RU2003107559A - Способ получения монокристалла вольфрамата - Google Patents
Способ получения монокристалла вольфраматаInfo
- Publication number
- RU2003107559A RU2003107559A RU2003107559/15A RU2003107559A RU2003107559A RU 2003107559 A RU2003107559 A RU 2003107559A RU 2003107559/15 A RU2003107559/15 A RU 2003107559/15A RU 2003107559 A RU2003107559 A RU 2003107559A RU 2003107559 A RU2003107559 A RU 2003107559A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- single crystal
- tungstate
- producing
- tungstate single
- oxygen
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 38
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 13
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate dianion Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- WJAHYJXFXOVIRT-UHFFFAOYSA-N [W](=O)(=O)(=O)=O Chemical compound [W](=O)(=O)(=O)=O WJAHYJXFXOVIRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium(0) Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (15)
1. Способ получения монокристалла вольфрамата, отличающийся тем, что содержит этапы, на которых выращивают монокристалл вольфрамата из вольфрамата, имеющего молекулярную формулу XIIWO4 или XIXIII(WO4)2 (где XI обозначает одновалентный металл, XII - двухвалентный металл и XIII - трехвалентный металл), который получают путем нагревания триоксида вольфрама с оксидом или карбонатом двухвалентного металла, триоксида вольфрама с оксидом или карбонатом одновалентного металла и оксидом трехвалентного металла, или их оксидов или карбонатов вместе, и нагревают указанный монокристалл вольфрамата при температуре от 600 до 1550°С в системе, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху.
2. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.1, отличающийся тем, что парциальное давление кислорода в системе регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху, путем введения в систему аргона, азота, гелия или диоксида углерода при атмосферном давлении.
3. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.1 или 2, отличающийся тем, что парциальное давление кислорода в системе регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху, путем снижения давления в системе до 130 Па или ниже с помощью вакуумного насоса.
4. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.1 или 2, отличающийся тем, что парциальное давление кислорода в системе составляет 28 Па или ниже.
5. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.3, отличающийся тем, что парциальное давление кислорода в системе составляет 28 Па или ниже.
6. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.1 или 2, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором охлаждают выращенный монокристалл вольфрамата до 220°С или выше в системе, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху, после нагрева монокристалла вольфрамата при температуре от 600 до 1550°С в системе, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху.
7. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.3, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором охлаждают выращенный монокристалл вольфрамата до 220°С или выше в системе, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху, после нагрева монокристалла вольфрамата при температуре от 600 до 1550°С в системе, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху.
8. Способ изготовления монокристалла вольфрамата по п.4, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором охлаждают выращенный монокристалл вольфрамата до 220°С или выше в системе, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху, после нагрева монокристалла вольфрамата при температуре от 600 до 1550°С в системе, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху.
9. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.5, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором охлаждают выращенный монокристалл вольфрамата до 220°С или выше в системе, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху, после нагрева монокристалла вольфрамата при температуре от 600 до 1550°С в системе, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к атмосферному воздуху.
10. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.1 или 2, отличающийся тем, что монокристалл вольфрамата представляет собой монокристалл вольфрамата свинца.
11. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.3, отличающийся тем, что монокристалл вольфрамата представляет собой монокристалл вольфрамата свинца.
12. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.4, отличающийся тем, что монокристалл вольфрамата представляет собой монокристалл вольфрамата свинца.
13. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.5, отличающийся тем, что монокристалл вольфрамата представляет собой монокристалл вольфрамата свинца.
14. Способ получения монокристалла вольфрамата по п.6, отличающийся тем, что монокристалл вольфрамата представляет собой монокристалл вольфрамата свинца.
15. Способ получения монокристалла вольфрамата по пп.7, 8 или 9, отличающийся тем, что монокристалл вольфрамата представляет собой монокристалл вольфрамата свинца.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001212336 | 2001-07-12 | ||
| JP2001-212336 | 2001-07-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003107559A true RU2003107559A (ru) | 2004-07-27 |
| RU2241081C2 RU2241081C2 (ru) | 2004-11-27 |
Family
ID=19047514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003107559/15A RU2241081C2 (ru) | 2001-07-12 | 2002-06-28 | Способ получения монокристалла вольфрамата |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4037362B2 (ru) |
| CN (1) | CN1274887C (ru) |
| CZ (1) | CZ300221B6 (ru) |
| HU (1) | HUP0302668A2 (ru) |
| RU (1) | RU2241081C2 (ru) |
| WO (1) | WO2003008676A1 (ru) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4639711B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2011-02-23 | 日立化成工業株式会社 | 無機シンチレータ及びその製造方法 |
| CN100395380C (zh) * | 2006-04-21 | 2008-06-18 | 北京工业大学 | 提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺 |
| CN100364896C (zh) * | 2006-08-17 | 2008-01-30 | 同济大学 | 一种钨酸汞的制备方法 |
| CN100398701C (zh) * | 2006-09-15 | 2008-07-02 | 嘉兴学院 | 晶体生长原料处理方法 |
| CN104671285B (zh) * | 2015-01-28 | 2016-08-03 | 洛阳理工学院 | 一种钼酸镉纳米棒的制备方法 |
| CN106007713A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-10-12 | 天津大学 | 一种高品质因数钨酸钙系微波介质陶瓷 |
| CN115537912A (zh) * | 2022-10-24 | 2022-12-30 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种消除晶体体发热的kgw晶体制备方法及得到的晶体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100999A (en) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 | Hitachi Chem Co Ltd | Heat treatment of single crystal of tungstic acid compound |
| JPS60103100A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-07 | Toshiba Corp | シンチレ−タ単結晶の熱処理方法 |
| JPH10291898A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Furukawa Co Ltd | タングステン酸鉛単結晶 |
-
2002
- 2002-06-28 CZ CZ20030724A patent/CZ300221B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2002-06-28 WO PCT/JP2002/006607 patent/WO2003008676A1/ja active Application Filing
- 2002-06-28 CN CNB02802513XA patent/CN1274887C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-28 RU RU2003107559/15A patent/RU2241081C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2002-06-28 JP JP2003514986A patent/JP4037362B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-28 HU HU0302668A patent/HUP0302668A2/hu unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2003107559A (ru) | Способ получения монокристалла вольфрамата | |
| CN113235047B (zh) | 一种AlN薄膜的制备方法 | |
| CN107083539A (zh) | 一种AlN外延薄膜制备方法 | |
| CN103305903B (zh) | 一种高氮压助熔剂-坩埚下降法制备GaN晶体的方法 | |
| JP3439994B2 (ja) | 低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜の合成法 | |
| CN107104357A (zh) | 一种纳米尺度激光器阵列的制备方法 | |
| CN109183143B (zh) | 一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法 | |
| CN111430220A (zh) | GaN自支撑衬底的制备方法 | |
| JP2002043233A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| JP6150371B2 (ja) | 酸化亜鉛（ＺｎＯ）系単結晶、ＺｎＯ系薄膜及びＺｎＯ系単結晶性薄膜の製造方法、並びにＺｎＯ系単結晶性薄膜及び該ＺｎＯ系単結晶性薄膜からなるＺｎＯ系材料 | |
| JP4424497B2 (ja) | 窒化物半導体結晶の製造方法 | |
| JP2004292286A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶の製造装置および製造方法、ならびに種結晶表面のエッチング方法 | |
| CN108277526A (zh) | 一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法 | |
| CN111676514A (zh) | 一种大温差晶体生长炉及制备高质量氮化铝单晶的方法 | |
| WO2002075801A3 (en) | Method of fabricating oxides with low defect densities | |
| CN110578135B (zh) | 一种立方氮化铝薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN116169222A (zh) | 一种AlN模板及其制备方法 | |
| CN108128799B (zh) | 一种超薄氧化锌球壳的制备方法 | |
| CN114316944A (zh) | 一种制备高稳定性氧化锆包覆的量子点的方法 | |
| CN100395379C (zh) | 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法 | |
| CN1206392C (zh) | 掺钕钒酸钇和钒酸钇复合激光晶体的生长方法 | |
| HUP0302668A2 (hu) | Eljárás volfrám egykristály előállítására | |
| CN1211641A (zh) | 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术 | |
| CN114182235B (zh) | 一种建立生长室内气体平衡流场的方法 | |
| JP2001077480A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |