JPS60103100A - シンチレ−タ単結晶の熱処理方法 - Google Patents
シンチレ−タ単結晶の熱処理方法Info
- Publication number
- JPS60103100A JPS60103100A JP58208212A JP20821283A JPS60103100A JP S60103100 A JPS60103100 A JP S60103100A JP 58208212 A JP58208212 A JP 58208212A JP 20821283 A JP20821283 A JP 20821283A JP S60103100 A JPS60103100 A JP S60103100A
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- Japan
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- single crystal
- scintillator
- heat treatment
- heat
- scintillator single
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔グシ１］８のづ支術分舟 〕
本、９ｃ明はＸ線イ、！小器に用いられるシンチレータ
１は粕品の熱処理方法に関する。更に評しくは！１．に
タングステン酸並り′■ンンテレータ単結晶やタングス
デン酸亜鉛シンチレータ単結晶等の熱処理方法に関する
ものである。
１は粕品の熱処理方法に関する。更に評しくは！１．に
タングステン酸並り′■ンンテレータ単結晶やタングス
デン酸亜鉛シンチレータ単結晶等の熱処理方法に関する
ものである。
〔発明の技９１ガ的背景及びその問題点〕近年、Ｘ１ｉ
ｌｄｉｉ打１角イ氷撮影（＝コンピユーテッドトモグラ
フィー（ＣＴ）表置が広く普及している。このＸ１尿４
’％ｉ出には、従来＝ｓｂ箱セルが用いられてきたか、
最近ではシンチレータ結晶に代わりつつある。これらの
中でアルカリハライド糸η’１．１−ｉｉ’ｌは、Ｍｖ
度は「渇いが、醐胎、性ノ（び残光（アフターグロー″
）寺の点で不十分である。１す１台１≦ＣＴ表１−の検
出器番ａゲルマン酸ビスマス（Ｕ ＧＯ） 精品〃３用
いられているが、感度の点で小十分であり、上記侶〕性
（１＋ｉｙ度、潮解性、アフターグロー）のすぐχした
鯖ｆ−１４の出現が望まれていた。
ｌｄｉｉ打１角イ氷撮影（＝コンピユーテッドトモグラ
フィー（ＣＴ）表置が広く普及している。このＸ１尿４
’％ｉ出には、従来＝ｓｂ箱セルが用いられてきたか、
最近ではシンチレータ結晶に代わりつつある。これらの
中でアルカリハライド糸η’１．１−ｉｉ’ｌは、Ｍｖ
度は「渇いが、醐胎、性ノ（び残光（アフターグロー″
）寺の点で不十分である。１す１台１≦ＣＴ表１−の検
出器番ａゲルマン酸ビスマス（Ｕ ＧＯ） 精品〃３用
いられているが、感度の点で小十分であり、上記侶〕性
（１＋ｉｙ度、潮解性、アフターグロー）のすぐχした
鯖ｆ−１４の出現が望まれていた。
こわに応えるものとして、＆ｏ Ｉ ｆ ｒａｍｉ ｔ
ｅ ４．、、％のタングステン酸カドミウム、タングス
テン１１つ！１１・鉛、β−タングステン１″ｉセマグ
ネシクムがｌ上目さ′ｉしている。
ｅ ４．、、％のタングステン酸カドミウム、タングス
テン１１つ！１１・鉛、β−タングステン１″ｉセマグ
ネシクムがｌ上目さ′ｉしている。
上記タングステン酸塩年枯品はノル常チョクラルスキー
法（回転引上法）によって）Ｊ成さλし、その後所定の
シンチレータの寸法に切りださａｔ、使用される。シン
チレータはＸ線にメ寸−９る発光ＪＩｉＶ、 ７話すな
わち蛍元が太ごいことが請求される。シンチレータの亜
光強反は入射したＸ線に対−４−る発光効仔・と単結晶
自体の吸収の大きさに依存よる。し１こがってシンチレ
ータ単結晶は着色吸収のないことか要求される。
法（回転引上法）によって）Ｊ成さλし、その後所定の
シンチレータの寸法に切りださａｔ、使用される。シン
チレータはＸ線にメ寸−９る発光ＪＩｉＶ、 ７話すな
わち蛍元が太ごいことが請求される。シンチレータの亜
光強反は入射したＸ線に対−４−る発光効仔・と単結晶
自体の吸収の大きさに依存よる。し１こがってシンチレ
ータ単結晶は着色吸収のないことか要求される。
しかしなから刑常の方法で作成したタングステン酸項単
結晶は、暗赤褐色の体色を呈し、４８０４９０ｎｍにピ
ークをもつ発光を吸収してしまい、上記シンチレータに
雇用するには、不十分であった。
結晶は、暗赤褐色の体色を呈し、４８０４９０ｎｍにピ
ークをもつ発光を吸収してしまい、上記シンチレータに
雇用するには、不十分であった。
このため、この体色を除去するために、桂朽ｌの考案工
夫がなされている。１）特開昭５５−１３０８９９号公
報には、単結晶の不純物含有り五を５０ ｐｐｍ以下に
抑えるために、晶純度の原料を使用し、結晶と一７伐の
間に電界を印加する方法が１３ｉ、ｌ示されている。２
）又牝ｉｉｑ昭５７−１００９９９号公職には、酸素含
有裏囲気中で単結晶を熱処理１−る方法が開示されてい
る。３）又ジャーナル・オブ・ルミイＮツセンス（１９
８１）２４／２５巻１３１−１３６ペーｉｃｙには、Ｚ
ｎＷＯ４の小結晶引上時、不純物４を人、及び化学量論
組成からのずれ及び雰囲気による上包の影響を報告して
いる。この報告の中で、不純物として、アンチモン、チ
タン、ビスマス、鉛等多価金属イオンを原料に尋人する
と、狛色が少なくなることが記載されている。
夫がなされている。１）特開昭５５−１３０８９９号公
報には、単結晶の不純物含有り五を５０ ｐｐｍ以下に
抑えるために、晶純度の原料を使用し、結晶と一７伐の
間に電界を印加する方法が１３ｉ、ｌ示されている。２
）又牝ｉｉｑ昭５７−１００９９９号公職には、酸素含
有裏囲気中で単結晶を熱処理１−る方法が開示されてい
る。３）又ジャーナル・オブ・ルミイＮツセンス（１９
８１）２４／２５巻１３１−１３６ペーｉｃｙには、Ｚ
ｎＷＯ４の小結晶引上時、不純物４を人、及び化学量論
組成からのずれ及び雰囲気による上包の影響を報告して
いる。この報告の中で、不純物として、アンチモン、チ
タン、ビスマス、鉛等多価金属イオンを原料に尋人する
と、狛色が少なくなることが記載されている。
本発明等は上記力を去について、〕ｂ試わｊ討した結果
、（１）の不純物の極めて少ない超高イ：シ度の原料を
用いると七色は４．ｌＩ：かに少さくなるか、コストの
点で市産同きで゛ない。又（２）の方法はイー、干イ５
１色は１（・缶服するが、不十分である。又（３）の方
法でもイ゛４色は７３′−なりなくなるが、ロット（二
よってバラツキが大きく、上記チョクラルスキー法では
、づ支ｆｆ（的に匠しかった。
、（１）の不純物の極めて少ない超高イ：シ度の原料を
用いると七色は４．ｌＩ：かに少さくなるか、コストの
点で市産同きで゛ない。又（２）の方法はイー、干イ５
１色は１（・缶服するが、不十分である。又（３）の方
法でもイ゛４色は７３′−なりなくなるが、ロット（二
よってバラツキが大きく、上記チョクラルスキー法では
、づ支ｆｆ（的に匠しかった。
ｃ本発明の目的〕
本発明は、より発光強度の１にれた９」色ＩＱ収の小さ
いシンチレータ−１（ａ結晶を句るための単結１，１１
υプ熱処理法を提供１″ることを目的と１−る。
いシンチレータ−１（ａ結晶を句るための単結１，１１
υプ熱処理法を提供１″ることを目的と１−る。
不発つ」者等は上り己目的を達成するために押イＩ＋処
理法を横置した結果、タングステン酸塩小結晶をＰ、Ａ
ｓ、Ｖｋ、Ｊ：びｓｂノｌＦ、ｘ化ｉ’Ａ 気ｉｙ ｔ
ＪＪｉ気中テ： ｊ’％ ％理することによりネ」色の
軽敵を見出し、不発１９」に至った。
理法を横置した結果、タングステン酸塩小結晶をＰ、Ａ
ｓ、Ｖｋ、Ｊ：びｓｂノｌＦ、ｘ化ｉ’Ａ 気ｉｙ ｔ
ＪＪｉ気中テ： ｊ’％ ％理することによりネ」色の
軽敵を見出し、不発１９」に至った。
すなわち本発明の熱処理法を一タングステン酸塩単結晶
を、Ｐ、Ａｓ、Ｖおよびｓｂのうちの少なくとも１つの
元糸の酸化物熱気雰囲気において熱処ユ玉すること乞’
！’４ｊ做とする。
を、Ｐ、Ａｓ、Ｖおよびｓｂのうちの少なくとも１つの
元糸の酸化物熱気雰囲気において熱処ユ玉すること乞’
！’４ｊ做とする。
ｈ口熱九度は、シナー気冗泉（Ｐ 、 Ａｓ 、’ｖ、
ｓｂ）によっても）Ｃノより、ｂＪｉ点（小ＸＪ１２２
０Ｊ誌Ｃ）−二Ｊ佳い一呈、白色の！Ｊ：ｉ＋表の効果
は大きいか、結晶の表面が荒れるので１１５０７％Ｃ以
下で加熱″′ｆ′ることか好ましい。
ｓｂ）によっても）Ｃノより、ｂＪｉ点（小ＸＪ１２２
０Ｊ誌Ｃ）−二Ｊ佳い一呈、白色の！Ｊ：ｉ＋表の効果
は大きいか、結晶の表面が荒れるので１１５０７％Ｃ以
下で加熱″′ｆ′ることか好ましい。
又５００１ｉＣ木満の（１１，１１反では、効果はほと
んどみられない。七ｌｔ、、：ｉ、５００ｊ鈍Ｃから１
１５０１虻Ｃの向で加熱することが好ましい。
んどみられない。七ｌｔ、、：ｉ、５００ｊ鈍Ｃから１
１５０１虻Ｃの向で加熱することが好ましい。
以下本発明を実施例を用いて説明する。
実施例１
９９．９％以上の純度のＷ２ＢとＺｎ０７等モルすつり
割合で十分よくｌ屁合して、白金ルツボに入れ（Ａ、ソ
５０（）ダラム）、大気中にて誦周鼓加熱によりｊんｕ
−Ｆな約１２００１庭Ｃ（二方口ｎ８４し、テヨクラル
スキーン去にて、結晶引上速度３ ｍ ｍ ７時１ｉｊ
Ｊ、回ｊ・ム数４５ｒｐｍの条件で貝径約２５ ｍ ｌ
ＩＩのＺｎＷｏ ４ ｍ ａ＝を画成した。このように
して得られた結晶は強い茶褐色乞呈している。第１１２
．ＩＡに厚さ２ｍｍに研ＩＪした試料の分光ｍ：ｉｆへ
率を示１−ｏこの「ト１からり」ら刀１なよう（二取太
発光１．・コ長イルＪ域４００−５００ ｎｍ に幅の
広い吸収がある。１人にこの結晶を優２１８１に／」１
丁ように白金ルツボａに入れる。この白金ルツボａの中
（二は小さい白金皿すの−１−に１゛〜り１じアンブー
モン（Ｓｂ２０３）約１０グラム入れ−Ｃある。ルツボ
ａに需をしてから、７ｕ気炉にいｋ ９００１ｍ ＣＴ
ＨＩＨｈ 間加熱後、５ｏｏ＋ｉｃまテ１０ ｆ’ｉ
Ｃ／ ｌＩ、ｆｊｉｇ テｌ’５却した後、′電気炉よ
り」（又り出す。この熱処理により上記の茶褐色の結晶
）Ｊわずかに黄色味を’１ｉｊ−ひた無色の結晶になる
。側・１図Ｂにこの熱処畑伐の試料の分光透過亭を２ノ
（ア。ＺｎＷＯ４の取入つｄ光べ長４８０ｎｍの分光透
過早は、約７５％に７よる。
割合で十分よくｌ屁合して、白金ルツボに入れ（Ａ、ソ
５０（）ダラム）、大気中にて誦周鼓加熱によりｊんｕ
−Ｆな約１２００１庭Ｃ（二方口ｎ８４し、テヨクラル
スキーン去にて、結晶引上速度３ ｍ ｍ ７時１ｉｊ
Ｊ、回ｊ・ム数４５ｒｐｍの条件で貝径約２５ ｍ ｌ
ＩＩのＺｎＷｏ ４ ｍ ａ＝を画成した。このように
して得られた結晶は強い茶褐色乞呈している。第１１２
．ＩＡに厚さ２ｍｍに研ＩＪした試料の分光ｍ：ｉｆへ
率を示１−ｏこの「ト１からり」ら刀１なよう（二取太
発光１．・コ長イルＪ域４００−５００ ｎｍ に幅の
広い吸収がある。１人にこの結晶を優２１８１に／」１
丁ように白金ルツボａに入れる。この白金ルツボａの中
（二は小さい白金皿すの−１−に１゛〜り１じアンブー
モン（Ｓｂ２０３）約１０グラム入れ−Ｃある。ルツボ
ａに需をしてから、７ｕ気炉にいｋ ９００１ｍ ＣＴ
ＨＩＨｈ 間加熱後、５ｏｏ＋ｉｃまテ１０ ｆ’ｉ
Ｃ／ ｌＩ、ｆｊｉｇ テｌ’５却した後、′電気炉よ
り」（又り出す。この熱処理により上記の茶褐色の結晶
）Ｊわずかに黄色味を’１ｉｊ−ひた無色の結晶になる
。側・１図Ｂにこの熱処畑伐の試料の分光透過亭を２ノ
（ア。ＺｎＷＯ４の取入つｄ光べ長４８０ｎｍの分光透
過早は、約７５％に７よる。
このようにして角宿品のイ“１色を１域去−Ｊ−ること
により、発光の吸収が少なくなり、発光強度は約６０％
向上した。
により、発光の吸収が少なくなり、発光強度は約６０％
向上した。
なお発光強１ぜは以下のようにして測定した。
６０ Ｋ Ｖ ＰのＸ線を結晶にｊ（（１射し、発住し
た蛍光を結晶の裏に密接して呟かれたシリコンフォトダ
イオードで′心数に綾換し、その（ｉｒｔを発光強度と
した、 実施４ノ′１］２ ９９．９％以上の純度の’ｖＶＯ３とＺｎＯを等モルす
つの′、・、り合で十分よく混合して、実施例１と同ね
ζ（二してＺｎ′＾０４力；占晶ン首成した。次（二こ
の結晶を第２図に示すように白金ルツボａに入れる。こ
の白金ルツボａの中には小さい白金皿すの上に酸化バナ
ジウム（Ｖ ２０５ ）ポリ１０グラム入れである。ル
ツボａに命をして力１ら、′電気炉にいれ９０ｏ１北ｃ
で １１０１）、ｌ呂」カロ熱イ友、５００ 度 Ｃま
で １ＯＩ受： Ｃ７時１ト１Ｊでｔ、却した伐、Ｌ
９′、気炉より取り出す。
た蛍光を結晶の裏に密接して呟かれたシリコンフォトダ
イオードで′心数に綾換し、その（ｉｒｔを発光強度と
した、 実施４ノ′１］２ ９９．９％以上の純度の’ｖＶＯ３とＺｎＯを等モルす
つの′、・、り合で十分よく混合して、実施例１と同ね
ζ（二してＺｎ′＾０４力；占晶ン首成した。次（二こ
の結晶を第２図に示すように白金ルツボａに入れる。こ
の白金ルツボａの中には小さい白金皿すの上に酸化バナ
ジウム（Ｖ ２０５ ）ポリ１０グラム入れである。ル
ツボａに命をして力１ら、′電気炉にいれ９０ｏ１北ｃ
で １１０１）、ｌ呂」カロ熱イ友、５００ 度 Ｃま
で １ＯＩ受： Ｃ７時１ト１Ｊでｔ、却した伐、Ｌ
９′、気炉より取り出す。
このようにして？！ｊられた結ノ１ムの発光強度は処理
１ｊすにＬトへして、約６０％向上しており、ＣＴ用デ
ィテクターとして実用性の１″、づ１いものである。
１ｊすにＬトへして、約６０％向上しており、ＣＴ用デ
ィテクターとして実用性の１″、づ１いものである。
−月施インリ３
９９．９ダ＆ Ｊ？Ｊ、上の経皮の〜勺０３とＺｎＯを
見１モルすっの割合で十分よ＜ ７ｉＡ合して、実施例
１と同核にしてＺｎｐ（’Ｌ４結晶？Ｐｆ成した。次に
この結晶を第２因に示すように白金ルツボａに入れる。
見１モルすっの割合で十分よ＜ ７ｉＡ合して、実施例
１と同核にしてＺｎｐ（’Ｌ４結晶？Ｐｆ成した。次に
この結晶を第２因に示すように白金ルツボａに入れる。
この白金ルツボａの中には小さい白金皿すの上に５酸化
リン（Ｐ ２０５ ） Ｍ−１１（１グラム入れである
。ルツボａ ｉ：＊ンしてから、′電気炉にいれ７００
１長Ｃで１（１時間加熱後、５００１４Ｃ１−で１０反
Ｃ５／：・４間で？、ン却した後、′電気炉より収り出
Ｔ。
リン（Ｐ ２０５ ） Ｍ−１１（１グラム入れである
。ルツボａ ｉ：＊ンしてから、′電気炉にいれ７００
１長Ｃで１（１時間加熱後、５００１４Ｃ１−で１０反
Ｃ５／：・４間で？、ン却した後、′電気炉より収り出
Ｔ。
このようにして”ｔ’、イ！’ン几た’Ａ”＋′１品の
つし光−」・１１トは処（１１１前に比較して、約６５
％１１」」上しており、Ｃ１゛用デイテクターとして実
用１・ｊユの高いものである。
つし光−」・１１トは処（１１１前に比較して、約６５
％１１」」上しており、Ｃ１゛用デイテクターとして実
用１・ｊユの高いものである。
実り包イｌリ ４
９９．９％以上のｉｉ’ｌ！、ｉｌのＸ〜０３とＺ ｎ
Ｏｆ ：’、’３モルずつの、）」合で十分よ＜ ン
Ｍ合して、υＪ弛例１と同様にしてＺ ｎ ＶｖＯｒ鋒
ｄ品を肖１．・ν、した。次にこの鞘１−１をや２図に
示すよう（二白釡ルツボａに入れる。この１」イ亡ルツ
ボａの中には小さい白征皿すの上に５１１え化ンノ（Ｐ
２Ｏ３）約１０グラムと５酸化ヒ＝ （Ａｓ２０５）１
グラム入れである。ルツボａに、！１．４・して刀＼ら
、電気炉にいれ７００ ＋：、ｔ ｃで１． Ｉ）Ｉｌ
’、ｊｌＥ′ｌ加１’、’？＋ ６、！５０Ｔｌｊ狂Ｃ
まで１０１拓Ｃ／１１、Ｊ聞で冷ノ、１ｊシた包、′用
気カー■より収り出丁。
Ｏｆ ：’、’３モルずつの、）」合で十分よ＜ ン
Ｍ合して、υＪ弛例１と同様にしてＺ ｎ ＶｖＯｒ鋒
ｄ品を肖１．・ν、した。次にこの鞘１−１をや２図に
示すよう（二白釡ルツボａに入れる。この１」イ亡ルツ
ボａの中には小さい白征皿すの上に５１１え化ンノ（Ｐ
２Ｏ３）約１０グラムと５酸化ヒ＝ （Ａｓ２０５）１
グラム入れである。ルツボａに、！１．４・して刀＼ら
、電気炉にいれ７００ ＋：、ｔ ｃで１． Ｉ）Ｉｌ
’、ｊｌＥ′ｌ加１’、’？＋ ６、！５０Ｔｌｊ狂Ｃ
まで１０１拓Ｃ／１１、Ｊ聞で冷ノ、１ｊシた包、′用
気カー■より収り出丁。
このようにして得られた３、１４品の発う°Ｃ強反は処
理前に比汐して、杓７０％向上し７こ７、実施↓う・」
５ ９９９％以上の９．児反のＷＵ３とＣｄＯを告モルずっ
の割合で十分よく庇侶・して約１３５０’Ｃｉ二加熱し
て実施例１と向ｔｌにしてＣｄ ＷＯ４４！ｉ品をＹ）
成した。次にこの結晶乞第２因に示すように白金ルツボ
ａに入れる。この白金ルツボａの中にはノへさい白電皿
すの上に酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ３）約１ｏグクム入れ
である。ルツボａに青をしＣから、″−気炉ニイレ９０
０ Ｐ、’ｊ Ｃテ１０ ｔｌ、７間加熱（【、５００
ＩＩ Ｃ計で１０１峡Ｃ／ ｌｌ′Ｊ’ ｌ’ｉｉＪ
で冷却したイ埃、電気炉より取り出す。
理前に比汐して、杓７０％向上し７こ７、実施↓う・」
５ ９９９％以上の９．児反のＷＵ３とＣｄＯを告モルずっ
の割合で十分よく庇侶・して約１３５０’Ｃｉ二加熱し
て実施例１と向ｔｌにしてＣｄ ＷＯ４４！ｉ品をＹ）
成した。次にこの結晶乞第２因に示すように白金ルツボ
ａに入れる。この白金ルツボａの中にはノへさい白電皿
すの上に酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ３）約１ｏグクム入れ
である。ルツボａに青をしＣから、″−気炉ニイレ９０
０ Ｐ、’ｊ Ｃテ１０ ｔｌ、７間加熱（【、５００
ＩＩ Ｃ計で１０１峡Ｃ／ ｌｌ′Ｊ’ ｌ’ｉｉＪ
で冷却したイ埃、電気炉より取り出す。
このようにして（”４られた希、与晶の発光５ｑｒ Ｉ
ｆは処理前に比ｉｌシして、約５０％向上した。
ｆは処理前に比ｉｌシして、約５０％向上した。
以上本発明でシよ、Ｚ ｎ ’ｖＶ０４単結晶およびＣ
ｄＷＯ４１１−（糸、旨や１の処理ｌ二（二つし八て訪
乙すノコしたが、へ４ｇＷＯ４ヨｄよびこれらの混晶に
対しても１株のシ゛、；果をイｌ’ｆ＝誌した。
ｄＷＯ４１１−（糸、旨や１の処理ｌ二（二つし八て訪
乙すノコしたが、へ４ｇＷＯ４ヨｄよびこれらの混晶に
対しても１株のシ゛、；果をイｌ’ｆ＝誌した。
４、’ｒ＜、ｌ ’ＩＪ Ｑ’）１１′□」刊１な説１
．！ＩｊｐＢ １ ｒはＺ ｎ ＷＯ４＄ Ａｉ５品の
熱処理’ＦＪＩＪ ｂの分光透過ンｉ・な示すト１、第
２図１・ま本発明の熱処理方法を説明する４１！、−１
ｌｌｈ図である。
．！ＩｊｐＢ １ ｒはＺ ｎ ＷＯ４＄ Ａｉ５品の
熱処理’ＦＪＩＪ ｂの分光透過ンｉ・な示すト１、第
２図１・ま本発明の熱処理方法を説明する４１！、−１
ｌｌｈ図である。
ε１−１１図
波−ｋ（Ｔと７７−Ｌ）
１丁５２ ［４
Claims (1)
- １、 タックステン１１々塩単結晶を、Ｐ、Ａｓ、Ｖお
よびｓｂ のうちの少なくとも１つの元系の藪化物畠気
冨し↑１気（＝おいて熱処理することを特徴とするシン
チレータ単結晶の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208212A JPS60103100A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | シンチレ−タ単結晶の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208212A JPS60103100A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | シンチレ−タ単結晶の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103100A true JPS60103100A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=16552526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58208212A Pending JPS60103100A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | シンチレ−タ単結晶の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103100A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003008676A1 (fr) * | 2001-07-12 | 2003-01-30 | Furukawa Co., Ltd. | Procede pour preparer un monocristal de tungstate |
| CN1330799C (zh) * | 2004-07-30 | 2007-08-08 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法 |
| CN100398701C (zh) * | 2006-09-15 | 2008-07-02 | 嘉兴学院 | 晶体生长原料处理方法 |
-
1983
- 1983-11-08 JP JP58208212A patent/JPS60103100A/ja active Pending
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