RU2062258C1 - Способ получения реагента для нанесения покрытия на стекло и способ нанесения покрытия на флоатстекло - Google Patents
Способ получения реагента для нанесения покрытия на стекло и способ нанесения покрытия на флоатстекло Download PDFInfo
- Publication number
- RU2062258C1 RU2062258C1 SU904895861A SU4895861A RU2062258C1 RU 2062258 C1 RU2062258 C1 RU 2062258C1 SU 904895861 A SU904895861 A SU 904895861A SU 4895861 A SU4895861 A SU 4895861A RU 2062258 C1 RU2062258 C1 RU 2062258C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- coating material
- liquid
- evaporator
- temperature
- gas mixture
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000005329 float glass Substances 0.000 title claims abstract description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 title abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 86
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 83
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 115
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 107
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 52
- PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L dichloro(dimethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(Cl)Cl PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 15
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 14
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 12
- YFRLQYJXUZRYDN-UHFFFAOYSA-K trichloro(methyl)stannane Chemical compound C[Sn](Cl)(Cl)Cl YFRLQYJXUZRYDN-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- BYLOHCRAPOSXLY-UHFFFAOYSA-N dichloro(diethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)CC BYLOHCRAPOSXLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YFAXVVMIXZAKSR-UHFFFAOYSA-L dichloro(diethyl)stannane Chemical compound CC[Sn](Cl)(Cl)CC YFAXVVMIXZAKSR-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N tetramethyltin Chemical compound C[Sn](C)(C)C VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane-2,4-dione Chemical compound [Zn+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PIMYDFDXAUVLON-UHFFFAOYSA-M chloro(triethyl)stannane Chemical compound CC[Sn](Cl)(CC)CC PIMYDFDXAUVLON-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- KWTSZCJMWHGPOS-UHFFFAOYSA-M chloro(trimethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(C)Cl KWTSZCJMWHGPOS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M diethylaluminium chloride Chemical compound CC[Al](Cl)CC YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 trim tilalyuminy Chemical compound 0.000 claims 1
- XDWXRAYGALQIFG-UHFFFAOYSA-L zinc;propanoate Chemical compound [Zn+2].CCC([O-])=O.CCC([O-])=O XDWXRAYGALQIFG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 abstract 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 10
- AGUIVNYEYSCPNI-UHFFFAOYSA-N N-methyl-N-picrylnitramine Chemical group [O-][N+](=O)N(C)C1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O AGUIVNYEYSCPNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRJNHOUUQNHRAO-UHFFFAOYSA-N C(C)[Sn](CC)CC.[Sn] Chemical compound C(C)[Sn](CC)CC.[Sn] WRJNHOUUQNHRAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000007507 annealing of glass Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- CZRDZAGTSCUWNG-UHFFFAOYSA-M chloro(dimethyl)tin Chemical compound C[Sn](C)Cl CZRDZAGTSCUWNG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PWEVMPIIOJUPRI-UHFFFAOYSA-N dimethyltin Chemical compound C[Sn]C PWEVMPIIOJUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/229—Non-specific enumeration
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Использование: для нанесения покрытия на стеклянные изделия методом химического осаждения из паровой фазы. Сущность изобретения: реагенты в паровой фазе, применимые для химического осаждения в виде слоя на нагретую подложку, получают путем первоначального нагрева жидкого исходного покровного материала, инжектирования этого жидкого материала в испарительную камеру, одновременного впуска газовой смеси в испарительную камеру, нагрева жидкости и газовой смеси для преобразования жидкости в паровую фазу при температуре ниже ее стандартной температуры испарения и тщательного перемешивания паров исходного покровного материала и газовой смеси для получения потока реагента в паровой фазе для пиролитического разложения на поверхности нагретой подложки. Для данного процесса достаточно удовлетворительную испарительную камеру может обеспечить горизонтальный тонкопленочный испаритель. 2 ил.
Description
Изобретение относится к способу получения реагентов в паровой фазе, например исходного материала для нанесения покрытия, и газовой смеси, которые могут быть использованы для химического осаждения в паровой фазе.
Как правило, стеклянные изделия с покрытием изготавливаются путем непрерывного нанесения покрытия из стеклянную подложку в процессе производства, известного в технике под называнием "флотационный способ производства стекла".
Физическая форма реагентов в процессах нанесения покрытия на стекло представляет собой газ, жидкость, твердое вещество, жидкость или твердое вещество в газовой фазе, жидкость или твердое вещество, диспергированные в газовой смеси-носителе, или жид кость или твердое вещество в паровой фазе, диспергированные в газовой смеси-носителе. В процессе химического осаждения из паровой фазы, как правило, применяются жидкость или твердое вещество в паровой фазе, которые обычно диспергируются в газовой смеси-носителе.
Процессы химического осаждения из паровой фазы хорошо известны в технике нанесения покрытий на стеклянные подложки.
Известен способ химического осаждения из паровой фазы смеси жидкого покровного материала и потока газа. (см. патент США N 4788079, кл. С 03 С 17/22, 1988). В данном способе жидкий покровный материал и газовую смесь инжектируют в испаритель, смешивают покровный материал с инертным газом, удаляют газовый паровой поток из испарителя и наносят покрытие на подложку при температуре по меньшей мере 400oС, причем газовая смесь предварительно подогревается.
Известен также способ нанесения покрытия на ленту флоатстекла путем пиролиза смеси силана и инертного газа при температуре ленты стекла 500-700oС (см. патент Великобритании N 1507465, кл. С 1 М 1978).
Недостатком известных способов является недостаточно высокая равномерность получаемого покрытия.
Техническим результатом описываемого изобретения является повышение равномерности наносимого покрытия.
В соответствии с настоящим изобретением реагенты в паровой фазе могут быть получены из исходных материалов для покрытия новым способом, который позволяет получать реагенты с более высокими концентрациями составляющих в газовом потоке и включает в себя этапы:
а) обеспечения исходного материала для нанесения покрытия при температуре выше его точки плавления, но значительно ниже eго стандартной температуры испарения, благодаря чему исходный материал для покрытия находится в жидкой фазе;
б) одновременного и непрерывного осуществления:
1) инжектирования жидкого исходного материала для нанесения покрытия в испарительную камеру, ограниченную частично, по меньшей мере одной периферийной стенкой, и в которой жидкий покровный материал превращается в пары;
2) впуска в испарительную камеру газовой смеси в количестве, достаточном для увеличения переноса массы паров покровного материала и приводящем к ускоренному испарению жидкого покровного материала;
3) перемешивания жидкого покровного материала, паров покровного материала и газовой смеси, включая разлив жидкого исходного материала в виде тонкой пленки вдоль упомянутой стенки камеры, благодаря чему жидкий покровный материал полностью испаряется при температуре ниже его стандартной температуры испарения и образуется газовый поток с покровным материалом в паровой фазе, имеющий высокую однородную концентрацию покровного материала,
в) удаления смеси паров покровного материала и газовой смеси из испарительной камеры.
а) обеспечения исходного материала для нанесения покрытия при температуре выше его точки плавления, но значительно ниже eго стандартной температуры испарения, благодаря чему исходный материал для покрытия находится в жидкой фазе;
б) одновременного и непрерывного осуществления:
1) инжектирования жидкого исходного материала для нанесения покрытия в испарительную камеру, ограниченную частично, по меньшей мере одной периферийной стенкой, и в которой жидкий покровный материал превращается в пары;
2) впуска в испарительную камеру газовой смеси в количестве, достаточном для увеличения переноса массы паров покровного материала и приводящем к ускоренному испарению жидкого покровного материала;
3) перемешивания жидкого покровного материала, паров покровного материала и газовой смеси, включая разлив жидкого исходного материала в виде тонкой пленки вдоль упомянутой стенки камеры, благодаря чему жидкий покровный материал полностью испаряется при температуре ниже его стандартной температуры испарения и образуется газовый поток с покровным материалом в паровой фазе, имеющий высокую однородную концентрацию покровного материала,
в) удаления смеси паров покровного материала и газовой смеси из испарительной камеры.
Горизонтальный тонкопленочный испаритель обеспечивает соответствующую испарительную камеру для процесса в соответствии с настоящим изобретением. Предпочтительно, чтобы жидкий покровный материал инжектировался через верхний вход, а газовая смесь впускалась через нижний вход горизонтального тонкопленочного испарителя. Газовую смесь целесообразно предварительно нагревать приблизительно до температуры, до которой нагревается испарительная камера. Испарительную камеру целесообразно нагревать до температуры выше температуры жидкого покровного материала, инжектируемого в камеру, но ниже стандартной температуры испарения покровного материала.
Способ в соответствии с настоящим изобретением преимущественно осуществляется в непрерывном режиме и является приемлемым для испарения исходных материалов для покровных реагентов с целью последующего их использования в химическом осаждении из паровой фазы. Он особенно подходит для химического осаждения из паровой фазы покрытий на стекло, получаемое флотационным методом.
На фиг. 1 изображена схематическая иллюстрация устройства для осуществления способа в соответствии с настоящим изобретением, включая вид в поперечном вертикальном разрезе испарительной камеры, в данном случае горизонтального тонкопленочного испарителя.
На фиг. 2 показан вид в вертикальном поперечном разрезе испарительной камеры по линии 2-2 (фиг.1).
Устройство для осуществления настоящего изобретения содержит сосуд 1 предварительного нагрева, оборудование, в общем обозначенное позицией 2, для ввода газовой смеси в систему и испарительную камеру 3. Эта камера имеет зону 4 жидкой фазы и зону 5 паровой фазы. Граница между этими зонами обозначена пунктирной линией 6 (фиг.1) Зона 4 жидкой фазы определяется как зона внутри испарительной камеры 3, в которой стенка 7 испарительной камеры покрыта жидким покровным материалом, а зона 5 паровой фазы определяется как площадь внутри испарительной камеры, где покровный материал полностью преобразован в паровую фазу. Расположение границы (линия 6) между зоной 4 и зоной 5 будет меняться в зависимости от испаряемости примененного конкретного покровного материала, температуры корпуса паровой камеры, скорости потока массы газовой смеси и т.д. Так, при применении покровного материала, имеющего относительно высокую испаряемость, испарительная камера будет иметь относительно большую зону 5 паровой фазы.
Жидкий покровный материал инжектируется в зону 4 жидкой фазы испарительной камеры 3 через верхний вход 8, называемый так потому, что он расположен вблизи верхней части испарительной камеры 3. Газовая смесь инжектируется в зону 4 жидкой фазы испарительной камеры через нижний вход 9, называемый так потому, что он расположен вблизи донной части испарительной камеры. Газы, которыми могут быть гелий или азот, или их смесь, содержатся в баллонах 10 и 11 и подаются через регуляторы 12, расходометры 13 и клапаны 14 во вход 9. Поскольку газовая смесь инжектируется снизу, а покровный материал сверху, обеспечивается прямой надежный контакт между опускающейся жидкостью и поднимающейся газовой смесью.
Как проиллюстрировано на фиг. 1, 2, ряд перемешивающих лопастей 15 вращается внутри испарительной камеры 3 и распределяет жидкий покровный материал как однородную тонкую пленку по стенке(кам) испарительной камеры и обеспечивает дальнейшее перемешивание жидкого покровного материала и газовой смеси. Как только покровный материал преобразуется в паровую фазу, он отгружается вместе с газовой смесью через выход 16. Пары затем могут быть подвергнуты дополнительно обработке, например, другими реагентами в паровой фазе и присадками или транспортированы в зону, рассчитанную для химического осаждения из паровой фазы.
Покрытия могут быть нанесены на поверхность нагретой стеклянной подложки с помощью процесса, обычно известного в технике как химическое осаждение из паровой фазы. Этот процесс обычно осуществляется во время производства стекла флотационным методом и может иметь место в ванне флотационного металла, где стеклянная лента обычно находится при температуре в диапазоне приблизительно 593-732o°С (приблизительно 1100-1250oF) печи для отжига стекла (температуре стекла приблизительно 400-565oС (приблизительно 750-1050oF) или в переходной зоне между ванной и печью для отжига стекла (температура стекла приблизительно 540-593oС (приблизительно 1035-1100oF). Покровные материалы испаряются и транспортируются до поверхности двигающейся стеклянной ленты или почти до нее. В присутствии кислорода покровные материалы разлагаются пиролитическим путем, образуя окисное покрытие на поверхности стекла. Однако настоящее изобретение не ограничивается нанесением окисных покрытий и может быть использовано для нанесения неокисных покрытий, например кремния или нитрида титана. Кроме того, настоящее изобретение может быть применено для химического осаждения из паровой фазы на любую подложку и не ограничивается осаждением на стекло.
Покровные материалы для осуществления настоящего изобретения без ограничения тех, которые конкретно упомянуты выше, включают двухлористое диметилолово, тетраэтоксисилан, двухлористое диэтилолово, диацетат дибутилолова, тетраметилолово, треххлористое метилолово хлористое триэтилолово, хлористое триметилолово, титанат тетрабутила, четыреххлористый титан, тетраизопропилат титана, триэтилалюминий, хлористый диэтилалюминий, триметилалюминий, ацетилацетонат алюминия, этилат алюминия, диэтилдихлорсилан, ацетилацетонат цинка, пропионат цинка или их смеси. Эти соединения, как правило, хорошо известны в технологии химического осаждения из паровой фазы как исходные покровные материалы для нанесения покрытий на нагретое стекло. Настоящее изобретение будет в равной мере удовлетворительно работать при любом исходном материале или смесях материалов, которые создают давление паров. Предпочтительным исходным материалом для нанесения окиси олова является двухлористое диметилолово или смесь двухлористого диметилолова с треххлористым метилоловом, например, в соотношении 95 вес. двухлористого диметилолова и 5 вес. треххлористого метилолова.
Исходные покровные материалы в соответствии с настоящим изобретением представляют собой либо жидкости, которые создают давление паров при комнатной температуре, либо твердые вещества, которые после нагрева выше комнатной температуры, но ниже их стандартных температур испарения становятся жидкостями, которые создают давление паров при упомянутых повышенных температурах. Под стандартной температурой испарения следует понимать температуру, при которой давление паров чистой составной жидкости равно атмосферному давлению. В любом случае исходные покровные материалы в соответствии с настоящим изобретением первоначально подвергаются предварительному нагреву в сосуде 1 предварительного нагрева до температуры выше их точек плавления, но значительно ниже их стандартных температур испарения. При таких температурах покровные материалы становятся летучими жидкостями, причем эти температуры значительно ниже температур их разложения. Под термином "значительно ниже стандартной температуры испарения" имеется в виду температура, которая на 10-90oF ниже стандартной температуры испарения соединения (исходного покровного материала), так что тепловое разложение теплочувствительных соединений значительно снижается.
Ввод газовой смеси в испарительную камеру ведет в увеличению переноса массы паров покровного материала из испарительной камеры. Это увеличение переноса массы паров покровного материала обеспечивает ускоренное испарение жидкого покровного материала. Целесообразно, чтобы контактирование жидкого покровного материала с газовой смесью происходило внутри испарительной камеры. Под термином "испарительная камера" подразумевается закрытый сосуд, имеющий зону жидкой фазы и зону паровой фазы. Когда жидкость инжектируется в этот сосуд, она направляется к его внутренней стенке, образуя разномерную тонкую пленку на ней, и затем испаряется. Сила, которая перемещает жидкость к стенке, может обеспечиваться, например, механическими роторами, приводимыми давлением потока жидкости или центробежными силами от вращающихся лопастей внутри испарителя или вращающимся корпусом испарителя (с лопастями или без них) и т.д. Стенки сосуда могут нагреваться для увеличения скорости испарения жидкости, когда она входит в контакт со стенками испарительной камеры. Вводимыми газами могут быть, например, гелий, азот, водород, аргон и любой другой газ-носитель, который химически инертен к покровному материалу при имеющих место температурах, а также их смеси. Предпочтение отдается гелию и азоту и их смесям.
Покровный материал может подвергаться предварительному нагреву с помощью любого известного в технике устройства для нагрева жидких или твердых веществ, например пламенем, или электрорезистивному нагреву сосуда 10 предварительного нагрева, содержащего исходный покровный материал. Подробный материал, как правило, нагревают до температуры выше его точки плавления, но значительно ниже его стандартной температуры испарения, после чего он инжектируется, как жидкость, в испарительную камеру.
В испарительной камере 3 жидкий покровный материал испаряется полностью. Для перемешивания содержимого испарительной камеры применяются вращающиеся перемешивающие лопасти 15. Благодаря центробежным силам, создаваемым вращающимися лопастями 15, жидкий покровный материал непрерывно распределяется в виде однородной тонкой пленки на стенке испарительной камеры 3. Пленка испытывает турбуленцию, когда она протекает к выходу 16, благодаря чему обеспечивается высокая скорость переноса тепла в жидкую пленку в сочетании с парообразованием. Кроме того, жидкий покровный материал, пары покровного материала и газовая смесь нагреваются внутри испарительной камеры 3 до температуры выше температуры инжектируемого жидкого покровного материала, но все же ниже стандартной температуры испарения покровного материала. Температура, до которой нагреваются компоненты, будет определяться характеристиками теплового разложения конкретного покровного материала, скоростью переноса массы выбранной газовой смеси. Жидкий покровный материал и химический состав газовой смеси, а также скорости их ввода в испарительную камеру 3 должны подбираться таким образом, чтобы достаточное количество газовой смеси присутствовало в испарительной камере для увеличения переноса массы покровного материала в паровой фазе и тем самым ускорения испарения жидкости. Таким образом, жидкий покровный материал полностью испаряется при температуре ниже его стандартной температуры испарения.
Поскольку жидкий покровный материал быстро испаряется в относительно небольших количествах, масса жидкости испытывает повышенные температуры только в течение короткого периода времени. Это противоположно известному пузырьковому процессу, который требует, чтобы вся ванна поддерживалась при температуре, близкой к температуре испарения и очень часто приводящей к разложению жидкого покровного материала. Поэтому в соответствии с настоящим изобретением масса жидкости поддерживается при температуре ниже таковой в известных процессах и разложение жидкого покровного материала сводится до минимума.
Жидкий покровный материал, пары покровного материала и газовая смесь преимущественно нагреваются посредством нагрева испарительной камеры 3 с применением известных средств, например пламени, электрорезистивного нагрева, или путем обеспечения паровой рубашки. Таким образом поддерживается постоянный нагрев испарительной камеры 3 и обеспечивается тепло, необходимое для испарения жидкости. Покровный материал может быть предварительно нагрет внутри сосуда 1 предварительного нагрева до температуры выше его точки плавления, но значительно ниже его точки испарения. Целесообразно предварительно нагревать газовую смесь приблизительно до температуры испарительной камеры до того, как вводить в испарительную камеру.
Для того, чтобы на подложку подавалась предельно однородная смесь реагентов, в испарительной камере 3 предусматриваются средства для полного перемешивания покровного материала и газовой смеси.
Настоящее изобретение обеспечивает усовершенствованный способ испарения покровных соединений, приводящий к однородной высокой концентрации покровного материала в паровой фазе и газовой смеси. Это дает преимущество для точного контроля толщины наносимого покрытия, приводит к снижению степени разложения покровного материала и дает возможность получать более толстые покрытия, чем можно получать при известных процессах испарения.
Горизонтальный тонкопленочный испаритель, например, выпускаемый фирмой "Артизон Индастриз, Инк.", Уольэм, Массачусетс, США под названием "One-Half Square Foot Rototherm E" обеспечивает подходящую испарительную камеру для процесса в соответствии с настоящим изобретением. Целесообразно, чтобы жидкий покровный материал инжектировался через верхний вход 8. Вращение ряда лопастей 15 внутри испарительной камеры 3 (в этом случае горизонтального тонкопленочного испарителя) обеспечивает тщательное перемешивание покровного материала и газовой смеси. Для вращения лопастей 15 питание обеспечивается электродвигателем 17. Паровая смесь удобно отгружается через выход 16, который расположен на конце, противоположном концу, где расположены верхний и нижний входы 8 и 9.
Процесс в соответствии с настоящим изобретением осуществляется в непрерывном режиме, так что имеет место непрерывный поток газовой смеси, имеющей однородную высокую концентрацию паров покровного материала. Этот поток вытекает из испарительной камеры и проходит по трубопроводу к поверхности нагретой подложки под давлением, создаваемым испарением жидкости, инжектируемой через верхний вход 8, и нагнетанием газовой смеси через нижний вход 9 в испарительную камеру 3.
При применении покровных материалов и газовых смесей, упомянутых выше, в соответствии с настоящим изобретением газовая смесь, как правило, впускается через нижний вход 9 в испарительную камеру 3 под давлением приблизительно 0,14-1,05 кг/см2 (приблизительно 15 фунт кв. дюйм) и скорости порядка 100-400 стандартных литров в минуту. Жидкий покровный материал прежде всего предварительно нагревается до температуры приблизительно от 21 до 27,6oС (приблизительно от 70 до 530oF), затем инжектируется в испарительную камеру 3 через верхний вход 8, и содержимое испарительной камеры 3 поддерживается при температуре приблизительно 35-290oС (приблизительно 95-555oF). Жидкий покровный материал испаряется предпочтительно со скоростью от 225 г до приблизительно 54 кг/час (приблизительно 0,5-120 фунт/час). Скорости потока массы, упомянутые выше для газовой смеси и жидкого покровного материала, являются предполагаемыми скоростями при применении в качестве испарительной камеры 3 горизонтального тонкопленочного испарителя с площадью поверхности в половину квадратного фута. Следует понимать, однако, что, по существу, могут применяться любые скорости потока газовой смеси и жидкого покровного материала для данной испарительной камеры и соответствующих условий реакции. Например, более крупногабаритные модели испарителя будут испарять большие количества жидкого покровного материала. Эти скорости будут определяться заданной толщиной и скоростью роста покрытия.
Например, смесь реагентов в паровой фазе, рассчитанная на химическое осаждение из паровой фазы покрытия из окиси олова, может быть получена с применением двухлористого диметилолова и в качестве исходного материала для нанесения покрытия. Газообразный азот, как правило, впускается через нижний вход 9 в испарительную камеру 3 под давлением приблизительно от 0,14 до 1,05 кг/см2 (приблизительно от 2 до 15 фунт/кв. дюйм) при скорости потока приблизительно от 100 до 400 стандартных литров в минуту. Двухлористое диметилолово прежде всего подвергается предварительному нагреву до температуры порядка 107-190oС (приблизительно 225-375oF), затем инжектируется, например, приводимым давлением потока жидкости или насосом в испарительную камеру, и содержимое испарительной камеры 3 поддерживается при температуре порядка 121-227oС (приблизительно 250-400oF) Двухлористое диметилолово испаряется предпочтительно со скоростью от 0,45 до 29 кг/мин (приблизительно 1-64 фунт-мин) или 0,77-49 стандартных литров в минуту. Скорости потока двухлористого диметилолова, такие как эти, вместе со скоростью потока газовой смеси в 400 стандартных литров в минуту будут обеспечивать поток реагентов в газовой фазе на выходе 16 от 0,19 до 12,3% двухлористого диметилолова в газовой фазе (объем/объем). При больших или меньших потоках газовой смеси процент газовой фазы будет возрастать или уменьшаться соответственно. Скорости потока массы, заявленные выше для газовой смеси и жидкого покровного материала, являются предполагаемыми скоростями при применении, например, горизонтального тонкопленочного испарителя с площадью поверхности в половину квадратного фута в качестве испарительной камеры 3. Покрытия из окиси олова могут наноситься на стекло со скоростью роста до приблизительно 2200 
/сек при применении двухлористого диметилолова в диапазоне скоростей, упомянутых выше.
Большинство покровных материалов, когда они находятся в паровой фазе, являются крайне воспламенимыми в условиях окисления и, следовательно, могут переноситься к месту реакции только в потоке газа-носителя при концентрации газовой фазы в несколько процентов. Более высокие концентрации паров покровного материала будут приводить к их воспламенению при контактировании с нагретой подложкой в окислительной атмосфере. Поэтому операция нанесения покрытия должна проводиться при потоке покровного материала в паровой фазе, имеющем концентрацию ниже предела воспламеняемости для этого конкретного покровного материала.
Ввиду присущего разнообразия известных процессов испарения, например испарение диспергированных или сжиженных порошков, испарение частиц в уплотненном слое, испарение растворенных соединений или пропускание пузырьков газа-носителя через жидкую металлическую соль, концентрация паров покровного материала в газе-носителе, генерируемая такими процессами, как правило, колеблется или меняется во времени. Поэтому средняя приемлемая концентрация паров покровного материала должна быть значительно ниже предела воспламеняемости, с тем чтобы изменения в концентрации не приводили к воспламенению паров покровного материала.
В противоположность этому способ в соответствии с настоящим изобретением обеспечивает постоянный поток паров покровного материала, имеющий однородную концентрацию. Поскольку имеет место меньшее отклонение в концентрации паров в потоке, пары могут транспортироваться при температурах, более близких к пределу воспламеняемости. Следовательно, большее количество покровного материала может испаряться и переноситься в зону реакции, тем самым обеспечивая более толстые покрытия и более высокие скорости роста, чем достигаются в известных процессах испарения.
Следует подчеркнуть, что условия процесса не являются остро критическими для успешного получения реагентов в паровой фазе в соответствии с настоящим изобретением. Условия процесса, описанные выше, как правило раскрываются, как обычные для практики настоящего изобретения. Иногда, однако, условия процесса, как они описаны, не могут быть точно применимыми для каждого соединения, включенного в пределы области изобретения. Эти соединения легко распознаются обычными специалистами в данной области техники. В таких случаях способ может быть успешно осуществлен путем обычных модификаций, известных для ординарных специалистов в данной области, например повышение или снижение температуры, варьирование скоростей ввода покровного материала или газовой смеси, смена реагентов для химического осаждения из паровой фазы или газовых смесей и т.д.
Пример. Двухлористое диметилолово нагрели до температуры порядка 138oС (приблизительно 280oF) и инжектировали как жидкость со скоростью 29 кг/час (приблизительно 64 фунт/час) через верхний вход в испарительную камеру (в этом случае горизонтальный тонкопленочный испаритель с площадью поверхности в половину квадратного фута). Одновременно впускали азот со скоростью 250 стандартных литров в минуту (сл/ мин) под давлением порядка 0,49 кг/см2 (приблизительно 7 фунт-кв. дюйм) через нижний вход испарительной камеры, и содержимое испарительной камеры нагрели для поддержания температуры порядка 160oC (приблизительно 320oF). Поток реагентов, содержащий приблизительно 50 сл/мин двухлористого диметилолова в паровой фазе и приблизительно 250 сл/мин азота (16,5% двухлористого диметилолова в газовой фазе), выводился из испарительной камеры через выход на конце испарительной камеры, противоположном концу, на котором расположены входы. Поток реагентов затем нагревали и комбинировали приблизительно 50 сл/мин кислорода и приблизительно 23 сл/мин водного пара, в этом месте смесь содержала приблизительно 13% четыреххлористого диметилолова в газовой фазе. Комбинированный поток реагентов направляли на поверхность нагретой стеклянной подложки по мере ее изготовления флотационным методом и при температуре порядка 622oС (приблизительно 1160oF), в результате чего получали однородное покрытие из окиси олова со скоростью роста порядка 2200
. Вышеприведенные параметры для двухлористого диметилолова в равной мере удовлетворительны для покровной смеси, содержащей 95 вес. двухлористого диметилолова в 5 вес. треххлористого метилолова.
Claims (5)
1. Способ получения реагента для нанесения покрытия на стекло из паровой фазы путем инжектирования жидкого покровного материала на стенку испарителя с одновременной регулируемой подачей в него подогретого газа-носителя, нагрева и последующего удаления из испарителя газового реагента, отличающийся тем, что покровный материал предварительно нагревают до температуры, не превышающей температуру его испарения, и инжектируют в горизонтальном испарителе сверху, а газ-носитель снизу и перемешивают их до распределения покровного материала в виде тонкой пленки на боковой поверхности испарителя.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что жидкий покровный материал инжектируют в испарителе при 21 576°С со скоростью 0,23 54,0 кг/ч.
3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что газ-носитель подают в испаритель со скоростью 100 400 л/мин под давлением 0,14 0,05 кг/см2.
4. Способ по пп.1 3, отличающийся тем, что покровный материал и газ-носитель нагревают в испарителе до 35-290°С.
5. Способ нанесения покрытия на флоатстекло из паровой фазы путем пиролиза смеси органического соединения элемента и инертного газа-носителя при 600-750°С, отличающийся тем, что в качестве органического соединения элемента используют двухлористое диметилолово, тетраэтоксисилан, двухлористое диэтилолово, диацетат дибутилолова, тетраметилолово, треххлористое метилолово, хлористое триэтилолово, хлористое триметилолово, титанат тетрабутила, гетерохлористый титан, тетраизопропилат титана, тетраэтилалюминий, хлористый диэтилалюминий, триметилалюминий, ацетилацетат алюминия, этилат алюминия, диэтилдихлорсилан, метилтриэтоксисилан, ацетилацетат цинка, пропионат цинка и их смеси, а скорость роста пленки покрытия не превышает 
.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US42263689A | 1989-10-17 | 1989-10-17 | |
| US422636 | 1989-10-17 | ||
| US07/591,121 US5090985A (en) | 1989-10-17 | 1990-10-04 | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
| US591121 | 1990-10-04 | ||
| PCT/US1990/005905 WO1991005743A1 (en) | 1989-10-17 | 1990-10-15 | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2062258C1 true RU2062258C1 (ru) | 1996-06-20 |
Family
ID=27025695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU904895861A RU2062258C1 (ru) | 1989-10-17 | 1990-10-15 | Способ получения реагента для нанесения покрытия на стекло и способ нанесения покрытия на флоатстекло |
Country Status (26)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5090985A (ru) |
| EP (1) | EP0450016B1 (ru) |
| JP (1) | JP3078835B2 (ru) |
| KR (1) | KR0147042B1 (ru) |
| CN (1) | CN1025322C (ru) |
| AT (1) | ATE133147T1 (ru) |
| AU (1) | AU632175B2 (ru) |
| BG (1) | BG94619A (ru) |
| BR (1) | BR9005227A (ru) |
| CA (1) | CA2027761A1 (ru) |
| CZ (1) | CZ502090A3 (ru) |
| DE (1) | DE69024938T2 (ru) |
| ES (1) | ES2082007T3 (ru) |
| HU (1) | HU213646B (ru) |
| IE (1) | IE903601A1 (ru) |
| MX (1) | MX173282B (ru) |
| MY (1) | MY107107A (ru) |
| NO (1) | NO304109B1 (ru) |
| NZ (1) | NZ235700A (ru) |
| PL (1) | PL167110B1 (ru) |
| PT (1) | PT95613B (ru) |
| RO (1) | RO111756B1 (ru) |
| RU (1) | RU2062258C1 (ru) |
| TR (1) | TR25795A (ru) |
| WO (1) | WO1991005743A1 (ru) |
| YU (1) | YU47521B (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2501748C2 (ru) * | 2008-07-25 | 2013-12-20 | Ппг Индастриз Огайо, Инк. | Водная суспензия для пиролитического покрытия, наносимого распылением |
Families Citing this family (82)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2916085B2 (ja) * | 1994-08-31 | 1999-07-05 | 三ツ星ベルト株式会社 | ガラス着色用発色剤 |
| US5279851A (en) * | 1991-04-03 | 1994-01-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of manufacturing a conductive glass with high strength and wear resistance |
| US5192589A (en) * | 1991-09-05 | 1993-03-09 | Micron Technology, Inc. | Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing thin titanium nitride films having low and stable resistivity |
| HU214047B (en) * | 1991-12-26 | 1997-12-29 | Atochem North America Elf | Coating composition for glass |
| US5356718A (en) * | 1993-02-16 | 1994-10-18 | Ppg Industries, Inc. | Coating apparatus, method of coating glass, compounds and compositions for coating glasss and coated glass substrates |
| US5599387A (en) * | 1993-02-16 | 1997-02-04 | Ppg Industries, Inc. | Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide |
| US5863337A (en) * | 1993-02-16 | 1999-01-26 | Ppg Industries, Inc. | Apparatus for coating a moving glass substrate |
| US6428623B2 (en) * | 1993-05-14 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus with liquid feed |
| FR2707671B1 (fr) * | 1993-07-12 | 1995-09-15 | Centre Nat Rech Scient | Procédé et dispositif d'introduction de précurseurs dans une enceinte de dépôt chimique en phase vapeur. |
| JPH0781965A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-03-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガス生成装置並びに光導波路及び光ファイバ母材を製造する方法及び装置 |
| US5431800A (en) * | 1993-11-05 | 1995-07-11 | The University Of Toledo | Layered electrodes with inorganic thin films and method for producing the same |
| US5356451A (en) * | 1993-12-20 | 1994-10-18 | Corning Incorporated | Method and apparatus for vaporization of liquid reactants |
| US5723172A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-03 | Dan Sherman | Method for forming a protective coating on glass |
| US5665424A (en) * | 1994-03-11 | 1997-09-09 | Sherman; Dan | Method for making glass articles having a permanent protective coating |
| US5632797A (en) | 1994-12-30 | 1997-05-27 | Corning Incorporated | Method of providing vaporized halide-free, silicon-containing compounds |
| US5558687A (en) * | 1994-12-30 | 1996-09-24 | Corning Incorporated | Vertical, packed-bed, film evaporator for halide-free, silicon-containing compounds |
| US5653813A (en) * | 1995-04-03 | 1997-08-05 | Novellus Systems, Inc. | Cyclone evaporator |
| US5725904A (en) * | 1995-06-02 | 1998-03-10 | Elf Atochem North America, Inc. | Liquid methyltin halide compositions |
| US5773086A (en) * | 1996-08-13 | 1998-06-30 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method of coating flat glass with indium oxide |
| US5952047A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-14 | Dowa Mining Co., Ltd. | CVD precursors and film preparation method using the same |
| KR100291482B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2001-06-01 | 시부키 유키오 | 이산화티탄 결정배향막을 갖는 재료 및 그 제조방법 |
| US6045864A (en) * | 1997-12-01 | 2000-04-04 | 3M Innovative Properties Company | Vapor coating method |
| US6265026B1 (en) * | 1998-01-16 | 2001-07-24 | The Regents Of The University Of California | Vapor phase deposition |
| US6660365B1 (en) * | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6974629B1 (en) | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6964731B1 (en) | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6602606B1 (en) | 1999-05-18 | 2003-08-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same |
| JP2001114533A (ja) | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガラス物品 |
| KR20010047128A (ko) * | 1999-11-18 | 2001-06-15 | 이경수 | 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치 |
| KR20010066533A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 정종순 | 안정한 코팅용 기화물 생성방법 및 장치 |
| US6160143A (en) * | 2000-02-18 | 2000-12-12 | Artisan Industries Inc. | Method for the concentration and separation of sterols |
| US6921579B2 (en) * | 2000-09-11 | 2005-07-26 | Cardinal Cg Company | Temporary protective covers |
| MXPA03002139A (es) | 2000-09-11 | 2004-05-04 | Cardinal Cg Co | Cubiertas protectoras temporales. |
| US6802315B2 (en) | 2001-03-21 | 2004-10-12 | Hollingsorth & Vose Company | Vapor deposition treated electret filter media |
| US6521295B1 (en) | 2001-04-17 | 2003-02-18 | Pilkington North America, Inc. | Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby |
| US6902813B2 (en) * | 2001-09-11 | 2005-06-07 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic surfaces carrying temporary protective covers |
| US6827974B2 (en) * | 2002-03-29 | 2004-12-07 | Pilkington North America, Inc. | Method and apparatus for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
| US6838114B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7118783B2 (en) * | 2002-06-26 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces |
| ATE370105T1 (de) * | 2002-06-28 | 2007-09-15 | Prysmian Cavi Sistemi Energia | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen eines flüssigen vorlaüfers beim herstellen einer glasvorform |
| US6821347B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
| US6955725B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US7335396B2 (en) * | 2003-04-24 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7344755B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
| US7235138B2 (en) * | 2003-08-21 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces |
| US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
| US7056806B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
| US7282239B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US7323231B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
| US7581511B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
| US7258892B2 (en) * | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| CA2550331A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cardinal Cg Compagny | Graded photocatalytic coatings |
| US7584942B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
| US20050249873A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Demetrius Sarigiannis | Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| US7713632B2 (en) * | 2004-07-12 | 2010-05-11 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| US7326469B2 (en) * | 2004-09-16 | 2008-02-05 | General Electric Company | Coating system and process and apparatus for depositing a coating system |
| US8092660B2 (en) * | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
| US7923114B2 (en) * | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
| US20060165873A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-07-27 | Micron Technology, Inc. | Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes |
| WO2007022405A1 (en) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Innovative Thin Films, Ltd. | Process and apparatus for coating substrates by spray pyrolysis |
| US20070098891A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Eastman Kodak Company | Vapor deposition apparatus and method |
| JP2009534563A (ja) * | 2006-04-19 | 2009-09-24 | 日本板硝子株式会社 | 同等の単独の表面反射率を有する対向機能コーティング |
| DE102006027932A1 (de) | 2006-06-14 | 2007-12-20 | Aixtron Ag | Verfahren zum selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| KR101473024B1 (ko) * | 2006-09-08 | 2014-12-15 | 필킹톤 그룹 리미티드 | 아연 산화물 코팅 물품의 저온 제조 방법 |
| US7820296B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-10-26 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coating technology |
| EP2055803A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-06 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method for preparing a deposition from a vapour |
| US8495973B2 (en) * | 2009-11-03 | 2013-07-30 | Protonex Technology Corporation | Thin film vaporizer |
| KR101104632B1 (ko) * | 2010-04-06 | 2012-01-12 | 주식회사 마이크로이즈 | 기화기 및 박막증착시스템 |
| CN102824864B (zh) * | 2011-06-15 | 2015-03-11 | 中国南玻集团股份有限公司 | 汽化混合装置 |
| US8840858B2 (en) | 2011-07-06 | 2014-09-23 | Corning Incorporated | Apparatus for mixing vaporized precursor and gas and method therefor |
| US9302291B2 (en) | 2011-08-05 | 2016-04-05 | 3M Innovative Properties Company | Systems and methods for processing vapor |
| CN102584019B (zh) * | 2012-01-31 | 2014-07-02 | 绥中滨海经济区红杉科技有限公司 | 化学汽相沉积法镀制玻璃减反射膜的设备及方法 |
| KR102204773B1 (ko) * | 2015-10-13 | 2021-01-18 | 인프리아 코포레이션 | 유기주석 옥사이드 하이드록사이드 패터닝 조성물, 전구체 및 패터닝 |
| WO2017100118A1 (en) | 2015-12-11 | 2017-06-15 | Cardinal Cg Company | Method of coating both sides of a substrate |
| WO2018093985A1 (en) | 2016-11-17 | 2018-05-24 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| CN111517625A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-08-11 | 福州新福兴浮法玻璃有限公司 | 一种用于生产无表观缺陷玻璃的锡槽 |
| CN115613005A (zh) * | 2021-07-16 | 2023-01-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 雾化装置与薄膜沉积系统 |
| WO2024052668A1 (en) | 2022-09-06 | 2024-03-14 | Pilkington Group Limited | Process for depositing a layer |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2815299A (en) * | 1955-10-24 | 1957-12-03 | Nat Res Corp | Method of producing an adherent molybdenum coating on a metal substrate |
| US3414428A (en) * | 1964-10-20 | 1968-12-03 | Allied Chem | Chromizing compositions and methods and continuous production of chromium halides for chromizing |
| US3535103A (en) * | 1968-04-10 | 1970-10-20 | Atomic Energy Commission | Method of making metal alloy powders |
| US4082864A (en) * | 1974-06-17 | 1978-04-04 | Fiber Materials, Inc. | Reinforced metal matrix composite |
| US4212663A (en) * | 1978-01-26 | 1980-07-15 | Corning Glass Works | Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing |
| US4245569A (en) * | 1979-03-26 | 1981-01-20 | Combustion Engineering, Inc. | Scrubber bypass system |
| US4249916A (en) * | 1979-07-30 | 1981-02-10 | Texas Utilities Services, Inc. | Absorber tower isolation system |
| US4293594A (en) * | 1980-08-22 | 1981-10-06 | Westinghouse Electric Corp. | Method for forming conductive, transparent coating on a substrate |
| CH640571A5 (fr) * | 1981-03-06 | 1984-01-13 | Battelle Memorial Institute | Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale. |
| JPS5843320A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-14 | Babcock Hitachi Kk | 脱硝装置 |
| US4924936A (en) * | 1987-08-05 | 1990-05-15 | M&T Chemicals Inc. | Multiple, parallel packed column vaporizer |
| JPH01246366A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-10-02 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 酸化膜の製造方法とその装置 |
-
1990
- 1990-10-04 US US07/591,121 patent/US5090985A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-08 IE IE360190A patent/IE903601A1/en unknown
- 1990-10-15 ES ES90915247T patent/ES2082007T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-15 DE DE69024938T patent/DE69024938T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-15 EP EP90915247A patent/EP0450016B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-15 RU SU904895861A patent/RU2062258C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1990-10-15 WO PCT/US1990/005905 patent/WO1991005743A1/en active IP Right Grant
- 1990-10-15 AU AU65297/90A patent/AU632175B2/en not_active Ceased
- 1990-10-15 KR KR1019910700609A patent/KR0147042B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-10-15 MY MYPI90001794A patent/MY107107A/en unknown
- 1990-10-15 AT AT90915247T patent/ATE133147T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-10-15 HU HU907561A patent/HU213646B/hu not_active IP Right Cessation
- 1990-10-15 RO RO147803A patent/RO111756B1/ro unknown
- 1990-10-15 JP JP02514192A patent/JP3078835B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-16 NZ NZ235700A patent/NZ235700A/xx unknown
- 1990-10-16 YU YU194490A patent/YU47521B/sh unknown
- 1990-10-16 CZ CS905020A patent/CZ502090A3/cs unknown
- 1990-10-16 CA CA002027761A patent/CA2027761A1/en not_active Abandoned
- 1990-10-17 BR BR909005227A patent/BR9005227A/pt not_active IP Right Cessation
- 1990-10-17 PL PL90287364A patent/PL167110B1/pl unknown
- 1990-10-17 PT PT95613A patent/PT95613B/pt not_active IP Right Cessation
- 1990-10-17 MX MX022885A patent/MX173282B/es unknown
- 1990-10-17 CN CN90109124A patent/CN1025322C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-17 TR TR90/0955A patent/TR25795A/xx unknown
-
1991
- 1991-06-13 BG BG094619A patent/BG94619A/bg unknown
- 1991-06-14 NO NO912320A patent/NO304109B1/no unknown
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Патент США N4788079, кл. С 03 С 17/53, 1988. Патент Великобритании N1507465, кл. С 1 M, 1978. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2501748C2 (ru) * | 2008-07-25 | 2013-12-20 | Ппг Индастриз Огайо, Инк. | Водная суспензия для пиролитического покрытия, наносимого распылением |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2062258C1 (ru) | Способ получения реагента для нанесения покрытия на стекло и способ нанесения покрытия на флоатстекло | |
| RU2194089C2 (ru) | Способ получения покрытия из оксида олова на стекле | |
| JP3193372B2 (ja) | 基板上へ有機金属化合物層を蒸着する蒸着方法 | |
| US7596305B2 (en) | Method and apparatus for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition | |
| EP1379476A1 (en) | Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide | |
| JPH08188878A (ja) | 酸化アルミニウム付着方法および付着装置 | |
| US5952046A (en) | Method for liquid delivery chemical vapor deposition of carbide films on substrates | |
| WO2006009872A1 (en) | Direct injection chemical vapor deposition method | |
| US5906861A (en) | Apparatus and method for depositing borophosphosilicate glass on a substrate | |
| JP2595054B2 (ja) | 金属酸化物薄膜の形成法 | |
| TH9846A (th) | วิธีการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอที่ใช้ ในการเคลือบ ด้วยไอสารเคมี | |
| TH8527B (th) | วิธีการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอที่ใช้ ในการเคลือบ ด้วยไอสารเคมี | |
| Hozumi et al. | Effects of methyl and perfluoro-alkyl groups on water repellency of silicon oxide films prepared by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| SU765216A1 (ru) | Способ получени стекла | |
| KR20010066533A (ko) | 안정한 코팅용 기화물 생성방법 및 장치 | |
| JPH09228048A (ja) | Ｃｖｄ用バリウム源物質およびこれを用いた成膜法 | |
| JPS62226808A (ja) | 黒鉛層間化合物の合成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20001016 |