PT1542274E - Estrutura de protecção de disco semicondutor, método de protecção de disco semicondutor e método de processamento de disco semicondutor - Google Patents

Estrutura de protecção de disco semicondutor, método de protecção de disco semicondutor e método de processamento de disco semicondutor Download PDF

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PT1542274E
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Koichi Nagamoto
Katsuhiko Horigome
Hitoshi Ohashi
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Description

DESCRIÇÃO
"ESTRUTURA DE PROTECÇÃO DE DISCO SEMICONDUTOR, MÉTODO DE PROTECÇÃO DE DISCO SEMICONDUTOR E MÉTODO DE PROCESSAMENTO DE DISCO SEMICONDUTOR"
CAMPO DA INVENÇÃO A presente invenção refere-se a uma estrutura e a um método de protecção de um disco semicondutor utilizando uma folha de protecção laminada, e a um processo para processamento de disco semicondutor. De um modo mais particular, a invenção refere-se a uma estrutura e a um método de protecção de disco semicondutor, adequados para utilizar durante a rectificação de um disco semicondutor até uma espessura ultrafina e durante o armazenamento e transporte do disco semicondutor, utilizando a referida estrutura e método uma folha de protecção laminada. A invenção refere-se ainda a um processo para processamento de um disco semicondutor que utiliza o método de protecção de disco semicondutor.
ANTECEDENTES DA INVENÇÃO
Nos últimos anos, promoveu-se a expansão dos cartões IC, e exige-se agora uma maior redução da espessura dos mesmos. Deste modo, é agora necessário que a espessura dos chips semicondutores, que tem sido de, cerca de 350 pm, seja reduzida para 50-100 pm ou menos. Além disso, estudou-se um aumento do diâmetro de disco para melhorar a produtividade. 1 A rectificação de disco é um passo convencional realizado depois da formação do padrão de circuito. Na rectificação de disco aplica-se uma folha de protecção na superfície de circuito para proteger a superfície de circuito e para fixar o disco. A folha de protecção utilizada na rectificação é previamente cortada, substancialmente com a mesma forma que o disco, para impedir a vibração da folha de protecção durante a rectificação. A presente requerente efectuou várias propostas de folhas de protecção; por exemplo, os Pedidos de Patente Japonesa N°. 2001-329146 e 2002-67080 propõem folhas de protecção laminadas que incluem uma película rígida e uma película de relaxação de tensões. A utilização de tais folhas de protecção laminadas permite a redução de danos nos discos, devido à película de relaxação de tensões reduzir a tensão que ocorre durante a rectificação de disco e a película rígida confere resistência para o transporte de disco.
Divulga-se no documento JP 2000129227 um outro exemplo de uma folha de protecção laminada aplicada a um disco.
Contudo, o disco rectificado até uma espessura ultrafina sofre uma diminuição de resistência assinalável e danifica-se mesmo com um impacto fraco. Por exemplo, ocorre um problema como se segue. Depois da rectificação, os discos são armazenados num cartucho de discos e são transportados para os passos subsequentes. Os discos armazenados no cartucho de discos são transportados habitualmente à mão. O transporte resulta, frequentemente, em bordos de discos lascados e discos fracturados devido ao contacto dos bordos dos discos com as paredes laterais do cartucho de discos. 2
Os documentos JP-A-2000-353682 e JP-A-2002-57208 (agora JP-A-2003-129011 e JP-A-2003-261842, respectivamente) divulgam técnicas em que se aplica uma folha de protecção num disco semicondutor e se corta com uma dimensão ligeiramente menor do que o diâmetro de disco máximo, e o disco é sujeito aos passos subsequentes, tal como, rectificação. Estas técnicas podem eliminar a "folga" da folha de protecção, de modo que se reduza a vibração da folha de protecção durante a rectificação. Contudo, não podem impedir o contacto dos bordos de disco com as paredes laterais do cartucho de discos, durante o transporte. Entretanto, a rectificação é, frequentemente, seguida da aplicação de uma folha adesiva na superfície de disco rectificada para vários fins, tal como a formação de uma camada adesiva de ligação. Depois de se aplicar a folha adesiva, a folha de protecção é destacada para transferir o disco para a folha adesiva. Aqui, a folha adesiva aplicada no disco é cortada substancialmente com o mesmo diâmetro que o disco. 0 corte da folha adesiva realiza-se passando um dispositivo de corte ao longo da periferia exterior do disco. Deste modo, a folha adesiva pode ser cortada substancialmente com o mesmo diâmetro que o disco. Contudo, a lâmina de corte é colocada em contacto com a periferia exterior do disco e danifica frequentemente o disco.
DIVULGAÇÃO DA INVENÇÃO A presente invenção realizou-se tendo em consideração a técnica anterior acima mencionada. É, assim, um objectivo da invenção, proporcionar uma estrutura e um método de protecção de disco semicondutor que permitam impedir o dano de um disco durante a rectificação e transporte, quando o disco é 3 rectifiçado a uma espessura ultrafina e transportado. É um outro objectivo da invenção proporcionar um processo para processamento de um disco semicondutor, pelo qual se pode reduzir o dano do disco, durante a aplicação e corte de uma folha adesiva.
Uma estrutura de protecção de disco semicondutor de acordo com a presente invenção compreende um disco semicondutor e uma folha de protecção laminada sobreposta numa superfície de circuito do disco semicondutor, em que a folha de protecção laminada é: uma folha de protecção laminada que compreende uma primeira camada de protecção possuindo um diâmetro maior do que o diâmetro exterior do disco semicondutor e formada por uma película possuindo uma taxa de relaxação de tensões de, pelo menos, 40% após 1 minuto de 10% de alongamento e uma segunda camada de protecção laminada sobre a primeira camada de protecção, possuindo um diâmetro exterior que é igual ao diâmetro exterior da primeira camada de protecção e formada por uma película possuindo um valor do módulo de Young x espessura de, pelo menos, 5,0 x 104 N/m; ou uma folha de protecção laminada que compreende uma primeira camada de protecção possuindo substancialmente a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco semicondutor e uma segunda camada de protecção laminada sobre a primeira camada de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior da primeira camada de protecção, em que a folha de protecção laminada é sobreposta na superfície de circuito através do lado da primeira camada de protecção e em que a folha de protecção laminada possui um diâmetro máximo que é maior do que o diâmetro exterior do disco semicondutor de +0,1 a 10 mm. 4
Quando a folha de protecção laminada corresponde à segunda opção listada no parágrafo anterior, a primeira camada de protecção possui, de um modo preferido, um diâmetro exterior que é menor do que o diâmetro exterior do disco semicondutor de -2,0 a 0 mm e a segunda camada de protecção possui, de um modo preferido, um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior do disco semicondutor de +0,1 a +2,0 mm.
Quando a folha de protecção laminada corresponde à segunda opção listada no parágrafo anterior, a primeira camada de protecção possui, de um modo preferido, uma pelicula possuindo uma taxa de relaxação de tensões de, pelo menos, 40% após 1 minuto de 10% de alongamento e a segunda camada de protecção inclui, de um modo preferido, uma pelicula, possuindo um valor do módulo de Young x espessura de, pelo menos, 5,0 x 104 N/m.
Um método de protecção de disco semicondutor de acordo com a presente invenção compreende a sobreposição de uma superfície de circuito de um disco semicondutor com uma folha de protecção laminada, em que a folha de protecção laminada é uma folha de protecção laminada que compreende uma primeira camada de protecção possuindo um diâmetro maior do que o diâmetro exterior do disco semicondutor e formada por uma película possuindo uma taxa de relaxação de tensões de, pelo menos, 40% após 1 minuto de 10% de alongamento e uma segunda camada de protecção laminada sobre a primeira camada de protecção, possuindo um diâmetro exterior que é igual ao diâmetro exterior da primeira camada de protecção e formada por uma película possuindo um valor do módulo de Young x espessura de, pelo menos, 5,0 x 104 N/m; ou uma folha de protecção laminada que compreende uma primeira camada de protecção possuindo substancialmente a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco semicondutor e uma segunda camada de 5 protecção laminada sobre a primeira camada de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior da primeira camada de protecção, em que a folha de protecção laminada é sobreposta na superfície de circuito através do lado da primeira camada de protecção e em que a folha de protecção laminada possui um diâmetro máximo que é maior do que o diâmetro exterior do disco semicondutor de +0,1 a 10 mm. A presente invenção proporciona uma estrutura e um método de protecção de disco semicondutor que permitem impedir o dano de um disco durante a rectificação e o transporte, quando o disco é rectificado a uma espessura ultrafina e transportada.
Um processo para processamento de um disco semicondutor de acordo com a presente invenção compreende um passo compreendendo a rectificação de um disco semicondutor e a aplicação de uma folha adesiva à superfície rectificada, enquanto se protege o disco semicondutor através do método de protecção de disco semicondutor acima mencionado. O processo para processamento de um disco semicondutor compreende, de um modo preferido, um outro passo a ser realizado depois da aplicação da folha adesiva, compreendendo o passo: corte de uma parte periférica exterior da folha adesiva com um dispositivo de corte, de modo a que o dispositivo de corte se mova ao longo de uma superfície de extremidade periférica exterior da folha de protecção da folha de protecção laminada.
De acordo com o processo para processamento de um disco semicondutor como descrito anteriormente, um disco semicondutor não se danifica quando se aplica uma folha adesiva sobre o mesmo 6 e a superfície de extremidade do disco é impedida de contactar com uma lâmina de corte, quando se corta uma parte periférica exterior da folha adesiva. Deste modo, pode reduzir-se a probabilidade do disco se danificar durante a aplicação e o corte da folha adesiva.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS A Fig. 1 é uma vista em corte esquemática de uma primeira estrutura de protecção, que não faz parte da presente invenção; A Fig. 2 é uma vista em corte esquemática de uma segunda estrutura de protecção, de acordo com uma forma de realização da presente invenção; A Fig. 3 é uma vista em corte esquemática de uma segunda estrutura de protecção, de acordo com uma outra forma de realização da presente invenção; e A Fig. 4 ilustra um passo do processo para processamento de disco semicondutor de acordo com a presente invenção; em que: 1.. . Primeira camada de protecção 2.. . Segunda camada de protecção (ou substrato) 3.. . Camada adesiva sensível à pressão 4.. . Camada adesiva 5.. . Disco semicondutor 6.. . Folha adesiva 7.. . Dispositivo de corte 11.. . Folha de protecção 12.13.. . Folha de protecção laminada 7 A, B, C, ...
Estrutura de protecçao de disco semicondutor
FORMAS DE REALIZAÇÃO PREFERIDAS DA INVENÇÃO A presente invenção será descrita abaixo com maior pormenor com referência aos desenhos.
Como se ilustra na Fig. 1, uma primeira estrutura "A" de protecção para um disco semicondutor inclui um disco 5 semicondutor e uma folha 11 de protecção sobreposta sobre uma superfície de circuito do disco semicondutor, em que a folha de protecção possui um diâmetro maior do que o diâmetro exterior do disco semicondutor. A folha 11 de protecção é composta, de um modo geral, por um substrato 2 e por uma camada 3 adesiva sensível à pressão (daqui em diante, "PSA") formada sobre o mesmo. 0 substrato 2 pode ser um substrato multicamadas.
Isto é, como se mostra nas Fig. 2 ou 3, as segundas estruturas "B" e "C" de protecção para um disco semicondutor incluem um disco semicondutor e uma folha 12 ou 13 de protecção laminada sobreposta numa superfície de circuito do disco semicondutor, em que a folha de protecção laminada inclui uma primeira camada 1 de protecção possuindo substancialmente a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco semicondutor e uma segunda camada 2 de protecção laminada sobre a primeira camada 1 de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é igual (Fig. 2) ou maior (Fig. 3) do que o diâmetro exterior da primeira camada 1 de protecção. A folha 12 ou 13 de protecção laminada é sobreposta na superfície de circuito através do lado da primeira camada 1 de protecção.
As estruturas de protecção de disco semicondutor possuindo as constituições anteriores, permitem que os discos sejam armazenados num cartucho de discos, de modo que a extremidade dos discos 5 fique impedida de contactar directamente com as paredes laterais do cartucho. Assim, pode impedir-se o dano dos discos. Isto é, a parte de extremidade da folha de protecção funciona como uma almofada para proteger o disco 5. No entanto, as camadas de folha de protecção rígidas são, de um modo geral, difíceis de destacar através de uma fita de separação. Na presente invenção, a parte de extremidade da folha de protecção que se projecta mais para o exterior do que o disco 5, pode trabalhar como uma guia para destacamento. Deste modo, a folha de protecção pode ser facilmente destacada, mesmo se incluir uma película rígida.
Além disso, quando se aplica uma folha 6 adesiva à superfície rectificada do disco 5 semicondutor após completar o passo requerido, o disco 5 está protegido com segurança e não é danificado. Além disso, como se ilustra na Fig. 4, corta-se uma parte periférica exterior da folha 6 adesiva, de modo que um dispositivo de corte se mova ao longo de uma superfície de extremidade periférica exterior da folha de protecção. Deste modo, uma lâmina 7 de corte não é contactada pela superfície de extremidade do disco. Assim, pode reduzir-se o dano no disco, durante a aplicação e corte da folha adesiva.
Descrever-se-ão, abaixo, com pormenor, exemplos que não estão de acordo com a invenção e formas de realização preferidas 9 da presente invenção. Contudo, deve entender-se que a invenção não está de nenhum modo limitada às formas de realização.
Irá descrever-se com pormenor, a primeira estrutura A de protecção (Fig. 1), que não está de acordo com a invenção. A primeira estrutura A de protecção inclui o disco 5 semicondutor e a folha 11 de protecção sobreposta na superfície de circuito do disco semicondutor e a folha de protecção é maior em diâmetro exterior do que o disco semicondutor. A diferença de diâmetro exterior entre a folha 11 de protecção e o disco 5 semicondutor ((diâmetro exterior da folha 11 de protecção) - (diâmetro exterior do disco 5 semicondutor)) está, de um modo preferido, no intervalo de 0,1 a 10 mm, de um modo mais preferido, 0,1 a 5 mm, e de um modo particularmente preferido, 0,1 a 2 mm. O disco 5 semicondutor é suportada sobre a folha 11 de protecção. Quando o substrato 2 possui propriedades auto-adesivas, o disco 5 semicondutor pode ser suportada sobre o substrato 2 sem formar qualquer PSA. É igualmente possível, que o disco 5 semicondutor seja suportada através da camada 3 de PSA. O substrato 2 inclui, de um modo preferido, uma película rígida para obter uma função de protecção suficiente.
Empregam-se várias películas finas como as películas rígidas. Preferem-se as películas de resinas sintéticas considerando a resistência à água, resistência ao calor e rigidez. As películas rígidas possuem, de um modo preferido, um 10 valor do módulo de Young x espessura de, pelo menos, 5, 0 x 104 N/m, e de um modo mais preferido, no intervalo de 1 x 105 a 1 x 106 N/m. As películas rígidas geralmente variam de espessura de 10 pm a 5 mm e, de um modo preferido, de 50 a 500 pm.
Exemplos específicos de películas rígidas incluem películas de poliolefina, tais como películas de polipropileno e películas de polimetilpentano, películas de policloreto de vinilo, películas de polinaftalato de etileno, películas de poliimida, películas de poli(éter-éter-cetona), películas de poliéter sulfona, películas de poliestireno, películas de politereftalato de etileno, películas de politereftalato de butileno, películas de poliuretano e películas de poliamidas. As películas rígidas podem ser películas de única camada ou películas laminadas das películas acima mencionadas.
Das películas rígidas anteriores, preferem-se aquelas que não provocam efeitos prejudiciais, tal como contaminação iónica, sobre o disco. Especificamente, preferem-se, de um modo particular, películas de politereftalato de etileno, películas de polipropileno, películas de polinaftalato de etileno e películas de poliamida.
Sobre a superfície superior do substrato 2, está proporcionada a camada 3 de PSA. Para obter uma adesão superior com a camada 3 de PSA, a superfície superior do substrato 2 pode ser tratada por um tratamento por efeito Corona ou pode ser sobreposta por uma camada, tal como um revestimento primário. 11 A área da camada 3 de PSA pode ser igual àquela do substrato 2 ou pode ser substancialmente a mesma que aquela do disco aplicada à camada de PSA. A camada 3 de PSA sobre o substrato 2 tem o propósito de fixação do disco 5 semicondutor, durante o transporte e processamento. A camada 3 de PSA pode ser formada a partir de uma PSA curável através de energia de radiação ou uma PSA de utilização geral amovivel contendo uma base de borracha, uma base de acrilo, uma base de silicone, uma base de poliuretano ou uma base de éter de polivinilo.
Os adesivos sensíveis à pressão curáveis através de energia de radiação contêm, de um modo geral, uma PSA acrilica e um composto curável através de energia de radiação, como componentes principais.
Por exemplo, utilizam-se, amplamente, compostos de peso molecular baixo que possuem na molécula pelo menos duas ligações duplas carbono-carbono fotopolimerizáveis que podem ser convertidas numa estrutura de rede tridimensional através de irradiação de luz, como divulgado nos documentos JP-A-S60-196956 e JP-A-S60-223139, como compostos curáveis através de energia de radiação incorporados nos adesivos sensíveis à pressão curáveis através de energia de radiação. Exemplos específicos dos mesmos incluem, triacrilato de trimetilolpropano, triacrilato de pentaeritritol, tetracrilato de pentaeritritol, monohidroxipentacrilato de dipentaeritritol, hexacrilato de dipentaeritritol, diacrilato de 1,4-butilenoglicol, diacrilato de 1,6-hexanodiol, diacrilato de polietilenoglicol e oligómeros, tal como acrilatos de oligoéster e acrilatos de uretano. 12
Relativamente ao rácio de composição do composto polimerizável através de energia de radiação para com a PSA acrílica na PSA curável através de energia de radiação, prefere-se que o composto polimerizável através de energia de radiação seja utilizado com uma quantidade de 50 a 200 partes em peso por 100 partes em peso da PSA acrílica. Quando esta condição é satisfeita, a folha de PSA resultante possui uma adesão inicial elevada e reduz drasticamente a adesão depois de irradiado com energia de radiação. Deste modo, pode realizar-se um destacamento fácil na interface entre o disco 5 e a camada de PSA curável através de energia de radiação. A camada de PSA curável através de energia de radiação pode ser formada por um copolímero curável através de energia de radiação possuindo um grupo polimerizável através de energia de radiação numa cadeia lateral. Tais copolímeros curáveis através de energia de radiação exibem propriedades adesivas e de cura através de energia de radiação. Descrevem-se, por exemplo, nos documentos JP-A-H05-32946 e JP-A-H08-27239, pormenores dos copolímeros curáveis através de energia de radiação que possuem um grupo polimerizável através de energia de radiação numa cadeia lateral. A espessura da camada 3 de PSA pode variar, dependendo do material, e está, de um modo geral, no intervalo de cerca de 3 a 100 pm, e de um modo preferido, de cerca de 10 a 50 pm. A folha 11 de protecção pode ser formada através da aplicação da PSA anterior sobre o substrato 2 com uma espessura apropriada, com a utilização de um aplicador conhecido, tal como uma máquina de revestimento por rolos, uma máquina de revestimento por lâmina, uma máquina de revestimento por rolo e 13 por lâmina, uma máquina de revestimento inversa ou uma máquina de revestimento através de uma matriz, seguida de secagem para produzir a camada 3 de PSA. Alternativamente, a camada 3 de PSA pode ser formada sobre uma película de libertação e transferida sobre o substrato 2.
Em seguida, explicar-se-á a segunda estrutura de protecção que está de acordo com a presente invenção. A segunda estrutura de protecção corresponde à primeira estrutura de protecção na qual o substrato 2 possui camadas estruturais múltiplas. Duas das camadas estruturais do substrato 2 serão referidas abaixo como a "primeira camada 1 de protecção" e a "segunda camada 2 de protecção". A primeira camada 1 de protecção e a segunda camada 2 de protecção podem ser compostas pelos mesmos tipos, ou diferentes tipos, de películas rígidas. É possível, igualmente, uma combinação de uma película rígida e de um outro tipo de película. Prefere-se, de um modo particular, que a primeira camada 1 de protecção que está voltada para o lado do disco seja formada por uma película de relaxação de tensões descrita posteriormente e a segunda camada 2 de protecção que está posicionada no lado oposto do disco seja formada por uma película rígida.
Um exemplo da segunda estrutura de protecção, é uma estrutura B de protecção, como se mostra na Fig. 2, que inclui o disco 5 semicondutor e a folha 12 de protecção laminada sobreposta sobre a superfície de circuito do disco semicondutor. A folha 12 de protecção laminada compreende a primeira camada 1 de protecção possuindo um diâmetro maior do que o diâmetro exterior do disco semicondutor, e a segunda camada 2 de 14 protecção laminada sobre a primeira camada 1 de protecção e possuindo um diâmetro exterior igual ao diâmetro exterior da primeira camada 1 de protecção. A folha de protecção laminada é sobreposta sobre a superfície de circuito através do lado da primeira camada 1 de protecção.
Um outro exemplo da segunda camada de protecção, é uma estrutura C de protecção, como se mostra na Fig. 3, que inclui o disco 5 semicondutor e a folha 13 de protecção laminada sobreposta sobre a superfície de circuito do disco semicondutor. A folha 13 de protecção laminada compreende a primeira camada 1 de protecção possuindo substancialmente a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco semicondutor e a segunda camada 2 de protecção laminada sobre a primeira camada 1 de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior da primeira camada 1 de protecção. A folha de protecção laminada é sobreposta sobre a superfície de circuito através do lado da primeira camada 1 de protecção. A superfície superior da segunda camada 2 de protecção é proporcionada com a camada 4 adesiva para laminagem com a primeira camada 1 de protecção. A primeira camada 1 de protecção e a segunda camada 2 de protecção podem ser ligadas firmemente de modo a evitar a separação ou podem ser laminadas de modo separado.
Os adesivos para ligação de modo firme da primeira e da segunda camada 1 e 2 de protecção incluem adesivos sensíveis à pressão de ligação permanente com base em borracha e com base em acrilo e adesivos de laminagem a seco com base em poliéster e com base em poliamida. Os adesivos para laminagem de modo separado da primeira e da segunda camada 1 e 2 de protecção, 15 incluem os adesivos sensíveis à pressão mencionados anteriormente para a camada 3 de PSA. A espessura da camada 4 adesiva pode variar dependendo do material e está, de um modo geral, no intervalo de, cerca de, 1 a 100 pm, e de um modo preferido, de, cerca de, de 3 a 50 pm. De um modo preferido, a camada 4 adesiva é da mesma dimensão que (está nivelada com) a segunda camada 2 de protecção. No caso da estrutura C de protecção, a camada 4 adesiva pode ser da mesma dimensão que a primeira camada 1 de protecção. Na estrutura B i de protecção, a primeira camada 1 de protecção e a segunda camada 2 de protecção são substancialmente da mesma dimensão. A diferença no diâmetro interior entre a folha 12 de protecção laminada e o disco 5 semicondutor ((diâmetro exterior da folha 12 de protecção laminada)-(diâmetro exterior do disco 5 semicondutor)) está, de um modo preferido, no intervalo de 0,1 a 10 mm, de um modo mais preferido, 0,1 a 5 mm, e de um modo particularmente preferido, 0,1 a 2 mm.
Na estrutura C de protecção, a primeira camada 1 de protecção possui uma área, de modo a que, possa cobrir a superfície de circuito do disco semicondutor. A margem do disco semicondutor foi rectificada de modo inclinado para impedir a quebra e a superfície de circuito é formada no interior do contorno aparado. Deste modo, prefere-se que o diâmetro exterior da primeira camada 1 de protecção seja igual ou ligeiramente menor do que o diâmetro exterior do disco 5 semicondutor. Especificamente, a diferença no diâmetro exterior entre a primeira camada 1 de protecção e o disco 5 semicondutor ((diâmetro exterior da primeira camada 1 de protecção)-(diâmetro 16 exterior do disco 5 semicondutor)) está, de um modo preferido, no intervalo de -2 a 0 mm, de um modo particularmente preferido, -1,5 a 0 mm e, optimamente, -1,0 a 0 mm.
Por outro lado, o diâmetro exterior da segunda camada 2 de protecção é ligeiramente maior do que o diâmetro exterior do disco 5 semicondutor. Especificamente, a diferença no diâmetro exterior entre a segunda camada 2 de protecção e o disco 5 semicondutor ((diâmetro exterior da segunda camada 2 de protecção)-(diâmetro exterior do disco 5 semicondutor)) está, de um modo preferido, no intervalo de +0,1 a +10 mm, de um modo mais preferido, +0,1 a +5 mm, de um modo ainda mais preferido, + 0,1 a +2 mm, de um modo particularmente preferido, +0,1 a +1,5 mm, e optimamente, +0,1 a +1 mm.
Deste modo, a diferença no diâmetro exterior entre a segunda camada 2 de protecção e a primeira camada 1 de protecção ((diâmetro exterior da segunda camada 2 de protecção)-(diâmetro exterior da primeira camada 1 de protecção)) está, de um modo preferido, no intervalo de +0,1 a +12 mm, de um modo mais preferido, +0,1 a +6 mm, de um modo ainda mais preferido, +0,1 a +4 mm, de um modo particularmente preferido, +0,1 a +3 mm e, optimamente, +0,1 a +2 mm.
Prefere-se particularmente que a primeira camada 1 de protecção inclua uma película de relaxação de tensões descrita posteriormente e a segunda camada 2 de protecção inclua a película rígida supramencionada. A película 5 de semicondutor é suportada sobre a primeira camada 1 de protecção. Quando a primeira camada 1 de protecção possui propriedades auto-adesivas, o disco 5 semicondutor pode 17 ser suportada sobre a primeira camada 1 de protecção sem formar qualquer PSA. É possível igualmente, que o disco 5 semicondutor seja suportada através da PSA 3 mencionada anteriormente. A primeira camada 1 de protecção inclui, de um modo preferido, uma película de relaxação de tensões. A película de relaxação de tensões possui propriedades de relaxação de tensões excelentes. Especificamente, um ensaio de tracção da película mostra uma taxa de relaxação de tensões depois de 1 minuto de 10% de alongamento de 40% ou superior, de um modo preferido, 50% ou superior e, de um modo mais preferido, de 60% ou superior. Quanto maior a taxa de relaxação de tensões, mais preferível é. O limite superior da taxa de relaxação de tensões é teoricamente de 100%, e pode ser de 99,9%, 99% ou 95% dependendo das condições. A película de relaxação de tensões possui propriedades de relaxação de tensões excelentes, de maneira a que, a tensão residual seja atenuada imediatamente depois de se aplicar a película no disco 5. Deste modo, mesmo quando o disco na qual se aplicou a folha 12 ou 13 de protecção laminada, é rectificada até uma espessura ultrafina e se torna consequentemente frágil, o disco pode ser suportada sem curvatura devido à tensão residual muito pequena na folha de protecção laminada como um todo. A espessura da película de relaxação de tensões está, de um modo preferido, no intervalo de 30 a 1000 ym, de um modo mais preferido, de 50 a 800 ym e, de um modo particularmente preferido, de 80 a 500 ym. 18 A película de relaxação de tensões não está particularmente limitada, desde que seja uma película de resina que satisfaça as propriedades anteriores. Empregam-se resinas capazes de satisfazerem as propriedades anteriores, e resinas que contêm aditivos apropriados, de modo a obter as propriedades. A película de relaxação de tensões pode ser uma película curada de uma resina de endurecimento ou uma película de uma resina termoplástica.
As resinas de endurecimento incluem resinas fotocuráveis e resinas termoendurecíveis. Empregam-se, de um modo preferido, resinas fotocuráveis.
Como resinas fotocuráveis, utilizam-se, de um modo preferido, composições de resina com base em oligómeros de acrilato de uretano fotopolimerizáveis. Os oligómeros de acrilato de uretano adequados para utilizar na presente invenção variam, de um modo preferido, em peso molecular de 1000 a 50000 e, de um modo mais preferido, de 2000 a 30000. Os oligómeros de acrilato de uretano podem utilizar-se individualmente ou numa combinação de dois ou mais tipos. A utilização do oligómero de acrilato de uretano individual resulta, frequentemente, na dificuldade de produção da película. Deste modo, o oligómero é diluído, de um modo geral, com um monómero fotopolimerizável e a mistura é formada numa película de revestimento e curada para obter uma película. O monómero fotopolimerizável possui uma ligação dupla fotopolimerizável na molécula. Na invenção, preferem-se, de um modo particular, compostos de éster acrílico possuindo um grupo relativamente volumoso, tal como (met)acrilato de isobornilo, (met)acrilato de diciclopentenilo e acrilato de fenilhidroxipropilo. 19 0 monómero fotopolimerizável utiliza-se, de um modo preferido, numa quantidade de 5 a 900 partes em peso, de um modo mais preferido, 10 a 500 partes em peso e, de um modo particularmente preferido, 30 a 200 partes em peso por 100 partes em peso do oligómero de acrilato de uretano.
Quando a película de relaxação de tensões se forma a partir da resina fotocurável, a resina pode ser misturada com um iniciador de fotopolimerização para reduzir o tempo de cura de polimerização, através de irradiação e dose. A quantidade do iniciador de fotopolimerização está, de um modo preferido, no intervalo de 0,05 a 15 partes em peso, de um modo mais preferido, 0,1 a 10 partes em peso e, de um modo particularmente preferido, 0,5 a 5 partes em peso, por 100 partes em peso de todas as resinas combinadas.
Pode seleccionar-se uma combinação apropriada a partir de várias combinações dos oligómeros e dos monómeros, de modo a produzir as resinas de endurecimento capazes de satisfazer as propriedades acima mencionadas.
As resinas podem conter aditivos, incluindo cargas inorgânicas, tal como carbonato de cálcio, sílica e mica, cargas de metal, tal como, ferro e chumbo, e colorantes, tal como, pigmentos e corantes.
Para produzir a película de relaxação de tensões, a resina líquida (não curada, solução da resina, etc.) pode ser vazada com uma espessura pequena sobre uma película de vazamento e ser produzida numa película (através de cura ou secagem) através de meios predeterminados, seguido da remoção da película de 20 vazamento. Este processo não fará com que a resina seja submetida a tensões elevadas durante a formação da película e resulta raramente em olhos de peixe. Além disso, o processo permite uma elevada uniformidade da espessura da película, estando a exactidão da espessura dentro de 2%.
Outros processos para produzir as películas de relaxação de tensões incluem a extrusão com utilização de uma matriz em T ou uma insuflação e calandragem.
Para obter uma maior adesão com a camada 3 de PSA, a superfície superior da primeira camada 1 de protecção pode ser tratada por corona ou pode ser sobreposta por uma camada, tal como um revestimento primário. A camada 3 de PSA é como descrito relativamente à primeira estrutura A de protecção.
As estruturas de protecção de disco semicondutor de acordo com a presente invenção, são adoptadas adequadamente para armazenar, transportar e processar discos de semicondutor ultrafinas. De um modo particular, as estruturas de protecção são úteis para a protecção da superfície de circuito durante a rectificação do disco até uma espessura ultrafina e para armazenar e transportar os discos ultrafinas.
Quando um disco semicondutor é sujeita a um passo de rectificação utilizando a estrutura A de protecção, aplica-se a folha 11 de protecção à superfície de circuito do disco 5 semicondutor e realiza-se a rectificação através de um método convencional.
Quando um disco semicondutor é sujeita a um passo de rectificação utilizando a estrutura B ou C de protecção, aplica- 21 se a folha 12 ou 13 de protecção laminada à superfície do disco 5 através da camada 3 de PSA. A superfície do disco 5 está proporcionada com um padrão de circuito. A aplicação realiza-se através da utilização de um laminador especializado para a fabricação de discos, enquanto se introduz, tanto quanto possível, uma tensão pequena. Contudo, dado a aplicação ser praticamente impossível sem absolutamente qualquer tensão, a tensão acumula-se, frequentemente, nas folhas de PSA habituais, como uma tensão residual. Na invenção, a utilização da película de relaxação de tensões como primeira camada 1 de protecção proporciona uma relaxação de tensões, de modo a que se possa reduzir a tensão interna. As películas rígidas são menos susceptíveis à tensão proveniente da aplicação e sofrem uma tensão interna residual pequena.
Quando se emprega a folha de protecção laminada, pode aplicar-se a primeira camada 1 de protecção na superfície de circuito do disco 5 e pode aplicar-se a segunda camada 2 de protecção na superfície exposta da primeira camada 1 de protecção. É possível igualmente, que a primeira camada 1 de protecção e a segunda camada 2 de protecção sejam previamente laminadas, e a folha de protecção laminada resultante seja sobreposta sobre a superfície de circuito do disco 5 através do lado da primeira camada 1 de protecção.
No último caso, a primeira camada 1 de protecção e a segunda camada 2 de protecção podem ser fornecidas como uma folha laminada pré-cortada com uma dimensão predeterminada ou podem ser fornecidas como uma folha laminada não cortada e ser cortada com uma dimensão predeterminada depois de aplicada ao disco 5. Na forma de realização preferida da estrutura C de protecção, a primeira camada 1 de protecção é fornecida como uma 22 folha não cortada, é aplicada no disco 5 e é cortada com uma lâmina de corte ao longo da margem do disco 5; subsequentemente, a segunda camada 2 de protecção é fornecida como uma folha pré-cortada com uma dimensão predeterminada e é laminada sobre a primeira camada 1 de protecção, de modo a alinhar os centros do disco e da segunda camada 2 de protecção. Assim, a estrutura C de protecção para disco semicondutor de acordo com a presente invenção, pode ser fabricada com elevada precisão.
Embora a disco semicondutor esteja protegida com a estrutura de protecção como descrito anteriormente, a superfície posterior do disco é rectificada com uma rectificadora ou semelhante, até se atingir uma espessura predeterminada, seguido, opcionalmente, de polimento químico através de ataque químico ou semelhante. 0 disco pode ser rectificado até uma espessura de, por exemplo, 30 a 100 pm. Como descrito anteriormente, as folhas de PSA habituais apresentam uma tensão residual como um resultado da acumulação de tensão no momento de aplicação e os discos ultrafinas empenam frequentemente. Na invenção, a utilização da película de relaxação de tensões proporciona uma relaxação de tensões, de modo a que, a tensão interna se possa reduzir. Deste modo, o disco não empenará, mesmo se for rectificada até uma espessura ultrafina.
Depois de completar o passo de rectificação como descrito anteriormente, os discos 5 são armazenadas num cartucho de discos e transportadas para o próximo passo. Dado o diâmetro máximo da folha 11 de protecção ou da folha 12 ou 13 de protecção laminada ser ligeiramente maior do que aquele de disco 5, a estrutura de protecção de disco semicondutor 23 armazenada no cartucho de discos pode impedir a margem dos discos 5 de um contacto directo com as paredes laterais do cartucho. Deste modo, o disco pode ser transportada sem dano. Nomeadamente, a parte de extremidade da folha de protecção funciona como uma almofada para proteger o disco 5.
Após transporte e armazenamento, a disco semicondutor é sujeita a um passo de corte. Antes do passo de corte, a folha 6 adesiva é aplicada frequentemente na superfície rectificada (superfície posterior à superfície de circuito) do disco com vários propósitos, tal como a formação de uma camada adesiva de colagem do circuito integrado. Depois de se aplicar a folha 6 adesiva, remove-se a folha de protecção ou a folha de protecção laminada para transferir o disco para a folha 6 adesiva. A folha adesiva utilizada neste caso, pode ser seleccionada, sem limitações, de folhas adesivas que possuem várias funções, incluindo as folhas de colagem do circuito integrado e as folhas adesivas de processamento de semicondutores.
Quando a folha 6 adesiva não possui as funções de uma fita de preensão (não funciona para fixação do disco ou para agarrar os chips) aplica-se no disco uma folha 6 adesiva possuindo substancialmente a mesma dimensão que o disco; em seguida, aplica-se uma fita de preensão na superfície exposta da folha adesiva e o laminado é sujeito ao passo de corte. A folha 6 adesiva possuindo substancialmente a mesma dimensão que o disco pode ser produzida através do corte prévio da folha à dimensão antes da aplicação no disco. Mais frequentemente, contudo, a folha 6 adesiva na forma de uma fita não cortada aplica-se no disco e é cortada ao longo da periferia exterior do disco. 24
Quando a disco semicondutor está protegida com a estrutura de protecção da presente invenção, o disco 5 é protegida com segurança e não se danifica mesmo durante a aplicação da folha 6 adesiva na superfície rectificada do disco 5 semicondutor. Além disso, como ilustrado na Fig. 4, corta-se uma parte periférica exterior da folha 6 adesiva, de modo a que um dispositivo de corte se mova ao longo da superfície de extremidade periférica exterior da folha de protecção. Isto é, a lâmina 7 de corte não é contactada pela superfície de extremidade do disco. Deste modo, podem reduzir-se os danos do disco, durante a aplicação e corte da folha adesiva.
Subsequentemente, remove-se a folha de protecção ou a folha de protecção laminada e, assim, o disco é transferido para a folha 6 adesiva. Em seguida, realizam-se passos convencionais, tal como corte, para produzir os dispositivos de semicondutores.
Quando a camada 4 adesiva é composta por um adesivo amovível, prefere-se que a folha 6 adesiva seja aplicada na superfície rectificada do disco e que seja cortada a parte periférica exterior da folha adesiva; em seguida, remove-se a segunda camada 2 de protecção e, antes do corte, remove-se a primeira camada 1 de protecção da superfície do disco. Os passos de remoção separados para a segunda camada 2 de protecção e a primeira camada 1 de protecção permitem a redução da tensão de flexão no disco, quando comparado com a libertação colectiva da primeira e da segunda camada 1 e 2 de protecção.
Depois da primeira e da segunda camada 1 e 2 de protecção serem ambas removidas e o disco ser, assim, transferida para a fita de preensão, o disco é cortada por um método convencional 25 em chips de semicondutores, que são fabricados em dispositivos semicondutores através de um processo convencional.
APLICABILIDADE INDUSTRIAL
As estruturas e métodos de protecção de disco semicondutor, e a folha de protecção laminada para utilizar com os mesmos, permitem impedir o dano de um disco durante a rectificação e transporte, quando o disco é rectificado até uma espessura ultrafina e transportada.
De acordo com o processo de processamento de disco semicondutor como descrito anteriormente, um disco semicondutor não se danifica quando se aplica uma folha adesiva na mesma e a superfície de extremidade do disco é impedida de contactar com uma lâmina de corte, quando se corta uma parte periférica exterior da folha adesiva. Deste modo, reduz-se a probabilidade do disco se danificar durante a aplicação e corte da folha adesiva.
EXEMPLOS A presente invenção será ilustrada abaixo com maior pormenor através de Exemplos de estruturas de disco semicondutor. Os Exemplos são meramente para propósitos de ilustração, sendo a invenção definida nas reivindicações.
Avaliaram-se a "capacidade de transporte do disco" e a "capacidade de aplicação da folha adesiva" através dos métodos descritos abaixo. 26 (Capacidade de transporte do disco)
Nos Exemplos e nos Exemplos Comparativos, produziram-se estruturas de protecção de disco semicondutor respectivas. Em seguida, os discos de silício foram rectificados até uma espessura de 50 pm por meio de uma rectif icadora de discos (rectificadora da série DFG fabricada por DISCO CORPORATION). As estruturas de protecção de disco foram, então, armazenadas numa caixa de cassete de discos com a utilização de um dispositivo de permuta e transporte de discos (Adwill RAD-CXV fabricado por LINTEC CORPORATION). Subsequentemente, a caixa de cassete de discos foi transportada manualmente e instalada num alojamento de cassete de um montador de fita de preensão (Adwill série RAD-2500 fabricado por LINTEC CORPORATION).
Processaram-se dez discos de 8 polegadas (200 mm) em cada Exemplo ou Exemplo Comparativo, e realizou-se uma avaliação através da contagem do número de bordos de disco quebradas ou de discos danificadas. (Capacidade de aplicação de folha adesiva)
Nos Exemplos e Exemplos Comparativos, produziram-se estruturas de protecção de disco semicondutor respectivas. Em seguida, os discos de silício foram rectificados até uma espessura de 50 pm por meio de uma rectif icadora de discos (rectificadora da série DFG fabricada por DISCO CORPORATION). Uma folha adesiva (Adwill série LP fabricado pela LINTEC CORPORATION) foi laminada sobre a superfície rectificada do disco, enquanto se protegia uma outra superfície com a folha de protecção, utilizando um laminador Adwill série RAD-3500 27 (fabricado pela LINTEC CORPORATION). A laminagem da folha adesiva realizou-se sob aquecimento a, cerca de, 150 °C, de modo a aumentar a adesão da folha adesiva à superfície rectificada do disco. Em seguida, a folha adesiva foi cortada numa dimensão predeterminada, ao mover uma lâmina ao longo da configuração do disco.
Processaram-se dez discos de 8 polegadas (200 mm) em cada Exemplo ou Exemplo Comparativo, e realizou-se uma avaliação através da contagem do número de discos quebradas ou danificadas durante a laminagem da folha adesiva.
Exemplo 1 (1) Película de relaxação de tensões
Misturaram-se em conjunto 50 partes em peso de um oligómero de acrilato de uretano possuindo um peso molecular médio de 5000 (fabricado por ARAKAWA CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.), 25 partes em peso de acrilato de isobornilo, 25 partes em peso de acrilato de fenilhidroxipropilo, 2,0 partes em peso de um iniciador de fotopolimerização (IRGACURE 184, fabricado por CIBA SPECIALTY CHEMICALS) e 0,2 partes em peso de um pigmento de ftalocianina, para obter uma composição de resina fotocurável como um material para formação de uma película de relaxação de tensões. A composição de resina assim obtida foi aplicada sobre uma película de politereftalato de etileno (PET) (produto de Toray Industries, Inc., espessura: 38 pm) , numa espessura de 110 pm, através do método de revestimento de Fountain. Assim, formou-se uma camada de composição de resina. Imediatamente após 28 aplicação, a mesma película de PET foi laminada sobre a camada de composição de resina e a laminagem foi irradiada com UV com uma dose de 250 mJ/cm2 com a utilização de uma lâmpada de mercúrio de alta pressão (160 W/cm, altura: 10 cm) para efectuar, assim, ligações cruzadas e curar a camada de composição de resina. Removeram-se as películas de PET em ambas as superfícies. Assim, obteve-se uma película de relaxação de tensões que possuía uma espessura de 110 pm, uma taxa de relaxação de tensões de 87% e um módulo de Young de 1,8 x 108 Pa. (2) Adesivo sensível à pressão para aderir à superfície de circuito do disco
Compôs-se um copolímero curável por radiação possuindo um grupo polimerizável por radiação numa cadeia lateral com 5 partes em peso de um agente de cura (produto de adição de diisocianato de toluileno e trimetilolpropano) e 5 partes em peso de um iniciador de fotopolimerização (IRGACURE 184 fabricado por CIBA SPECIALTY CHEMICALS) para preparar uma PSA. O copolímero curável por radiação anterior obteve-se através da reacção de 100 partes em peso de um copolímero que consistiu em 85 partes em peso de acetato de n-butilo e de 15 partes em peso de acrilato de 2-hidroxietilo e possuía um peso molecular médio de, cerca de, 650000, com 16 partes em peso de isocianato de metacriloiloxietilo. A PSA assim obtida, foi aplicada numa película de libertação de PET (SP-PET 3801 fabricada por LINTEC CORPORATION, espessura: 38 pm) com a utilização de uma máquina de revestimento por rolo e lâmina, de modo a obter uma espessura seca de 15 pm, seguido de secagem. A camada adesiva resultante foi transferida para a película de relaxação de tensões 29 preparada em (1). Assim, preparou-se uma primeira camada 1 de protecção. (3) Segunda camada de protecção
Aplicou-se uma PSA de tipo ligação permanente acrílica (PK fabricado por LINTEC CORPORATION) numa película de libertação de PET (SP-PET 3801 fabricada por LINTEC CORPORATION, espessura: 38 pm) , de modo a obter uma espessura seca de 20 pm, seguido de secagem. A camada adesiva resultante foi transferida para uma película de PET rígida (produto de Toray Industries, Inc., espessura: 125 pm, módulo de Young: 4, 9 x 109 Pa, valor de espessura x módulo de Young: 6,1 x 101 2 N/m). Assim, preparou-se uma segunda camada de protecção. 30 1
Configuração da folha de protecção laminada 2 A segunda folha de protecção foi pré-cortada numa forma circular de 201 mm de diâmetro. A película de libertação sobre a primeira camada de protecção foi destacada e a primeira camada de protecção foi laminada na superfície espelho de um disco de silício (200 mm de diâmetro, 750 pm de espessura) através da PSA exposta com a utilização de um laminador de fita (AdwillRAD 3500/ml2 fabricado pela LINTEC CORPORATION). A primeira camada de protecção foi cortada ao longo do contorno do disco de silício. O corte realizou-se enquanto se oscilava um dispositivo de corte com um ângulo de, cerca de, 15° em relação à superfície vertical da primeira camada de protecção. Como um resultado, o diâmetro da superfície da primeira camada de protecção tornou-se de 199,9 mm.
Em seguida, a superfície exposta da primeira camada de protecção foi laminada com a segunda camada de protecção através da camada de PSA com alinhamento central. Assim, fabricou-se uma estrutura de protecção de disco semicondutor.
Exemplo 2 A primeira e a segunda camada de protecção produzidas no Exemplo 1 de (1) a (3) foram cortadas em formas circulares de 199,5 mm e 201 mm de diâmetro, respectivamente. A película de libertação sobre a segunda camada de protecção foi destacada e a segunda camada de protecção foi laminada na película de relaxação de tensões da primeira camada de protecção, através da PSA exposta com alinhamento central. Assim, produziu-se uma folha de protecção laminada. Subsequentemente, a folha de protecção laminada foi laminada na superfície espelho de um disco de silício através da camada de PSA da primeira camada de protecção com alinhamento central. Assim, fabricou-se uma estrutura de protecção de disco semicondutor.
Exemplos 3-5 A primeira e a segunda camada de protecção produzidas no Exemplo 1 de (1) a (3) foram laminadas, de modo que a película de libertação sobre a segunda camada de protecção fosse destacada, e a segunda camada de protecção fosse laminada na película de relaxação de tensões da primeira camada de protecção, através da PSA exposta. A folha de protecção laminada resultante foi pré-cortada numa forma circular de 201 mm de diâmetro. Subsequentemente, a folha de protecção laminada foi 31 laminada na superfície espelho de um disco de silício através da camada de PSA da primeira camada de protecção com alinhamento central. Assim, fabricou-se uma estrutura protecção de disco semicondutor (Exemplo 3). As estruturas de protecção de disco semicondutor de 205 mm e 208 mm de diâmetro da folha de protecção laminada foram produzidas de um modo semelhante nos Exemplos 4 e 5, respectivamente.
Exemplos 6-7 A primeira e a segunda camada de protecção produzidas no Exemplo 1 de (1) a (3) foram laminadas, de modo que a película de libertação sobre a segunda camada de protecção fosse destacada, e a segunda camada de protecção foi laminada na película de relaxação de tensões da primeira camada de protecção, através da PSA exposta. A folha de protecção laminada resultante foi laminada na superfície espelho de um disco de silício através da camada de PSA da primeira camada de protecção com alinhamento central. Em seguida, a folha de protecção laminada foi cortada, de modo que o diâmetro exterior através do centro do disco se tornasse de 201 mm. Assim, fabricou-se uma estrutura de protecção de disco semicondutor (Exemplo 6). No Exemplo 7, produziu-se uma estrutura de protecção de disco semicondutor possuindo uma folha de protecção laminada de 208 mm de um modo semelhante.
Exemplo 8
aplicada numa película fabricada por LINTEC A PSA empregue no Exemplo 1(2) foi de libertação de PET (SP-PET 3081 32 CORPORATION, espessura: 38 mm), de modo a obter uma espessura seca de 20 pm, seguido de secagem. A camada adesiva resultante foi transferida para uma película de PET rígida (produto de Toray Industries, Inc., espessura: 125 pm, módulo de Young: 4,9 x 109 Pa, valor de espessura x módulo de Young: 6,1 x 105 N/m) . Assim, preparou-se uma folha de protecção. Em seguida, a folha de protecção foi cortada numa forma circular de 205 mm de diâmetro. Subsequentemente, a folha de protecção foi laminada na superfície espelho de um disco de silício com alinhamento central. Assim, fabricou-se uma estrutura de protecção de disco semicondutor.
Exemplo 9 A PSA empregue no Exemplo 1(2) foi aplicada numa película de libertação de PET (SP-PET 3081 fabricada por LINTEC CORPORATION, espessura: 38 pm) , de modo a obter uma espessura seca de 20 pm, seguido de secagem. A camada adesiva resultante foi transferida para uma película de PET rígida (produto de Toray Industries, Inc., espessura: 125 pm, módulo de Young: 4,9 x 109 Pa, valor de espessura x módulo de Young: 6,1 x 105 N/m) . Assim, preparou-se uma folha de protecção. Em seguida, a folha de protecção foi laminada na superfície espelho de um disco de silício com alinhamento central. Subsequentemente, a folha de protecção foi cortada, de modo que o diâmetro exterior através do centro do disco se tornasse de 205 mm. Assim, fabricou-se uma estrutura de protecção de disco semicondutor. 33
Exemplo Comparativo 1 A película de libertação sobre a segunda camada de protecção produzida no Exemplo 1 (3) foi destacada e a segunda camada de protecção foi laminada na película de relaxação de tensões da primeira camada de protecção produzida no Exemplo 1 de (1) a (2), através da camada de PSA exposta. Assim, preparou-se uma folha de protecção laminada. Subsequentemente, a folha de protecção laminada foi laminada na superfície espelho de um disco de silício com a utilização de um laminador de fita e foi cortada ao longo do contorno do disco de silício. Assim, fabricou-se uma estrutura de protecção de disco semicondutor. 0 diâmetro da superfície do substrato mais superior da folha de protecção foi de 199,8 mm.
Exemplo Comparativo 2 A primeira camada de protecção produzida no Exemplo 1 de (1) a (2) foi laminada na superfície espelho de um disco de silício através da camada de PSA com alinhamento central. Em seguida, a camada de protecção foi cortada ao longo do contorno do disco de silício. Assim, fabricou-se uma estrutura de protecção de disco semicondutor. 0 diâmetro da superfície do substrato mais superior da folha de protecção foi de 199,8 mm. A constituição dos Exemplos e Exemplos Comparativos mostra-se na Tabela 1 e os resultados da avaliação na Tabela 2. 34
Tabela 1
Primeira camada de orotecção Segunda camada de protecção Método de aplicação*21 Método de corte*31 Esp. (pm) Taxa de relaxação de tensões (¾) Esp.da PSA UV (pm) Esp. (pm) Módulo de Young (Pa) Esp. x módulo de Young N/m Tipo de camada adesiva*11/ Esp. Ex. 1 110 87 Tipo UV 15 pm PET 125 4,9x10’ 6,1x10’ PK 20 pm Laminagem por duas vezes Pré-corte só da 2acamada de protecção: 201 mm Ex. 2 110 87 Tipo UV 15 pm PET 125 4,9x1o9 yiõõ5 PK 20 pm Laminagem numa vez Ia: 199,5 mm 2a :201 mm Ex. 3 110 87 Tipo UV 15 pm PET 125 4,9x1o9 6,1x10* PK 20 pm Laminagem numa vez Pré-corte: 201mm Ex. 4 110 87 Tipo UV 15 pm PET 125 4,9x10’ 6,1x10* PK 20 pm Laminagem numa vez Pré-corte: 205 mm Ex. 5 110 87 Tipo UV 15 pm PET 125 4,9x1o9 6jxK? PK 20 pm Laminagem numa vez Pré-corte: 208 mm Ex. 6 110 87 Tipo UV 15 pm PET 125 4,9x1o9 UxiÕ5 PK 20 pm Laminagem numa vez Após corte: 201 mm Ex. 7 110 87 Tipo UV 15 pm PET 125 4,9x10’ óôxIÕ5 PK 20 pm Laminagem numa vez Após corte: 208 mm Ex. 8 - - - PET 125 4,9x10’ êõxíõ5 Tipo UV 20 pm Laminagem numa vez Pré-corte: 205 mm Ex. 9 - - - PET 125 4,9x10’ 6,1x10* Tipo UV 20 pm Laminagem numa vez Após corte: 205 mm Ex. Comp.l 110 87 Tipo UV 15 pm PET 125 4,9x10’ UxiÕ5 PK 20 pm Laminagem numa vez Após corte: 199,8 mm Ex. Comp.2 160 87 Tipo UV 20 pm - - - - Laminagem numa vez Após corte: 199,8 mm
Esp.: Espessura *1): PK (PSA de tipo ligação permanente), Tipo UV (PSA curável através de UV), *2): Laminagem por duas vezes ( A primeira camada de protecção foi laminada sobre o disco, e em seguida, a segunda camada de protecção foi laminada sobre a primeira camada de protecção),
Laminagem numa vez: (A segunda camada de protecção foi laminada sobre a primeira camada de protecção, e em seguida, o elemento laminado foi laminado sobre o disco através do lado da primeira camada de protecção. Nos exemplos 8 e 9 e no Exemplo Comparativo 2, laminou-se uma película de uma única camada). *3) Pré-corte (Corte numa dimensão predeterminada antes de laminagem).
Após corte (corte numa dimensão predeterminada depois de laminagem)
Ia = Primeira camada de protecção, 2a = Segunda camada de protecção
Tabela 2
ST OS o JictmeyvoN; TS ' ts o C[ s-ç "T
Resultado da rectificação até 50 pm Propriedades de transporte do disco Propriedades de aplicação da folha adesiva Observações Ex. 1 10/10 com êxito 10/10 nenhum disco danificado 10/10 nenhum disco danificado Ex. 2 10/10 com êxito 10/10 nenhum disco danificado 10/10 nenhum disco danificado Ex. 3 10/10 com êxito 10/10 nenhum disco danificado 10/10 nenhum disco danificado Ex. 4 10/10 com êxito 10/10 nenhum disco danificado 10/10 nenhum disco danificado Ex. 5 10/10 com êxito 10/10 nenhum disco danificado 10/10 nenhum disco danificado Ex. 6 10/10 com êxito 10/10 nenhum disco danificado 10/10 nenhum disco danificado Ex. 7 10/10 com êxito 10/10 nenhum disco danificado 10/10 nenhum disco danificado Ex. 8 10/10 com êxito 10/10 nenhum disco danificado 10/10 nenhum disco danificado Ex. 9 10/10 com êxito 10/10 nenhum disco danificado 10/10 nenhum disco danificado Ex. Comp. 1 10/10 com êxito 7/10 três discos danificados 5 de 10 discos danificados Disco danificado durante o corte da folha adesiva Ex. Comp. 2 10/10 com êxito 6/10 quatro discos danificados 7 de 10 discos danificados

Claims (7)

  1. REIVINDICAÇÕES 1. Estrutura de protecção de disco semicondutor, compreendendo um disco (5) semicondutor e uma folha (12, 13) de protecção laminada sobreposta numa superfície de circuito do disco semicondutor, em que a folha (12, 13) de protecção laminada é: uma folha (12) de protecção laminada que compreende uma primeira camada (1) de protecção possuindo um diâmetro maior do que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor e formada por uma pelicula possuindo uma taxa de relaxação de tensões de, pelo menos, 40% após 1 minuto de 10% de alongamento e uma segunda camada (2) de protecção laminada sobre a primeira camada (1) de protecção, possuindo um diâmetro exterior que é igual ao diâmetro exterior da primeira camada (1) de protecção e formada por uma pelicula possuindo um valor do módulo de Young x espessura de, pelo menos, 5,0 x 104 N/m; ou uma folha (13) de protecção laminada que compreende uma primeira camada (1) de protecção possuindo substancialmente a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor e uma segunda camada (2) de protecção laminada sobre a primeira camada (1) de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior da primeira camada (1) de protecção, em que a folha (12, 13) de protecção laminada é sobreposta na superfície de circuito através do lado da primeira camada (1) de protecção e em que a folha (12, 13) de protecção laminada possui um diâmetro máximo que é maior do que o diâmetro exterior do disco semicondutor de +0,1 a 10 mm. 1
  2. 2. Estrutura de protecção de disco semicondutor de acordo com a reivindicação 1, sendo do tipo em que a folha (13) de protecção laminada compreende uma primeira camada (1) de protecção possuindo substancialmente a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor e uma segunda camada (2) de protecção laminada sobre a primeira camada (1) de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior da primeira camada (1) de protecção, em que a primeira camada (1) de protecção possui um diâmetro exterior que é menor do que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor de -2,0 a 0 mm e a segunda camada (2) de protecção possui um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor de +0,1 a +2,0 mm.
  3. 3. Estrutura de protecção de disco semicondutor de acordo com a reivindicação 1 ou 2 sendo do tipo em que a folha (13) de protecção laminada compreende uma primeira camada (1) de protecção possuindo substancialmente a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor e uma segunda camada (2) de protecção laminada sobre a primeira camada (1) de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior da primeira camada (1) de protecção, em que a primeira camada (1) de protecção inclui uma película possuindo uma taxa de relaxação de tensões de, pelo menos, 40% após 1 minuto de 10% de alongamento e a segunda camada (2) de protecção inclui uma película possuindo um valor de módulo de Young x espessura de, pelo menos, 5,0 x 101 N/m. 2 1 Estrutura de protecção de disco semicondutor, compreendendo a sobreposição de uma superfície de circuito de um disco (5) semicondutor com uma folha (12, 13) de protecção laminada, em que a folha (12, 13) de protecção laminada é: uma folha (12) de protecção laminada que compreende uma primeira camada (1) de protecção possuindo um diâmetro maior do que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor e formada por uma película possuindo uma taxa de relaxação de tensões de, pelo menos, 40% após 1 minuto de 10% de alonqamento e uma sequnda camada (2) de protecção laminada sobre a primeira camada (1) de protecção possuindo um diâmetro exterior que é igual ao diâmetro exterior da primeira camada (1) de protecção e formada por uma película possuindo um valor de módulo de Young x espessura de, pelo menos, 5,0 x 104 N/m; ou uma folha (13) de protecção laminada que compreende uma primeira camada (1) de protecção possuindo substancialmente a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor e uma segunda camada (2) de protecção laminada sobre a primeira camada (1) de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior da primeira camada (1) de protecção, em que a folha (12, 13) de protecção laminada é sobreposta na superfície de circuito através do lado da primeira camada (1) de protecção e em que a folha (12, 13) de protecção laminada possui um diâmetro máximo que é maior do que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor de +0,1 a 10 mm.
  4. 5. Método de protecção de disco semicondutor de acordo com a reivindicação 4, em que a folha (13) de protecção laminada é do tipo que compreende uma primeira camada (1) de protecção possuindo, substancialmente, a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco semicondutor e uma segunda camada (2) de protecção laminada sobre a primeira camada 3 (1) de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior da primeira camada (1) de protecção e em que a primeira camada (1) de protecção possui um diâmetro exterior que é menor do que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor de -2,0 a 0 mm e a segunda camada (2) de protecção possui um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor de +0,1 a +2,0 mm.
  5. 6. Método de protecção de disco semicondutor de acordo com a reivindicação 4 ou 5, em que a folha (13) de protecção laminada é do tipo que compreende uma primeira camada (1) de protecção possuindo substancialmente a mesma dimensão que o diâmetro exterior do disco (5) semicondutor, e uma segunda camada (2) de protecção laminada sobre a primeira camada (1) de protecção e possuindo um diâmetro exterior que é maior do que o diâmetro exterior da primeira camada (1) de protecção, em que a primeira camada (1) de protecção inclui uma película possuindo uma taxa de relaxação de tensões de, pelo menos, 40% após 1 minuto de 10% de alongamento e a segunda camada (2) de protecção inclui uma película possuindo um valor de módulo de Young x espessura de, pelo menos, 5,0 x 104 N/m.
  6. 7. Processo para processamento de disco semicondutor, compreendendo um passo compreendendo a rectificação de um disco (5) semicondutor e a aplicação de uma folha (6) adesiva na superfície rectificada, enquanto se protege o disco (5) semicondutor pelo método de protecção de disco semicondutor de qualquer das reivindicações 4 a 6.
  7. 8. Processo para processamento de disco semicondutor de acordo com a reivindicação 7, compreendendo um outro passo 4 compreendendo o corte de uma parte periférica exterior da folha (6) adesiva com um dispositivo (7) de corte, de modo que a máquina de corte se mova ao longo da superfície de extremidade periférica exterior da folha (12, 13) de protecção laminada. Lisboa, 21 de Novembro de 2012 5
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