RU2262556C1 - Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития - Google Patents

Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития Download PDF

Info

Publication number
RU2262556C1
RU2262556C1 RU2004107419/15A RU2004107419A RU2262556C1 RU 2262556 C1 RU2262556 C1 RU 2262556C1 RU 2004107419/15 A RU2004107419/15 A RU 2004107419/15A RU 2004107419 A RU2004107419 A RU 2004107419A RU 2262556 C1 RU2262556 C1 RU 2262556C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
moo
temperature
furnace
crystals
crystal
Prior art date
Application number
RU2004107419/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Л.Л. Пыльнева (RU)
Л.Л. Пыльнева
Н.А. Пыльнева (RU)
Н.А. Пыльнева
Н.Л. Циркина (RU)
Н.Л. Циркина
Original Assignee
Пыльнева Лада Леонидовна
Пыльнева Нинель Алексеевна
Циркина Наталья Леонидовна
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34975613&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2262556(C1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Пыльнева Лада Леонидовна, Пыльнева Нинель Алексеевна, Циркина Наталья Леонидовна filed Critical Пыльнева Лада Леонидовна
Priority to RU2004107419/15A priority Critical patent/RU2262556C1/ru
Priority to PCT/RU2005/000142 priority patent/WO2005087984A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2262556C1 publication Critical patent/RU2262556C1/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано в лазерной технике при изготовлении преобразователей частоты лазерного излучения. Готовят шихту состава, определенного областью АВС диаграммы трехкомпонентной смеси Li2О-В2О3-МоО3, где координаты составов определены следующими точками, мол. доли: A: Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16; B: Li2O - 0,20; В2O3 - 0,20; МоО3 - 0,60; С: Li2O - 0,3; В2О3 - 0,13; МоО3 - 0,57. Шихту перемешивают и загружают в печь с двумя и более зонами нагрева. Расплавление ведут порциями при 850°С. Раствор-расплав выдерживают при перемешивании, затем охлаждают до температуры на 5°С выше температуры насыщения, вносят затравку и выращивают кристалл при снижении температуры путем управления скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста кристалла. Скорость снижения температуры на различных зонах печи может быть одинаковой (синхронный принцип) или различной (асинхронный принцип). Получают совершенные кристаллы массой не менее 400 г с незначительными включениями в периферийной зоне. До 90% общего объема кристалла пригодно для использования в нелинейной оптике. 5 ил.

