JPH04502305A - 化学蒸着のための気化反応物の製造方法 - Google Patents

化学蒸着のための気化反応物の製造方法

Info

Publication number
JPH04502305A
JPH04502305A JP2514192A JP51419290A JPH04502305A JP H04502305 A JPH04502305 A JP H04502305A JP 2514192 A JP2514192 A JP 2514192A JP 51419290 A JP51419290 A JP 51419290A JP H04502305 A JPH04502305 A JP H04502305A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
coating precursor
liquid
producing
vaporization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2514192A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3078835B2 (ja
Inventor
スーベイランド、マイケル・ジェイ
マッカーディー、リチャード・ジェイ
Original Assignee
リビー―オーウェンズ―フォード・カンパニー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by リビー―オーウェンズ―フォード・カンパニー filed Critical リビー―オーウェンズ―フォード・カンパニー
Publication of JPH04502305A publication Critical patent/JPH04502305A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3078835B2 publication Critical patent/JP3078835B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/245Oxides by deposition from the vapour phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/80Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/229Non-specific enumeration
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152Deposition methods from the vapour phase by cvd

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 化学蒸着のための気化反応物の製造方法技術分野 本発明は、気化反応物を製造するための方法に関し、より詳細に言えば、化学蒸 着に有用な例えばコーティング・プリカーサ等の気化反応物と混合ガスとの混合 物を製造するための方法に関する。
背景技術 一般に、被覆ガラス製品は、当該分野に於て「フロート式ガラス製法」として知 られている方法で製造する際に、ガラス基板を連続的に被覆することによって製 造される。
この方法には、ガラスを適当に密閉された溶融スズ槽の上に流し込み、次に前記 ガラスを十分に冷却した後に前記スズ槽に整合する取出ロールへ運搬し、かつ最 後に、前記ガラスを前記ロールに載せて最初はレアの中をかつその後に環境雰囲 気に暴露させつつ進行させながら冷却する過程が含まれる。前記方法のフロート 部分では、ガラスが溶融スズ槽に接触している問罪酸化性雰囲気を維持して酸化 を防止する。前記レア内には大気雰囲気が維持される。様々な被膜の化学蒸着は 、好都合にも前記スズ槽または前記レア内で、若しくはそれらの間の搬送領域内 で行うことができる。
ガラス被覆過程に於て採用される反応物の物理的な形態は、一般に気体、液体、 固体、気化させた液体または固体、キャリアガス混合物内に分散させた液体また は固体、若しくはキャリアガス混合物内に分散され゛る気化させた液体または固 体である。化学蒸着法では、一般にキャリアガス混合物内に分散される気化させ た液体または固体を使用するのが通ρ1Jである。
化学蒸着法はガラス板を被覆する技術分野に於て周知である。米国特許第4,1 00,330号明細書には、酸化性雰囲気内で高温のガラス基板の表面に金属被 覆化合物の蒸気を熱分解させることによって、シリコンの第1層と金属酸化物の 第2層とを被着するガラス基板の被覆方法が開示されている。
米国特許第4,847,157号明細書には、第1のシリコン含有層と、該第1 層の上に重ねられる窒化チタン含有層と、該窒化チタン含有層を被覆する第2の シリコン含有層と、例えば酸化スズ(II)である前記第2シリコン含有層上の 任意の耐摩耗層とをガラス基板に被覆する方法が開示されている。
米国特許第4,692,180号明細書には、フロート式ガラス製法によって製 造される高温の帯状ガラスの表面に粉末の金属化合物を直接に吹き付け、該粉末 が熱分解して金属酸化物被膜を形成するようにした方法が開示されている。米国 特許第3,852,098号明細書には、高温キャリアガスにより分散粉末金属 化合物を気化させ、これを次に高温のガラス基板の表面に吹き付けて金属酸化物 被膜を被着させる方法が開示されている。同様に固体の金属化合物を用いた特許 に米国特許第2,780.553号があり、ここでは金属被覆化合物の固定層を 高温のキャリアガスと接触させることによって気化させる。最後に、米国特許第 4,351,861号明細書には、キャリアガス内で懸濁態の反応物を流動化さ せ、その後に加熱して浮遊粒子を気化させ、かつ高温のガラス基板の表面に吹き 付けて被膜を形成する方法が開示されている。これらの方法では、固体コーティ ング・プリカーサ粒子を用いて反応物の流れを形成するが、これらの流れは粒子 の寸法の変動、時間による粒子表面積の変化、固体物質を一定の速度で運搬する 困難性等によって濃度に変化が生じ易い。
また、従来技術には、有機金属塩を酸または炭化水素に対して可溶化し、かつそ の後に高温のキャリアガス内に気化させる方法がある。米国特許第4,571. 350号明細書は、金属塩溶液を噴霧したミストを発煙室内にスプレーする方法 を開示している。この溶液は気化されかつその後に高温ガラス基板の表面に運ば れる。米国特許第3,970.037号明細書には、被覆反応物を溶剤中に溶融 させ、次にそれを高温キャリアガスの中に噴霧し、そこで気化させかつ次に高温 ガラス基板の表面に放射する方法が開示されている。これらのいずれの場合にも 、反応物が熱分解して酸化物被膜を形成するが、可溶化剤がガラスの表面に於け る分子の輸送を妨げ、それによって付着に変動が生じる。
化学蒸着法のための熱分解可能な金属蒸気流を製造するための更に別の方法は、 米国特許第4.212,663号及び第4,261,722号明細書に開示され るように、液体状の金属塩の中で高温のキャリアガスを気泡化させる過程を有す る。米国特許第3.808.035号明細書には、気泡器の中に不活性ガスの掃 流を通過させてプリカーサ濃度の低いガス流を生成し、かつその後に該ガス流を 100℃乃至300℃の温度で基板に接触するように噴射する方法が開示されて いる。この気泡化法によって、液体コーティング・プリカーサをキャリアガスの 中に直接に気化させる方法が得られるが、化学蒸着のための気化反応物を製造す るための有用性を減少させるいくつかの欠点がある。
第1に、キャリアガス内に於て高い気化反応物濃度を確保するために、気化プロ セスの全体に於て液体コーティング・プリカーサ浴をその気化温度に近い温度に 維持しなければならない。この長い時間に亘って維持される高い浴温度によって 、コーティング中プリカーサの中には非常に熱に敏感なものが含まれるのでその 分解が促進される場合がある。更に、液体を蒸発させるために必要な特定の気化 熱によって、前記キャリアガスが化合物の中で気化する際に前記浴の温度が低下 する。この浴温度の低下は、外部の熱源を用いて均一に回復させることが困難で あり、それによって液体の蒸気圧が低下しそれがキャリアガス流に於ける気化プ リカーサの濃度を徐々に低下させることになる。最後に、それぞれに純粋成分の 蒸気圧が異なる2種またそれ以上のコーティング・プリカーサを液体浴の中に入 れた気泡化法では、より気化性の高い成分が優先的に気化し、それによって液体 成分の部分蒸気圧を変化させ、かつ最終的に前記液体浴が空になる際にキャリア ガス流内の気化反応物の濃度を変化させる。
上述した従来技術は、本発明に照らしてその手引として収集されかつ考察された ものである点に注意しなければならない。これらの様々な従来技術が、本発明の 存在がなければ到底収集される可能性が無かったものである。
従来の方法によって得られる場合より厚い被膜を形成することができ、かつ同時 に形成の被着を従来以上に制御可能にする均一な一定の高濃度コーティング・プ リカーサの蒸気流が生成されるように、コーティング・プリカーサまたはそれら の混合物を気化させ得ることが望ましい。
発明の開示 本発明の目的は、例えば高温の基板への化学蒸着に有用な気化反応物の製造方法 を提供することにある。驚くべきことに、本発明によれば、 (A)コーティング・プリカーサを液体の形態をなすように、その融点以上でか つ実質的にその標準気化温度以下の温度で供給する過程と、 (B)同時にかつ連続的に次の各過程、即ち(i)少なくとも1つの周壁部によ って部分的に画定され、その中で前記液体コーティング・プリカーサが蒸発して 蒸気を発生させる気化室内に、前記液体コーティング・プリカーサを注入する過 程と、 (11)前記コーティング・プリカーサ蒸気の質量移動を増加させかつ前記液体 コーティング・プリカーサの蒸発を加速させるのに十分な量の混合ガスを、前記 気化室内に導入する過程と、 (111)前記液体コーティング・プリカーサを薄膜として前記気化室の壁部に 沿って分散させる過程を含み、前記液体コーティング・プリカーサとコーティン グ・プリカーサ蒸気と混合ガスとを混合する過程とを行ない、それによって前記 液体コーティング・プリカーサをその標準気化温度以下の温度で完全に気化させ て、高い均一な濃度のコーティング・プリカーサを有する気化プリカーサガス流 を生成する過程と、 (C)前記コーティング・プリカーサの蒸気と混合ガスとの混合物を前記気化室 から送り出す過程とからなり、ガス流の中に反応物をより高い一定の濃度で気化 させることができる新規な方法によって、コーティング・プリカーサから気化反 応物を製造し得ることが判明した。
