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/003Heating or cooling of the melt or the crystallised material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002Crucibles or containers for supporting the melt

Abstract

LE DISPOSITIF POUR LA CROISSANCE DE MONOCRISTAUX A PARTIR D'ALLIAGES A CONSTITUANTS MULTIPLES COMPORTE UN CONTENEUR 1 DESTINE A ABRITER UNE AMORCE ET L'ALLIAGE A CRISTALLISER, UN RECHAUFFEUR 7 DISPOSE COAXIALEMENT PAR RAPPORT AU CONTENEUR 1 ET UN REFRIGERANT 4. LE CONTENEUR 1 SUIVANT L'INVENTION EST INSTALLE DE MANIERE QUE SA FACE TERMINALE OUVERTE 2 SOIT DANS UN EVIDEMENT 3 PRATIQUE A LA SURFACE DU REFRIGERANT 4. ENTRE LA FACE TERMINALE DU CONTENEUR 1 ET LE FOND DE L'EVIDEMENT 3 EST PLACEE UNE LAME 5 EN MATIERE D'UNE PLUS HAUTE CONDUCTIBILITE CALORIFIQUE ET D'UN POINT DE FUSION INFERIEUR A CELUI DE L'ALLIAGE A CRISTALLISER.

Description

DISPOSITIF POUR LA CROISSANCE DES MONOCRISTAUX
A PARTIR D'ALLIAGES A CONSTITUANTS MULTIPLES
L'invention concerne la croissance des monocristaux et se rapporte plus précisément à des- dispositifs destinés à la croissance de monocristaux servant à la fabrication des aimants permanents à partir d'alliages à constituants multiples.
On connait un dispositif destiné à la croissance des monocristaux à partir d'alliages à constituants multiples comprenant un conteneur tubulaire installé verticalement par sa face terminale ouverte à la surface d'un réfrigérant et dans lequel un réchauffeur mobile est disposé de manière coaxiale par rapport audit conteneur.
On fait croitre les monocristaux dans ce dispositif par cristallisation verticale orientée à partir du bain de fusion. A cet effet, on place au fond du conteneur, jusqu'à son entrée en contact avec la surface du réfrigérant, une amorce dont le diamètre est égal au diamètre intérieur du conteneur et ensuite un lingot de l'alliage à constituants multiples à cristalliser ; puis on met en circuit le réchauffeur pour la formation d'un bain de fusion et la création d'un gradient de température élevé indispensable à la formation d'un monocristal.
Toutefois, lorsqu'on utilise ce dispositif, on éprouve des difficultés pour obtenir des valeurs suffisamment élevées du gradient de température. En effet,le contact entre le bout de l'amorce et la surface du réfrigérant n'étant pas idéal, les susdites surfaces présentent toujours des aspérités qui conduisent à la formation entre elles d'une couche intermédiaire s'opposant à des échanges efficaces de chialeur.
Une élévation de la température du réchauffeur conduit à des brûlures du conteneur ainsi qu'à des consommations additionnelles d'énergie.
En outre, la fixation d'un conteneur caractérisé par une valeur élevée du rapport de sa hauteur à son diamètre, sur la surface du réfrigérant, en présence d'un réchauffeur coaxial mobile avec le conteneur constitue un problème technique assez compliqué.
L'invention a pour but une réalisation simple et sûre d'un dispositif destiné à la croissance des monocristaux à partir d'alliages à constituants multiples qui permette d'organiser des échanges de chaleur intenses entre le réfrigérant et le conteneur abritant l'amorce, et ce pour l'obtention de valeurs élevées du gradient de température indispensables à la formation des monocristaux.
Selon l'invention,le dispositif pour la croissance de monocristaux, à partir d'alliages à constituants multiples, comprenant d'une part, un conteneur destiné à abriter une amorce et l'alliage à cristalliser, ce conteneur étant installé de manière que sa face terminale ouverte soit disposée à la surface du réfrigérant et d'autre part, un réchauffeur disposé coaxialement par rapport au conteneur, et il est caractérisé en ce que, à la surface du réfrigérant, est ménagé un évidement de cotes substantiellement égales à celles de la face terminale du conteneur et en ce que le conteneur est disposé dans cet évidement, alors qu'entre la face terminale du conteneur et le fond de l'évidement est disposée une lame en matière d'une conductibilité calorifique plus élevée et d'un point de fusion inférieur à celui de l'alliage à cristalliser.
Pour ménager le jeu garanti entre la lame et la surface du réfrigérant, il est avantageux de pratiquer au fond de l'évidement des saillies dont la hauteur soit inférieure à l'épaisseur de la lame.
Le dispositif pour la croissance des monocristaux à partir d'alliages à constituants multiples, réalisé suivant la présente invention, permet d'obtenir des gradients de température élevés (au moins égaux à 2000/cm) suivant toute la hauteur du conteneur, et il assure une fixation fiable du conteneur à la surface du réfrigérant sans mise en oeuvre de dispositifs de fixation extérieurs ; de plus, il est simple au point de vue construction.
