JP3439994B2 - 低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜の合成法 - Google Patents

低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜の合成法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、次世代半導体とし
て期待される低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ
（アルミニウム・ナイトライト）薄膜の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】分子線エピタキシー法等により単結晶Ａ
ｌＮ薄膜を製造する方法は公知である（例えば、特開平
８−２９９９号公報、特開平９−３０９７９５公報）。
しかし、ＡｌＮはバンドギャップエネルギーが６．５ｅ
Ｖと大きいためにアクセプターやドナー単独では不純物
準位が５００ｍｅＶ（４０００Ｋ）と深いため室温では
キャリアーはほとんど活性化することができないため高
抵抗のものしか実現できなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】低抵抗ｎ型および低抵
抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜が合成できれば、高温で作動
し、高速動作が可能で、高出力である半導体デバイス
や、高密度記録や大量情報の伝達に必要な紫外光半導体
レーザーダイオードをＡｌＮ薄膜で作製することができ
る。また、ダイヤモンドに次ぐＡｌＮの高硬度性を利用
した低抵抗ｎ型ＡｌＮ薄膜で電気的・熱的伝導性の良い
透明単結晶保護膜を作製することができる。さらに、Ａ
ｌＮの負の電子親和エネルギーを利用して低抵抗ｎ型単
結晶ＡｌＮ薄膜を用いた高効率電子線源材料による大面
積デイスプレイの製造（壁掛けテレビ）が可能になる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために、原子状ＡｌのビームとＮ2 を電磁波で
励起または分解した原子状もしくは分子状Ｎを半導体基
板上で急冷成長することにより単結晶ＡｌＮ薄膜を成長
させる際に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントを原子状
ビームにして同時にドーピングすることにより結晶中に
ｎ型のドーパントとｐ型のドーパントの対を形成させて
低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜を合成で
きることを見出した。
【０００５】図１に示すように、同時ドーピングにより
ＣアクセプターとＯドナーのＯ−Ｃ−ＯやＣ−Ｏ−Ｃ等
の複合体を作ることにより、より浅いドナー準位やアク
セプター準位が形成され、ＡｌＮ結晶中のキャリアー濃
度が著しく増大し、より低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型Ａ
ｌＮ薄膜が作製された。また、ＡｌＮ結晶の中で、アク
セプターであるＣとドナーであるＯは、図２に示す結晶
モデルのような（１）低抵抗ｎ型ＡｌＮ、（２）低抵抗
ｐ型ＡｌＮの構造配置（不純物複合体）を取り、アクセ
プター原子とドナー原子が同時に存在することにより結
晶学的な構造配置が安定化する。これにより、より高濃
度までドナーやアクセプターをドープすることができ
る。
【０００６】本発明の方法を実施するには、ｎ型ドーパ
ントとしてＯを、またｐ型ドーパントとしてＣをラジオ
波、レーザー、Ｘ線、電子線等で電子励起することによ
り原子状にしたものを同時にドーピングする。また、Ａ
ｌ蒸気分圧、Ｎ蒸気分圧、ｎ型ドーパント蒸気分圧、ｐ
型ドーパント蒸気分圧を制御して、ｎ型ドーパント原子
濃度（Ｘ）とｐ型ドーパント原子濃度（Ｙ）の比（Ｘ／
Ｙ）を制御し、Ｘ／Ｙ＞１で低抵抗ｎ型を、Ｘ／Ｙ＜１
で低抵抗ｐ型単結晶薄膜を作製する。
【０００７】また、本発明は、半導体基板上に低温、低
圧下で結晶成長させた低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型Ａｌ
Ｎ薄膜を一度冷却し、さらに高温で短時間電場をかけな
がらアニールすることにより水素によるドナーを結晶外
に取り去り水素による不働態化の回復を行う方法を提供
する。さらに、本発明は、合成した低抵抗ｎ型および低
抵抗ｐ型ＡｌＮ薄膜に円偏光したレーザーを照射するこ
とにより高効率のスピン偏極電子線源を作製する方法を
提供する。
【０００８】
【作用】本発明の方法により、アクセプターやドナーの
不純物準位を浅くし、キャリアー数を大幅に増加させ、
低抵抗で高品質の単結晶ＡｌＮ薄膜を半導体基板上に成
長させることができる。ｎ型のドーパントとｐ型のドー
パン卜を同時にドーピングすることにより、両者の間で
の静電エネルギーや格子エネルギーを低下させ、高濃度
まで安定にｎ型およびｐ型ドーパントをドープすること
ができ、低抵抗化が可能になる。ＡｌＮ結晶中にｎ型の
ドーパントとｐ型のドーパントの対（不純物複合体）を
形成させることにより、ｎ型およびｐ型キャリアーのド
ーパントによる電子散乱を低下させ、移動度が大きく増
大することにより低抵抗化が起きる。すなわち、本発明
の方法によれば、膜厚０．０５〜１．０μ程度、膜抵抗
１．０Ω・ｃｍ以下の単結晶ＡｌＮ薄膜を得ることがで
きる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明において、原子状Ａｌのビ
ームとＮ2 を電磁波で励起または分解した原子状もしく
は分子状Ｎを半導体基板上で急冷成長する方法として
は、例えば、化合物ガスを用いる有機金属法（ＭＯＣＶ
Ｄ法）や、原子状ビームを用いる分子線エピタキシー法
（ＭＢＥ法）等、単結晶ＡｌＮ薄膜の合成に適する種々
の方法が用いられる。
【００１０】ＡｌＮ結晶の育成中にｎ型のドーパントと
ｐ型のドーパントを同時にドーピングすることにより、
ドーパントを高濃度まで安定化させ、ＡｌＮ結晶中にｎ
型のドーパントとｐ型のドーパントの複合体を形成させ
て、アクセプターやドナー準位を浅くする。ｎ型および
ｐ型キャリアーの同時ドーピングによりキャリアーの電
子散乱機構をより短距離力のものに変えることにより、
キャリアーの移動度を大きく増大させ低抵抗化を可能に
した。
【００１１】原子状にしたｎ型のドーパント（Ｏ）とｐ
型のドーパント（Ｃ）を同時にドーピングすることによ
り、結晶中にドナー・アクセプ夕ー複合体を形成させて
両者の間での静電エネルギーや格子エネルギーを低下さ
せ、高濃度までｎ型およびｐ型ドーパントを安定にドー
プすることができ、また、ドナー・アクセプターの複合
体が形成されるためドナーおよびアクセプター準位が低
下することによりキャリアー濃度が著しく増大し低抵抗
ｎ型および低抵抗ｐ型ＡｌＮ薄膜を作製することができ
る。本発明の方法により、紫外光レーザー半導体デバイ
ス用の材料やｎ型ＡｌＮ結晶の負の電子親和エネルギー
を利用した大面積デイスプレイ用の高効率電子線放出源
材料が作製できる。
【００１２】図３は、一例として、本発明の方法をＭＢ
Ｅ法を用いて実施する概念を示す装置の側面図である。
ホルダ（図示せず）にアルミナ基板２を取り付け、真空
排気装置（図示せず）で真空チャンバ１内を真空に維持
し、電熱ヒータ（図示せず）で前記基板２を５００℃〜
１１５０℃に加熱する。原子状Ａｌを導入管４からビー
ムとして基板２に向けて流し、Ｎ2 分子を導入管５から
前記基板２に向けて流す。各原料はＲＦコイル８で加熱
して熱分解する。Ｃ等のアクセプターを導入管６から前
記基板２に向けて流し、Ｏ等のドナーを導入管７から前
記基板２に向けて流し、同時にドーピングしながら基板
上にＡｌＮ膜３を結晶成長させる。
【００１３】ｎ型ドナーとなるＯ、ｐ型アクセプターと
なるＣは、分子ガス（Ｏ2 ，ＣＯ，ＣＯ2 等）にマイク
ロ波領域の電磁波を照射して原子状にしたものや単体セ
ルを高温で原子状にしたものを用いる。本発明の方法を
実施するには、ｎ型ドーパントとしてＯを、またｐ型ド
ーパントとしてＣをラジオ波、レーザー、Ｘ線、電子線
等で電子励起することにより原子状にしたものを同時に
ドーピングするが、これらの電子励起の手段自体は公知
の手段を適宜採用できる。
【００１４】また、Ａｌ蒸気分圧、Ｎ蒸気分圧、ｎ型ド
ーパント蒸気分圧、ｐ型ドーパント蒸気分圧を制御し
て、ｎ型ドーパント原子濃度（Ｘ）とｐ型ドーパント原
子濃度（Ｙ）の比（Ｘ／Ｙ）を制御し、Ｘ／Ｙ＞１で低
抵抗ｎ型を、Ｘ／Ｙ＜１で低抵抗ｐ型単結晶薄膜を作製
する。より具体的にはＭＢＥ法において、ＸとＹの大き
さをコントロールし、ｎ型の場合、Ｘ：Ｙ＝２：１また
は３：１、ｐ型の場合Ｘ：Ｙ＝１：２または１：３の比
となるようにドーパントの分圧を調整する。
【００１５】
【実施例】図３に示すように、真空チヤンバ１内を真空
度１０-10 ｔｏｒｒに維持し、電熱ヒータでアルミナ基
板２を加熱する。オーブンヒータでＡｌ源を加熱し、原
子状Ａｌのビームを基板２に向けて照射する。Ｎ2 分子
をＲＦコイル８により励起し前記基板２に向けてＮ+ ま
たは励起状態のＮ2 の原子状ガス流で供給し、吸着させ
る。アクセプターとしてＣを導入管６から流量１０-9ｔ
ｏｒｒで、前記基板２に向けて流し、ドナーとしてＯを
導入管７から流量５×１０-9ｔｏｒｒで、前記基板２に
向けて流し、同時にドーピングしながら基板温度６００
℃、６５０℃、８００℃、１０００℃、１１００℃でＡ
ｌＮを結晶成長させる。アクセプターとなるＣ、および
ドナーとなるＯは、ＲＦコイル８で電子励起することに
より原子状ガスにした。１２０分経過後に結晶成長を停
止した。
【００１６】得られたＡｌＮ結晶は、表１（Ｃ，Ｏの同
時ドーピングがドナー濃度に及ぼす効果を示す。ｎ型Ａ
ｌＮ）、表２（Ｃ，Ｏの同時ドーピングがアクセプター
濃度に及ぼす効果を示す。ｐ型ＡｌＮ）に示す膜厚を有
し、ｐ型ドーパントであるＣ蒸気を送り込むことなく単
独にｎ型ドナーとなるＯ蒸気をドーピングした場合と比
較して、Ｃ、Ｏの同時ドーピングの場合は、いずれの結
晶成長温度でも数ケタ高いｎ型キャリアー濃度およびｐ
型キャリアー濃度を示している。また、結晶成長温度
（基板温度）に応じてドナー濃度およびアクセプター濃
度が異なっていた。また、膜抵抗は表１、表２に示すと
おり１．０Ω・ｃｍ以下となり、低抵抗となることが分
かる。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】図４のグラフにＣ、Ｏの同時ドーピングに
より形成されるドナー・アクセプター複合体（２Ｃ＋
Ｏ）の電子状態密度を示す。複合体（２Ｃ＋Ｏ）が形成
されることにより、単独のＣドーピングの場合（図ｂ）
と比べて、アクセプター準位は浅くなる（図ｄ）ことが
分かる。これにより、アクセプター準位は、５００ｍｅ
Ｖから数十ｍｅＶと浅くなり、キャリアー数の増大と低
抵抗化が生じる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の方法によれば、単結晶ＡｌＮ薄
膜として、低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型ＡｌＮ薄膜が合
成できるので、高温で作動し、高速動作が可能で、高出
力であるＡｌＮ薄膜を用いた半導体デバイスや、高密度
記録や大量情報の伝達に必要な紫外光半導体レーザーダ
イオードを作製することができる。また、ＡｌＮの高硬
度性を利用した透明低抵抗ｎ型単結晶保護膜を作製する
ことができる。さらに、低抵抗ｎ型ＡｌＮ単結晶薄膜を
ｐ型、ｎ型ドーパントの同時ドーピングにより作製する
ことができるので、負の電子親和エネルギーを実現で
き、円偏光したレーザーを照射することにより高温、高
速動作、高出力で、さらに高効率の電子線源材料による
大面積デイスプレイ（壁掛けテレビ）を作製することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ドナーとアクセプターの同時ドーピングにより
ドナー準位が浅くなる原理を示す模式図。
【図２】ドナーとアクセプターの同時ドーピングにより
形成されるドナー・アクセプター複合体を示す模式図。
【図３】ＭＢＥ法によるＡｌＮ薄膜の同時ドーピング方
法に用いる装置の概念を示す側面図。
【図４】Ｃ、Ｏの同時ドーピングにより形成されるドナ
ー・アクセプター複合体（２Ｃ＋Ｏ）の電子状態密度を
示すグラフ。

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 原子状ＡｌのビームとＮ２を電磁波で励
    起または分解した原子状もしくは分子状Ｎを半導体基板
    上で急冷成長することにより単結晶ＡｌＮ薄膜を成長さ
    せる際に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントを原子状ビ
    ームにして同時にドーピングすることにより結晶中にｎ
    型のドーパントとｐ型のドーパントの対を形成させて低
    抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜を合成する
    方法。
  2. 【請求項２】 ｎ型ドーパントとしてＯを、またｐ型ド
    ーパントとしてＣをラジオ波、レーザー、Ｘ線、電子線
    等で電子励起することにより原子状にしたものを同時に
    ドーピングすることを特徴とする請求項１記載の低抵抗
    ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜を合成する方
    法。
  3. 【請求項３】 Ａｌ蒸気分圧、Ｎ蒸気分圧、ｎ型ドーパ
    ント蒸気分圧、ｐ型ドーパント蒸気分圧を制御して、ｎ
    型ドーパント原子濃度（Ｘ）とｐ型ドーパント原子濃度
    （Ｙ）の比（Ｘ／Ｙ）を制御し、Ｘ／Ｙ＞１で低抵抗ｎ
    型単結晶薄膜を、Ｘ／Ｙ＜１で低抵抗ｐ型単結晶薄膜を
    作製することを特徴とする請求項１記載の低抵抗ｎ型お
    よび低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜を合成する方法。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の方法で合成した低抵抗ｎ
    型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜を一度冷却し、さ
    らに高温で短時間電場をかけながらアニールすることに
    より水素によるドナーを結晶外に取り去ることを特徴と
    する水素による不働態化の回復方法。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の方法で合成した低抵抗ｎ
    型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜に円偏光したレー
    ザーを照射することを特徴とする高効率のスピン偏極電
    子線源を作製する方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7622322B2 (en) * 2001-03-23 2009-11-24 Cornell Research Foundation, Inc. Method of forming an AlN coated heterojunction field effect transistor
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
JP2006052123A (ja) * 2004-07-12 2006-02-23 Sumitomo Electric Ind Ltd ｎ型ＡｌＮ結晶、ｎ型ＡｌＧａＮ固溶体及びそれらの製造方法
JP5281408B2 (ja) * 2005-12-02 2013-09-04 クリスタル・イズ，インコーポレイテッド ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
JP4811082B2 (ja) * 2006-03-29 2011-11-09 住友電気工業株式会社 ｎ型ＡｌＮ結晶及びその製造方法
US9034103B2 (en) 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
EP2007933B1 (en) * 2006-03-30 2017-05-10 Crystal Is, Inc. Methods for controllable doping of aluminum nitride bulk crystals
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US8323406B2 (en) 2007-01-17 2012-12-04 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US8080833B2 (en) 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
JP5806734B2 (ja) 2010-06-30 2015-11-10 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 熱勾配制御による窒化アルミニウム大単結晶成長
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
US9219123B2 (en) * 2012-11-26 2015-12-22 Sharp Kabushiki Kaisha Method of producing a nitride semiconductor crystal with precursor containing carbon and oxygen, and nitride semiconductor crystal and semiconductor device made by the method
JP6055325B2 (ja) * 2013-01-30 2016-12-27 シャープ株式会社 窒化物半導体結晶の製造方法
JP6055290B2 (ja) * 2012-11-26 2016-12-27 シャープ株式会社 窒化物半導体結晶の製造方法
US20150280057A1 (en) 2013-03-15 2015-10-01 James R. Grandusky Methods of forming planar contacts to pseudomorphic electronic and optoelectronic devices
US10128310B2 (en) 2016-03-14 2018-11-13 Toshiba Memory Corporation Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4152182A (en) * 1978-05-15 1979-05-01 International Business Machines Corporation Process for producing electronic grade aluminum nitride films utilizing the reduction of aluminum oxide
JPH0817156B2 (ja) * 1988-10-13 1996-02-21 日新電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE69201095T2 (de) * 1991-05-02 1995-05-18 Daido Steel Co Ltd Halbleitereinrichtung für hohen spinpolarisierten Elektronenstrahl.
JP3075581B2 (ja) * 1991-05-23 2000-08-14 松下電器産業株式会社 窒化物系化合物半導体膜の成長装置
JPH082999A (ja) 1994-06-17 1996-01-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化アルミニウム薄膜製造法
JP2606131B2 (ja) * 1994-05-27 1997-04-30 日本電気株式会社 半導体スピン偏極電子源
JP3461074B2 (ja) * 1995-12-12 2003-10-27 パイオニア株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子製造方法
JPH09309795A (ja) 1996-05-22 1997-12-02 Fine Ceramics Center 立方晶窒化アルミニウム薄膜およびその合成方法

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