水平式薄膜蒸発器によって、本発明の方法のための適当な気化室が提供される。
好適には、液体コーティング・プリカーサが水平式薄膜蒸発器の上側の入口に注 入され、かつ混合ガスが下側の入口から取り入れられる。前記混合ガスが、前記 気化室が加熱される温度に近い温度に予め加熱されていると好都合である。前記 気化室が、その中に注入される前記液体プリカーサの温度より高い温度でコーテ ィング・プリカーサの標準気化温度より低い温度に加熱されると好都合である。
本発明の方法は連続的に行われると好都合であり、かつ化学蒸着に使用するコー ティング反応物プリカーサを気化させるのに適している。特に、フロート式ガラ ス製法によって製造されるガラスの上に被膜を化学蒸着させるのに適している。
この後者に関して、本発明による方法は、(A)コーティング・プリカーサを液 体の形態をなすように、その融点以上でかつその標準気化温度より実質的に低い 温度で供給する過程と、 (B)同時にかつ連続的に次の各過程部ち、(i)前記液体コーティング・プリ カーサが蒸発して蒸気を発生させる気化室内に前記液体コーティング・プリカー サを注入する過程と、 (11)前記コーティング・プリカーサ蒸気の物質移動を増加させかつそれによ って前記液体コーティング・プリカーサの蒸発を加速させるのに十分な量の混合 ガスを、前記気化室内に導入する過程と、 (iii)前記液体コーティング・プリカーサと前記コーティング・プリカーサ 蒸気と前記混合ガスとを混合する過程とを行ない、 それによって前記液体コーティング・プリカーサをその標準気化温度以下の温度 で完全に気化させて、混合ガス内に高い均一な濃度のコーティング・プリカーサ を有する気化反応物ガス流を生成する過程と、 (C)前記コーティング・プリカーサ蒸気と混合ガスとの混合物を前記気化室か ら送り出す過程と、(D)少なくとも399℃(750°F)の温度に維持され るフロートガラス基板に前記混合物を接触させる過程とか添付図面に於て、同一 の要素には同じ参照符号を付して表すものとする。
第1図は、本実施例では水平式薄膜蒸発器である本発明の方法を実施するだめの 装置を、気化室について縦断図示しつつ概略的に示す図である。
第2図は、第1図の2−2線に於ける気化室を示す横断面図である。
発明を実施するための最良の形態 添付図面に於て、本発明を実施するだめの装置は予熱容器10と、混合ガスをシ ステム内に導入するための設備11と、気化室12とを備える。気化室12は、 液体領域13と蒸気領域14とを有する。これら2領域の境界線が第1図に於て 破線15によって示されている。液体領域13が、液体コーティング・プリカー サでその壁部16が被覆された気化室12内の領域として画定されるのに対して 、蒸気領域14は、前記コーティング・プリカーサが完全に蒸気に転換されてい る気化室12内の領域として画定される。破線15で示される液体領域13と蒸 気領域14との境界線の位置は、使用される特定のコーティング・プリカーサの 揮発性、気化室のシェルの温度、混合ガスの質量流量等によって変化する。即ち 、比較的高い揮発性を有するコーティング・プリカーサを用いた場合には、気化 室12が比較的大きな蒸気領域14を有することになる。
気化室12の上部近傍に配置されている上側人口17を介して液体コーティング ・プリカーサを気化室12の液体領域13の中に注入する。混合ガスは、気化室 12の下部近傍に配置されている下側人口18を介して気化室12の液体領域1 3の中に注入される。例えばヘリウムまたは窒素若しくはそれらの混合物からな る前記混合ガスは、シリンダ19.20内に貯蔵されかつレギュレータ21、流 量計22、及びバルブ23を介して入口18へ供給される。
前記混合ガスが下側から注入されかつ前記コーティング・プリカーサが上側から 注入されるので、流下する液体と上昇する混合ガスとが十分緊密に接触する。
第1図及び第2図に示されるように、−組の混合ブレード24が気化室12内部 で回転しかつ前記液体プリカーサを前記気化室壁部の上に一様な薄膜として分散 させ、前記コーティング・プリカーサと前記混合ガスとの混合を更に促進させる 。前記コーティング・プリカーサは、一旦蒸気に転換されると、前記混合ガスと 共に蒸気領域14から出口25を介して排出される。ここで、前記蒸気は、例え ば連続して他の蒸気反応物またはドーパントで更に処理され、かつ/またはCV D (化学蒸着)に適した領域へと送られる。
被膜は、化学蒸着法(CVD)として当該分野で周知の方法によって高温のガラ ス基板の表面上に被着される。この方法は、一般にフロート式ガラス製法によっ てガラスを製造する際に行われ、かつ帯状のガラスが一般に約593℃(110 0’F)乃至約723℃(1350’F)の範囲内の温度であるようなフロート 金属浴、レア(ガラス温度が約399℃(750°F)乃至約566℃(105 0°F) )、またはガラス温度が約543℃(1025°F)乃至約593℃ (1100°F)である前記金属浴と前記レアとの間の搬送領域内に於て行われ る。コーティング・プリカーサが気化され、かつ進行する帯状ガラスの表面また はその近傍に運ばれる。酸素の存在下では、コーティング・プリカーサが熱分解 されて前記ガラスの表面上に酸化物被膜を形成する。しかしながら、本発明は酸 化物被膜の被着に限定されず、シリコンまたは窒化チタンのような非酸化物被膜 を被着させる際にも使用することができる。更に、本発明は、あらゆる基板に化 学蒸着するために使用することができ、ガラス上への被着に限定されるものでは ない。
本発明を実行するために有用な適当なコーティング・プリカーサには、二塩化ジ メチルスズ、テトラエトキシシラン、二塩化ジエチルスズ、ジアセテートジブチ ルスズ、テトラメチルスズ、三塩化メチルスズ、塩化トリエチルスズ、塩化トリ ノチルスズ、チタン酸テトラブチル、三塩化チタン、テトライソプロポキシドチ タン、トリエチルアルミニウム、塩化ジエチルアルミニウム、トリメチルアルミ ニウム、アルミニウムアセチルアセトネート(aluminum acetyI acetonate) 、アルミニウムエチレート、ジエチルジクロロシラン、 メチルトリエトキシシラン、アセチルアセトネート亜鉛にzfnc aceLy lacet、onate) 、プロピオン酸亜鉛、またはこれらの混合物が含ま れるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。これらの化合物は、一般に 高温ガラス上に被膜を付着させるためのプリカーサとして、CvD技術の分野で 周知である。本発明は、蒸気圧を作用させるいずれのプリカーサ材料またはそれ らの混合物についても同様に良好に作用する。スズ酸化物を被着させるための好 適なコーティング・プリカーサは二塩化ジメチルスズ、または二塩化ジメチルス ズと三塩化メチルスズとの混合物、例えば95重量パーセントの二塩化ジメチル スズと5重量パーセントの三塩化メチルスズとの混合物である。
本発明のコーティング・プリカーサは、室温で蒸気圧を作用させる液体か、また は室温以上でその標準気化温度以下の温度に加熱されると、その高温度で蒸気圧 を作用させる液体になる固体である。ここで言う「標準気化温度」とは、純粋な 液体状化合物の蒸気圧が1気圧に等しい温度を言う。いずれの場合にも、本発明 に於けるコーティング・プリカーサは予熱容器10内でその溶融点より高いがそ の標準気化温度より実質的に低い温度に最初に加熱される。
このような温度では、前記コーティング・プリカーサは、その分解温度より十分 に低い揮発性液体となる。ここで言う「実質的に標準気化温度より低い」とは、 熱に敏感な化合物の熱分解が大幅に減少するように、成る化合物(コーティング ・プリカーサ)の標準気化温度より5.6℃(10°F)乃至50℃(90°F )低い温度を意味する。
混合ガスを気化室に加えることによって、気化室からのコーティング・プリカー サの物質移動が増加する。このコーティング・プリカーサ蒸気の物質移動の増加 が、液体コーティング・プリカーサの気化を加速する。液体コーティング・プリ カーサと混合ガスとの接触は気化室内で生じることが望ましい。ここで言う「気 化室」は、液体領域と蒸気領域とを有する密閉容器であって、該容器内に液体が 注入されると、前記容器の内壁上に均一な薄膜を形成するようにして、その後に 気化させるような容器を意味する。前記液体を前記内壁に分散させる力は、例え ば機械的ロータ、圧力による液体流または蒸発装置内でブレードを回転させるこ と若しくはブレードの有無に拘らず蒸発装置のシェルを回転させることによって 生じる遠心力等によって与えることができる。前記容器の壁部は任意により加熱 して、前記気化室の前記壁部に接触する前記液体の気化速度を速(することがで きる。ここで考えられる混合ガスには、例えばヘリウム、窒素、水素、アルゴン または関連する温度で前記コーティング・プリカーサに対して化学的に不活性で ある他の様々なキャリアガス及びそれらの混合物が含まれる。好適な混合ガスは ヘリウム及び窒素とそれらの混合物である。
前記コーティング・プリカーサは、最初に該コーティング・プリカーサを含む予 熱容器10の燃焼式または電気抵抗式加熱手段のような固体または液体を加熱す るための周知の様々な従来装置によって加熱される。一般に前記コーティング・ プリカーサは、その融点より高いがその標準気化温度より実質的に低い温度に加 熱され、その後に液体として前記気化室内に注入される。
気化室12内では、液体コーティング・プリカーサが完全に蒸発する。回転する 混合ブレード24を用いて気化室12の内容物を混合する。混合ブレード24に よって生じる遠心力によって、前記液体コーティング・プリカーサは連続的に気 化室12の内壁上に薄い均一な膜として分散される。出口25に向けて流れる前 記薄膜に乱流が生じて、蒸気の発生と同時に前記液膜に高速度で熱伝達が行われ る。
更に、前記液体コーティング・プリカーサ、コーティング・プリカーサ蒸気及び 混合ガスが、気化室12内部で注入された前記液体コーティング・プリカーサの 温度より高くかつコーティング・プリカーサの標準気化温度より低い温度に加熱 される。これらの成分が加熱される温度は、使用される特定のコーティング・プ リカーサの熱分解特性及び選択された混合ガスの質量流量によって決定されるこ とになる。混合ガスの化学組成及び前記液体コーティング・プリカーサは、それ らの気化室12内への注入速度と同様に、十分な量の混合ガスが存在して気化し たコーティング・プリカーサの質量移動を増加させ、それによって前記液体の気 化を加速するように調和させて選択しなければならない。
このようにして、前記液体コーティング・プリカーサがその標準気化温度より低 い温度で完全に気化される。
前記液体コーティング・プリカーサは比較的少量で素早く気化するので、前記液 体の大部分には僅かな時間だけ高温を作用させる。これは、浴全体を略気化温度 に維持しなければならず、しばしば液体コーティング・プリカーサの分解を生じ させる従来の気泡化法とは対照的である。本発明では、大部分の前記液体が従来 技術に於て開示されている方法の温度より低い温度に維持されるので、前記液体 コーティング・プリカーサの分解が最小である。
前記液体コーティング・プリカーサ、コーティング・プリカーサ蒸気及び混合ガ スは、例えば燃焼式または電気抵抗式加熱手段またはスチームジャケットのよう な従来の手段を用いて気化室12を加熱することによって加熱すると便利である 。このようにして、気化室12の温度が一定に維持され、かつ前記液体の気化に 必要な熱が供給される。
前記コーティング・プリカーサは、予熱容器10内でその融点以上で実質的にそ の気化点以下の温度に予め加熱することができる。前記混合ガスを前記気化室内 に導入する前に該気化室の温度に略等しい温度に予め加熱すると好都合である。
気化室12内に前記プリカーサと混合ガスとの完全な混合を確保する手段を設け て、最終的に均一な反応混合物がガラス基板に向けて送られるようにする。
本発明によれば、結果的に均一で高濃度の気化したコーティング・プリカーサと 混合ガスとが得られるように被覆化合物を気化させるための改良された方法が提 供される。
これは、被着される被膜の厚さを正確に制御し、被着前のコーティング・プリカ ーサの分解量を減少させ、かつ従来の気化製法によって得られるより厚い被膜を 製造できる点に於て有利である。
例えば、米国マサチューセッツ州つォルサムのアーチズン・インダストリーズ・ インコーホレイテッド(八rtisanIndustries 1口c、 )か ら[ワンハーフΦスクエア拳)・ソト”o−トサーム拳イーJ (One−)1 alf 5quare Foot RotoLherm E)の商品名を付して 販売されているような水平式薄膜蒸発器によって、本発明の方法に適した気化室 12が得られる。前記液体コーティング・プリカーサが上側人口17を介して気 化室12内に注入され、かつ前記混合ガスが前記気化室12の上側人口17と同 じ端部に配設された下側人口18を介して気化室12内に注入されると好都合で ある。更に、気化室12(本実施例では水平式薄膜蒸発器)の内部で一組のブレ ード24を回転させることによって、前記コーティング・プリカーサと混合ガス とが完全に混合される。モータ26によってブレード24を回転させる原動力が 得られる。上記混合物が、上側人口17及び下側人口18を有する端部と反対側 の端部に配設された出口25から排出されると好都合である。
本発明の方法は、混合ガス流が連続的に均一かっ高濃度のコーティング・プリカ ーサ蒸気を有するように製造されるように連続的に行われる。前記混合ガス流は 、上側人口17を介して注入される前記液体の気化及び下側人口18を介して加 圧混合ガスを気化室12内へ導入することによって生じる圧力によって気化室1 2から高温の基板表面に導管を介して流れるようにされる。
本明細書に記載される前記コーティング・プリカーサ及び混合ガスを本発明に従 って使用する際に、前記混合ガスは一般にゲージ圧力的0. 14〜1. 05 kg/cm2(約2〜15ゲージpsi )で気化室12内へ下側人口18を介 して導入される。前記液体コーティング・プリカーサはまず約21℃(70°F )〜約277℃(530°F)の温度に予め加熱され、その後に上側人口17を 介して前記気化室内に注入され、かつ気化室12の内容物が約35℃(95°F )〜約291℃(555°F)の温度に維持される。前記液体コーティング・プ リカーサは、1時間当り約0.23〜54.4kg(約0.5〜120ポンド) の速度で気化されることが望ましい。上述した前記混合ガス及び液体コーティン グ・プリカーサの質量流量は、気化室12として例えば表面積465cm (1 /2ft2)(D水平式薄膜蒸発器を用いた時に予想される流量である。しかし ながら、適当な気化室及び適当な反応条件が与えられたならば、実際には混合ガ ス及び液体コーティング・プリカーサを様々な流量で使用できることが理解され る。例えば、前記ロートサームEの大型モデルでは、より大量の液体コーティン グ・プリカーサが気化される。この速度は、被膜の所望の厚さ及び成長率によっ て決定されることになる。
例えば、酸化スズ(If)の被膜を化学蒸着させるために適当な蒸気混合反応物 は、プリカーサとして二塩化ジメチルスズを用いて生成することができる。窒素 混合ガスは一般にゲージ圧力的0,14〜]、、 05kg/c市2 (約2〜 15ゲージpsi )で毎分約100〜400標準リツトルの流量で下側人口1 8を介して気化室12内に導入される。二塩化ジメチルスズが最初に約107℃ (225’F)〜191℃(375°F)の温度に予め加熱され、その後に例え ば圧力で駆動される液体流またはポンプによって前記気化室内に注入され、かつ 気化室12の内容物が約121℃(250°F)〜約204℃(400°F)の 温度に維持される。
二塩化ジメチルススの液体コーティング・プリカーサは、]11時間り約0.4 5〜29.0kg(約1〜64ポンド)、または毎分0.77〜4つ標準リット ルの速度で気化させることが望ましい。このような二塩化ジメチルスズの流量と 毎分400標準リツトルの流量の混合ガスとが一緒になって、出口25に0.1 9〜12.3%気相(容積/容積)の二塩化ジメチルスズからなる蒸気反応物流 が生じる。混合ガスの流量が増減すると、対応して気相の割合が増減する。混合 ガス及び液体コーティング・プリカーサについて上述した質量流量は、気化室1 2として表面積465cm2(1/2f’t2)の水平式薄膜蒸発器を用いた時 に予想される流量である。酸化スズ(II)の被膜は、今述べた流量の範囲内で 二塩化ジメチルスズの混合物を用いて毎秒約2200人もの成長速度でガラス上 に被着させることができる。
大部分のコーティング・プリカーサは、気化すると酸化条件下で非常に燃焼し易 くなり、従って数パーセントの気相濃度のキャリアガス流でのみ反応サイトに運 ぶことができる。コーティング・プリカーサ蒸気の濃度が、酸化雰囲気内で高温 の基板表面に接触すると引火する。従って被覆作業は、その特定のコーティング ・プリカーサについて燃焼限界以下の濃度を有する気化コーティング・プリカー サ流を用いて行わなければならい。
従来の気化方法、例えば分散させたまたは流動化させた粉末の気化、充填層内の 粒子の気化、可溶化合物の気化または液体金属塩の中でのキャリアガスの気泡化 では、その固有の可変性によって、それらの方法によって生成されるキャリアガ ス内のコーティング・プリカーサ蒸気の濃度が一般に時間と共に変動しまたは変 化した。従って、コーティング・プリカーサ蒸気の使用可能な平均濃度は、濃度 が急激に高まることによってコーティング・プリカーサ蒸気が引火しないように 、実質的に燃焼限界以下にしなければならなかった。
それとは逆に、本発明の方法によれば、均一な濃度を有する一定のコーティング ・プリカーサ蒸気流が得られる。
前記蒸気流は濃度の変動が少ないことから、前記蒸気を燃焼限界に近い温度で運 ぶことができる。その結果、より多くのコーティング・プリカーサを気化させか つ反応領域に運搬することができ、それによって当該分野で従来知られている気 化方法によって得られる場合よりも厚い被膜と高い成長速度が得られる。
これらのプロセス条件は、本発明に従って気化反応物を首尾よく製造する場合に それ程厳密なものではない点に注意しなければならない。上述したプロセス条件 は、一般に本発明の実施から見れば従来の表現を用いて開示されている。しかし ながら、時には上述したプロセス条件が開示した技術的範囲内に含まれる各化合 物についてそのままそっくり適用されない場合がある。このような状況が生じる 化合物は、当業者にとって容易に理解することができる。このような場合には、 当業者にとって周知の従来から行われている変形、例えば温度条件の増減、コー ティング・プリカーサまたは混合ガスの導入速度の変化、別のCVD反応物また は混合ガスへの変更、気化プロセス条件の日常的変更等によって良好に実施する ことができる。
本発明は、その代表的に特定の実施例を参照することによってより容易に理解さ れる。しかしながら、この特定の実施例は発明の説明のためにのみ提供されるも のであり、本発明がその技術的範囲内に於て図示される特定の実施例とは別の形 で実施されることは言うまでもない。例えば、水平式薄膜蒸発器の代わりに、緊 密な接触、急速加熱及び金属被覆化合物と混合ガスとの十分な混合が行われるの であれば、あらゆる装置を気化室として使用することができる。
剋 二塩化ジメチルスズを約138℃(280°F)に加熱し、かつ液体として毎時 的29.0kg(64ポンド)の流量で気化室12、本実施例では表面積465 CI12の水平式薄膜蒸発器の上側人口17の中に注入した。同時に、毎分25 0標準リツトル(slm )の窒素をゲージ圧力的0.49kg/cra2(7 ゲージpsi )で気化室12の下側入口18に導入し、かつ気化室12の内容 物を加熱して約160℃(320°F)に維持した。毎分約50標準リツトルの 二塩化ジメチルスズ蒸気と毎分約250標準リツトルの窒素(16゜5%気相二 塩化ジメチルスズ)を含む反応物流を、気化室12から即ち入口17.18を設 けた端部と反対側の気化室12の端部にある出口25から送り出した。
その後に、前記反応物流を加熱しかつ約毎分50標準リツトルの酸素及び毎分約 23標準リツトルの水蒸気と化合させた。この時点て、前記混合物は約13%気 相の二塩化ジメチルスズで構成されていた。化合させた反応物流をフロート式ガ ラス製法によって約618℃(1160°F)の温度で製造されている高温のガ ラス基板の表面に送給し、毎秒約2200人の速度で被着される均一な酸化スズ (II)の被膜が得られた。
二塩化ジメチルスズについて上述したパラメータは、95重量パーセントの二塩 化ジメチルスズ及び5重量パーセントの三塩化メチルスズからなるプリカーサ混 合物についても同様に有効である。
国際調査報告

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.気化反応物を製造するための方法であって、(A)コーティング・プリカー サを液体の形態をなすように、その融点以上でかつ実質的にその標準気化温度以 下の温度で供給する過程と、 (B)同時にかつ連続的に次の各過程、即ち(i)少なくとも1つの周壁部によ って部分的に画定され、その中で前記液体コーティング・プリカーサが蒸発して 蒸気を発生させる気化室内に、前記液体コーティング・プリカーサを注入する過 程と、 (ii)前記コーティング・プリカーサ蒸気の質量移動を増加させかつ前記液体 コーティング・プリカーサの蒸発を加速させるのに十分な量の混合ガスを、前記 気化室内に導入する過程と、 (iii)前記液体コーティング・プリカーサを薄膜として前記気化室の壁部に 沿って分散させる過程を含み、前記液体コーティング・プリカーサとコーティン グ・プリカーサ蒸気と混合ガスとを混合する過程とを行ない、それによって前記 液体コーティング・プリカーサをその標準気化温度以下の温度で完全に気化させ て、高い均一な濃度のコーティング・プリカーサを有する気化反応物ガス流を生 成する過程と、 (C)前記反応物ガス流を前記気化室から送り出す過程とからなることを特徴と する気化反応物の製造方法。
  2. 2.前記コーティング・プリカーサが、前記気化室に注入される前にその標準気 化温度より低い温度に予め加熱されることを特徴とする請求項1に記載の気化反 応物の製造方法。
  3. 3.前記気化室の前記少なくとも1つの周壁部が加熱されることを特徴とする請 求項1に記載の気化反応物の製造方法。
  4. 4.前記気化室の前記少なくとも1つの周壁部が、前記予熱温度以上で前記液体 コーティング・プリカーサの標準気化温度より低い温度に加熱されることを特徴 とする請求項2に記載の気化反応物の製造方法。
  5. 5.前記混合ガスが、前記気化室内に注入される前に該気化室の温度と略同じ温 度に予め加熱されることを特徴とする請求項1に記載の気化反応物の製造方法。
  6. 6.前記気化室が水平式薄膜蒸発器からなることを特徴とする請求項1に記載の 気化反応物の製造方法。
  7. 7.前記薄膜蒸発器が、その端部に設けられた上側入口と該上側入口と同じ端部 に設けられた下側入口とを備え、かつ前記液体コーティング・プリカーサが前記 上側入口を介して前記蒸発器内に注入され、かつ前記混合ガスが前記下側入口を 介して前記蒸発器に導入されることを特徴とする請求項6に記載の気化反応物の 製造方法。
  8. 8.気化反応物を製造する方法であって、(A)コーティング・プリカーサを液 体の形態をなすように、その融点以上でかつその標準気化温度より実質的に低い 温度で供給する過程と、 (B)同時にかつ連続的に次の各過程即ち、(i)前記液体コーティング・プリ カーサが蒸発して蒸気を発生させる気化室内に前記液体コーティング・プリカー サを注入する過程と、 (ii)前記コーティング・プリカーサ蒸気の物質移動を増加させかつそれによ って前記液体コーティング・プリカーサの蒸発を加速させるのに十分な量の混合 ガスを、前記気化室内に導入する過程と、 (iii)前記液体コーティング・プリカーサとプリカーサ蒸気と混合ガスとを 混合する過程とを行ない、それによって前記液体コーティング・プリカーサをそ の標準気化温度以下の温度で完全に気化させて、混合ガス内に高い均一な濃度の コーティング・プリカーサを有する気化反応物ガス流を生成する過程と、 (C)前記反応物ガス流を前記気化室から送り出す過程と、(D)少なくとも3 99℃(750°F)の温度に維持されるフロートガラス基板に前記反応物ガス 流を接触させる過程とからなることを特徴とする気化反応物の製造方法。
  9. 9.気化反応物を製造する方法であって、(A)コーティング・プリカーサを液 体の形態をなすように、その融点以上でかつその標準気化温度より実質的に低い 温度で供給する過程と、 (B)同時にかつ連続的に次の各過程、即ち(i)前記液体コーティング・プリ カーサが蒸発して蒸気を発生させる気化室内に、前記液体コーティング・プリカ ーサを注入する過程と、 (ii)前記コーティング・プリカーサ蒸気の物質移動を増加させかつ前記液体 コーティング・プリカーサの蒸発を加速させるのに十分な量の混合ガスを、前記 気化室に導入する過程と、 (iii)前記液体コーティング・プリカーサ、コーティング・プリカーサ蒸気 及び混合ガスを前記過程(A)の温度以上で前記コーティング・プリカーサの標 準気化温度より低い温度に加熱する過程と、 (iv)前記コーティング・プリカーサ、コーティング・プリカーサ蒸気及び混 合ガスを混合する過程とを行ない、それによって前記液体コーティング・プリカ ーサをその標準気化温度より低い温度で完全に気化させ、混合ガス内に高い均一 な濃度のコーティング・プリカーサを有する気化反応物ガス流を生成する過程と 、 (C)前記反応物ガス流を前記気化室から送り出す過程と、(D)少なくとも3 99℃(750°F)の温度に維持される帯状のフロートガラス基板に前記反応 物ガス流を接触させる過程とからなることを特徴とする気化反応物の製造方法。
  10. 10.前記反応物ガス流と前記ガラス基板との接触が酸素の存在下で行われるこ とを特徴とする請求項8または9に記載の気化反応物の製造方法。
  11. 11.前記帯状ガラスが溶融金属の浴上に支持され、かつその温度が約593℃ (1100°F)乃至約723℃(1350°F)の範囲内にある状態で、前記 反応物ガス流を前記ガラス基板に接触させることを特徴とする請求項9に記載の 気化反応物の製造方法。
  12. 12.前記コーティング・プリカーサが、二塩化ジメチルスズ、テトラエトキシ シラン、二塩化ジエチルスズ、ジアセテートジブチルスズ、テトラメチルスズ、 三塩化メチルスズ、塩化トリエチルスズ、塩化トリメチルスズ、チタン酸テトラ ブチル、三塩化チタン、テトライソプロポキシドチタン、トリエチルアルミニウ ム、塩化ジエチルアルミニウム、トリメチルアルミニウム、アルミニウムアセチ ルアセトネート、アルミニウムエチレート、ジエチルジクロロシラン、メチルト リエトキシシラン、アセチルアセトネート亜鉛、プロピオン酸亜鉛及びそれらの 混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項8または9に記載の気 化反応物の製造方法。
  13. 13.前記コーティング・プリカーサが二塩化ジメチルスズであることを特徴と する請求項12に記載の気化反応物の製造方法。
  14. 14.前記コーティング・プリカーサが95重量パーセントの二塩化ジメチルス ズと5重量パーセントの三塩化メチルスズとからなることを特徴とする請求項1 2に記載の気化反応物の製造方法。
  15. 15.前記混合ガスが、ヘリウム、窒素、水素、アルゴン、及びそれらの混合物 からなる群から選択されることを特徴とする請求項12に記載の気化反応物の製 造方法。
  16. 16.前記液体コーティング・プリカーサが、約21℃(75T)乃至約277 ℃(530°F)の温度で前記気化室内に注入されることを特徴とする請求項1 2に記載の気化反応物の製造方法。
  17. 17.前記液体コーティング・プリカーサ、コーティング・プリカーサ蒸気及び 混合ガスが、前記気化室内で約35℃(95°F)乃至約291℃(555°F )の温度に加熱されることを特徴とする請求項12に記載の気化反応物の製造方 法。
  18. 18.前記液体コーティング・プリカーサが1時間当り約0.23〜54.4k g(約0.5〜120ポンド)の流量で前記気化室内に注入されることを特徴と する請求項12に記載の基礎反応物の製造方法。
  19. 19.前記混合ガスが、ゲージ圧力約0.14〜1.05kg/cm2(約2〜 15ゲージpsi)で前記気化室に導入されることを特徴とする請求項12に記 載の気化反応物の製造方法。
  20. 20.前記混合ガスが、毎分約100〜400標準リットルの流量で前記気化室 に導入されることを特徴とする請求項12に記載の気化反応物の製造方法。
  21. 21.気化反応物を製造する方法であって、(A)二塩化ジメチルスズ、テトラ エトキシシラン、二塩化ジエチルスズ、ジアセテートジブチルスズ、テトラメチ ルスズ、三塩化メチルスズ、塩化トリエチルスズ、塩化トリメチルスズ、チタン 酸テトラブチル、三塩化チタン、テトライソプロポキシドチタン、トリエチルア ルミニウム、塩化ジエチルアルミニウム、トリメチルアルミニウム、アルミニウ ムアセチルアセトネート、アルミニウムエチレート、ジエチルジクロロシラン、 メチルトリエトキシシラン、アセチルアセトネート亜鉛、プロピオン酸亜鉛及び それらの混合物からなる群から選択されるコーティング・プリカーサを液体の形 態をなすように、その融点以上でかつその標準気化温度より実施的に低い温度で あって、約21℃(70°F)乃至約277℃(530°F)の範囲内の温度で 供給する過程と、 (B)同時にかつ連続的に次の各過程、即ち(i)少なくとも1つの周壁部によ って部分的に画定され、前記液体コーティング・プリカーサが蒸発して蒸気を発 生させる気化室内に、1時間当り約0.23〜54.4kg(約0.5〜120 ポンド)の流量で前記液体コーティング・プリカーサを注入する過程と、 (ii)ヘリウム、窒素、水素、アルゴン及びそれらの混合物からなる群から選 択される混合ガスを、毎分約25〜500標準リットルの範囲内の流量でかつゲ ージ圧力約0.14〜1.05kg(約2〜15ゲージpsi)で前記気化室に 導入する過程と、 (iii)前記液体コーティング・プリカーサと、コーティング・プリカーサ蒸 気及び混合ガスを、前記過程(A)の温度以上で前記コーティング・プリカーサ の標準気化温度より低い温度であって約35℃(95°F)乃至約291℃(5 55°F)の範囲内の温度に加熱する過程と、(iv)前記液体プリカーサを薄 膜として前記気化室の前記壁部に沿って分散させる過程を含み、前記液体コーテ ィング・プリカーサ、コーティング・プリカーサ蒸気及び混合ガスを混合する過 程とを行ない、 それによって前記液体コーティング・プリカーサをその標準基礎温度より低い温 度で完全に気化させて、高い均一な濃度のコーティング・プリカーサを有する気 化反応物ガス流を生成する過程と、 (C)前記気化室から前記反応物ガス流を送り出す過程とからなることを特徴と する気化反応物の製造方法。
  22. 22.気化反応物を製造する方法であって、(A)二塩化ジメチルスズ、テトラ エトキシシラン、二塩化ジエチルスズ、ジアセテートジブチルスズ、テトラメチ ルスズ、三塩化メチルスズ、塩化トリエチルスズ、塩化トリメチルスズ、チタン 酸テトラブチル、三塩化チタン、テトライソプロポキシドチタン、トリエチルア ルミニウム、塩化ジエチルアルミニウム、トリメチルアルミニウム、アルミニウ ムアセチルアセトネート、アルミニウムエチレート、アセチルアセトネート亜鉛 、プロピオン酸亜鉛及びそれらの混合物からなる群から選択される金属コーティ ング・プリカーサを液体の形態をなすように、その融点以上でかつその標準気化 温度より実施的に低い温度であって、約21℃(70°F)乃至約277℃(5 30°F)の範囲内の温度で供給する過程と、 (B)同時にかつ連続的に次の各過程、即ち(i)少なくとも1つの周壁部によ って部分的に画定され、前記液体金属コーティング・プリカーサが蒸発して蒸気 を発生させる気化室内に、1時間当り約0.23〜54.4kg(約0.5〜1 20ポンド)の流量で前記液体コーティング・プリカーサを注入する過程と、 (ii)ヘリウム、窒素、水素、アルゴン及びそれらの混合物からなる群から選 択される混合ガスを、前記液体金属コーティング・プリカーサの蒸発を加速させ る量の毎分約25〜500標準リットルの範囲内の流量でかつゲージ圧力約0. 14〜1.05kg(約2〜15ゲージpsi)で前記気化室に導入する過程と 、 (iii)前記液体金属コーティング・プリカーサと、金属コーティング・プリ カーサ蒸気及び混合ガスを、前記過程(A)の温度以上で前記金属コーティング ・プリカーサの標準気化温度より低い温度であって約35℃(95°F)乃至約 291℃(555°F)の範囲内の温度に加熱する過程と、 (iv)前記液体金属コーティング・プリカーサを薄膜として前記気化室の前記 壁部に沿って分散させる過程を含み、前記液体金属コーティング・プリカーサ、 金属コーティング・プリカーサ蒸気及び混合ガスを混合する過程とを行ない、 それによって前記液体金属コーティング・プリカーサをその標準基礎温度より低 い温度で完全に気化させて、混合ガス内に高い均一な濃度の金属コーティング・ プリカーサを有する気化反応物ガス流を生成する過程と、(C)前記気化室から 前記反応物ガス流を送り出す過程とからなることを特徴とする気化反応物の製造 方法。
  23. 23.前記気化室が水平式薄膜蒸発器からなることを特徴とする請求項21また は22に記載の気化反応物の製造方法。
  24. 24.前記薄膜蒸発器が、その端部に設けられた上側入口と該上側入口と同じ端 部に設けられた下側入口とを備え、かつ前記液体コーティング・プリカーサが前 記上側入口を介して前記蒸発器内に注入され、かつ前記混合ガスが前記下側入口 を介して前記蒸発器に導入されることを特徴とする請求項23に記載の気化反応 物の製造方法。
  25. 25.前記混合ガスがヘリウム、窒素、及びそれらの混合物からなる群から選択 されることを特徴とする請求項24に記載の気化反応物の製造方法。
  26. 26.気化反応物を製造する方法であって、(A)二塩化ジメチルスズを液体の 形態をなすように、約107℃(225°F)乃至約191℃(375°F)の 範囲内の温度で供給する過程と、 (B)同時にかつ連続的に次の各過程、即ち(i)少なくとも1つの周壁部によ って部分的に画定され、その中で液体状の前記二塩化ジメチルスズが蒸発して蒸 気を発生させる水平式薄膜蒸発器内に、1時間当り約0.45〜34kg(約1 〜75ポンド)の流量で前記液体二塩化ジメチルスズを注入する過程と、 (ii)ヘリウム、窒素及びそれらの混合物からなる群から選択される混合ガス を、前記液体二塩化ジメチルスズの蒸発を加速するように毎分約25〜500標 準リットルの範囲内の流量でかつゲージ圧力約0.14〜1.05kg/cm2 (約2〜15ゲージpsi)で前記水平式薄膜蒸発器に導入する過程と、 (iii)前記液体二塩化ジメチルスズ、二塩化ジメチルスズ蒸気及び混合ガス を、前記過程(A)の温度以上でかつ二塩化ジメチルスズの標準気化温度より低 い温度であって約121℃(250°F)乃至約204℃(400°F)の範囲 内の温度に加熱する過程と、 (iv)前記液体二塩化ジメチルスズを薄膜として前記蒸発装置の壁部に沿って 分散させる過程を含み、前記液体二塩化ジメチルスズ、二塩化ジメチルスズ蒸気 及び混合ガスを混合する過程とを行ない、 それによって前記液体二塩化ジメチルスズをその標準気化温度より低い温度で完 全に気化させて、前記混合ガス内に高い均一な濃度の二塩化ジメチルスズを有す る気化反応物ガス流を生成する過程と、 (C)前記反応物ガス流を前記水平式薄膜蒸発器から送り出す過程とからなるこ とを特徴とする気化反応物の製造方法。
  27. 27.ガラス上に被膜を形成するための方法であって、(A)請求項26に従っ て生成される二塩化ジメチルスズ蒸気と混合ガスとの混合物を含む気化反応物ガ ス流を形成する過程と、 (B)少なくとも339℃(750°F)の温度に維持される帯状のフロートガ ラス基板に前記反応物ガス流を接触させる過程とからなることを特徴とするガラ スの被膜形成方法。
  28. 28.前記帯状ガラスが溶融金属の浴上に支持されかつその温度が約593℃( 1100°F)乃至約723℃(1350°F)の範囲内にある状態で、かつ酸 素の存在下で前記反応物ガス流と前記帯状ガラスとを接触させるようになってい ることを特徴とする請求項27に記載のガラスの被膜形成方法。
  29. 29.気化反応物を製造する方法であって、(A)95重量パーセントの二塩化 ジメチルスズと5重量パーセントの三塩化メチルスズとの混合物を液体の形態を 成すように、約107℃(225°F)乃至約191℃(375°F)の範囲内 の温度で供給する過程と、(B)同時にかつ連続的に次の各過程、即ち (i)少なくとも1つの周壁部によって部分的に画定され、その中で前記液体混 合物が蒸発して蒸気を発生させる水平式薄膜蒸発器内に、液体二塩化ジメチルス ズ−三塩化メチルスズの混合物を1時間当り約0.45〜34kg(1〜75ポ ンド)の流量で注入する過程と、 (ii)ヘリウム、窒素及びそれらの混合物からなる群から選択される混合ガス を、前記液体混合物の蒸発を加速するように、毎分約25〜500標準リットル の範囲内の流量でかつゲージ圧力約0.14〜1.05kg/cm2(2〜15 ゲージpsi)で前記水平式薄膜蒸発器に導入する過程と、(iii)前記液体 二塩化ジメチルスズ−三塩化メチルスズ混合物、二塩化ジメチルスズ−三塩化メ チルスズ混合物蒸気、及び混合ガスを前記過程(A)の温度より高い温度であっ て約121℃(250°F)乃至約204℃(400°F)の範囲内の温度に加 熱する過程と、 (iv)前記液体二塩化ジメチルスズ−三塩化メチルスズを薄膜として前記蒸発 器の壁部に沿って分散させる過程を含み、前記液体二塩化ジメチルスズ−三塩化 メチルスズ混合物、前記二塩化ジメチルスズ−三塩化メチルスズ混合物蒸気及び 混合ガスを混合する過程とを実行し、それによって前記液体二塩化ジメチルスズ −三塩化メチルスズ混合物を完全に気化させて、高い均一な濃度を有する95重 量パーセントの二塩化ジメチルスズと5重量パーセントの三塩化メチルスズとか らなる気化反応物ガス流を生成する過程と、 (C)前記水平薄膜蒸発装置から前記気化反応物ガス流を送り出す過程とからな ることを特徴とする気化反応物の製造方法。
  30. 30.ガラス上に酸化スズ(II)の被膜を形成するための方法であって、 (A)請求項29に従って製造される二塩化ジメチルスズ−三塩化メチルスズと 混合ガスとを含む気化反応物ガス流を形成する過程と、 (B)帯状フロートガラスが溶融金属の浴上に支持し、その温度が約593℃( 1100°F)乃至約723℃(1350°F)範囲内にある状態でかつ酸素の 存在下で、前記反応物ガス流を前記フロートガラス基板に接触させる過程とから なることを特徴とするガラスの酸化スズ(II)被膜形成方法。
  31. 31.前記気化反応物ガス流を用いて毎秒最大約2200Åの成長速度で前記高 温ガラス上に被膜を形成することを特徴とする請求項28に記載の気化反応物の 製造方法。
  32. 32.前記気化反応物ガス流を用いて、毎秒最大約2200Å成長速度で前記帯 状ガラス上に酸化スズ(II)の被膜を形成することを特徴とする請求項30に 記載のガラスの酸化スズ(II)被膜形成方法。
JP02514192A 1989-10-17 1990-10-15 化学蒸着のための気化反応物の製造方法 Expired - Lifetime JP3078835B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US42263689A 1989-10-17 1989-10-17
US422,636 1989-10-17
US591,121 1990-10-04
US07/591,121 US5090985A (en) 1989-10-17 1990-10-04 Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04502305A true JPH04502305A (ja) 1992-04-23
JP3078835B2 JP3078835B2 (ja) 2000-08-21

Family

ID=27025695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02514192A Expired - Lifetime JP3078835B2 (ja) 1989-10-17 1990-10-15 化学蒸着のための気化反応物の製造方法

Country Status (26)

Country Link
US (1) US5090985A (ja)
EP (1) EP0450016B1 (ja)
JP (1) JP3078835B2 (ja)
KR (1) KR0147042B1 (ja)
CN (1) CN1025322C (ja)
AT (1) ATE133147T1 (ja)
AU (1) AU632175B2 (ja)
BG (1) BG94619A (ja)
BR (1) BR9005227A (ja)
CA (1) CA2027761A1 (ja)
CZ (1) CZ502090A3 (ja)
DE (1) DE69024938T2 (ja)
ES (1) ES2082007T3 (ja)
HU (1) HU213646B (ja)
IE (1) IE903601A1 (ja)
MX (1) MX173282B (ja)
MY (1) MY107107A (ja)
NO (1) NO304109B1 (ja)
NZ (1) NZ235700A (ja)
PL (1) PL167110B1 (ja)
PT (1) PT95613B (ja)
RO (1) RO111756B1 (ja)
RU (1) RU2062258C1 (ja)
TR (1) TR25795A (ja)
WO (1) WO1991005743A1 (ja)
YU (1) YU47521B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6551715B1 (en) 1999-10-20 2003-04-22 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Glass sheet with conductive film and glass article using the same
US6602606B1 (en) 1999-05-18 2003-08-05 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2916085B2 (ja) * 1994-08-31 1999-07-05 三ツ星ベルト株式会社 ガラス着色用発色剤
US5279851A (en) * 1991-04-03 1994-01-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of manufacturing a conductive glass with high strength and wear resistance
US5192589A (en) * 1991-09-05 1993-03-09 Micron Technology, Inc. Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing thin titanium nitride films having low and stable resistivity
ATE186039T1 (de) * 1991-12-26 1999-11-15 Atochem North America Elf Zusammensetzung einer deckschicht für glas
US5863337A (en) * 1993-02-16 1999-01-26 Ppg Industries, Inc. Apparatus for coating a moving glass substrate
US5599387A (en) * 1993-02-16 1997-02-04 Ppg Industries, Inc. Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide
US5356718A (en) * 1993-02-16 1994-10-18 Ppg Industries, Inc. Coating apparatus, method of coating glass, compounds and compositions for coating glasss and coated glass substrates
US6428623B2 (en) * 1993-05-14 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus with liquid feed
FR2707671B1 (fr) * 1993-07-12 1995-09-15 Centre Nat Rech Scient Procédé et dispositif d'introduction de précurseurs dans une enceinte de dépôt chimique en phase vapeur.
JPH0781965A (ja) * 1993-07-22 1995-03-28 Sumitomo Electric Ind Ltd ガス生成装置並びに光導波路及び光ファイバ母材を製造する方法及び装置
US5431800A (en) * 1993-11-05 1995-07-11 The University Of Toledo Layered electrodes with inorganic thin films and method for producing the same
US5356451A (en) * 1993-12-20 1994-10-18 Corning Incorporated Method and apparatus for vaporization of liquid reactants
US5665424A (en) * 1994-03-11 1997-09-09 Sherman; Dan Method for making glass articles having a permanent protective coating
US5723172A (en) * 1994-03-11 1998-03-03 Dan Sherman Method for forming a protective coating on glass
US5558687A (en) * 1994-12-30 1996-09-24 Corning Incorporated Vertical, packed-bed, film evaporator for halide-free, silicon-containing compounds
US5632797A (en) * 1994-12-30 1997-05-27 Corning Incorporated Method of providing vaporized halide-free, silicon-containing compounds
US5653813A (en) * 1995-04-03 1997-08-05 Novellus Systems, Inc. Cyclone evaporator
US5725904A (en) * 1995-06-02 1998-03-10 Elf Atochem North America, Inc. Liquid methyltin halide compositions
US5773086A (en) * 1996-08-13 1998-06-30 Libbey-Owens-Ford Co. Method of coating flat glass with indium oxide
US5952047A (en) * 1997-03-28 1999-09-14 Dowa Mining Co., Ltd. CVD precursors and film preparation method using the same
KR100291482B1 (ko) * 1997-06-24 2001-06-01 시부키 유키오 이산화티탄 결정배향막을 갖는 재료 및 그 제조방법
US6045864A (en) * 1997-12-01 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Vapor coating method
US6265026B1 (en) * 1998-01-16 2001-07-24 The Regents Of The University Of California Vapor phase deposition
US6974629B1 (en) 1999-08-06 2005-12-13 Cardinal Cg Company Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces
US6964731B1 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
US6660365B1 (en) * 1998-12-21 2003-12-09 Cardinal Cg Company Soil-resistant coating for glass surfaces
KR20010047128A (ko) 1999-11-18 2001-06-15 이경수 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치
KR20010066533A (ko) * 1999-12-31 2001-07-11 정종순 안정한 코팅용 기화물 생성방법 및 장치
US6160143A (en) * 2000-02-18 2000-12-12 Artisan Industries Inc. Method for the concentration and separation of sterols
EP1322567B1 (en) 2000-09-11 2008-11-12 Cardinal CG Company Temporary protective covers
US6921579B2 (en) * 2000-09-11 2005-07-26 Cardinal Cg Company Temporary protective covers
US6802315B2 (en) 2001-03-21 2004-10-12 Hollingsorth & Vose Company Vapor deposition treated electret filter media
US6521295B1 (en) 2001-04-17 2003-02-18 Pilkington North America, Inc. Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby
US6902813B2 (en) * 2001-09-11 2005-06-07 Cardinal Cg Company Hydrophilic surfaces carrying temporary protective covers
US6827974B2 (en) * 2002-03-29 2004-12-07 Pilkington North America, Inc. Method and apparatus for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition
US6838114B2 (en) 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US7118783B2 (en) * 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
WO2004002909A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-08 Pirelli & C. S.P.A. Method and device for vaporizing a liquid reactant in manufacturing a glass preform
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6955725B2 (en) * 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7335396B2 (en) * 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7344755B2 (en) * 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) * 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) * 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
WO2005063646A1 (en) * 2003-12-22 2005-07-14 Cardinal Cg Company Graded photocatalytic coatings
US7584942B2 (en) 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US20050249873A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Demetrius Sarigiannis Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) * 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
JP2008505842A (ja) 2004-07-12 2008-02-28 日本板硝子株式会社 低保守コーティング
US7326469B2 (en) * 2004-09-16 2008-02-05 General Electric Company Coating system and process and apparatus for depositing a coating system
US8092660B2 (en) * 2004-12-03 2012-01-10 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films
US7923114B2 (en) * 2004-12-03 2011-04-12 Cardinal Cg Company Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films
US20060165873A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes
US20080193638A1 (en) * 2005-08-18 2008-08-14 Mcmaster Alan J Process and Apparatus for Coating Substrates by Spray Pyrolysis
US20070098891A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Eastman Kodak Company Vapor deposition apparatus and method
WO2007124291A2 (en) * 2006-04-19 2007-11-01 Cardinal Cg Company Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances
DE102006027932A1 (de) 2006-06-14 2007-12-20 Aixtron Ag Verfahren zum selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
MY150461A (en) * 2006-09-08 2014-01-30 Pilkington Group Ltd Low temperature method of making a zinc oxide coated article
WO2009036263A2 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 Cardinal Cg Company Low-maintenance coating technology
EP2055803A1 (en) * 2007-10-29 2009-05-06 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method for preparing a deposition from a vapour
US8197940B2 (en) * 2008-07-25 2012-06-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Aqueous suspension for pyrolytic spray coating
US8495973B2 (en) * 2009-11-03 2013-07-30 Protonex Technology Corporation Thin film vaporizer
KR101104632B1 (ko) * 2010-04-06 2012-01-12 주식회사 마이크로이즈 기화기 및 박막증착시스템
CN102824864B (zh) * 2011-06-15 2015-03-11 中国南玻集团股份有限公司 汽化混合装置
US8840858B2 (en) * 2011-07-06 2014-09-23 Corning Incorporated Apparatus for mixing vaporized precursor and gas and method therefor
JP6559423B2 (ja) 2011-08-05 2019-08-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 蒸気を処理するためのシステム及び方法
CN102584019B (zh) * 2012-01-31 2014-07-02 绥中滨海经济区红杉科技有限公司 化学汽相沉积法镀制玻璃减反射膜的设备及方法
EP4273625A3 (en) * 2015-10-13 2024-02-28 Inpria Corporation Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning
WO2017100118A1 (en) 2015-12-11 2017-06-15 Cardinal Cg Company Method of coating both sides of a substrate
US10604442B2 (en) 2016-11-17 2020-03-31 Cardinal Cg Company Static-dissipative coating technology
CN111517625A (zh) * 2020-06-18 2020-08-11 福州新福兴浮法玻璃有限公司 一种用于生产无表观缺陷玻璃的锡槽
CN115613005A (zh) * 2021-07-16 2023-01-17 长鑫存储技术有限公司 雾化装置与薄膜沉积系统
WO2024052668A1 (en) 2022-09-06 2024-03-14 Pilkington Group Limited Process for depositing a layer

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2815299A (en) * 1955-10-24 1957-12-03 Nat Res Corp Method of producing an adherent molybdenum coating on a metal substrate
US3414428A (en) * 1964-10-20 1968-12-03 Allied Chem Chromizing compositions and methods and continuous production of chromium halides for chromizing
US3535103A (en) * 1968-04-10 1970-10-20 Atomic Energy Commission Method of making metal alloy powders
US4082864A (en) * 1974-06-17 1978-04-04 Fiber Materials, Inc. Reinforced metal matrix composite
US4212663A (en) * 1978-01-26 1980-07-15 Corning Glass Works Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing
US4245569A (en) * 1979-03-26 1981-01-20 Combustion Engineering, Inc. Scrubber bypass system
US4249916A (en) * 1979-07-30 1981-02-10 Texas Utilities Services, Inc. Absorber tower isolation system
US4293594A (en) * 1980-08-22 1981-10-06 Westinghouse Electric Corp. Method for forming conductive, transparent coating on a substrate
CH640571A5 (fr) * 1981-03-06 1984-01-13 Battelle Memorial Institute Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale.
JPS5843320A (ja) * 1981-09-10 1983-03-14 Babcock Hitachi Kk 脱硝装置
US4924936A (en) * 1987-08-05 1990-05-15 M&T Chemicals Inc. Multiple, parallel packed column vaporizer
JPH01246366A (ja) * 1988-03-28 1989-10-02 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk 酸化膜の製造方法とその装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6602606B1 (en) 1999-05-18 2003-08-05 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same
US6551715B1 (en) 1999-10-20 2003-04-22 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Glass sheet with conductive film and glass article using the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0450016A4 (en) 1993-03-03
AU632175B2 (en) 1992-12-17
ATE133147T1 (de) 1996-02-15
AU6529790A (en) 1991-05-16
PT95613B (pt) 1997-08-29
NO912320D0 (no) 1991-06-14
DE69024938D1 (de) 1996-02-29
CZ502090A3 (cs) 1998-10-14
RO111756B1 (ro) 1997-01-30
HU907561D0 (en) 1991-10-28
WO1991005743A1 (en) 1991-05-02
IE903601A1 (en) 1991-04-24
CA2027761A1 (en) 1991-04-18
DE69024938T2 (de) 1996-08-14
RU2062258C1 (ru) 1996-06-20
EP0450016A1 (en) 1991-10-09
CN1051899A (zh) 1991-06-05
EP0450016B1 (en) 1996-01-17
NO912320L (no) 1991-06-14
ES2082007T3 (es) 1996-03-16
YU194490A (sh) 1993-10-20
NO304109B1 (no) 1998-10-26
TR25795A (tr) 1993-09-01
BR9005227A (pt) 1991-09-17
PT95613A (pt) 1991-09-13
NZ235700A (en) 1992-12-23
JP3078835B2 (ja) 2000-08-21
KR0147042B1 (ko) 1998-08-17
MY107107A (en) 1995-09-30
KR920701064A (ko) 1992-08-11
US5090985A (en) 1992-02-25
BG94619A (bg) 1993-12-24
CN1025322C (zh) 1994-07-06
HUT57682A (en) 1991-12-30
HU213646B (en) 1997-09-29
MX173282B (es) 1994-02-14
PL167110B1 (pl) 1995-07-31
YU47521B (sh) 1995-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04502305A (ja) 化学蒸着のための気化反応物の製造方法
US5652021A (en) Combustion chemical vapor deposition of films and coatings
US5835677A (en) Liquid vaporizer system and method
US5835678A (en) Liquid vaporizer system and method
US5952046A (en) Method for liquid delivery chemical vapor deposition of carbide films on substrates
WO1999028532A1 (en) Vapor source for chemical vapor deposition
JP2595054B2 (ja) 金属酸化物薄膜の形成法
JPH05470B2 (ja)
JPH03253570A (ja) 化学気相析出法による金属酸化物の製造方法
KR20010066533A (ko) 안정한 코팅용 기화물 생성방법 및 장치
TH9846A (th) วิธีการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอที่ใช้ ในการเคลือบ ด้วยไอสารเคมี
TH8527B (th) วิธีการสำหรับเตรียมสารเข้าทำปฏิกิริยาในรูปไอที่ใช้ ในการเคลือบ ด้วยไอสารเคมี
JP3584097B2 (ja) Cvd用カルシウム源物質およびこれを用いた成膜法
JP2946039B2 (ja) ビスマス系膜形成材料、及びビスマス系膜の成膜方法
JPH0340907A (ja) 有機金属化学気相成長法による超電導薄膜の作製方法
JPH0953177A (ja) Cvd用銅源物質およびこれを用いた成膜法
MXPA98000986A (en) Chemical vapor deposit and dust formation using thermal spraying with supercritical or almost supercrit fluid solutions
JPH07207454A (ja) 酸化物膜形成法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080616

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090616

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616

Year of fee payment: 11