Description

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов, используемых в лазерной технике, в частности в преобразователях частоты лазерного излучения, и может быть использовано для получения нелинейно-оптического монокристалла трибората лития LiB3О5 (LBO).
Монокристалл трибората лития LiB3O5 (LBO) является одним из наиболее распространенных кристаллов для преобразования в видимой области и области ближнего ультрафиолета. Триборат лития обладает уникальным набором нелинейно-оптических свойств. В их числе следует отметить относительно высокий коэффициент преобразования, высокую лучевую стойкость >10 ГВт/см2 при λ=1,06 мкм и τ=1 нс, большой диапазон прозрачности (от 160 до 2600 нм), что обусловливает его предпочтительное использование для генерации второй и третьей гармоник излучения АИГ-Nd (алюмоиттриевый гранат с ниодимом) лазеров (λ=1,06 мкм) с высокой мощностью. Кристалл LBO обладает хорошими механическими свойствами и химически устойчив, что облегчает процесс оптической обработки.
Для получения высоких коэффициентов преобразования в лазерных системах используются нелинейно-оптические элементы длиной до 70 мм, а для лазеров с высокой мощностью необходимы элементы с большой апертурой (до 20×20 мм). При этом к самому кристаллу предъявляются жесткие технические требования. Возникает необходимость в получении крупных кристаллов LBO с хорошими оптическими характеристиками (отсутствие ростовых полос, минимальное количество включений и дислокации).
Известен ряд работ по выращиванию кристаллов трибората лития из раствор-расплава с использованием окиси молибдена методом снижения температуры, обеспечивающих получение кристаллов, пригодных для изготовления оптических элементов. Например, известен способ выращивания кристаллов LBO из тигля диаметром 88 мм методом снижения температуры из состава с содержанием окиси молибдена МоО3 44,5 вес.% с вращением тигля или кристалла. При этом получены кристаллы с сегментом, свободным от трещин и включений размерами в мм: 20·10·8. (C.Parfeniuk, I.V.Samarasekera, F.Weinberg, J.Edel, K.Fjeldsted, B.Lent. Growth of lithium triborate crystals, J.of Crystal Growth, 158(1996) 523-533).
Известен также способ получения кристаллов LBO (C.Chen, Y.Wu, A.Jiang, B.Wu, G.You, R.Li and S.Lin US Patent №4826283, Int. C 17 G 02 B 6/10, H 01 F 7/0, pabl. 2.05.89) в системе Li2O - В2О3 - МоО3, включающий растворение исходных материалов Li2СО3 (46,4 г), Н3ВО3 (203,9 г) и МоО3 (158,3 г) и рост методом снижения температуры от 670 до 580°С со скоростью 5°/сутки из Pt тигля диаметром 50 мм и высотой 50 мм. Выращенный кристалл поднимали из расплава и затем охлаждали до комнатной температуры со скоростью 100°С/час. Полученные кристаллы имели размеры в мм: 20·35·9. Во время роста затравка вращалась со скоростью 30 об/мин.
В то же время при проведении выращивания из окиси молибдена невозможно получить кристаллы большого размера с хорошими оптическими характеристиками, так как при низкой концентрации МоО3 расплав обладает большой вязкостью, что затрудняет конвекцию в расплаве и приводит к образованию включений, а при увеличении концентрации МоО3 рост практически ограничивается эвтектической точкой 61,5 вес % МоО3.
Наиболее близким к изобретению (прототипом) является способ получения кристаллов LBO из раствор-расплава в системе Li2O - В2O3 - МоО3, взятый в качестве прототипа, включающий растворение исходных материалов Li2СО3, Н3ВО3 и МоО3 и рост кристалла методом снижения температуры от 750-790°С до 690-720°С со скоростью 1-2°С в сутки при его вытягивании со скоростью 0,3-1,3 мм/сутки (см. патент РФ №2112820 «Способ выращивания монокристаллов трибората лития», 1998 г.).
При этом при получении расплава в системе Li2O - В2О3 - МоО3 происходят известные реакции разложения реактивов Li2СО3, Н3ВО3 и МоО3. Выращивание производится из расплава, состав которого определен областью ABCD диаграммы трехкомпонентной системы; координаты системы определены точками, мол.доли:
А: Li2O - 0,18; В2O3 - 0,51; МоО3 - 0,31;
B: Li2O - 0,17; B2O3 - 0,83; МоО3 - 0;
С: Li2O - 0,04; В2O3 - 0,21; МоО3 - 0,75;
D: Li2O - 0,28; В2O3 - 0,07; МоО3 - 0,65.
Указанная область кристаллизации не обеспечивает возможность выращивания кристаллов достаточного размера хорошего оптического качества. Область точек А и В содержит большое количество оксида бора (В2O3), что затрудняет рост из-за большой вязкости расплава и приводит к образованию включений. Составы в области точек С и D содержат малое количество основного вещества, что не позволяет вырастить кристаллы большого размера. Область, прилегающая к разрезу ВС, находится вблизи эвтектической точки состава LiB3O5 - МоО3, что ограничивает рост кристалла. Высокая вязкость расплавов боратных соединений затрудняет массоперенос и приводит к концентрационному переохлаждению на фронте кристаллизации. При больших скоростях роста (1-2°С/сутки) это приводит к захвату растворителя и образованию включений.
При проведении процесса с вытягиванием из расплава рост производится в условиях высоких градиентов, что при анизотропии коэффициента температурного расширения кристалла в различных направлениях приводит к появлению напряжений и ведет к растрескиванию кристалла большого размера.
Максимальные размеры кристаллов не превышали, мм: 49·52·45, что не давало возможности получения оптических элементов размером, мм: более (5-15)·(5-15)·(5-30).
Задачей, решаемой настоящим изобретением, является устранение указанных недостатков, препятствующих выращиванию крупных кристаллов LBO высокого оптического качества.
Указанная задача в способе выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития, включающем получение кристалла трибората лития из раствор-расплава в системе Li2O - В2O3 - МоО3 на затравку, путем снижения температуры расплава, достигается тем, что выращивание ведут из состава, который определен областью АВС диаграммы трехкомпонентной системы Li2O - В2О3 - МоО3 в печи с двумя и более зонами нагрева и управлением скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста в течение процесса, при этом координаты составов определены следующими точками, мол.доли:
A: Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16;
В: Li2O - 0,20; В2O3 - 0,20; МоО3 - 0,60;
С: Li2O - 0,30; В2O3 - 0,13; МоО3 - 0,57.
Указанная область кристаллизации трибората лития из трехкомпонентной системы содержит высокую концентрацию основного вещества и позволяет выращивать кристаллы достаточного размера и избежать кристаллизации и сокристаллизации боратов состава Li2B4O7, Li2B8O13 и т.д. Использование полимолибдатов лития обеспечивают понижение вязкости раствор-расплава, увеличивает конвекцию в расплаве и приток основного вещества к фронту кристаллизации, что позволяет увеличить процент выхода годного материала без включений.
Использование печи с двумя и более зонами нагрева и управлением скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи позволяет с большой точностью поддерживать стабильные условия на фронте кристаллизации, необходимые для формирования бездефектного кристалла.
Для обеспечения контроля за продвижением изотермы плавления в течение всего процесса роста кристалла и предотвращения концентрационного переохлаждения на фронте кристаллизации, что обеспечивает рост совершенных кристаллов, применяется управление скоростями снижения температуры, которое осуществляется как синхронно, так и асинхронно.
Синхронный принцип осуществляется путем снижения температуры с одинаковой скоростью на различных зонах нагревателя печи и дает возможность вырастить кристалл, вытянутый в радиальном направлении относительно тигля.
Асинхронный принцип осуществляется путем снижения температуры с различными скоростями на различных зонах нагревателя печи и дает возможность вырастить кристалл, вытянутый в аксиальном (осевом) направлении относительно тигля.
Для получения кристаллов весом около 400 г возможно использование двухзонной печи с управляемым температурным профилем.
Для получения больших кристаллов (весом более 600 г) необходимо использование трех и более зонной печи с управляемым температурным профилем.
Заявляемое изобретение позволяет получать крупные кристаллы LBO с хорошими оптическими характеристиками (отсутствие ростовых полос, минимальное количество включений и дислокации) и не имеет аналогов среди известных способов, а значит, соответствует критерию «изобретательский уровень».
Данное изобретение поясняется на фиг.1-5.
На фиг.1 представлена диаграмма трехкомпонентной системы Li2O - В2O3 - МоО3, где 1 - треугольник АВС, означающий область роста LBO, 2 - выбранная точка в треугольнике АВС, взятая в качестве состава для роста в примерах 1-3.
На фиг.2 представлена схема двухзонной печи, где 3 - корпус печи с нагревателями; 4 - тигель; 5 - раствор-расплав; 6 - затравкодержатель; 7 - затравка (кристалл); 8 - нагреватель верхней зоны; 9 - нагреватель нижней зоны.
На фиг.3 представлена схема трехзонной печи, где 8 - нагреватель верхней зоны; 9 - нагреватель нижней зоны зоны; 10 - нагреватель средней зоны.
На фиг.4 представлены графики синхронного снижения температуры в процессе роста кристалла, где 11 - график снижения температуры нагревателя верхней зоны печи; 12 - график снижения температуры нагревателя нижней зоны печи.
На фиг.5 представлены графики асинхронного снижения температуры в процессе роста кристалла, где 13 - график снижения температуры нагревателей верхней и средней зон печи; 14 - график снижения температуры нагревателя нижней зоны печи.
Заявляемый способ осуществляется следующим образом. На диаграмме (см.фиг.1, позиция 1) выбирается состав в любой из точек 2 треугольника АВС. Навески исходных реактивов механически перемешиваются в стеклянных емкостях. Смесь загружается и расплавляется порциями в тигле 4 в печи 3 (см.фиг.2, 3). Далее расплав выдерживается для гомогенизации при 950°С в течение суток и двое суток при температуре 850°С перемешивается механической мешалкой. Затем расплав охлаждается до температуры на 5°С выше температуры насыщения, в расплав вносится затравка 7 на платиновом стержне 6 и начинается рост кристалла методом снижения температуры. После окончания процесса выращивания кристалл поднимается из расплава и охлаждается до комнатной температуры со скоростью 20-30°/час.
Варианты реализации заявляемого способа приведены в примерах 1-3.
Пример 1. Рассматривается вариант реализации заявляемого способа в однозонной печи. Естественным условием получения больших кристаллов является использование печей и тиглей большого диаметра. В случае проведения роста в однозонной печи большого диаметра управление тепловым полем затруднено, и в результате опытов отмечено возникновение ростовой полосчатости, что делает материал непригодным для использования в нелинейной оптике. Так, для получения кристалла LBO использован раствор-расплав, состав которого внутри области АВС содержит Li2O - 0,25; В2О3 - 0,30; МоО3 - 0,45 мольных долей. Навески исходных реактивов составили Li2СО3 - 442,8 г, В2О3 - 501,4 г, МоО3 - 1555,8 г. Шихта механически перемешивалась в стеклянных емкостях. Смесь загружалась и расплавлялась порциями в тигле объемом 1800 см3 в печи при температуре 850°С для получения расплава. Далее расплав был выдержан для гомогенизации при 950°С в течение суток и двое суток при температуре 850°С перемешивался механической мешалкой. Затем расплав охлаждался до температуры на 5°С выше температуры насыщения, в расплав вносилась затравка на платиновом стержне и начинался рост методом снижения температуры от ~750°С до 690°С. После окончания процесса выращивания на 55 сутки кристалл был поднят из расплава и температура охлаждена до комнатной со скоростью 20-30°/час. Опыт проводился в трубчатой однозонной печи омического сопротивления. В качестве регулирующей аппаратуры использовался одноканальный программируемый терморегулятор с точностью поддержания температуры 0,1°С. Скорости снижения температуры составляли от 0,2°С/сутки в начале роста до 1,5°С/сутки в конце роста. Выращенный кристалл весом в 340,0 г не содержал включений, но при этом отмечено возникновение ростовой полосчатости, что делает материал непригодным для использования в нелинейной оптике.
Пример 2. Состав и приготовление расплава аналогичны примеру 1, но рост кристалла осуществляли с использованием двухзонной печи с независимым регулированием нагревателей каждой из зон (см.фиг.2). В данном случае было применено синхронное снижение температуры на зонах нагревателя в процессе роста кристалла. Данный метод обеспечивает стабильные условия роста кристалла в течение всего процесса. Графики снижения температуры приведены на фиг.4, кривые 11 и 12. Выращен кристалл размером, мм: 100·90·50 и весом 420,6 г. Кристалл имеет незначительные включения в периферийной области и содержит до 90% общего объема материала пригодного для нелинейной оптики.
Пример 3. Состав и приготовление расплава аналогичны примеру 1, но рост кристалла осуществляли с использованием трехзонной печи с независимым регулированием нагревателей каждой из зон (см.фиг.3). В данном случае было использовано асинхронное снижение температуры на зонах нагревателя. Графики снижения температуры приведены на фиг.5, кривые 13 и 14. Это позволило вырастить кристалл размером, мм: 120·100·70 и весом 596,3 г, который содержит до 90% общего объема материала пригодного для нелинейной оптики.
Таким образом, заявляемый способ позволяет получать кристаллы трибората лития высокого оптического качества и значительных размеров.

Claims (1)

  1. Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития, включающий получение кристалла трибората лития из раствора-расплава в системе Li2O-В2О3-МоО3 на затравке путем снижения температуры расплава, отличающийся тем, что выращивание ведут из состава, который определен областью АВС диаграммы трехкомпонентной системы Li2O-В2О3-МоО3 в печи с двумя и более зонами нагрева и управлением скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста в течение процесса, при этом координаты составов определены следующими точками, мол.доли:
    A:Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16;
    B:Li2O - 0,20; В2О3 - 0,20; МоО3 - 0,60;
    C:Li2O - 0,30; В2О3 - 0,13; МоО3 - 0,57.
RU2004107419/15A 2004-03-15 2004-03-15 Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития RU2262556C1 (ru)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004107419/15A RU2262556C1 (ru) 2004-03-15 2004-03-15 Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития
PCT/RU2005/000142 WO2005087984A1 (fr) 2004-03-15 2005-03-11 Procede permettant de faire croitre des cristaux parfaits de triborate de lithium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004107419/15A RU2262556C1 (ru) 2004-03-15 2004-03-15 Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2262556C1 true RU2262556C1 (ru) 2005-10-20

Family

ID=34975613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004107419/15A RU2262556C1 (ru) 2004-03-15 2004-03-15 Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2262556C1 (ru)
WO (1) WO2005087984A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2681641C1 (ru) * 2018-04-16 2019-03-11 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН) Способ выращивания кристалла трибората лития (варианты)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008097347A2 (en) 2006-08-18 2008-08-14 Drexel University Method and device for air disinfection and sterilization

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0797297A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Hitachi Metals Ltd 三ホウ酸リチウム単結晶及びその製造方法
JPH07126099A (ja) * 1993-10-28 1995-05-16 Hitachi Metals Ltd 三ホウ酸リチウム単結晶
RU2112820C1 (ru) * 1996-07-16 1998-06-10 Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН Способ выращивания монокристаллов трибората лития
RU2114221C1 (ru) * 1996-08-23 1998-06-27 Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН Способ выращивания монокристаллов трибората лития

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2681641C1 (ru) * 2018-04-16 2019-03-11 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН) Способ выращивания кристалла трибората лития (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005087984A1 (fr) 2005-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kouta et al. β-BaB2O4 single crystal growth by Czochralski method. II
Itoh et al. β-barium borate single crystal grown by a direct Czochralski method
Feigelson et al. Solution growth of barium metaborate crystals by top seeding
CN103370452A (zh) 制备具有高达500mm直径的掺杂石榴石结构的单晶
US5611856A (en) Method for growing crystals
Markgraf et al. Top-seeded solution growth of LiB3O5
US5343827A (en) Method for crystal growth of beta barium boratean
CN106835262B (zh) 一种生长四硼酸铝盐晶体的方法
Pylneva et al. Growth and non-linear optical properties of lithium triborate crystals
Kozuki et al. Metastable crystal growth of the low temperature phase of barium metaborate from the melt
RU2262556C1 (ru) Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития
Feigelson et al. Solution growth of CdGeAs2
CN1254569C (zh) 一种RE3+:KGd(WO4) 2激光晶体的生长方法
Novoselov Growth of large sapphire crystals: Lessons learned
Miyazawa et al. Interface shape transitions in the Czochralski growth of Dy3Al5O12
Post et al. Crystal growth of AgGaS2 by the Bridgman-Stockbarger and travelling heater methods
Li et al. Controlled growth of large β-BaB2O4 crystals based on theoretical guidelines
CN110685006A (zh) 一种中红外非线性光学晶体poc及其制备方法
JP2000264787A (ja) 非線形光学結晶の製造方法
Itoyama et al. Growth of βII-Li3VO4 single crystals by the floating zone technique with the aid of a heat reservoir
RU2112820C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов трибората лития
RU2777116C1 (ru) Способ получения борсодержащего монокристалла ниобата лития
CN115537912B (zh) 一种消除晶体体发热的kgw晶体制备方法及得到的晶体
CN102492990B (zh) 一种NaRE(MoO4)2晶体的助熔剂生长方法
CN117626432A (zh) 一种消除无序型硅酸镓镧类晶体1.7-2.0μm吸收峰的方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180316