JPH0656590A - ベータバリウムホウ酸塩の結晶成長方法 - Google Patents
ベータバリウムホウ酸塩の結晶成長方法Info
- Publication number
- JPH0656590A JPH0656590A JP5050166A JP5016693A JPH0656590A JP H0656590 A JPH0656590 A JP H0656590A JP 5050166 A JP5050166 A JP 5050166A JP 5016693 A JP5016693 A JP 5016693A JP H0656590 A JPH0656590 A JP H0656590A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- temperature
- bab
- seed crystal
- nacl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 溶液からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 （ＢＢＯ）の結晶
を成長させるための方法を、大規模な応用のために十分
な寸法および品質のＢＢＯの単結晶を成長させ得るよう
に、またスプリアスな核生成を回避し、また溶剤揮発を
最小化し、また最小の混在物と実際的かつ有用な寸法の
望ましい形状を有するＢＢＯ結晶を成長させ得るように
改善する。 【構成】 ＢａＢ2 Ｏ4 溶液および純ＮａＣｌ溶剤の混
合物を調製する過程と、その融成物を生成させるべく前
記混合物を加熱する過程と、前記融成物のなかにＢａＢ
2 Ｏ4 の種結晶を懸濁させる過程と、前記融成物を通じ
て特定の熱場条件を維持する過程と、前記種結晶の上に
前記融成物からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく前記
融成物の温度を徐々に減ずる過程とを含んでいる。
を成長させるための方法を、大規模な応用のために十分
な寸法および品質のＢＢＯの単結晶を成長させ得るよう
に、またスプリアスな核生成を回避し、また溶剤揮発を
最小化し、また最小の混在物と実際的かつ有用な寸法の
望ましい形状を有するＢＢＯ結晶を成長させ得るように
改善する。 【構成】 ＢａＢ2 Ｏ4 溶液および純ＮａＣｌ溶剤の混
合物を調製する過程と、その融成物を生成させるべく前
記混合物を加熱する過程と、前記融成物のなかにＢａＢ
2 Ｏ4 の種結晶を懸濁させる過程と、前記融成物を通じ
て特定の熱場条件を維持する過程と、前記種結晶の上に
前記融成物からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく前記
融成物の温度を徐々に減ずる過程とを含んでいる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的に、ベータバリウ
ムホウ酸塩の製造に関する。詳細には本発明は、純塩化
ナトリウム（ＮａＣｌ）の融剤処理された融成物を使用
するベータバリウムホウ酸塩の結晶成長方法に関する。
ムホウ酸塩の製造に関する。詳細には本発明は、純塩化
ナトリウム（ＮａＣｌ）の融剤処理された融成物を使用
するベータバリウムホウ酸塩の結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ベータバリウムホウ酸塩（β‐ＢａＢ2
Ｏ4 、以下ＢＢＯと呼ぶ）はバリウムホウ酸塩の低温形
態である非線形光学材料である。単結晶形態で、ＢＢＯ
はレーザー放射の変調および周波数変換のための広い応
用範囲で有用であることが示されてきた。ＢＢＯは基本
周波数を有するレーザーから種々の周波数の放射を得る
のにレーザーシステムに対する第２調波発生器または
“ダブラー”として特に有用であることが示されてき
た。ＢＢＯは、材料が効率的な高調波発生器であり、高
い光学的損傷しきいを有し、高い複屈折を有し、また良
好な機械的および熱的性質を有するので、このようなレ
ーザーシステムのなかで価値がある。加えて、ＢＢＯは
広い伝送領域を有し、さらに１９０ｎｍのような短い波
長を有する紫外線光に対してほぼ透過性である。
Ｏ4 、以下ＢＢＯと呼ぶ）はバリウムホウ酸塩の低温形
態である非線形光学材料である。単結晶形態で、ＢＢＯ
はレーザー放射の変調および周波数変換のための広い応
用範囲で有用であることが示されてきた。ＢＢＯは基本
周波数を有するレーザーから種々の周波数の放射を得る
のにレーザーシステムに対する第２調波発生器または
“ダブラー”として特に有用であることが示されてき
た。ＢＢＯは、材料が効率的な高調波発生器であり、高
い光学的損傷しきいを有し、高い複屈折を有し、また良
好な機械的および熱的性質を有するので、このようなレ
ーザーシステムのなかで価値がある。加えて、ＢＢＯは
広い伝送領域を有し、さらに１９０ｎｍのような短い波
長を有する紫外線光に対してほぼ透過性である。
【０００３】しかし大規模な応用のために十分な寸法お
よび品質のＢＢＯの単結晶を成長させることは現在可能
でない。従ってＢＢＯ結晶の使用は制限されてきた。
よび品質のＢＢＯの単結晶を成長させることは現在可能
でない。従ってＢＢＯ結晶の使用は制限されてきた。
【０００４】適切なＢＢＯ結晶を製造するための標準的
な融成物成長技術は９２５℃付近の破壊的な固相の相転
移により阻まれている。準安定な融成物成長技術は「Jo
urnal of Crystal Growth １０６」１９９０年、第７２
８〜７３１頁のK.ItohおよびF.Marumoの論文「直接チョ
コラルスキ法によるベータバリウムホウ酸塩単結晶成
長」に記載されている。しかし成長する結晶に与えられ
る著しく大きい熱勾配に起因して、このような技術は高
い光学的品質の大きいＢＢＯ結晶を製造するのにおそら
く欠点を有する。
な融成物成長技術は９２５℃付近の破壊的な固相の相転
移により阻まれている。準安定な融成物成長技術は「Jo
urnal of Crystal Growth １０６」１９９０年、第７２
８〜７３１頁のK.ItohおよびF.Marumoの論文「直接チョ
コラルスキ法によるベータバリウムホウ酸塩単結晶成
長」に記載されている。しかし成長する結晶に与えられ
る著しく大きい熱勾配に起因して、このような技術は高
い光学的品質の大きいＢＢＯ結晶を製造するのにおそら
く欠点を有する。
【０００５】ＢＢＯは相転移温度よりも低い溶液からも
結晶化され得る。これは、バリウムホウ酸塩を溶解さ
せ、またＢＢＯの結晶を核生成かつ成長させるべく、ま
たは代替的に寸法を大きくするため“種”結晶を溶液と
接触させるべく、冷却と同時にＢＢＯを過飽和させるの
に溶液を必要とする。
結晶化され得る。これは、バリウムホウ酸塩を溶解さ
せ、またＢＢＯの結晶を核生成かつ成長させるべく、ま
たは代替的に寸法を大きくするため“種”結晶を溶液と
接触させるべく、冷却と同時にＢＢＯを過飽和させるの
に溶液を必要とする。
【０００６】最も広く報告されている溶液成長技術は溶
剤として酸化ナトリウムＮａ2 Ｏを使用する高温溶液成
長および種結晶により促進さた溶液の表面における成長
を含んでいる。この技術の使用は「Journal of Crystal
Growth ８９」１９８８年、第５５３〜５５９頁のL.K.
Cheng 、W.Bosenberg およびC.L.Tangの論文「低温相バ
リウムの成長および特性化」および「Journal of Cryst
al Growth ９７」１９８９年、第３５２〜３６６頁のR.
S.Feigelson 、R.J.Raymakers およびR.K.Route の論文
「トップ‐シーディングによるバリウムメタホウ酸塩結
晶の溶液成長」に記載されている。しかし、Itoh他、Ch
eng 他およびFeigelson 他により示されているように、
結果として得られるＢＢＯは成長溶液の混在物に起因す
る光学的不均等性の存在に悩む傾向がある。これは、商
業的応用のための大きい光学的要素が望まれ、また混在
物が制御され得ない場合には、特に問題となる。
剤として酸化ナトリウムＮａ2 Ｏを使用する高温溶液成
長および種結晶により促進さた溶液の表面における成長
を含んでいる。この技術の使用は「Journal of Crystal
Growth ８９」１９８８年、第５５３〜５５９頁のL.K.
Cheng 、W.Bosenberg およびC.L.Tangの論文「低温相バ
リウムの成長および特性化」および「Journal of Cryst
al Growth ９７」１９８９年、第３５２〜３６６頁のR.
S.Feigelson 、R.J.Raymakers およびR.K.Route の論文
「トップ‐シーディングによるバリウムメタホウ酸塩結
晶の溶液成長」に記載されている。しかし、Itoh他、Ch
eng 他およびFeigelson 他により示されているように、
結果として得られるＢＢＯは成長溶液の混在物に起因す
る光学的不均等性の存在に悩む傾向がある。これは、商
業的応用のための大きい光学的要素が望まれ、また混在
物が制御され得ない場合には、特に問題となる。
【０００７】溶媒としてＮａ2 Ｏを使用する浸漬された
種結晶により促進される成長技術も報告されてきた。こ
の技術の使用は「Journal of Crystal Growth ７９」１
９８６年、第９６３〜９６９頁のA.Jiang 、F.Cheng 、
Q.Lin,Z.Cheng およびY.Zheng の論文「低温相バリウム
メタホウ酸塩の大きい単結晶の融剤成長」および米国特
許第 4793894号明細書に記載されている。しかし、この
技術を使用する本来の表面エネルギー異方性に起因し
て、結果として得られるＢＢＯ結晶は特に大規模な応用
のために実際的または有用な寸法を有していない薄い針
または板の形態をとる。
種結晶により促進される成長技術も報告されてきた。こ
の技術の使用は「Journal of Crystal Growth ７９」１
９８６年、第９６３〜９６９頁のA.Jiang 、F.Cheng 、
Q.Lin,Z.Cheng およびY.Zheng の論文「低温相バリウム
メタホウ酸塩の大きい単結晶の融剤成長」および米国特
許第 4793894号明細書に記載されている。しかし、この
技術を使用する本来の表面エネルギー異方性に起因し
て、結果として得られるＢＢＯ結晶は特に大規模な応用
のために実際的または有用な寸法を有していない薄い針
または板の形態をとる。
【０００８】溶剤として純塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）
を使用する溶液成長技術も報告されてきた。この技術の
使用は米国特許第 4931133号明細書、「Journal of Cry
stalGrowth ９７」１９８９年、第６１３〜６１６頁の
D.Gualtieri およびB.Chaiの論文「ＮａＣｌ‐Ｎａ2 Ｏ
溶液からのβ‐バリウムホウ酸塩の成長」および「Jour
nal of Crystal Growth ９７」１９８９年、第７２０〜
７２４頁のQ.Huang およびJ.Liang の論文「β‐ＢａＢ
2 Ｏ4 の単結晶成長」に記載されている。しかしGualti
eri 他の上記両論文は、純ＮａＣｌが、結果として得ら
れるＢＢＯ結晶の著しく望ましくない形状、スプリアス
な核生成および制御不能な溶剤揮発のために、光学的応
用のためのＢＢＯの結晶成長のための溶剤として適して
いないことを報告している。Huang 他も純ＮａＣｌ溶剤
の使用による溶剤揮発の問題を記載している。
を使用する溶液成長技術も報告されてきた。この技術の
使用は米国特許第 4931133号明細書、「Journal of Cry
stalGrowth ９７」１９８９年、第６１３〜６１６頁の
D.Gualtieri およびB.Chaiの論文「ＮａＣｌ‐Ｎａ2 Ｏ
溶液からのβ‐バリウムホウ酸塩の成長」および「Jour
nal of Crystal Growth ９７」１９８９年、第７２０〜
７２４頁のQ.Huang およびJ.Liang の論文「β‐ＢａＢ
2 Ｏ4 の単結晶成長」に記載されている。しかしGualti
eri 他の上記両論文は、純ＮａＣｌが、結果として得ら
れるＢＢＯ結晶の著しく望ましくない形状、スプリアス
な核生成および制御不能な溶剤揮発のために、光学的応
用のためのＢＢＯの結晶成長のための溶剤として適して
いないことを報告している。Huang 他も純ＮａＣｌ溶剤
の使用による溶剤揮発の問題を記載している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、大規模な応用
のために十分な寸法および品質のＢＢＯの単結晶を成長
させる方法を開発する必要がある。さらに、スプリアス
な核生成を回避し、また溶剤揮発を最小化し、また最小
の混在物と実際的かつ有用な寸法の望ましい形状を有す
るＢＢＯ結晶を得る結晶成長技術を開発する必要があ
る。
のために十分な寸法および品質のＢＢＯの単結晶を成長
させる方法を開発する必要がある。さらに、スプリアス
な核生成を回避し、また溶剤揮発を最小化し、また最小
の混在物と実際的かつ有用な寸法の望ましい形状を有す
るＢＢＯ結晶を得る結晶成長技術を開発する必要があ
る。
【００１０】簡単に言うと本発明の課題は、熱的に良好
に制御された、浸漬された種結晶により促進された溶液
成長技術による純ＮａＣｌ溶剤を使用するＢＢＯ結晶成
長方法を提供することにある。
に制御された、浸漬された種結晶により促進された溶液
成長技術による純ＮａＣｌ溶剤を使用するＢＢＯ結晶成
長方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明により行われる１
つの方法は、ＮａＣｌの融剤処理された融成物から、前
記融成物を通じて特定の熱場条件を維持し、また前記融
成物からβ‐ＢａＢ2Ｏ4 を結晶させるべく前記融成物
を徐々に冷却することにより、β‐ＢａＢ2 Ｏ4 の結晶
を成長させる。徐々に冷却する過程は、融剤処理された
融成物を３℃／日よりも大きくないレートで冷却する過
程を含んでいてよい。本方法は、種結晶の上に前記融成
物からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく、融剤処理さ
れた融成物のなかにＢａＢ2 Ｏ4 の前記種結晶を懸濁さ
せる過程をも含んでいてよい。
つの方法は、ＮａＣｌの融剤処理された融成物から、前
記融成物を通じて特定の熱場条件を維持し、また前記融
成物からβ‐ＢａＢ2Ｏ4 を結晶させるべく前記融成物
