CN102383182A - 一种减少bbo晶体中心包络的熔盐生长法 - Google Patents

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陈伟
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Abstract

一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，采用旋转式熔盐生长炉，所述旋转式熔盐生长炉的炉丝非均匀分布，通过旋转加热得到不对称温场，加强熔体对流，解决BBO晶体中心包络问题。

Description

一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法
技术领域
本发明涉及晶体生长领域，特别是一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法。
背景技术
低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。本发明
虽然该晶体具有优异的性能，但是实际晶体生长想要得到大尺寸优质的晶体毛坯并不容易，晶体中存在一些质量问题：主要有中间包络、气泡、生长纹等。
本发明采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，通过改进生长工艺，采用旋转炉，改变温场分布形式，有效解决中间包络问题。
发明内容
本发明的目的是探究一种解决BBO晶体中间包络问题的方法。
为解决BBO晶体中间包络问题，本发明通过如下方式实现：采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，采用旋转式熔盐生长炉，旋转式熔盐生长炉的炉丝非均匀缝补，通过炉管四分之一不绕炉丝，旋转加热得到不对称温场，加强熔体对流，解决BBO晶体中心包络问题。
具体实施方式
实施例一：称取一定量的碳酸钡、硼酸和氟化钠，满足BaB2O4:NaF=2:1（摩尔比）于原料桶中混匀。将混好的料于1000℃的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入铂金坩锅置于旋转炉中，升温至980℃，恒温18h，而后在饱和温度以上10℃下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面，10r/min转动，半小时之后降7℃，晶体开始生长，以后每天0.1℃/h降温，直至晶体快至坩埚壁停止籽晶杆旋转，炉子开始以5r/min旋转，继续降温生长。降温至800℃，生长结束，提起晶体，以50℃/h退火至室温，得到中间无包络的晶体。

Claims (1)

1.一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法，采用碳酸钡和硼酸为原料，氟化钠为助熔剂，使用旋转式熔盐炉加热，其特征在于：所述旋转式熔盐炉的炉丝非均匀分布。
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