Dans ce qui suit, l'invention sera illustrée par la description d'une version concrète de sa réalisation et des dessins annexés dans lesquels
La figure 1 représente schématiquement un dispositif pour la croissance des monocristaux à partir d'alliages à constituants multiples avant le début du travail, vu en coupe longitudinale,
La figure 2 représente schématiquement le dispositif pour la croissance des monocristaux de la figure 1 après fusion superficielle de l'amorce et l'entrée en fusion de la lame.
Le dispositif comporte un conteneur tubulaire 1 (figure 1) en matière réfractaire installé de manière que sa face terminale ouverte (2) soit montée dans un évidement (3) ménagé à la surface du réfrigérant refroidi à l'eau (4). Le diamètre intérieur'de l'evidement (3) est égal au diamètre extérieur du conteneur (1) ou lui est légèrement supérieur.
entre la face terminale du conteneur (1) et la surface du réfrigérant (4), dans l'évidement (3), est placée une lame (5) réalisée en une matière d'une meilleure conductibilité calorifique et d'un point de fusion inférieur à celui de l'alliage à cristalliser. Au fond de l'évidement (3) sont ménagées des saillies (6) dont la hauteur est inférieure à l'épaisseur de la lame (5). Le réchauffeur (7) est monté coaxialement par rapport au conteneur (1) avec possibilité d'effectuer des mouvements de va-et-vient le long des parois du conteneur (1).
Le diSpositif fonctionne de la manière suivante.
On place une amorce monocristalline (8) d'un diamètre égal au diamètre intérieur du conteneur tubulaire (1) dans le conteneur (1) de manière que sa face terminale soit adjacente à la lame (5). En outre, on place dans le conteneur (1) une ébauche d'alliage polycristallin à cristalliser, notamment d'un alliage, Co 34,5 %, Ni 14,9 %, Al 7,6 %,
Cu 3,6 %, Ti 5,1 %, Nb 1 %, le complément à 100 étant du fer et dont le point de fusion est de 13600C ou d'un alliage : Co 40 %, Ni, 14,5 %, Al 7,5 %, Cu 3 %, Ti 8 %, le complément à 100 étant du fer et dont le point de fusion est de 13800C.
Dans ce cas, la lame (5) peut etre fabriquée en étain (point de fusion 2320C) ou en plomb (point de fusion 327,30C).
Ensuite on enclenche le réchauffeur 7. Dans ce cas, au fur et à mesure que la température monte, il y a entrée en fusion superficielle de l'extremité supérieure de l'amorce (8) (figure 2), formation d'un bain de fusion 10 à partir de l'ébauche (9) d'alliage et, pour le compte de la conductibilité, il y a également réchauffage de l'extrémité inférieure de l'amorce (8), ce qui provoque ~~en- trée en fusion de la lame (5) (figure 1) qui a un mauvais contact thermique avec la surface du réfrigérant'(4) en raison de la présence des saillies 6.
Le métal fondu de la lame (5) s'écoule au fond de l'évidement (3) et, du fait de l'amélioration du contact avec le réfrigérant (4) et de l'accroissement des déperditions de chaleur, cristallise en formant une couche intercalaire solide 11 (figure 2) qui- réunit de manière fiable le conteneur (1) à la surface du réfrigérant (4) et qui garantit des échanges de chaleur efficaces entre le conteneur (1) avec l'amorce (8) et le réfrigérant (4). L'accroissement des échanges de chaleur permet d'atteindre des valeurs élevées (200"/an) du gradient de température sans augmenter la puissance du réchauffeur (7).
Dans la suite, la croissance du monocristal est réalisée par une procédure connue. Les valeurs susindiquées du gradient de température contribuent à former des monocristaux d'une haute qualité.

Claims (2)

REVENDICATIONS
1. Dispositif pour la croissance de monocristaux à partir d'alliages à constituants multiples comportant d'une part, un conteneur destiné à abriter une amorce et l'alliage à cristalliser, ce conteneur étant installé de manière que sa face terminale ouverte soit disposée à la surface du réfrigérant, et d'autre part, un réchauffeur disposé coaxialement par rapport au conteneur, caractérisé en ce que, à la surface du réfrigérant, est ménagé un évidement de cotes substantiellement égales à celles de la face terminale du conteneur, et en ce que le conteneur est disposé dans cet évidement, alors qu'entre la face terminale du conteneur et le fond de l'évidement est disposétune lame en matière d'une conductibilité calorifique plus élevée et d'un point de fusion inférieur à celui de l'alliage à cristalliser.
2. Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'au fond de l'évidement sont pratiqués des saillies dont la hauteur est inférieure à l'épaisseur de la lame.
FR8017122A 1980-08-01 1980-08-01 Dispositif pour la croissance des monocristaux a partir d'alliages a constituants multiples Granted FR2487863A1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8017122A FR2487863A1 (fr) 1980-08-01 1980-08-01 Dispositif pour la croissance des monocristaux a partir d'alliages a constituants multiples

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8017122A FR2487863A1 (fr) 1980-08-01 1980-08-01 Dispositif pour la croissance des monocristaux a partir d'alliages a constituants multiples

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2487863A1 true FR2487863A1 (fr) 1982-02-05
FR2487863B1 FR2487863B1 (fr) 1982-11-12

Family

ID=9244832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8017122A Granted FR2487863A1 (fr) 1980-08-01 1980-08-01 Dispositif pour la croissance des monocristaux a partir d'alliages a constituants multiples

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2487863A1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2853913A1 (fr) * 2003-04-17 2004-10-22 Apollon Solar Creuset pour un dispositif de fabrication d'un bloc de materiau cristallin et procede de fabrication

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2047975A1 (fr) * 1969-06-27 1971-03-19 United Aircraft Corp
FR2175594A1 (fr) * 1972-03-15 1973-10-26 Radiotechnique Compelec
FR2184610A1 (fr) * 1972-05-17 1973-12-28 United Aircraft Corp

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2047975A1 (fr) * 1969-06-27 1971-03-19 United Aircraft Corp
FR2175594A1 (fr) * 1972-03-15 1973-10-26 Radiotechnique Compelec
FR2184610A1 (fr) * 1972-05-17 1973-12-28 United Aircraft Corp

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2853913A1 (fr) * 2003-04-17 2004-10-22 Apollon Solar Creuset pour un dispositif de fabrication d'un bloc de materiau cristallin et procede de fabrication
WO2004094704A2 (fr) * 2003-04-17 2004-11-04 Apollon Solar Creuset pour un dispositif de fabrication d’un bloc de materiau cristallin et procede de fabrication
WO2004094704A3 (fr) * 2003-04-17 2004-12-16 Apollon Solar Creuset pour un dispositif de fabrication d’un bloc de materiau cristallin et procede de fabrication
US7442255B2 (en) 2003-04-17 2008-10-28 Apollon Solar Crucible for a device for producing a block of crystalline material and method for producing same

Also Published As

Publication number Publication date
FR2487863B1 (fr) 1982-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Iseler Thermal expansion and seeded Bridgman growth of AgGaSe2
JPS6358669B2 (fr)
KR20110135396A (ko) 조절된 과냉각에 의하여 지지되지 않은 반도체 물질 제품을 제조하는 방법
JP2010504905A (ja) 結晶シリコン基板を製造するための方法及び装置
EP2014803A1 (fr) Dispositif de fabrication d'un bloc de matériau cristallin avec modulation de la conductivité thermique
FR2546912A1 (fr) Procede et dispositif d'elaboration d'un monocristal
CA1260363A (fr) Procede et dispositif pour elaborer un lingot d'un materiau semi-conducteur polycristallin
EP0399928B1 (fr) Creuset froid à vidange par le fond
JP2007015905A (ja) 多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子および多結晶シリコンインゴットの鋳造方法。
WO2000071786A1 (fr) Procede et appareil de fabrication de monocristaux de grande qualite
FR2487863A1 (fr) Dispositif pour la croissance des monocristaux a partir d'alliages a constituants multiples
EP0622140A1 (fr) Dispositif d'extraction par coulée à débit réglable d'un matériau fondu dans un four de fusion à parois froides
EP0269532B1 (fr) Procédé d'obtention, par refroidissement d'alliages à l'état fondu, de cristaux de composés intermétalliques, notamment, de monocristaux isolés
EP0258092B1 (fr) Appareil de congélation de produits biologiques conditionnés en paillettes au moyen d'un liquide cryogénique
WO2013030470A1 (fr) Système de fabrication d'un matériau cristallin par cristallisation dirigée muni d'une source de chaleur additionnelle latérale
WO1994017938A1 (fr) Procede de fabrication d'un organe chauffant de transfert de metal liquide, organe chauffant, son application et son utilisation
FR2558957A1 (fr) Dispositif pour prelever des echantillons par plongee dans des bains de fer en fusion
JP4726454B2 (ja) 多結晶シリコンインゴットの鋳造方法、これを用いた多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子
FR2619827A1 (fr) Appareil pour systemes de croissance des cristaux dendritiques en ruban
JPH1192284A (ja) 一方向凝固多結晶組織を有するシリコンインゴットの製造方法
Mavi et al. Raman study of cw laser‐induced crystallization of a‐Si: H films on quartz and sapphire substrates
EP0775766A1 (fr) Four de cristallisation pour matériau à faible conductivité thermique et/ou faible dureté
Kolb et al. The hydrothermal growth of lithium metagallate
EP0549449B1 (fr) Dispositif de solidification d'un matériau conducteur de l'électricité dopé et de contrÔle en continu de sa teneur en dopant
EP0593383A1 (fr) Dispositif de coulée continue entre cylindres de produits métalliques minces

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse