NO304109B1 - FremgangsmÕte for fremstilling av dampformige reaktanter beregnet for kjemisk pÕdampning - Google Patents
FremgangsmÕte for fremstilling av dampformige reaktanter beregnet for kjemisk pÕdampning Download PDFInfo
- Publication number
- NO304109B1 NO304109B1 NO912320A NO912320A NO304109B1 NO 304109 B1 NO304109 B1 NO 304109B1 NO 912320 A NO912320 A NO 912320A NO 912320 A NO912320 A NO 912320A NO 304109 B1 NO304109 B1 NO 304109B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- coating
- liquid
- compound
- temperature
- evaporation chamber
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000376 reactant Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims description 94
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims description 94
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 140
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 67
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 65
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 51
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 35
- PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L dichloro(dimethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(Cl)Cl PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- YFRLQYJXUZRYDN-UHFFFAOYSA-K trichloro(methyl)stannane Chemical compound C[Sn](Cl)(Cl)Cl YFRLQYJXUZRYDN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BYLOHCRAPOSXLY-UHFFFAOYSA-N dichloro(diethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)CC BYLOHCRAPOSXLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PIMYDFDXAUVLON-UHFFFAOYSA-M chloro(triethyl)stannane Chemical compound CC[Sn](Cl)(CC)CC PIMYDFDXAUVLON-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- KWTSZCJMWHGPOS-UHFFFAOYSA-M chloro(trimethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(C)Cl KWTSZCJMWHGPOS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- YFAXVVMIXZAKSR-UHFFFAOYSA-L dichloro(diethyl)stannane Chemical compound CC[Sn](Cl)(Cl)CC YFAXVVMIXZAKSR-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M diethylaluminium chloride Chemical compound CC[Al](Cl)CC YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N tetramethyltin Chemical compound C[Sn](C)(C)C VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane-2,4-dione Chemical compound [Zn+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XDWXRAYGALQIFG-UHFFFAOYSA-L zinc;propanoate Chemical compound [Zn+2].CCC([O-])=O.CCC([O-])=O XDWXRAYGALQIFG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000005329 float glass Substances 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/229—Non-specific enumeration
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte for fremstilling av dampformige reaktanter, og nærmere bestemt en fremgangsmåte for fremstilling av blandinger av dampformige reaktanter, f.eks. som utgangsmateriale for belegging, og en gassblanding som er anvendelig for kjemisk pådampning.
Belagte glassartikler blir vanligvis fremstilt ved kontinuerlig belegging av et glassubstrat under tilvirkning ved en fremgangsmåte kjent innen faget som "flytglassprosessen". Denne fremgangsmåte innebærer støping av glasset på et passende lukket bad av smeltet tinn, deretter overføring av glasset, etter at det er blitt tilstrekkelig avkjølt, til ut-trekksruller som er i linje med badet, og til slutt avkjøling av glasset etter som det føres fremover på rullene, først gjennom et tempereringskammer og deretter i omgivende atmosfære. For å hindre oksydasjon blir en ikke-oksyderende atmosfære opprettholdt i prosessens flytdel hvor glasset er i kontakt med det smeltede tinnbad. I tempereringskammeret opprett-holdes luftatmosfære. Den kjemiske pådampning av ulike belegg kan hensiktsmessig utføres i badet eller i tempereringskammeret, eller til og med i overgangssonen mellom disse.
I glassbeleggingsprosesser er de anvendte reaktantene vanligvis i en fysisk form som gass, væske, fast stoff, fordampet væske eller fast stoff, væske eller fast stoff dispergert i en bæregassblanding, eller fordampet væske eller fast stoff dispergert i en bæregassblanding. I den kjemiske pådamp-ningsprosess anvendes vanligvis en fordampet væske eller et fast stoff som vanligvis er dispergert i en bæregassblanding.
Kjemiske pådampningsprosesser er vel kjent innen fagområdet belegging av glassubstrater. US patentskrift nr. 4 100 330 angir en fremgangsmåte for belegging av et glasssubstrat med et første lag av silisium og et andre lag av et metalloksyd avsatt ved en pyrolytisk dekomponering av en metallbeleggingsforbindelse i dampform på overflaten av et oppvarmet substrat i oksyderende atmosfære.
US patentskrift nr. 4 847 157 angir en fremgangsmåte for belegging av et glassubstrat med et første silisiumholdig lag, et titannitrid-holdig lag oppå dette første lag, et andre silisiumholdig lag som dekker det titannitrid-holdige lag, og oppå det andre silisiumholdige lag eventuelt et slitasjebe-
standig lag som for eksempel består av tinnoksyd.
US patentskrift nr. 4 692 180 angir en metode for sprøyting av en pulverformig metallforbindelse direkte på den varme overflate til et glassbånd fremstilt ved flytglass-prosessen, hvorved pulveret dekomponerer pyrolytisk og gir en metalloksydbelegging. US patentskrift nr. 3 852 098 angir fordampning av en dispergert pulverformig metallforbindelse med en varm bærerstrøm, som så rettes mot overflaten på et varmt glassubstrat for å avsette en metalloksydbelegging. En lignende anvendelse av en fast metallforbindelse beskrives i US patentskrift nr. 2 780 553, hvor et fast sjikt av en metallbeleggingsforbindelse blir fordampet ved kontakt med en varm bæregass. Til slutt i US patentskrift nr. 4 351 861 beskrives en fremgangsmåte for fluidisering av en partikkelfor-met reaktant i en bæregass, som deretter blir varmet for å fordampe de suspenderte partikler, og så rettet mot overflaten av et varmt glassubstrat for å danne et belegg. Disse metoder, hvor det anvendes faste partikler som utgangsmaterialer for belegging, gir reaktantstrømmer som er utsatt for konsentrasjonsvariasjoner på grunn av fluktuasjoner i partik-kelstørrelser, forandringer i partiklenes overflateareal over tid, vanskeligheter med å føre faste materialer fremover med jevn hastighet, etc.
Kjent teknikk omfatter også fremgangsmåter hvor metallorganiske salter løses i syre eller hydrokarbon, og deretter fordampes i en varm bæregass. I US patentskrift nr. 4 571 350 beskrives en fremgangsmåte hvor en forstøvet tåke av en metallsaltløsning sprøytes inn i et røykkammer. Løsningen blir fordampet og deretter avsatt på overflaten av et varmt glasssubstrat. US patentskrift nr. 3 970 037 angir å løse en beleggingsforbindelse i et løsningsmiddel, deretter fordampning ved å sprøyte oppløsningen inn i en varm bæregass som rettes mot overflaten på et varmt glassubstrat. I begge tilfeller dekomponerer forbindelsen pyrolytisk og gir et oksydbelegg, men oppløsningsmidlene innvirker på molekyltransporten på glassets overflate og forårsaker derigjennom variasjoner i det avsatte belegg.
Enda en metode for å fremstille termisk dekomponer-bare metalldampstrømmer for kjemiske pådampningsprosesser, be står i å boble en varm bæregass gjennom et metallsalt i flytende form, slik som angitt i US patentskrifter nr. 4 212 663 og 4 261 722. US patentskrift nr. 3 808 035 angir å føre en inert gass gjennom en fontene for derigjennom å fremstille en gasstrøm med en lav konsentrasjon av utgangsmateriale, og deretter føre gasstrømmen i kontakt med et substrat med temperatur på 100-300°C. Selv om bobleprosessen innebærer en fremgangsmåte for å bringe flytende utgangsforbindelser for belegging over i dampform direkte i bæregassen, lider den av flere ulemper som reduserer dens anvendelighet for fremstilling av dampformige forbindelser for kjemisk pådampning. Først og fremst må badet med flytende utgangsforbindelser for belegging holdes på en temperatur nær fordampningstemperaturen under hele fordampningsprosessen for å sikre en høy konsentrasjon av dampformige forbindelser i bæregassen. Den høye temperatur på badet, opprettholdt over en lengre tidsperiode, kan påskynde nedbrytningen av utgangsmaterialet for belegging, da noen av disse er svært følsomme for varme. I tillegg vil fordampnings-varmen som kreves for å fordampe væsken, forårsake at temperaturen på badet avtar når bæregassen bobles gjennom forbindelsen. Den avtagende temperatur på badet medfører at væskens damptrykk avtar, og derigjennom forårsakes en stadig avtagende konsentrasjon av det dampformige utgangsmateriale i bæregass-trømmen. Samtidig er det vanskelig å opprettholde jevne tem-peraturforhold i badet ved anvendelse av ekstern oppvarming. Til slutt, i en bobleprosess hvor væskebadet inneholder to eller flere utgangsmaterialer for belegging med hver sine damptrykk for de rene forbindelser, vil den flyktigste forbindelse fordampe lettest og derved forandre de flytende kom-ponenters partialdamptrykk. Følgelig forandres konsentrasjonen av de fordampede forbindelser i bæregasstrømmen etter hvert som væskebadet tømmes.
Det ville være ønskelig å kunne fordampe utgangsmaterialer for belegging, eller blandinger av slike, slik at det kun fremstilles en jevn, stabil strøm av konsentrert, dampformig utgangsmateriale for belegging. Dette ville tillate dannelse av tykkere avsatte lag enn det som kan oppnås med tidligere kjente fremgangsmåter, og det vil samtidig gi bedre kontroll med avsetningen av belegget.
Foreliggende oppfinnelse er rettet på en fremgangsmåte for fremstilling av dampformige reaktanter som blant an-net er anvendelige for kjemisk pådampning på varme substrater. I overensstemmelse med den foreliggende oppfinnelse er det funnet at dampformige reaktanter for belegging kan fremstilles med høyere, jevnere reaktantkonsentrasjoner i gasstrømmen.
Med foreliggende oppfinelse tilveiebringes således en fremgangsmåte for fremstilling av dampformige reaktanter, omfattende tilveiebringelse av en utgangsforbindelse for belegging, som velges blant metall- og silisium-forbindelser, med temperatur over smeltepunktet men vesentlig under normal fordampningstemperatur således at utgangsforbindelsen er i form av en væske. Fremgangsmåten er kjennetegnet ved at
A) følgende trinn utføres samtidig og kontinuerlig: i) den flytende utgangsforbindelse for belegging sprøytes inn i et fordampningskammer, delvis definert ved minst én omgivende vegg, hvor den flytende utgangsforbindelse for belegging omdannes til en damp,
ii) en blandgass føres inn i fordampningskammeret i tilstrekkelig mengde til å øke massetransporten av den dampformige utgangsforbindelse for belegging og således forårsake akselerert fordampning av den flytende utgangsforbindelse for belegging,
iii) den flytende utgangsforbindelse for belegging blandes med den dampformige utgangsforbindelse for belegging og blandgassen, innbefattende fordeling av den flytende utgangsforbindelse for belegging som en tynn film på den ovennevnte kammerveggen,
hvorved den flytende utgangsforbindelse for belegging fordampes fullstendig ved en temperatur under sin normale fordampningstemperatur og gir en dampformig reaktantgasstrøm med en høy, jevn konsentrasjon av utgangsforbindelsen for belegging, og B) reaktantgasstrømmen føres bort fra ford.ampnings-kammeret og i kontakt med et substrat.
En horisontal tynnfilmfordamper utgjør et egnet fordampningskammer ved fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse. Fortrinnsvis blir den flytende utgangsforbindelse for belegging sprøytet inn i det øvre innløp og blandgassen ført inn ved det nedre innløp på den horisontale tynnfilmfordamper. Blandgassen blir fortrinnsvis forvarmet til omtrent samme temperatur som fordampningskammeret. Fordampningskammeret blir fortrinnsvis varmet til en temperatur over temperaturen på den innsprøytede flytende utgangsforbindelse, men under normal fordampningstemperatur for utgangsforbindelsen for belegging.
Fremgangsmåten i foreliggende oppfinnelse gjennom-føres som en kontinuerlig prosess, og den er egnet for fordampning av utgangsforbindelser til beleggingsreaktanter for anvendelse ved kjemisk pådampning, og spesielt egnet for kjemisk pådampning av belegg på glass tilvirket ved flytglassprosessen.
På de medfølgende tegninger, hvor like tall betegner like deler på begge tegninger, er
fig. 1 en skjematisk illustrasjon av et apparat for anvendelse ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen, inkludert et vertikalt, vinkelrett snitt av et fordampningskammer som i dette tilfelle er en horisontal tynnfilmfordamper, og
fig. 2 et vertikalt, vinkelrett snitt av fordampningskammeret tatt langs linjen 2-2 på fig. 1.
Det henvises nå til tegningene, hvor apparatur for utførelse av oppfinnelsen omfatter en forvarmingskjel 10, utstyr generelt betegnet 11 for innføring av en blandgass i sys-temet, og et fordampningskammer generelt angitt med refer-ansenummer 12. Fordampningskammeret 12 inneholder en væskesone 13 og en dampsone 14. Grensen mellom de to soner er antydet generelt med linjen 15 på fig. 1. Væskesonen 13 er definert som det område innen fordampningskammeret 12 hvor veggen 16 på fordampningskammeret 12 er belagt med den flytende utgangsforbindelse for belegging, mens dampsonen 14 er definert som det område innen fordampningskammeret 12 hvor utgangsforbindelsen for belegging er blitt fullstendig omdannet til damp. Lokali-seringen av grensen (antydet ved linjen 15) mellom væskesonen 13 og dampsonen 14 vil variere avhengig av flyktigheten til de spesielle utgangsforbindelser for belegging som blir benyttet, dampkammerets overflatetemperatur, hastighet på massestrømmen med blandgass, etc. Altså, ved anvendelse av en utgangsforbindelse for belegging med en relativt høy flyktighet vil for-
dampningskammeret ha en relativt stor dampsone 14.
Flytende utgangsforbindelser for belegging blir ført inn i væskesonen 13 i fordampningskammeret 12 gjennom et øvre innløp 17, betegnet slik fordi det er plassert i umiddelbar nærhet av toppen på fordampningskammeret 12. Blandgass blir ført inn i væskesonen 13 i fordampningskammeret 12 gjennom et nedre innløp 18, betegnet således fordi det er plassert i umiddelbar nærhet av bunnen på fordampningskammeret 12. Blandgassen, som f.eks. kan bestå av helium, nitrogen eller blandinger av disse, er lagret på gassflasker 19 og 20 og ført i rør gjennom regulatorene 21, strømningsmålerne 22 og ventilene 23 inn i innløpet 18. Fordi blandgassen blir ført inn nedenfra og utgangsforbindelsene for belegging blir ført inn ovenfra, vil det oppstå god kontakt mellom den fallende væske og den stigende blandgass.
Som vist på fig. 1 og 2, roterer et sett mikseblader 24 på innsiden av fordampningskammeret 12 og fordeler den flytende utgangsforbindelse som en jevn, tynn film på fordampningskammerets vegger, og fremskaffer ytterligere blanding av beleggingsforbindelsen og blandgassen. Så snart beleggingsforbindelsen er blitt omdannet til damp blir den sammen med blandgass ført ut fra dampsonen 14 gjennom utløpet 25. Dampen kan så behandles ytterligere, for eksempel med andre dampfor-bindelser eller tilsetningsstoffer, og/eller transportert til et område egnet for kjemisk pådampning.
Belegg kan avsettes på overflaten til et varmt glasssubstrat ved en prosess vanligvis kjent innen faget som kjemisk pådampning. Denne fremgangsmåte blir typisk benyttet under tilvirkning av glass ved flytglassprosessen, og kan forekomme i det flytende metallbad hvor glassbåndene vanligvis har en temperatur i området 593-732°C, i tempereringskammeret (glasstemperaturer på 399-565°C), eller i overgangssonen mellom bad og tempereringskammer (glasstemperaturer på 552-593°C). Utgangsforbindelser for belegging blir fordampet og ført til et punkt på eller nær overflaten på glassbåndet som føres fremover. I nærvær av oksygen, vil utgangsforbindelsene for belegging dekomponere pyrolytisk og danne et oksydbelegg på glassets overflate. Imidlertid er oppfinnelsen ikke begrenset til pådampning av oksydbelegg, men kan også anvendes ved pådampning av ikke-oksydbelegg av f.eks. silisium og titannitrid. I tillegg kan oppfinnelsen anvendes for kjemisk pådampning på ethvert substrat, og er ikke begrenset til pådampning på glass.
Egnede utgangsforbindelser for belegging ved fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse omfatter, uten be-grensning til de som spesifikt nevnes, dimetyltinndiklorid, tetraetoksysilan, dietyltinndiklorid, dibutyltinndiacetat, tetrametyltinn, metyltinntriklorid, trietyltinnklorid, trimetyltinnklorid, tetrabutyltitånat, titantetraklorid, titan-tetraisopropoksyd, trietylaluminium, dietylaluminiumklorid, trimetylaluminium, aluminiumacetylacetonat, aluminiumetylat, dietyldiklorsilan, metyltrietoksysilan, sinkacetylacetonat, sinkpropionat, og blandinger av disse. Disse forbindelser er generelt vel kjent innen fagområdet kjemisk pådampningstek-nologi som utgangsforbindelser for påføring av belegg på varmt glass. Oppfinnelsen vil fungere tilsvarende bra med hvilket som helst utgangsmateriale, eller blandinger av slike, som utøver et visst damptrykk. En foretrukket utgangsforbindelse for belegging med tinnoksyd er dimetyltinndiklorid, eller en blanding av dimetyltinndiklorid og metyltinntriklorid, f.eks. 95 vekt% dimetyltinndiklorid og 5 vekt% metyltinntriklorid.
Utgangsforbindelsene for belegging ifølge foreliggende oppfinnelse er enten væsker som utøver et visst damptrykk ved værelsestemperatur eller faste stoffer som ved oppvarming til over værelsestemperatur, men under deres normale fordampningstemperaturer, blir væsker som utøver et visst damptrykk ved disse forhøyede temperaturer. Med "normal fordampningstemperatur" brukt her, menes den temperatur hvor den rene, flytende forbindelse har et damptrykk lik 1 atm. I begge tilfeller blir utgangsforbindelsene for belegging ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen først varmet i et forvarm-ingskar 10 til temperaturer over deres smeltepunkter, men vesentlig under deres normale fordampningstemperaturer. Ved slike temperaturer blir utgangsforbindelsene for belegging flyktige væsker med temperaturer godt under nedbrytningstem-peraturen. Med uttrykket "vesentlig under normal fordampningstemperatur" brukt her, menes en temperatur som er fra 5,5 til 50°C under forbindelsens (utgangsforbindelsen for belegging) normal fordampningstemperatur, slik at den termiske nedbrytning av varmefølsomme forbindelser blir vesentlig redusert.
Tilføring av en blandgass til dampkammeret øker masseoverføringen av den dampformige utgangsforbindelse for belegging fra dampkammeret. Økningen i masseoverføring av den dampformige utgangsforbindelse for belegging fører til økende fordampning av den flytende utgangsforbindelse for belegging. Flytende utgangsforbindelse for belegging og blandgass bringes fortrinnsvis i kontakt med hverandre i et fordampningskammer. Med "fordampningskammer" menes her en lukket beholder, be-stående av en væskesone og en dampsone, hvor væske blir ført inn og drevet mot kammerets indre vegg slik at det på denne dannes en jevn, tynn film som deretter fordampes. Kraften som driver væsken mot veggen kan fremskaffes f.eks. med mekaniske rotorer, trykkdrevet væskestrøm, sentrifugalkrefter fra roterende blad på innsiden av fordamperen, roterende fordampnings-mantel (med eller uten blad), etc. Kammerets vegger kan eventuelt bli oppvarmet for å øke væskens fordampningshastighet når den kommer i kontakt med fordampningskammerets vegger. Forventet egnede blandgasser omfatter f.eks. helium, nitrogen, hydrogen, argon, eller hvilken som helst bæregass som ved de aktuelle temperaturer er kjemisk inert overfor utgangsforbindelsen for belegging, eller blandinger av slike. Foretrukne blandgasser er helium, nitrogen og blandinger av disse.
Utgangsforbindelsen for belegging kan til å begynne med oppvarmes med ethvert vanlig utstyr kjent innen faget for oppvarming av faste stoffer eller væsker, som direktefyrt oppvarming eller elektrisk motstandsoppvarming av et foroppvar-mingskar 10 som inneholder utgangsforbindelsen for belegging. Utgangsforbindelsen for belegging blir vanligvis oppvarmet til en temperatur over smeltepunktet, men vesentlig under dens normale fordampningstemperatur, og deretter ført som en væske inn i fordampningskammeret.
I fordampningskammeret blir den flytende utgangsforbindelse for belegging fullstendig fordampet. Roterende mikse-blad 24 benyttes for å blande innholdet i fordampningskammeret 12. Sentrifugalkreftene fra miksebladene 24 gjør at den flytende utgangsforbindelse for belegging blir kontinuerlig for-delt som en tynn, jevn film på veggen i fordampningskammeret
12. Filmen blir tvunget til turbulent strømning etter som den
flyter mot utløpet 25, hvilket gir stor varmeoverføring til den flytende film samtidig med dampdannelsen. I tillegg blir den flytende og dampformige utgangsforbindelse for belegging og blandgassen oppvarmet inne i fordampningskammeret 12 til en temperatur høyere enn temperaturen på den innsprøytede flytende utgangsforbindelse for belegging, men allikevel under normal fordampningstemperatur for utgangsforbindelse for belegging. Den temperatur som forbindelsene oppvarmes til, bestemmes av de termiske nedbrytningskarakteristikker for disse benyttede utgangsforbindelser for belegging og den valgte blandgassens massestrømningshastighet. Den flytende utgangsforbindelse for belegging og blandgassens kjemiske sammenset-ning, samt deres respektive hastigheter ved innføring i fordampningskammeret 12, må avpasses slik at mengde blandgass er tilstrekkelig til å øke massebortføringen av den fordampede utgangsforbindelse for belegging, og derved påskynde for-dampningen av væsken. På dette vis blir den flytende utgangsforbindelse for belegging fullstendig fordampet ved en temperatur under sin normale fordampningstemperatur.
Siden den flytende utgangsforbindelse for belegging fordampes hurtig i relativt små mengder, blir hovedmengden av væske utsatt for høye temperaturer i kun korte tidsperioder. Dette står i kontrast til den konvensjonelle bobleprosess som krever at hele badet holdes nær fordampningstemperaturen, ofte i tider som forårsaker nedbrytning av den flytende utgangsforbindelse for belegging. Sammenlignet med de angitte fremgangsmåter i kjent teknikk, blir, ifølge foreliggende oppfinnelse,
hovedmengden væske holdt på en lavere temperatur. Nedbrytningen av den flytende utgangsforbindelse for belegging er derfor minimalisert.
Flytende og dampformig utgangsforbindelse for belegging og blandgass, oppvarmes hensiktsmessig gjennom oppvarming av fordampningskammeret 12 på konvensjonell måte ved f.eks. direkte oppvarming, elektrisk motstandsoppvarming eller damp-kappe. På denne måte blir temperaturen på fordampningskammeret 12 holdt konstant, og dette gir den nødvendige varme for fordampning av væske. Utgangsforbindelsen for belegging kan for-varmes i forvarmingskaret 10 til en temperatur over smelte punktet, men vesentlig under fordampningspunktet. Blandgassen blir fortrinnsvis forvarmet til omtrent fordampningskammerets temperatur før den føres inn fordampningskammeret.
Fordampningskammeret 12 er forsett med anordninger som sikrer fullstendig blanding av utgangsforbindelse og blandgass, slik at det til slutt kan føres en jevn reaktant-blanding mot substratet.
Med foreliggende oppfinnelse oppnås en forbedret fordampning av beleggingsforbindelser og en jevn, høy konsentrasjon av fordampet utgangsforbindelse for belegging, og blandgass. Dette gir fordeler som nøyaktig regulering av tykkelsen på det påførte belegg, reduksjon av nedbrutt utgangsforbindelse før belegging, og fremstilling av et tykkere belegg enn det som kan oppnås med konvensjonelle fordampningsprosesser.
En horisontal tynnf ilmfordamper, f. eks. en som er kommersielt tilgjengelig fra Artisan Industries, Inc., Waltham, Massachusetts, USA med produksjonsbetegnelse "One-Half Square Foot Rototherm E" ("1/2 kvadratfot Rototherm E") tilveiebringer et egnet fordampningskammer 12 for den foreliggende prosess. Det er ønskelig at den flytende utgangsforbindelse for belegging blir ført inn i fordampningskammeret 12 gjennom det øvre innløp 17, og blandgass blir ført inn i fordampningskammeret 12 gjennom det lavere innløp 18 som er plassert på samme ende av fordampningskammeret 12 som det øvre innløp 17. I tillegg besørger rotasjon av et bladsett 24 på innsiden av fordampningskammeret 12 (i dette tilfelle en horisontal tynnfilmfordamper) grundig blanding av utgangsforbindelsen for belegging og blandgass. En motor 26 fremskaffer kraft til å rotere bladene 24. Dampblandingen blir hensiktsmessig ført ut gjennom utløp 25, som er plassert på motsatt ende av øvre og nedre innløp 17 og 18.
Fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse er en kontinuerlig prosess, slik at det dannes en kontinuerlig strøm med gassblanding med en jevn, høy konsentrasjon av dampformig utgangsforbindelse for belegging. Strømmen blir tvunget til å flyte fra fordampningskammeret 12 gjennom et rør til overflaten på det varme substrat ved hjelp av trykk dannet ved fordampning av væsken ført inn gjennom det øvre innløp 17 og ved innføring av komprimert blandgass gjennom det nedre innløp
18 inn i fordampningskammeret 12.
Når de nevnte utgangsforbindelser for belegging og blandgasser blir anvendt i overensstemmelse med oppfinnelsen, blir blandgass vanligvis ført inn gjennom det nedre innløp 18 inn i fordampningskammeret 12 ved et trykk på 13,8-103,4 kPa og en strømningshastighet på 100-400 normalliter pr. minutt (NI/min). Den flytende utgangsforbindelse for belegging blir først forvarmet til en temperatur mellom 21 og 277°C, deretter ført inn i fordampningskammeret gjennom det øvre innløp 17, og innholdet i fordampningskammeret 12 blir holdt ved en temperatur på 35-290°C. Den flytende utgangsforbindelse for belegging blir fortrinnsvis fordampet med en hastighet på 0,23-54,4 kg/h. Strømningshastighetene angitt ovenfor for blandgass og for flytende utgangsforbindelse for belegging, er typiske hastigheter ved anvendelse av en horisontal tynnfilmfordamper med overflateareal 0,046 m<2>, som fordampningskammer 12. Det må imidlertid være underforstått at nesten enhver strømningshas-tighet for blandgass og flytende utgangsforbindelse for belegging kan anvendes, forutsatt et egnet fordampningskammer og passende reaksjonsbetingelser. For eksempel vil større modell-er av "Rototherm E" fordampe større mengder flytende utgangsforbindelse for belegging. Hastighetene bestemmes av ønsket tykkelse og veksthastighet for belegget.
For eksempel vil en dampreaksjonsblanding for kjemisk pådampning av et tinnoksydbelegg, kunne bli dannet ved anvendelse av dimetyltinndiklorid som utgangsforbindelse. Nitrogen som blandgass blir vanligvis tilført gjennom nedre innløp 18 inn i fordampningskammeret 12 ved et trykk 13,8-103,4 kPa og strømningshastighet 100-400 Nl/min. Dimetyltinndiklorid blir først forvarmet til en temperatur på 107-190°C, deretter ført inn i fordampningskammeret f.eks. som en trykkdrevet væske-strøm eller med en pumpe. Innholdet i fordampningskammeret 12 holdes ved en temperatur på 121-204°C. Flytende dimetyltinndiklorid som utgangsforbindelse for belegging, blir fortrinnsvis fordampet med en hastighet på 0,45-29 kg/h, eller 0,77-49 Nl/min. Strømningshastigheter for slikt dimetyltinndiklorid, sammen med en strømningshastighet for blandgass på 400 Nl/min, vil resultere i en dampreaktantstrøm ved utløpet 25 med 0,19-12,3% (volum/volum) dimetyltinndiklorid i gassfasen. Med mindre eller større strøm av blandgass vil prosentfordeling av gassfase hhv. øke eller avta. Strømningshastighetene angitt ovenfor for blandgass og flytende utgangsforbindelse for belegging er typiske hastigheter ved anvendelse av en horisontal tynnfilmfordamper med overflateareal 0,046 m<2>som fordampningskammeret 12. Tinnoksydbelegg kan avsettes på glass med en veksthastighet på opp til 2200 Ångstrøm pr. sekund (Å/s) ved anvendelse av blandinger av dimetyltinndiklorid innen hastig-hetsområdet listet opp like ovenfor.
De fleste utgangsforbindelser for belegging vil i
dampform være ekstremt brennbare under oksyderende betingelser og kan derfor bare ledes til reaksjonsstedet i en bæregasstrøm i konsentrasjoner på noen få prosent av gassfasen. Høyere konsentrasjoner av dampformig utgangsforbindelse for belegging vil antennes når den i en oksyderende atmosfære kommer i kontakt med den varme overflate på substratet. Derfor må be-leggingsoperasjonen utføres ved anvendelse av en dampstrøm med utgangsforbindelse for belegging i konsentrasjoner under antennelsesgrensen for den enkelte utgangsforbindelse for belegging.
På grunn av uunngåelige variasjoner i fordampningsprosessene ifølge tidligere kjent teknikk, f.eks. fordampning av dispergert eller fluidisert pulver, fordampning av partikler i en fylt seng, fordampning av oppløste forbindelser eller bobling av bæregass gjennom et flytende metallsalt, vil damp-konsentrasjonen av utgangsforbindelsen for belegging i bæregassen dannet ved slike prosesser vanligvis fluktuere eller forandres over tid. Derfor må den gjennomsnittlige anvendbare konsentrasjon av dampformige utgangsforbindelser for belegging være vesentlig under antennelsesgrensen, slik at plutselige konsentrasjonsøkninger ikke vil medføre antennelse av den dampformige utgangsforbindelse for belegging.
Med fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse tilveiebringes derimot en jevn strøm med jevn konsentrasjon av dampformig utgangsforbindelse for belegging. Fordi konsentra-sjonsvariasjonene i dampstrømmen er mindre, kan dampen trans-porteres ved temperaturer nærmere antennelsesgrensen. Følgelig kan mer utgangsforbindelse for belegging fordampes og trans-porteres til reaksjonssonen, og derigjennom fremskaffes tykk ere belegg og høyere veksthastigheter enn det som er mulig å oppnå gjennom fordampningsprosessene ifølge hittil kjent teknikk.
Det må anmerkes at prosessbetingelsene ikke er abso-lutt avgjørende for vellykket fremstilling av dampformige reaktanter oppnådd ved fremgangsmåten ifølge foreliggende oppfinnelse. Prosessbetingelsene beskrevet ovenfor er generelt angitt i termer som er vanlige ved praktisering av denne oppfinnelse. Av og til kan imidlertid de beskrevne prosessbetin-gelser ikke være nøyaktig anvendbare for alle forbindelser som benyttes innen den angitte ramme. De forbindelser dette gjeld-er, vil være lett gjenkjennelig for dem med vanlig ferdighet i faget. I slike tilfeller kan prosessen med hell utføres etter at det er foretatt konvensjonelle modifikasjoner kjent for dem med vanlig ferdighet i faget, f.eks. økning eller minskning av temperatur, forandring i tilføringshastighet for utgangsforbindelsen for belegging eller blandgass, skifting til alter-native pådampningsreaktanter eller blandgasser, modifikasjoner av rutiner vedrørende betingelsene ved fordampningsprosessen, etc.
Oppfinnelsen vil være lettere å forstå med henvisning til en spesifikk utførelse som er representativ for oppfinnelsen. For eksempel kan det som fordampningskammer anvendes apparatur som er forskjellig fra en horisontal tynnfilmfordamper, bare det sørges for intim kontakt, hurtig oppvarming og grundig blanding av metallbeleggingsforbindelse og blandgass.
Eksempel
Dimetyltinndiklorid ble varmet til ca. 135°C og til-ført som væske med 29 kg/h gjennom øvre innløp 17 til fordampningskammeret 12, som i dette tilfelle var en horisontal tynnfilmfordamper med overflateareal 0,046 m<2>. Samtidig ble 250 Nl/min nitrogen med et trykk på ca. 48 kPa tilført nedre inn-løp 18 på fordampningskammeret 12, og innholdet i fordampningskammeret 12 oppvarmet til konstant temperatur på ca. 160°C. Reaktantstrømmen som inneholdt ca. 50 Nl/min fordampet dimetyltinndiklorid og ca. 250 Nl/min nitrogen (16,5% dimetyltinndiklorid i gassfase), ble ført bort fra fordampningskammeret 12 gjennom utløpet 25 på enden av fordampningskammeret 12, på motsatt ende av der hvor Innløpene 17 og 18 er plassert. Reaktantstrømmen ble deretter oppvarmet og sammenført med ca. 50 Nl/min oksygen og ca. 23 Nl/min vanndamp. På dette punkt inneholdt gassfaseblandingen ca. 13% dimetyltinndiklorid. Den kombinerte reaktantstrøm ble rettet mot overflaten på et varmt glassubstrat idet det ble tilvirket ved flytglassprosessen og hadde en temperatur på ca. 627°C. Dette gav et jevnt tinnoksydbelegg som ble avsatt med en hastighet på ca. 2.200 Ångstrøm pr. sekund.
Parametrene angitt ovenfor for dimetyltinndiklorid er også like velegnet for en blanding av utgangsforbindelser med 95 vekt% dimetyltinndiklorid og 5 vekt% metyltinntriklorid.
Claims (17)
1. Fremgangsmåte for fremstilling av dampformige reaktanter, omfattende tilveiebringelse av en utgangsforbindelse for belegging, som velges blant metall- og silisium-forbindelser, med temperatur over smeltepunktet men vesentlig under normal fordampningstemperatur således at utgangsforbindelsen er i form av en væske,karakterisert vedat
A) følgende trinn utføres samtidig og kontinuerlig: i) den flytende utgangsforbindelse for belegging sprøytes inn i et fordampningskammer, delvis definert ved minst én omgivende vegg, hvor den flytende utgangsforbindelse for belegging omdannes til en damp, ii) en blandgass føres inn i fordampningskammeret i tilstrekkelig mengde til å øke massetransporten av den dampformige utgangsforbindelse for belegging og således forårsake akselerert fordampning av den flytende utgangsforbindelse for belegging, iii) den flytende utgangsforbindelse for belegging blandes med den dampformige utgangsforbindelse for belegging og blandgassen, innbefattende fordeling av den flytende utgangsfor bindelse for belegging som en tynn film på den ovennevnte kammerveggen,
hvorved den flytende utgangsforbindelse for belegging fordampes fullstendig ved en temperatur under sin normale fordampningstemperatur og gir en dampformig reaktantgasstrøm med en høy, jevn konsentrasjon av utgangsforbindelsen for belegging, og B) reaktantgasstrømmen føres bort fra fordampningskammeret og i kontakt med et substrat.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1,karakterisert vedat reaktantgasstrømmen bringes i kontakt med et flytglassubstrat som holdes ved en temperatur på minst 399 °C.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 1,karakterisert vedat det under trinn iii) foretas oppvarming av den flytende utgangsforbindelse for belegging, av den dampformige utgangsforbindelse for belegging og av blandgassen til en temperatur over den temperatur som den flytende utgangsforbindelse for belegging hadde ved innføringen i fordampningskammeret, men allikevel under normal fordampningstemperatur for utgangsforbindelsen for belegging.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 3,karakterisertved at fordampningskammeret består av en horisontal tynnfilmfordamper .
5. Fremgangsmåte ifølge krav 2,karakterisert vedat flytglassubstratet er et kontinuerlig glassbånd.
6. Fremgangsmåte ifølge krav 5,karakterisert vedat kontakten mellom reaktantgasstrømmen og substratet finner sted mens båndet flyter på et bad av smeltet metall og båndet har en temperatur i området 593-732°C.
7. Fremgangsmåte ifølge krav 1-6,karakterisert vedat kontakten mellom reaktantgasstrømmen og substrat finner sted i nærvær av oksygen.
8. Fremgangsmåte ifølge krav 1-7,karakterisert vedat utgangsforbindelsen for belegging velges blant dimetyltinndiklorid, tetraetoksysilan, dietyltinndiklorid, dibutyltinndiacetat, tetrametyltinn, metyltinntriklorid, trietyltinnklorid, trimetyltinnklorid, tetrabutyltitanat, titantetraklorid, ti-tantetraisopropoksyd, trietylaluminium, dietylaluminiumklorid, trimetylaluminium, aluminiumacetylacetonat, aluminiumetylat, dietyldiklorsilan, metyltrietoksysilan, sinkacetylacetonat, sinkpropionat og blandinger av disse.
9. Fremgangsmåte ifølge krav 8,karakterisert vedat utgangsforbindelsen for belegging er dimetyltinndiklorid.
10. Fremgangsmåte ifølge krav 8,karakterisert vedat utgangsforbindelsen for belegging består av 95 vekt% dimetyltinndiklorid og 5 vekt% metyltinntriklorid.
11. Fremgangsmåte ifølge krav 1 - 10,karakterisert vedat blandgassen velges blant helium, nitrogen, hydrogen, argon og blandinger av disse.
12. Fremgangsmåte ifølge krav 1-11,karakterisert vedat den flytende utgangsforbindelse for belegging føres inn i fordampningskammeret ved en temperatur på 21-277°C.
13. Fremgangsmåte ifølge krav 1-12,karakterisert vedat den flytende utgangsforbindelse for belegging, den dampformige utgangsforbindelse for belegging og blandgassen varmes i fordampningskammeret til en temperatur på 35-290°C.
14. Fremgangsmåte ifølge krav 1-13,karakterisert vedat den flytende utgangsforbindelse for belegging føres inn i fordampningskammeret i en mengde på 0,2-54,5 kg/h.
15. Fremgangsmåte ifølge krav 1 - 14,karakterisert vedat blandgassen føres inn i fordampningskammeret ved et trykk på 13,8-103,4 kPa.
16. Fremgangsmåte ifølge krav 1 - 15,karakterisert vedat blandgassen føres inn i fordampningskammeret i en mengde på 100-400 Nl/min.
17. Fremgangsmåte ifølge krav 1 - 16,karakterisert vedat den dampformige reaktantgasstrøm anvendes til å danne et belegg på varmt glass med en veksthastighet på opp til 2.200 Ångstrøm pr. sekund.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US42263689A | 1989-10-17 | 1989-10-17 | |
US07/591,121 US5090985A (en) | 1989-10-17 | 1990-10-04 | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
PCT/US1990/005905 WO1991005743A1 (en) | 1989-10-17 | 1990-10-15 | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO912320L NO912320L (no) | 1991-06-14 |
NO912320D0 NO912320D0 (no) | 1991-06-14 |
NO304109B1 true NO304109B1 (no) | 1998-10-26 |
Family
ID=27025695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO912320A NO304109B1 (no) | 1989-10-17 | 1991-06-14 | FremgangsmÕte for fremstilling av dampformige reaktanter beregnet for kjemisk pÕdampning |
Country Status (26)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5090985A (no) |
EP (1) | EP0450016B1 (no) |
JP (1) | JP3078835B2 (no) |
KR (1) | KR0147042B1 (no) |
CN (1) | CN1025322C (no) |
AT (1) | ATE133147T1 (no) |
AU (1) | AU632175B2 (no) |
BG (1) | BG94619A (no) |
BR (1) | BR9005227A (no) |
CA (1) | CA2027761A1 (no) |
CZ (1) | CZ502090A3 (no) |
DE (1) | DE69024938T2 (no) |
ES (1) | ES2082007T3 (no) |
HU (1) | HU213646B (no) |
IE (1) | IE903601A1 (no) |
MX (1) | MX173282B (no) |
MY (1) | MY107107A (no) |
NO (1) | NO304109B1 (no) |
NZ (1) | NZ235700A (no) |
PL (1) | PL167110B1 (no) |
PT (1) | PT95613B (no) |
RO (1) | RO111756B1 (no) |
RU (1) | RU2062258C1 (no) |
TR (1) | TR25795A (no) |
WO (1) | WO1991005743A1 (no) |
YU (1) | YU47521B (no) |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2916085B2 (ja) * | 1994-08-31 | 1999-07-05 | 三ツ星ベルト株式会社 | ガラス着色用発色剤 |
US5279851A (en) * | 1991-04-03 | 1994-01-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of manufacturing a conductive glass with high strength and wear resistance |
US5192589A (en) * | 1991-09-05 | 1993-03-09 | Micron Technology, Inc. | Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing thin titanium nitride films having low and stable resistivity |
DK0927706T3 (da) * | 1991-12-26 | 2004-12-06 | Atofina Chem Inc | Belægningspræparater til glas |
US5863337A (en) * | 1993-02-16 | 1999-01-26 | Ppg Industries, Inc. | Apparatus for coating a moving glass substrate |
US5356718A (en) * | 1993-02-16 | 1994-10-18 | Ppg Industries, Inc. | Coating apparatus, method of coating glass, compounds and compositions for coating glasss and coated glass substrates |
US5599387A (en) * | 1993-02-16 | 1997-02-04 | Ppg Industries, Inc. | Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide |
US6428623B2 (en) * | 1993-05-14 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus with liquid feed |
FR2707671B1 (fr) * | 1993-07-12 | 1995-09-15 | Centre Nat Rech Scient | Procédé et dispositif d'introduction de précurseurs dans une enceinte de dépôt chimique en phase vapeur. |
JPH0781965A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-03-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス生成装置並びに光導波路及び光ファイバ母材を製造する方法及び装置 |
US5431800A (en) * | 1993-11-05 | 1995-07-11 | The University Of Toledo | Layered electrodes with inorganic thin films and method for producing the same |
US5356451A (en) * | 1993-12-20 | 1994-10-18 | Corning Incorporated | Method and apparatus for vaporization of liquid reactants |
US5665424A (en) * | 1994-03-11 | 1997-09-09 | Sherman; Dan | Method for making glass articles having a permanent protective coating |
US5723172A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-03 | Dan Sherman | Method for forming a protective coating on glass |
US5558687A (en) * | 1994-12-30 | 1996-09-24 | Corning Incorporated | Vertical, packed-bed, film evaporator for halide-free, silicon-containing compounds |
US5632797A (en) | 1994-12-30 | 1997-05-27 | Corning Incorporated | Method of providing vaporized halide-free, silicon-containing compounds |
US5653813A (en) * | 1995-04-03 | 1997-08-05 | Novellus Systems, Inc. | Cyclone evaporator |
US5725904A (en) * | 1995-06-02 | 1998-03-10 | Elf Atochem North America, Inc. | Liquid methyltin halide compositions |
US5773086A (en) * | 1996-08-13 | 1998-06-30 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method of coating flat glass with indium oxide |
US5952047A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-14 | Dowa Mining Co., Ltd. | CVD precursors and film preparation method using the same |
KR100291482B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2001-06-01 | 시부키 유키오 | 이산화티탄 결정배향막을 갖는 재료 및 그 제조방법 |
US6045864A (en) | 1997-12-01 | 2000-04-04 | 3M Innovative Properties Company | Vapor coating method |
US6265026B1 (en) * | 1998-01-16 | 2001-07-24 | The Regents Of The University Of California | Vapor phase deposition |
US6964731B1 (en) | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
US6660365B1 (en) * | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
US6974629B1 (en) | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
EP1054454A3 (en) | 1999-05-18 | 2004-04-21 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same |
JP2001114533A (ja) | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガラス物品 |
KR20010047128A (ko) | 1999-11-18 | 2001-06-15 | 이경수 | 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치 |
KR20010066533A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 정종순 | 안정한 코팅용 기화물 생성방법 및 장치 |
US6160143A (en) * | 2000-02-18 | 2000-12-12 | Artisan Industries Inc. | Method for the concentration and separation of sterols |
EP1322567B1 (en) | 2000-09-11 | 2008-11-12 | Cardinal CG Company | Temporary protective covers |
US6921579B2 (en) * | 2000-09-11 | 2005-07-26 | Cardinal Cg Company | Temporary protective covers |
US6802315B2 (en) | 2001-03-21 | 2004-10-12 | Hollingsorth & Vose Company | Vapor deposition treated electret filter media |
US6521295B1 (en) | 2001-04-17 | 2003-02-18 | Pilkington North America, Inc. | Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby |
US6902813B2 (en) * | 2001-09-11 | 2005-06-07 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic surfaces carrying temporary protective covers |
US6827974B2 (en) * | 2002-03-29 | 2004-12-07 | Pilkington North America, Inc. | Method and apparatus for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
US6838114B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
US7118783B2 (en) * | 2002-06-26 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces |
DE60221908T2 (de) * | 2002-06-28 | 2008-05-15 | Prysmian Cavi E Sistemi Energia S.R.L. | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen eines flüssigen vorlaüfers beim herstellen einer glasvorform |
US6821347B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
US6955725B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US7335396B2 (en) * | 2003-04-24 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US7344755B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
US7235138B2 (en) * | 2003-08-21 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces |
US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
US7056806B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
US7282239B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US7323231B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
US7581511B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
US7258892B2 (en) * | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
CA2550331A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cardinal Cg Compagny | Graded photocatalytic coatings |
US7584942B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US20050249873A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Demetrius Sarigiannis | Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices |
US8133554B2 (en) * | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
US7699932B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
EP1773729B1 (en) | 2004-07-12 | 2007-11-07 | Cardinal CG Company | Low-maintenance coatings |
US7326469B2 (en) * | 2004-09-16 | 2008-02-05 | General Electric Company | Coating system and process and apparatus for depositing a coating system |
US8092660B2 (en) * | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
US7923114B2 (en) * | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
US20060165873A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-07-27 | Micron Technology, Inc. | Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes |
WO2007022405A1 (en) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Innovative Thin Films, Ltd. | Process and apparatus for coating substrates by spray pyrolysis |
US20070098891A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Eastman Kodak Company | Vapor deposition apparatus and method |
US7989094B2 (en) * | 2006-04-19 | 2011-08-02 | Cardinal Cg Company | Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances |
DE102006027932A1 (de) | 2006-06-14 | 2007-12-20 | Aixtron Ag | Verfahren zum selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen |
US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
RU2446232C2 (ru) * | 2006-09-08 | 2012-03-27 | Пилкингтон Груп Лимитед | Низкотемпературный способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка |
KR101563197B1 (ko) | 2007-09-14 | 2015-10-26 | 카디날 씨지 컴퍼니 | 관리 용이한 코팅 및 이의 제조방법 |
EP2055803A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-06 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method for preparing a deposition from a vapour |
US8197940B2 (en) * | 2008-07-25 | 2012-06-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Aqueous suspension for pyrolytic spray coating |
US8495973B2 (en) * | 2009-11-03 | 2013-07-30 | Protonex Technology Corporation | Thin film vaporizer |
KR101104632B1 (ko) * | 2010-04-06 | 2012-01-12 | 주식회사 마이크로이즈 | 기화기 및 박막증착시스템 |
CN102824864B (zh) * | 2011-06-15 | 2015-03-11 | 中国南玻集团股份有限公司 | 汽化混合装置 |
US8840858B2 (en) * | 2011-07-06 | 2014-09-23 | Corning Incorporated | Apparatus for mixing vaporized precursor and gas and method therefor |
WO2013022669A2 (en) | 2011-08-05 | 2013-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Systems and methods for processing vapor |
CN102584019B (zh) * | 2012-01-31 | 2014-07-02 | 绥中滨海经济区红杉科技有限公司 | 化学汽相沉积法镀制玻璃减反射膜的设备及方法 |
US10228618B2 (en) * | 2015-10-13 | 2019-03-12 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
EP3387163B1 (en) | 2015-12-11 | 2020-04-29 | Cardinal CG Company | Method of coating both sides of a substrate |
US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
CN111517625A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-08-11 | 福州新福兴浮法玻璃有限公司 | 一种用于生产无表观缺陷玻璃的锡槽 |
CN115613005A (zh) * | 2021-07-16 | 2023-01-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 雾化装置与薄膜沉积系统 |
WO2024052668A1 (en) | 2022-09-06 | 2024-03-14 | Pilkington Group Limited | Process for depositing a layer |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2815299A (en) * | 1955-10-24 | 1957-12-03 | Nat Res Corp | Method of producing an adherent molybdenum coating on a metal substrate |
US3414428A (en) * | 1964-10-20 | 1968-12-03 | Allied Chem | Chromizing compositions and methods and continuous production of chromium halides for chromizing |
US3535103A (en) * | 1968-04-10 | 1970-10-20 | Atomic Energy Commission | Method of making metal alloy powders |
US4082864A (en) * | 1974-06-17 | 1978-04-04 | Fiber Materials, Inc. | Reinforced metal matrix composite |
US4212663A (en) * | 1978-01-26 | 1980-07-15 | Corning Glass Works | Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing |
US4245569A (en) * | 1979-03-26 | 1981-01-20 | Combustion Engineering, Inc. | Scrubber bypass system |
US4249916A (en) * | 1979-07-30 | 1981-02-10 | Texas Utilities Services, Inc. | Absorber tower isolation system |
US4293594A (en) * | 1980-08-22 | 1981-10-06 | Westinghouse Electric Corp. | Method for forming conductive, transparent coating on a substrate |
CH640571A5 (fr) * | 1981-03-06 | 1984-01-13 | Battelle Memorial Institute | Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale. |
JPS5843320A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-14 | Babcock Hitachi Kk | 脱硝装置 |
US4924936A (en) * | 1987-08-05 | 1990-05-15 | M&T Chemicals Inc. | Multiple, parallel packed column vaporizer |
JPH01246366A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 酸化膜の製造方法とその装置 |
-
1990
- 1990-10-04 US US07/591,121 patent/US5090985A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-08 IE IE360190A patent/IE903601A1/en unknown
- 1990-10-15 EP EP90915247A patent/EP0450016B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-15 KR KR1019910700609A patent/KR0147042B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-10-15 RU SU904895861A patent/RU2062258C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1990-10-15 RO RO147803A patent/RO111756B1/ro unknown
- 1990-10-15 MY MYPI90001794A patent/MY107107A/en unknown
- 1990-10-15 WO PCT/US1990/005905 patent/WO1991005743A1/en active IP Right Grant
- 1990-10-15 ES ES90915247T patent/ES2082007T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-15 AU AU65297/90A patent/AU632175B2/en not_active Ceased
- 1990-10-15 HU HU907561A patent/HU213646B/hu not_active IP Right Cessation
- 1990-10-15 AT AT90915247T patent/ATE133147T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-10-15 DE DE69024938T patent/DE69024938T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-15 JP JP02514192A patent/JP3078835B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-16 YU YU194490A patent/YU47521B/sh unknown
- 1990-10-16 CA CA002027761A patent/CA2027761A1/en not_active Abandoned
- 1990-10-16 NZ NZ235700A patent/NZ235700A/xx unknown
- 1990-10-16 CZ CS905020A patent/CZ502090A3/cs unknown
- 1990-10-17 PT PT95613A patent/PT95613B/pt not_active IP Right Cessation
- 1990-10-17 MX MX022885A patent/MX173282B/es unknown
- 1990-10-17 PL PL90287364A patent/PL167110B1/pl unknown
- 1990-10-17 CN CN90109124A patent/CN1025322C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-17 TR TR90/0955A patent/TR25795A/xx unknown
- 1990-10-17 BR BR909005227A patent/BR9005227A/pt not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-06-13 BG BG094619A patent/BG94619A/bg unknown
- 1991-06-14 NO NO912320A patent/NO304109B1/no unknown
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO304109B1 (no) | FremgangsmÕte for fremstilling av dampformige reaktanter beregnet for kjemisk pÕdampning | |
US5835678A (en) | Liquid vaporizer system and method | |
JP4317459B2 (ja) | 化学蒸着のための蒸発した反応物を準備するための方法及び装置 | |
KR20000029951A (ko) | 판글래스상에산화주석및산화티타늄코팅을증착시키는방법과그에따라코팅된글래스 | |
KR20190020103A (ko) | 진공 증착 장치 및 방법 | |
TW201040306A (en) | Bubbling supply system for stable precursor supply | |
JP2022188165A (ja) | 炭化水素中のアルキル-インジウム化合物の溶液を使用した有機金属気相堆積法 | |
KR20010050136A (ko) | 이중 프릿을 가진 버블러 | |
JPH06240456A (ja) | 半導体装置のアルミニウム配線の形成方法及び装置 | |
US5952046A (en) | Method for liquid delivery chemical vapor deposition of carbide films on substrates | |
DK142169B (da) | Fremgangsmåde og apparat til påførelse af et overtræk, især af metaloxider, på et underlag, især af glas. | |
RU2696179C1 (ru) | Способ газофазного осаждения тантала на поверхность стального изделия | |
KR20010066533A (ko) | 안정한 코팅용 기화물 생성방법 및 장치 | |
TH9846A (th) | วิธีการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอที่ใช้ ในการเคลือบ ด้วยไอสารเคมี | |
JPH06267958A (ja) | アルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置 | |
TH8527B (th) | วิธีการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอที่ใช้ ในการเคลือบ ด้วยไอสารเคมี |