を徐々に冷却することにより、β‐ＢａＢ2 Ｏ4 の結晶
を成長させる。徐々に冷却する過程は、融剤処理された
融成物を３℃／日よりも大きくないレートで冷却する過
程を含んでいてよい。本方法は、種結晶の上に前記融成
物からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく、融剤処理さ
れた融成物のなかにＢａＢ2 Ｏ4 の前記種結晶を懸濁さ
せる過程をも含んでいてよい。
【００１２】融剤処理された融成物は約０．６から約
０．８５までのモル比のＮａＣｌ／融剤処理された融成
物を含んでいてよい。徐々に冷却する過程は、ＮａＣｌ
中のＢａＢ2 Ｏ4 の溶解度に一致するように選ばれた初
期温度から融剤処理された融成物を冷却する過程を含ん
でいてよい。このような場合、融剤処理された融成物は
約８７０℃から約７７０℃までの範囲の初期温度で約
０．６から約０．８５までのモル比のＮａＣｌと融剤処
理された融成物とを含んでいてよい。
０．８５までのモル比のＮａＣｌ／融剤処理された融成
物を含んでいてよい。徐々に冷却する過程は、ＮａＣｌ
中のＢａＢ2 Ｏ4 の溶解度に一致するように選ばれた初
期温度から融剤処理された融成物を冷却する過程を含ん
でいてよい。このような場合、融剤処理された融成物は
約８７０℃から約７７０℃までの範囲の初期温度で約
０．６から約０．８５までのモル比のＮａＣｌと融剤処
理された融成物とを含んでいてよい。
【００１３】本発明は、溶液からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 の結
晶を成長させる方法であって、ＢａＢ2 Ｏ4 および純Ｎ
ａＣｌ溶剤の混合物を調製する過程と、その融成物を生
成するべく混合物を加熱する過程と、前記融成物を通じ
て特定の熱場条件を維持する過程と、前記融成物のなか
にＢａＢ2 Ｏ4 の種結晶を懸濁させる過程と、種結晶の
上に前記融成物からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく
融成物の温度を徐々に減ずる過程とを含んでいる方法を
も提供する。種結晶を懸濁させる過程は、融成物のなか
で種結晶を回転させる過程をも含んでいてよい。温度を
徐々に減ずる過程は約３℃／日よりも大きくないレート
で前記融成物の温度を徐々に減ずる過程を含んでいてよ
い。
晶を成長させる方法であって、ＢａＢ2 Ｏ4 および純Ｎ
ａＣｌ溶剤の混合物を調製する過程と、その融成物を生
成するべく混合物を加熱する過程と、前記融成物を通じ
て特定の熱場条件を維持する過程と、前記融成物のなか
にＢａＢ2 Ｏ4 の種結晶を懸濁させる過程と、種結晶の
上に前記融成物からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく
融成物の温度を徐々に減ずる過程とを含んでいる方法を
も提供する。種結晶を懸濁させる過程は、融成物のなか
で種結晶を回転させる過程をも含んでいてよい。温度を
徐々に減ずる過程は約３℃／日よりも大きくないレート
で前記融成物の温度を徐々に減ずる過程を含んでいてよ
い。
【００１４】温度を徐々に減ずる過程は、ＮａＣｌ中の
ＢａＢ2 Ｏ4 の溶解度に一致するように選ばれた初期温
度から融成物の温度を減ずる過程を含んでいてよい。融
成物は約０．６から約０．８５までのモル比のＮａＣｌ
と融成物とを含んでいてよい。さらに、温度を徐々に減
ずる過程は、ＮａＣｌと融成物とのモル比と一致する約
８７０℃から約７７０℃までの初期温度から前記融成物
の温度を減ずる過程を含んでいてよい。
ＢａＢ2 Ｏ4 の溶解度に一致するように選ばれた初期温
度から融成物の温度を減ずる過程を含んでいてよい。融
成物は約０．６から約０．８５までのモル比のＮａＣｌ
と融成物とを含んでいてよい。さらに、温度を徐々に減
ずる過程は、ＮａＣｌと融成物とのモル比と一致する約
８７０℃から約７７０℃までの初期温度から前記融成物
の温度を減ずる過程を含んでいてよい。
【００１５】本発明はさらに、β‐ＢａＢ2 Ｏ4 の単結
晶ブールを成長させる方法であって、ＢａＢ2 Ｏ4 およ
び純ＮａＣｌを含む融剤の混合物を調製する過程と、前
記混合物の融成物を形成するべく、また融成物を通じて
特定の熱場条件を維持するべく第１の温度に混合物の温
度を高めるように、炉内に入れられたるつぼのなかで前
記混合物を加熱する過程と、融成物を均質化する過程
と、融成物のなかに種結晶ホルダーの端に取付けられた
β‐ＢａＢ2 Ｏ4 の種結晶を浸漬する過程と、融成物の
なかで種結晶ホルダーおよび種結晶を回転する過程と、
ブールを形成するべく前記種結晶の上に融成物からβ‐
ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく種結晶ホルダーおよび種
結晶を回転し続けながら融成物の温度を徐々に減ずる過
程とを含んでいる方法を提供する。
晶ブールを成長させる方法であって、ＢａＢ2 Ｏ4 およ
び純ＮａＣｌを含む融剤の混合物を調製する過程と、前
記混合物の融成物を形成するべく、また融成物を通じて
特定の熱場条件を維持するべく第１の温度に混合物の温
度を高めるように、炉内に入れられたるつぼのなかで前
記混合物を加熱する過程と、融成物を均質化する過程
と、融成物のなかに種結晶ホルダーの端に取付けられた
β‐ＢａＢ2 Ｏ4 の種結晶を浸漬する過程と、融成物の
なかで種結晶ホルダーおよび種結晶を回転する過程と、
ブールを形成するべく前記種結晶の上に融成物からβ‐
ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく種結晶ホルダーおよび種
結晶を回転し続けながら融成物の温度を徐々に減ずる過
程とを含んでいる方法を提供する。
【００１６】均質化の過程は、第１の温度に融成物の温
度を維持しながら融成物を攪拌する過程と、攪拌を停止
し、同時に第１の温度よりも低い第２の温度に融成物の
温度を減ずる過程とを含んでいてよい。回転の過程は融
成物のなかの方向の規則的反転により種結晶ホルダーお
よび種結晶を回転する過程を含んでいてよい。温度を徐
々に減ずる過程は３℃／日よりも大きくないレートで融
成物の温度を減ずる過程を含んでいてよい。
度を維持しながら融成物を攪拌する過程と、攪拌を停止
し、同時に第１の温度よりも低い第２の温度に融成物の
温度を減ずる過程とを含んでいてよい。回転の過程は融
成物のなかの方向の規則的反転により種結晶ホルダーお
よび種結晶を回転する過程を含んでいてよい。温度を徐
々に減ずる過程は３℃／日よりも大きくないレートで融
成物の温度を減ずる過程を含んでいてよい。
【００１７】本方法は、新たに成長したブールを融成物
から除き、しかし新たに成長したブールを炉のなかに保
つように、るつぼに対して相対的に種結晶ホルダーを移
動させる過程と、周囲温度に炉の温度を減じ、また新た
に成長したブールが熱的に安定化し終わるまで種結晶ホ
ルダーおよび新たに成長したブールを炉のなかに保つ過
程とを含んでいてよい。
から除き、しかし新たに成長したブールを炉のなかに保
つように、るつぼに対して相対的に種結晶ホルダーを移
動させる過程と、周囲温度に炉の温度を減じ、また新た
に成長したブールが熱的に安定化し終わるまで種結晶ホ
ルダーおよび新たに成長したブールを炉のなかに保つ過
程とを含んでいてよい。
【００１８】本方法は、ＮａＣｌ中のＢａＢ2 Ｏ4 の溶
解度に一致するように選ばれた初期温度から融成物の温
度を減ずるように均質化された融成物を冷却する過程を
含んでいてよい。融成物はＮａＣｌと融成物との約０．
６から約０．８５までの範囲内のモル比を含んでいてよ
い。本方法は、融成物の温度をＮａＣｌと融成物とのモ
ル比に一致する約８７０℃から約７７０℃までの温度に
減ずるように均質化された融成物を冷却する過程を含ん
でいてよい。
解度に一致するように選ばれた初期温度から融成物の温
度を減ずるように均質化された融成物を冷却する過程を
含んでいてよい。融成物はＮａＣｌと融成物との約０．
６から約０．８５までの範囲内のモル比を含んでいてよ
い。本方法は、融成物の温度をＮａＣｌと融成物とのモ
ル比に一致する約８７０℃から約７７０℃までの温度に
減ずるように均質化された融成物を冷却する過程を含ん
でいてよい。
【００１９】有利には本発明は、大規模応用のために十
分な寸法および品質のＢＢＯの単結晶を成長させるため
の方法を提供する。さらに、本発明の溶液成長技術はス
ブリアスな核生成を回避し、また溶剤揮発を最小化し
て、最小の混在物および実際的かつ有用な寸法を有する
所望の形状を有するＢＢＯ結晶を得ることができる。
分な寸法および品質のＢＢＯの単結晶を成長させるため
の方法を提供する。さらに、本発明の溶液成長技術はス
ブリアスな核生成を回避し、また溶剤揮発を最小化し
て、最小の混在物および実際的かつ有用な寸法を有する
所望の形状を有するＢＢＯ結晶を得ることができる。
【００２０】
【実施例】以下、典型的な実施例および添付図面により
本発明を詳細に説明する。
本発明を詳細に説明する。
【００２１】図１は本発明のＢＢＯ結晶成長方法を実施
するのに使用される装置１０の概要図である。装置１０
は絶縁された垂直な円筒状の炉キャビティ１４を形成す
るように構成された枠１３と、炉１１の底表面に沿って
延びている底板１６と、炉１１の頂表面に沿って延びて
おり中央開口１７ａを設けられている頂板１７とを有す
る成長炉１１を含んでおり、中央開口１７ａの面積は炉
キャビティ１４の水平断面積とほぼ一致している。枠１
３はたとえば鋼、シリカまたは他の適切な材料の外側層
および絶縁物の内側層を含んでいる多重層であってよ
い。底板１６および頂板１７の双方は鋼、シリカまたは
他の適切な材料から成っていてよい。炉１１は頂板１７
の一部分をカバーする中央開口を設けられている取り外
し可能なセラミック板（図示せず）を有してよい。セラ
ミック板は炉キャビティ１４の加熱を助けるべく加熱要
素を組み入れていてよい。装置１０の炉１１は結晶を成
長させるために使用される任意の商業的に入手可能な炉
であってもよい。
するのに使用される装置１０の概要図である。装置１０
は絶縁された垂直な円筒状の炉キャビティ１４を形成す
るように構成された枠１３と、炉１１の底表面に沿って
延びている底板１６と、炉１１の頂表面に沿って延びて
おり中央開口１７ａを設けられている頂板１７とを有す
る成長炉１１を含んでおり、中央開口１７ａの面積は炉
キャビティ１４の水平断面積とほぼ一致している。枠１
３はたとえば鋼、シリカまたは他の適切な材料の外側層
および絶縁物の内側層を含んでいる多重層であってよ
い。底板１６および頂板１７の双方は鋼、シリカまたは
他の適切な材料から成っていてよい。炉１１は頂板１７
の一部分をカバーする中央開口を設けられている取り外
し可能なセラミック板（図示せず）を有してよい。セラ
ミック板は炉キャビティ１４の加熱を助けるべく加熱要
素を組み入れていてよい。装置１０の炉１１は結晶を成
長させるために使用される任意の商業的に入手可能な炉
であってもよい。
【００２２】炉キャビティ１４は、円筒状であってよ
く、白金から形成されていてよいるつぼ２２と、セラミ
ックであってよいるつぼ支えまたはベース２４とを収容
するべく構成されている。炉キャビティ１４は、ここに
説明するような所望の温度サイクルを生じ、また選定さ
れた熱場条件を維持するように炉１１に熱を与えるべく
相応の温度制御部を有する抵抗コイルヒーターのような
加熱要素（図示せず）をも収容する。温度制御部はセラ
ミック板加熱要素の作動を制御するためにも使用され得
る。炉キャビティ１４は、るつぼ２２を収容するべく内
側キャビティを形成し、るつぼ２２のなかの熱場条件の
一層良好な制御を許す等温熱パイプライナーをも含んで
いてよい。温度制御部は、炉１１の加熱を制御するべく
プログラムされた適当な論理要素または計算機（図示せ
ず）に接続されていてよい。
く、白金から形成されていてよいるつぼ２２と、セラミ
ックであってよいるつぼ支えまたはベース２４とを収容
するべく構成されている。炉キャビティ１４は、ここに
説明するような所望の温度サイクルを生じ、また選定さ
れた熱場条件を維持するように炉１１に熱を与えるべく
相応の温度制御部を有する抵抗コイルヒーターのような
加熱要素（図示せず）をも収容する。温度制御部はセラ
ミック板加熱要素の作動を制御するためにも使用され得
る。炉キャビティ１４は、るつぼ２２を収容するべく内
側キャビティを形成し、るつぼ２２のなかの熱場条件の
一層良好な制御を許す等温熱パイプライナーをも含んで
いてよい。温度制御部は、炉１１の加熱を制御するべく
プログラムされた適当な論理要素または計算機（図示せ
ず）に接続されていてよい。
【００２３】装置１０はさらに、オーバーヘッドアーム
２６ａのなかに収容された可逆電動機（図示せず）から
吊られている回転可能かつ平行移動可能な軸２６をも含
んでいる。軸２６が頂板１７の中央開口１７ａを通じて
炉キャビティ１４のなかへ延びている。軸２６の自由端
はるつぼ２２のなかへ延びている。軸２６はその自由端
に、図２に一層詳細に示されている種結晶ホルダー２７
を有する。ホルダー２７は軸２６に取付けられた少なく
とも１つのロッド２８ａの端部に一体に形成された複数
個の種結晶プラットホーム２８を含んでいる。ホルダー
２７はは１つまたはそれ以上の種結晶および成長した結
晶を保持するべく構成されており、また白金から成って
いてよい。ホルダー２７は軸２６に一体に構成されてい
てもよいし、軸２６に着脱可能に取付けられていてもよ
い。また各プラットホーム２８はたとえばその上にドリ
ルマウントされ得るそれぞれのＢＢＯ結晶を保持するべ
く任意の構成であってよい。
２６ａのなかに収容された可逆電動機（図示せず）から
吊られている回転可能かつ平行移動可能な軸２６をも含
んでいる。軸２６が頂板１７の中央開口１７ａを通じて
炉キャビティ１４のなかへ延びている。軸２６の自由端
はるつぼ２２のなかへ延びている。軸２６はその自由端
に、図２に一層詳細に示されている種結晶ホルダー２７
を有する。ホルダー２７は軸２６に取付けられた少なく
とも１つのロッド２８ａの端部に一体に形成された複数
個の種結晶プラットホーム２８を含んでいる。ホルダー
２７はは１つまたはそれ以上の種結晶および成長した結
晶を保持するべく構成されており、また白金から成って
いてよい。ホルダー２７は軸２６に一体に構成されてい
てもよいし、軸２６に着脱可能に取付けられていてもよ
い。また各プラットホーム２８はたとえばその上にドリ
ルマウントされ得るそれぞれのＢＢＯ結晶を保持するべ
く任意の構成であってよい。
【００２４】熱的に良好に制御された浸漬種結晶により
促進される溶液成長技術により純ＮａＣｌ溶剤を使用す
るＢＢＯ結晶成長方法は優れた光学的品質の大きい混在
物なしのＢＢＯ結晶の良好な成長を可能にすることが見
い出されてきた。このような方法は溶液中のスプリアス
な核生成を回避し、また最小の溶剤揮発を有する。使用
される成長技術は単位式ＭＴｉＯＸＯ4 （ここにＭは
Ｋ、Ｔｉ、Ｒｂまたはそれらの混合物、またＸはＰまた
はＡｓ）を有する化合物の結晶を成長させるのに使用さ
れる米国特許第 4761202号明細書に記載されている技術
と類似であってよい。
促進される溶液成長技術により純ＮａＣｌ溶剤を使用す
るＢＢＯ結晶成長方法は優れた光学的品質の大きい混在
物なしのＢＢＯ結晶の良好な成長を可能にすることが見
い出されてきた。このような方法は溶液中のスプリアス
な核生成を回避し、また最小の溶剤揮発を有する。使用
される成長技術は単位式ＭＴｉＯＸＯ4 （ここにＭは
Ｋ、Ｔｉ、Ｒｂまたはそれらの混合物、またＸはＰまた
はＡｓ）を有する化合物の結晶を成長させるのに使用さ
れる米国特許第 4761202号明細書に記載されている技術
と類似であってよい。
【００２５】本発明に従って行われる方法を使用して、
ＢＢＯ結晶が先ず測定された量の塩化ナトリウム（Ｎａ
Ｃｌ）をバリウムホウ酸塩溶液に加えることにより製造
された。溶液は混合され、固体がすべて溶液中にある温
度に加熱され、また次いで日の周期にわたり実質的によ
り低い温度に徐々に冷却された。本方法中のすべての時
点で、溶液に対する特定の熱場条件が良好に制御され、
かつ維持された。ＢＢＯ結晶が続いて回収された。
ＢＢＯ結晶が先ず測定された量の塩化ナトリウム（Ｎａ
Ｃｌ）をバリウムホウ酸塩溶液に加えることにより製造
された。溶液は混合され、固体がすべて溶液中にある温
度に加熱され、また次いで日の周期にわたり実質的によ
り低い温度に徐々に冷却された。本方法中のすべての時
点で、溶液に対する特定の熱場条件が良好に制御され、
かつ維持された。ＢＢＯ結晶が続いて回収された。
【００２６】一層詳細には、９６３．８ｇの粉末上記Ｂ
ａＣＯ3 、３４２．５ｇの粉末状のＢ2 Ｏ3 および１１
４０．６ｇの粉末状のＮａＣｌの混合物が１時間にわた
りボールミルされた。粉末状の混合物は１３．０ｃｍ直
径、９．９ｃｍ高さの円筒状の２つの白金るつぼのなか
へ注がれ、るつぼは次いでマッフル炉のなかに置かれ
た。マッフル炉の内部温度は９００℃であった。２４時
間の後に、炉は１８時間中に周囲温度に冷却され、また
るつぼがマッフル炉から取り出された。形成された固体
はるつぼから取り出され、また他のるぼのなかの固体に
加えられた。
ａＣＯ3 、３４２．５ｇの粉末状のＢ2 Ｏ3 および１１
４０．６ｇの粉末状のＮａＣｌの混合物が１時間にわた
りボールミルされた。粉末状の混合物は１３．０ｃｍ直
径、９．９ｃｍ高さの円筒状の２つの白金るつぼのなか
へ注がれ、るつぼは次いでマッフル炉のなかに置かれ
た。マッフル炉の内部温度は９００℃であった。２４時
間の後に、炉は１８時間中に周囲温度に冷却され、また
るつぼがマッフル炉から取り出された。形成された固体
はるつぼから取り出され、また他のるぼのなかの固体に
加えられた。
【００２７】固体で満たされたるつぼ２２は次いで上記
のように成長炉１１のなかに導かれ、またるつぼベース
２４の上に置かれた。成長炉１１は１８時間にわたり９
００℃に加熱された。回転可能かつ平行移動可能な軸２
６の端に取付けられた白金攪拌パドル（図示せず）が炉
キャビティ１４の頂における開口１７ａを通じて液体中
に導入された。パドルは液体の温度が９００℃に維持さ
れる２４時間にわたり２５ｒｐｍで液体中で回転され
た。パドルが液体から取り出され、また炉温度が次いで
１時間の周期にわたって７９９℃の初期成長温度に高め
られた。
のように成長炉１１のなかに導かれ、またるつぼベース
２４の上に置かれた。成長炉１１は１８時間にわたり９
００℃に加熱された。回転可能かつ平行移動可能な軸２
６の端に取付けられた白金攪拌パドル（図示せず）が炉
キャビティ１４の頂における開口１７ａを通じて液体中
に導入された。パドルは液体の温度が９００℃に維持さ
れる２４時間にわたり２５ｒｐｍで液体中で回転され
た。パドルが液体から取り出され、また炉温度が次いで
１時間の周期にわたって７９９℃の初期成長温度に高め
られた。
【００２８】それぞれ約１．０×０．５×０．５ｃｍ3
の２つのＢＢＯ種結晶がドリルされ、また軸２６に取付
けられた白金ロッド２８ａの端の２つのプラットホーム
２８の上に取付けられた。ＢＢＯ種結晶は炉１１のなか
へ導入され、またるつぼ２２中の液体の体積の中心に浸
漬された。炉１１の温度は１．０℃／日のレートで連続
的に減ずるように設定された。ＢＢＯ種結晶は最初に３
０ｒｐｍで液体中で回転され、また回転方向が２．５回
転ごとに反転された。１２日の後に、プラットホーム２
８が１０ｃｍ引っ込められ、また炉１１の温度が１０℃
／時のレートで周囲温度に下げられた。プラットホーム
２８は次いで炉１１から完全に取り出された。すべての
時点で温度制御部が混合物を通じて選定された熱場条
件、たとえば等温条件または空間的に等温条件（融成物
のなかの任意の２点間の温度の最大差がたとえば約２℃
よりも大きくない）が維持された。
の２つのＢＢＯ種結晶がドリルされ、また軸２６に取付
けられた白金ロッド２８ａの端の２つのプラットホーム
２８の上に取付けられた。ＢＢＯ種結晶は炉１１のなか
へ導入され、またるつぼ２２中の液体の体積の中心に浸
漬された。炉１１の温度は１．０℃／日のレートで連続
的に減ずるように設定された。ＢＢＯ種結晶は最初に３
０ｒｐｍで液体中で回転され、また回転方向が２．５回
転ごとに反転された。１２日の後に、プラットホーム２
８が１０ｃｍ引っ込められ、また炉１１の温度が１０℃
／時のレートで周囲温度に下げられた。プラットホーム
２８は次いで炉１１から完全に取り出された。すべての
時点で温度制御部が混合物を通じて選定された熱場条
件、たとえば等温条件または空間的に等温条件（融成物
のなかの任意の２点間の温度の最大差がたとえば約２℃
よりも大きくない）が維持された。
【００２９】プラットホーム２８の上に成長したＢＢＯ
結晶はそれぞれ約５．０×３．０×３．０ｃｍ3 の寸法
であった。さらに、２．０×２．０×０．５ｃｍ3 とい
う大きい寸法のきずのない完全な範囲が続いてこれらの
結晶からカットされた。ＮａＣｌと融剤処理された融成
物（たとえばＮａＣｌ溶剤とバリウムホウ酸塩溶液との
混合物）とのモル比は７９９℃の初期成長温度に対して
約０．８２７であった。同様のＢＢＯ結晶が、約８７０
℃から約７７０℃までの範囲の相応の初期成長温度に対
して約０．６から約０．８５までのＮａＣｌと融剤処理
された融成物とのモル比を使用する方法によっても成長
した。
結晶はそれぞれ約５．０×３．０×３．０ｃｍ3 の寸法
であった。さらに、２．０×２．０×０．５ｃｍ3 とい
う大きい寸法のきずのない完全な範囲が続いてこれらの
結晶からカットされた。ＮａＣｌと融剤処理された融成
物（たとえばＮａＣｌ溶剤とバリウムホウ酸塩溶液との
混合物）とのモル比は７９９℃の初期成長温度に対して
約０．８２７であった。同様のＢＢＯ結晶が、約８７０
℃から約７７０℃までの範囲の相応の初期成長温度に対
して約０．６から約０．８５までのＮａＣｌと融剤処理
された融成物とのモル比を使用する方法によっても成長
した。
【００３０】もし所望であれば、融剤処理された融成物
を冷却するレートは約０．５℃／日に減ずることができ
る。またより大きいシステムに対しては、またより大き
い寸法の結晶を得るためには、融剤処理された融成物を
冷却するレートは約３℃／日まで増すことができる。
を冷却するレートは約０．５℃／日に減ずることができ
る。またより大きいシステムに対しては、またより大き
い寸法の結晶を得るためには、融剤処理された融成物を
冷却するレートは約３℃／日まで増すことができる。
【００３１】ここに記載した実施例は単に本発明の原理
を示すためのものである。種々の変形が本発明の範囲内
で当業者により行われ得る。たとえば、本発明の方法は
ＢＢＯ結晶を成長させるのに上記の装置とは異なる装置
を利用し得る。また、本発明の方法はＢＢＯ結晶を成長
させるのに、他の浸漬された種結晶により促進される溶
液成長技術を利用し得る。
を示すためのものである。種々の変形が本発明の範囲内
で当業者により行われ得る。たとえば、本発明の方法は
ＢＢＯ結晶を成長させるのに上記の装置とは異なる装置
を利用し得る。また、本発明の方法はＢＢＯ結晶を成長
させるのに、他の浸漬された種結晶により促進される溶
液成長技術を利用し得る。
【００３２】さらに、温度制御部は混合物を通じて、予
め定められ固定され、または時間と共に変化し得る（融
成物中の選定された温度勾配のような）任意の特定の熱
場条件を維持し得る。さらにＮａＣｌと融剤処理された
融成物との他のモル比および相応の初期成長温度が使用
され得る。
め定められ固定され、または時間と共に変化し得る（融
成物中の選定された温度勾配のような）任意の特定の熱
場条件を維持し得る。さらにＮａＣｌと融剤処理された
融成物との他のモル比および相応の初期成長温度が使用
され得る。
【図１】本発明のＢＢＯ結晶成長方法を実施するのに使
用される装置の概要図。
用される装置の概要図。
【図２】本発明のＢＢＯ結晶成長方法を実施するのに図
１の装置と共に使用されるＢＢＯ種結晶ホルダープラッ
トホームの概要図。
１の装置と共に使用されるＢＢＯ種結晶ホルダープラッ
トホームの概要図。
１０ 装置 １１ 成長炉 １３ 絶縁枠 １４ 炉キャビティ １６ 底板 １７ 頂板 ２２ るつぼ ２４ るつぼ支え ２６ 軸 ２７ 種結晶ホルダー ２８ プラットホーム ３０ ＢＢＯ結晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジヨージ デイル カルヴアート アメリカ合衆国 94087 カリフオルニア サニーヴエイル ハムシヤイアーコート 1079
Claims (20)
- 【請求項１】 溶液からベータバリウムホウ酸塩（β‐
ＢａＢ2 Ｏ4 ）の結晶を成長させるための方法におい
て、 ａ) ＢａＢ2 Ｏ4 溶液および純ＮａＣｌ溶剤の混合物を
調製する過程と、 ｂ）その融成物を生成させるべく前記混合物を加熱する
過程と、 ｃ）前記融成物のなかにＢａＢ2 Ｏ4 の種結晶を懸濁さ
せる過程と、 ｄ）前記融成物を通じて特定の熱場条件を維持する過程
と、 ｅ）前記種結晶の上に前記融成物からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4
を結晶させるべく前記融成物の温度を徐々に減ずる過程
とを含んでいることを特徴とするベータバリウムホウ酸
塩の結晶成長方法。 - 【請求項２】 前記融成物が約０．６から約０．８５ま
でのモル比のＮａＣｌと融成物とを含んでいることを特
徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記融成物のなかにＢａＢ2 Ｏ4 の種結
晶を懸濁させる過程が、前記融成物のなかで種結晶を回
転させる過程を含んでいることを特徴とする請求項１記
載の方法。 - 【請求項４】 前記融成物の温度を徐々に減ずる過程が
約３℃／日よりも大きくないレートで前記融成物の温度
を徐々に減ずる過程を含んでいることを特徴とする請求
項１記載の方法。 - 【請求項５】 前記融成物の温度を徐々に減ずる過程
が、ＮａＣｌ中のＢａＢ2 Ｏ4 の溶解度に一致するよう
に選ばれた初期温度から前記融成物の温度を減ずる過程
を含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記融成物が約０．６から約０．８５ま
でのモル比のＮａＣｌと融成物とを含んでおり、また前
記融成物の温度を徐々に減ずる過程が、ＮａＣｌと融成
物とのモル比と一致する約８７０℃から約７７０℃まで
の初期温度から前記融成物の温度を減ずる過程を含んで
いることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項７】 ＮａＣｌの融剤処理された融成物からβ
‐ＢａＢ2 Ｏ4 の結晶を成長させるための方法におい
て、 ａ）前記融成物を通じて特定の熱場条件を維持する過程
と、 ｂ）前記融成物からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく
前記融成物の温度を徐々に冷却する過程とを含んでいる
ことを特徴とするベータバリウムホウ酸塩の結晶成長方
法。 - 【請求項８】 徐々に冷却する過程が約３℃／日よりも
大きくないレートで前記の融剤処理された融成物を冷却
する過程を含んでいることを特徴とする請求項７記載の
方法。 - 【請求項９】 前記の融剤処理された融成物のなかにＢ
ａＢ2 Ｏ4 の種結晶を懸濁させて、前記種結晶の上に前
記融成物からβ‐ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させる過程を含ん
でいることを特徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項１０】 徐々に冷却する過程が、ＮａＣｌ中の
ＢａＢ2 Ｏ4 の溶解度に一致するように選ばれた初期温
度から前記の融剤処理された融成物を冷却する過程を含
んでいることを特徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項１１】 前記の融剤処理された融成物が約０．
６から約０．８５までのモル比のＮａＣｌと融剤処理さ
れた融成物とを含んでいることを特徴とする請求項１１
記載の方法。 - 【請求項１２】 前記の融剤処理された融成物が約０．
６から約０．８５までのモル比のＮａＣｌと融剤処理さ
れた融成物とを含んでおり、また初期温度がＮａＣｌと
融成物とのモル比と一致する約８７０℃から約７７０℃
までにわたっていることを特徴とする請求項１１記載の
方法。 - 【請求項１３】 β‐ＢａＢ2 Ｏ4 の単結晶ブールの成
長方法において、 ａ）ＢａＢ2 Ｏ4 および純ＮａＣｌを含む融剤の混合物
を調製する過程と、 ｂ）前記混合物の融成物を形成するべく、また融成物を
通じて特定の熱的、空間的条件を維持するべく第１の温
度に混合物の温度を高めるように、炉内に入れられたる
つぼのなかで前記混合物を加熱する過程と、 ｃ）融成物を均質化する過程と、 ｄ）融成物のなかに種結晶ホルダーの端に取付けられた
β‐ＢａＢ2 Ｏ4 の種結晶を浸漬する過程と、 ｅ）融成物のなかで種結晶ホルダーおよび種結晶を回転
する過程と、 ｆ）ブールを形成するべく前記種結晶の上に融成物から
β‐ＢａＢ2 Ｏ4 を結晶させるべく種結晶ホルダーおよ
び種結晶を回転し続けながら融成物の温度を徐々に減ず
る過程とを含んでいることを特徴とするβ‐ＢａＢ2 Ｏ
4 の単結晶ブールの成長方法。 - 【請求項１４】 融成物を均質化する過程が、 ａ）第１の温度に融成物の温度を維持しながら融成物を
攪拌する過程と、 ｂ）攪拌を停止し、同時に第１の温度よりも低い第２の
温度に融成物の温度を減ずる過程とを含んでいることを
特徴とする請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 回転の過程が融成物のなかの方向の規
則的反転により種結晶ホルダーおよび種結晶を回転する
過程を含んでいることを特徴とする請求項１３記載の方
法。 - 【請求項１６】 ａ）新たに成長したブールを融成物か
ら取り出し、しかし新たに成長したブールを炉のなかに
保つように、るつぼに対して相対的に種結晶ホルダーを
移動させる過程と、 ｂ）周囲温度に炉の温度を減じ、また新たに成長したブ
ールが熱的に安定化するまで種結晶ホルダーおよび新た
に成長したブールを炉のなかに保つ過程とを含んでいる
ことを特徴とする請求項１３記載の方法。 - 【請求項１７】 融成物がＮａＣｌと融成物との約０．
６から約０．８５までの範囲内のモル比を含んでいるこ
とを特徴とする請求項１３記載の方法。 - 【請求項１８】 ＮａＣｌ中のＢａＢ2 Ｏ4 の溶解度に
一致するように選ばれた初期温度から融成物の温度を減
ずるように均質化された融成物を冷却する過程を含んで
いることを特徴とする請求項１３記載の方法。 - 【請求項１９】 融成物がＮａＣｌと融成物との約０．
６から約０．８５までの範囲内のモル比を含んでおり、
また融成物の温度をＮａＣｌと融成物とのモル比に一致
する約８７０℃から約７７０℃までの温度に減ずるよう
に均質化された融成物を冷却する過程を含んでいること
を特徴とする請求項１３記載の方法。 - 【請求項２０】 融成物の温度を徐々に減ずる過程が３
℃／日よりも大きくないレートで融成物の温度を減ずる
過程を含んでいることを特徴とする請求項１３記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/838628 | 1992-02-19 | ||
| US07/838,628 US5343827A (en) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | Method for crystal growth of beta barium boratean |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0656590A true JPH0656590A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=25277634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5050166A Pending JPH0656590A (ja) | 1992-02-19 | 1993-02-15 | ベータバリウムホウ酸塩の結晶成長方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5343827A (ja) |
| EP (1) | EP0573738A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0656590A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5833939A (en) * | 1996-12-03 | 1998-11-10 | National Research Institute For Metals | Ba(B1- x Mx)2 O4 single crystal and synthesis thereof |
| JP4614478B2 (ja) * | 1998-02-06 | 2011-01-19 | ソニー株式会社 | 単結晶育成装置 |
| DE60013451T2 (de) * | 1999-05-22 | 2005-10-13 | Japan Science And Technology Agency, Kawaguchi | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von hochqualitativen einkristallen |
| CN102828246B (zh) * | 2011-06-15 | 2014-12-10 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种氟硼铍酸锶钠非线性光学晶体及生长方法和用途 |
| CN102839421B (zh) * | 2011-06-21 | 2015-06-10 | 中国科学院理化技术研究所 | 可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途 |
| CN102383182A (zh) * | 2011-10-23 | 2012-03-21 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种减少bbo晶体中心包络的熔盐生长法 |
| US20130309472A1 (en) | 2011-11-04 | 2013-11-21 | University Of Houston System | System and Method for Monolithic Crystal Growth |
| CN103147116A (zh) * | 2013-04-03 | 2013-06-12 | 江南大学 | 一种晶体连续培养及过滤系统 |
| CN104178811B (zh) * | 2013-05-21 | 2017-02-08 | 中国科学院理化技术研究所 | 氟硼硝酸钾、氟硼硝酸钾非线性光学晶体及制法和用途 |
| CN110042463A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-07-23 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种bbo晶体增厚的生长方法 |
| CN111501096B (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-10 | 眉山博雅新材料有限公司 | 一种晶体制备装置 |
| EP4130349A4 (en) | 2020-05-06 | 2023-10-18 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | CRYSTAL PRODUCTION APPARATUS AND GROWTH METHOD |
| WO2024147962A1 (en) * | 2023-01-06 | 2024-07-11 | U.S. Borax Inc. | Process for borate crystallization and composition |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4761202A (en) * | 1986-05-30 | 1988-08-02 | U.S. Philips Corporation | Process for crystal growth of KTiOPO4 from solution |
| JPS63215598A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 低温相硼酸バリウム単結晶の育成方法 |
| US4793894A (en) * | 1987-03-10 | 1988-12-27 | North American Philips Corporation | Process for crystal growth from solution |
| US4931133A (en) * | 1988-01-29 | 1990-06-05 | Allied-Signal Inc. | High temperature solution growth of barium borate (β-BaB2 O4) |
| JPH03279298A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-10 | Osamu Shimomura | ＮａＣ１を融剤とするβ―ＢａＢ↓２Ｏ↓４単結晶の育成法 |
-
1992
- 1992-02-19 US US07/838,628 patent/US5343827A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-15 JP JP5050166A patent/JPH0656590A/ja active Pending
- 1993-02-15 EP EP93102342A patent/EP0573738A3/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0573738A2 (en) | 1993-12-15 |
| US5343827A (en) | 1994-09-06 |
| EP0573738A3 (en) | 1996-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0252537B1 (en) | Process for crystal growth of ktiopo4 from solution | |
| Chani et al. | Growth of Y3Al5O12: Nd fiber crystals by micro-pulling-down technique | |
| Kouta et al. | β-BaB2O4 single crystal growth by Czochralski method. II | |
| US20030089307A1 (en) | Method and device for growing large-volume oriented monocrystals | |
| US5343827A (en) | Method for crystal growth of beta barium boratean | |
| CN105734668B (zh) | 一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法 | |
| Tang et al. | A study on growth of β-BaB2O4 crystals | |
| US4793894A (en) | Process for crystal growth from solution | |
| Kozuki et al. | Metastable crystal growth of the low temperature phase of barium metaborate from the melt | |
| Zhang et al. | Growth and properties of K2Al2B2O7 crystal | |
| Aggarwal et al. | Czochralski and modified Bridgman-Stockbarger growth of pure, Cd2+ and Nd3+ doped benzil single crystals | |
| US3939252A (en) | Dilithium heptamolybdotetragadolinate | |
| Bordui et al. | Process for crystal growth of KTiOPO 4 from solution | |
| JP2004203721A (ja) | 単結晶成長装置および成長方法 | |
| Morris et al. | High temperature solution growth of yttrium aluminium garnet crystals using accelerated crucible rotation | |
| US3428438A (en) | Potassium tantalate niobate crystal growth from a melt | |
| KR100276969B1 (ko) | 포타시움니오베이트용융액혼합장치와이를이용한포타시움니오베이트단결정제조방법 | |
| Elwell | Fundamentals of flux growth | |
| RU2262556C1 (ru) | Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития | |
| Kokh et al. | Growth of bulk β-BaB 2 O 4 crystals of high optical quality in the BaB 2 O 4-NaBaBO 3 system | |
| JP6401673B2 (ja) | 単結晶成長方法およびその装置 | |
| Hutton et al. | Growth Studies and X-Ray Topographical Assessment of KTP | |
| Wang et al. | Application of a novel technique for growing BTO and KTN crystals | |
| JPH0948697A (ja) | リチウムトリボレート単結晶の製造方法 | |
| JP2535773B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法とその装置 |