NL9302118A

NL9302118A - Kleurfilter voor vloeibaar kristalweergeefinrichting alsmede werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Info

Publication number: NL9302118A
Application number: NL9302118A
Authority: NL
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 1992-12-14
Filing date: 1993-12-06
Publication date: 1994-07-01
Also published as: CN1038709C; KR940015536A; CN1089360A; DE4342123B4; US6080515A; NL194311C; NL194311B; US5935741A; KR960003482B1; JPH06294908A; DE4342123A1

Description

Kleurfilter voor vloeibaar kristalweergeefinrichting alsmede werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

UITVINDINGSGEBIED

De uitvinding heeft betrekking op een kleurfilter en een werkwijze voor het vervaardigen daarvan, en meer in het. bijzonder op een kleurfilter en een werkwijze voor het vervaardigen van een kleurfilter, dat een richtlijntoets-patroon heeft en gebruikt wordt voor een vloeibaar kristalweergeef inrichting.

EERDERE STAND DER TECHNIEK

Een kleuren-vloeibaar kristalweergeefinrichting wordt gebruikt voor het weergeven van een beeld, en dit soort inrichting heeft twee substraten, waarvan één een aantal transparante aftastelektroden daarop gevormd heeft, en de andere een aantal signaalelektroden bezit, die toegekeerd zijn naar de bovengenoemde aftastelektroden, waarbij een vloeibaar kristal is aangebracht tussen de bovengenoemde twee substraten, een polarisatieplaat is aangebracht in de buitenzijde van bovengenoemde twee substraten, en een kleurfilter is gekleurd in primaire kleuren zoals rood, groen en blauw ten opzichte van bovengenoemde aftast-elektrode. Verder wordt het bovengenoemde kleurenfilter aangebracht aan een vloeibaar kristalweergeefinrichting met actieve matrix, waarbij een dunne-film transistor wordt gebruikt als actieve inrichting. Het kruispunt van de aftastelektrode en de signaalelektrode vormen een pixel, en de aangrenzende drie pixels vormen één component van een kleurenbeeld.

Het kleurfilter gebruikt voor bovengenoemde weergeefinrichting, wordt gevormd op de transparante signaalelektrode, die gevormd is op het substraat. Dit soort kleurfilter wordt verkregen door een kleurende basismateriaallaag aan te brengen, die bestaat uit proteïnen zoals caseïne of gelatine, en vervolgens de laag tot een patroon te vormen. Het basismateriaal van dit kleurenfilter is diëlektrisch en het vloeibare kristal is gelegen tussen het kleurfilter en de aftastelektrode.

Voor dit soort kleurfilter dient een kleurpatroon voor elke kleur nauwkeurig te worden gevormd, teneinde daardoor de pixel van de vloeibare kristalweergave voldoende weer te geven. Daarom wordt voor de vervaardiging van het kleurfilter een fotolithografisch proces uitgevoerd na het vormen van een kleurende basismateriaallaag, welke correspondeert met elke kleur op het basismateriaal.

Bij een werkwijze voor het vervaardigen van het gebruikelijke kleurfilter wordt, teneinde een rood, groen en blauw kleurpatroon te vormen, een richtlijntoetspatroon gevormd op het substraat onder gebruikmaking van chroom (Cr), en vervolgens wordt een kleurresistlaag gevormd door een kleurresist aan te brengen. Dan wordt onder gebruikmaking van bovengenoemd richtlijntoetspatroon als target een masker uitgericht onder bewegen van het substraat door middel van een laserbundel, en bovengenoemde kleurresistlaag wordt tot een patroon gevormd door een gebruikelijk fotolithografisch proces.

De fig. 1 t/m 3 zijn dwarsdoorsneeaanzichten van het richtlijntoetspatroongebied voor het illustreren van het proces voor het vormen van rode, groene en blauwe resist-patronen van het kleurfilter volgens de gebruikelijke methode.

Met verwijzing naar de fig. 1 t/m 3 is het verwijzingscijfer 11 een substraat, en is het verwijzings-cijfer 12 een richtlijntoetspatroon, en verwijzingscijfer 13 is een rode resistlaag, verwijzingscijfer 14 een groene resistlaag, en verwijzingscijfer 15 een blauwe resistlaag, en verwijzingscijfer 16 is een antioxydatiefilm, en verwijzingscijfer 17 is een laserbundel. Elke sectie van de fig. 1 tot 3 heeft dezelfde struktuur behalve de kleurlaag. Het gebruikelijke richtlijntoetspatroon en methode voor het vormen van een kleurpatroon onder gebruikmaking daarvan zal in het onderstaande worden beschreven met verwijzing naar fig. 1.

Eerst wordt een chroomlaag gevormd op het substraat 11 door chroomafzetten tot een dikte van ongeveer 1500 Angstrom, dat vervolgens tot een patroon gevormd wordt via een gebruikelijk fotolithografisch proces, waardoor het richtlijntoetspatroon 12 gevormd wordt. Vervolgens wordt de rode resistlaag 13 gevormd door bekleding met een rode resist, en daarop wordt de antioxydatiefilm 16 gevormd. Vervolgens wordt een masker voor het belichten van de rode resistlaag 13 uitgericht door middel van een laserbundel 17, waarvan de golflengte ongeveer 633 nm is onder gebruikmaking van het richtlijntoetspatroon 12 als target. Daarna wordt de rode resistlaag 13 tot een patroon gevormd via een gebruikelijk fotolithografisch proces, waardoor een rood kleurpatroon gevormd wordt.

Verder wordt een ander masker uitgericht onder gebruikmaking van het richtlijntoetspatroon 12, dat uit het bovengenoemde chroom bestaat, als target, en dan kunnen een groen en een blauw kleurpatroon in de fig. 2 en 3 worden gevormd volgens dezelfde vervaardigingsmethode als bovenstaand. Evenwel hebben groene en blauwe resistlagen 14 en 15 een zeer lage (nagenoeg nul) transmittantie voor een laserbundel. Fig. 11 is een grafische weergave, waarin de transraittantie getoond is van een blauwe, groene, en rode resist in overeenstemming met de golflengte van een laserbundel. Met verwijzing naar fig. 11 geeft verwijzings-cijfer 31 de transraittantie aan van een blauwe resistlaag, en verwijzingscijfer 32 geeft de transmittantie aan van een groene resistlaag, en referentiecijfer 33 geeft de transmittantie aan van een rode resistlaag. Wanneer nu een kleurresistlaag wordt gevormd door bekleden met groene en blauwe resisten, heeft de uitrichtinrichting problemen bij het detecteren van het uitrichttoetspatroon, aangezien het gereflecteerde licht van de laserbundel niet kan worden opgenomen. Dat wil zeggen het uitrichten is mogelijk in het geval van een rode kleurresistlaag 13, waarvan de transmittantie voor een laserbundel met ongeveer 633 nm golflengte boven de 90 % bedraagt, aangezien de laserbundel wordt gereflecteerd aan het richtlijntoetspatroon en het signaal van gereflecteerd licht gemakkelijk kan worden gedetecteerd door de uitrichter. De transmittantie van de laserbundel van groene en blauwe resistlagen 14 en 15 voor de bovengenoemde golflengte is evenwel vrijwel nul (veel lager dan die van de rode resist), zoals te zien is in fig.

11. In toevoeging hieraan is de dikte van het richtlijn-toetspatroon van chroom gering en daardoor wordt het merendeel van het licht geabsorbeerd, wanneer het richtlijntoetspatroon, waarin een patroonstapverschil nauwelijks aanwezig is, gebruikt wrodt. Als gevolg wordt het licht vrijwel niet gereflecteerd door het richtlijntoetspatroon .

Fig. 4 is een vlak aanzicht, dat het richtlijntoetspatroon toont, gevormd op het substraat en het richtlijntoetspatroon, gevormd op een masker volgens de gebruikelijke methode, en fig. 5 toont de golfvormdiagrammen, gedetecteerd van het gereflecteerde licht van het richtlijntoetspatroon, getoond in fig. 4.

Met verwijzing naar de fig. 4 geven alf c1# a2 en c2 het richtlijntoetspatroon aan, dat gevormd is op een substraat, en b^ en b2 geven het richtlijntoetspatroon aan, gevormd op het masker. Zoals getoond in fig. 4 wordt de laserbundel gereflecteerd van het richtlijntoetspatroon en b2 op het masker gedetecteerd en uitgericht aan het midden van het richtlijntoetspatroon, gevormd op het substraat. Fig. 5 toont golfvormdiagrammen, verkregen van een groep richtlijn-toetspatronen a^, b2, C! en a2, b2, c2 van fig. 4 onder gebruikmaking van een oscilloscoop, wanneer het masker wordt uitgericht. Met verwijzing naar fig. 5 toont golfvormdiagram A het geval, waarin een rode resistlaag wordt gevormd en golfvorm B toont het geval, waarin de blauwe of groene resist gevormd wordt. Zoals getoond in fig. 5, is het moeilijk om een uitrichtingsproces uit te voeren, wanneer de blauwe of groene resistlaag wordt gevormd, aangezien het detecterende signaal van de gereflecteerde golf nauwelijks wordt voortgebracht. Dienovereenkomstig dient de kleurresistlaag boven het richtlijntoetspatroon te worden verwijderd voor een uitrichting van een masker. Hiertoe dient een richtlijntoets te worden blootgelegd door met de hand het bovenste gedeelte van het toetspatroon weg te vegen onder gebruikmaking van een oplosmiddel zoals aceton of een ontwikkelaar, teneinde daardoor een gedeelte van de kleurresistlaag boven het richtlijntoetspatroon te verwijderen, hetgeen een probleem oplevert van vermindering van de productiviteit of opbrengst als gevolg van de manuale operatie.

SAMENVATTING VAN DE UITVINDING

Dienovereenkomstig is het een doel van de onderhavige uitvinding om een kleurfilter te verschaffen, dat een richtlijntoetspatroon heeft, gevormd door gebruikmaking van een kleurresist, teneinde het signaal van gebogen licht te detecteren door het vergroten van het stapverschil van het richtlijntoetspatroon. Het is een ander doel van de uitvinding om een werkwijze te verschaffen voor het vervaardigen van een kleurfilter, waarbij een resistpatroon wordt gevormd door het detecteren van het signaal van het afgebogen licht, verkregen door gebruik te maken van een stapverschil van bovengenoemd richtlijntoetspatroon.

Het is een verder doel van de uitvinding om een uitrichtingsmethode voor maskeraanbrenging te verschaffen onder gebruikmaking van bovengenoemd richtlijntoetspatroon.

Teneinde bovengenoemd doel van de onderhavige uitvinding tot stand te brengen, is er voorzien in een kleurfilter, bestaande uit: een substraat, een richtlijntoetspatroon gevormd op het voorbepaalde deel van het substraat teneinde een masker uit te richten over het substraat, en waarbij het richtlijntoetspatroon is voorzien van een voorbepaald gedimensioneerd stapverschil, teneinde daardoor een afgebogen licht voort te brengen, wanneer wordt gestraald met een laserbundel. Een eerste resistlaag, die moet worden belicht in de daarop volgende stap, wordt gevormd op het substraat. De eerste resistlaag bestaat uit een kleurresist met een lage transmittantie voor de laserbundel en bedekt het richtlijntoetspatroon. De eerste resistlaag bestaat bij voorkeur uit een materiaal, dat een laserbundel-transmittantie heeft lager dan 90 %, zoals een blauwe of groene resist.

De uitvinding verschaft verder een kleurfilter, bestaande uit: een substraat, een eerste kleurresistpatroon gevormd op een eerste gedeelte van het substraat, een eerste richtlijntoetspatroon gevormd op een tweede gedeelte van het substraat, een eerste richtlijntoetspatroon met een stapverschil voor het produceren van afgebogen licht, wanneer eén laserbundel daarop wordt gestraald, en waarbij het eerste richtlijntoetspatroon bestaat uit hetzelfde materiaal als het eerste kleurresistpatroon, en een tweede kleurresistlaag gevormd op het substraat met het eerste kleurresistpatroon en het eerste richtlijntoetspatroon daarop gevormd, waarbij het tweede kleurresistpatroon het eerste richtlijntoetspatroon bedekt.

Teneinde een ander doel van de uitvinding tot stand te brengen is er voorzien in een werkwijze voor het vervaardigen van het kleurfilter, omvattende de stappen van: het vormen van een eerste resistlaag op een substraat, en het tot een patroon vormen van de eerste resistlaag voor het gelijktijdig vormen van een voorbepaald eerste resistpatroon en een eerste richtlijntoetspatroon voor een daarop volgend maskeruitrichtingsproces. Een eerste resistlaag wordt gevormd onder gebruikmaking van een rode resist. Een tweede resistlaag, die bestaat uit een groene of blauwe resist, welke het eerste richtlijntoetspatroon bedekt, wordt gevormd na het vormen van het eerste richtlijntoetspatroon, en vervolgens wordt een masker voor het belichten van de tweede resistlaag uitgericht onder gebruikmaking van een afgebogen licht van de laserbundel van een invalsvlak van de tweede resistlaag, waar het stapverschil van het eerste richtlijntoetspatroon is gevormd.

Teneinde een ander doel van de uitvinding tot stand te brengen, is er voorzien in een uitrichtingsmethode van een belichtingsmasker, omvattende de stappen van: het vormen van een richtlijntoetspatroon, dat een stapverschil heeft voor het genereren van een afgebogen licht van een laserbundel op een substraat, het vormen van een eerste resistlaag, welke het richtlijntoetspatroon bedekt, het detecteren van een afgebogen licht door een laserbundel te stralen op het richtlijntoetspatroon, teneinde een signaal te genereren, en het uitrichten van een masker voor het belichten van de eerste resistlaag in overeenstemming met het signaal.

De uitvinding verschaft verder een werkwijze voor het vormen van een kleurfilter, omvattende de stappen van: het vormen van een lichtafschermingslaag op een substraat, het tot een patroon vormen van een lichtafschermingslaag, teneinde daardoor een eerste richtlijntoetspatroon te vormen, en een 1ichtafschermingspatroon, het vormen van een rode resistlaag op het substraat, waarop het eerste richtlijntoetspatroon en het lichtafschermingspatroon gevormd zijn, het tot een patroon vormen van de rode resistlaag onder gebruikmaking van het eerste richtlijntoetspatroon voor het gelijktijdig vormen van een rood resistpatroon en een tweede richtlijntoetspatroon met een voorbepaald stapverschil op het lichtafschermings-patroon, waar een richtlijntoets voor het belichten van een groene resistlaag aanwezig is, het vormen van de groene resistlaag op de resulterende struktuur waarop het tweede richtlijntoetspatroon gevormd is, het tot een patroon vormen van de groene resistlaag onder gebruikmaking van het tweede richtlijntoetspatroon voor het gelijktijdig vormen van een groen resistpatroon en een derde richtlijntoetspatroon met een voorbepaald stapverschil op een gedeelte van het rode resistpatroon, waar de richtlijntoets voor het belichten van de blauwe resistlaag gevormd is, het vormen van de blauwe resistlaag op de resulterende struktuur met het derde richtlijntoetspatroon daarop gevormd, en het tot een patroon vormen van de blauwe resistlaag onder gebruikmaking van het derde richtlijntoetspatroon, teneinde daardoor een blauw resistpatroon te vormen. De patroonvormingsstap van de rode resistlaag wordt uitgevoerd door bestraling met een kortgolvige laserbundel op het eerste richtlijntoetspatroon, het detecteren van gereflecteerd licht van de laserbundel van het eerste richtlijntoetspatroon voor het genereren van een signaal, en het uitrichten van een masker voor het belichten van de rode resistlaag in overeenstemming met het signaal.

De patroonvormingsstap van de groene resistlaag wordt uitgevoerd door bestraling met een kortgolvige laserbundel op het tweede richtlijntoetspatroon, het detecteren van afgebogen licht van de laserbundel van het tweede richtlijntoetspatroon voor het genereren van een signaal, en het uitrichten van een masker voor het belichten van de groene resistlaag in overeenstemming met het signaal.

Verder wordt de stap van het tot een patroon vormen van de blauwe resistlaag uitgevoerd door bestraling met kortgolvige laserbundel op het derde richtlijntoetspatroon, detecteren van afgebogen licht van de laserbundel van het derde richtlijntoetspatroon voor het genereren van een signaal, en het uitrichten van een masker voor het belichten van de groene resistlaag volgens het signaal.

Volgens de werkwijze van de onderhavige uitvinding voor het vormen van een kleurfilter wordt het richtlijntoetspatroon, dat bestaat uit een kleurresist, zo gevormd, dat dit respectievelijk kan worden gebruikt voor het uitrichten van een masker voor het belichten van een groene resistlaag en een blauwe resistlaag, wanneer een rood patroon en een groen patroon gevormd 2ijn. Het afgebogen licht, gereflecteerd van het gehelde oppervlak van een groene resist en een blauwe resist over het stapverschil van het richtlijntoetspatroon wordt gedetecteerd teneinde daardoor een signaal te genereren. Het masker voor het belichten van de groene en blauwe resistlaag wordt uitgericht in overeenstemming met het signaal. Zodoende kan een uitrichten van het masker gemakkelijk tot stand gebracht worden.

KORTE BESCHRIJVING VAN DE TEKENING

Bovengenoemde doeleinden en andere voordelen van de uitvinding zullen duidelijker worden uit de detailbeschrijving van een voorkeursuitvoering met verwijzing naar de tekening, waarin: fig. 1 t/m fig. 3 dwarsdoorsneeaanzichten zijn van het richtlijntoetspatroongebied, teneinde het proces voor het vormen van een rood, groen en blauw kleurpatroon van het kleurfilter volgens de gebruikelijke methode toe te lichten, fig. 4 een vlak aanzicht is, dat het richtlijntoetspatroon laat zien, gevormd op het substraat, en het richtlijntoetspatroon, gevormd op een masker volgens de gebruikelijke methode, fig. 5 golfvormdiagrammen toont, gedetecteerd van het gereflecteerde licht van het richtlijntoetspatroon, getoond in fig. 4, fig. 6 t/m fig. 8 een richtlijntoetspatroon toont en een methode voor het vormen daarvan, teneinde de maskers voor het belichten van de rode, groene en blauwe resistlagen van het kleurfilter uit te richten volgens één uitvoering van de onderhavige uitvinding, fig. 9 een vlak diagram is, dat het richtlijntoets-patroon van de uitvinding en het richtlijntoetspatroon op het masker toont, fig. io de golfvormdiagrammen toont, gedetecteerd van het afgebogen licht van het richtlijntoetspatroon, getoond in fig. 9, en fig. 11 een grafische representatie is, waarin de transmittantie getoond is van een blauwe, groene, en rode resist volgens de golflengte van een laserbundel.

GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING VAN DE UITVINDING

De onderhavige uitvinding zal in het onderstaande worden beschreven in meer detail met verwijzing naar de tekening.

Fig. 6 t/m fig. 8 toont een richtlijntoetspatroon en een werkwijze voor het vormen daarvan teneinde de maskers voor het belichten van de rode, groene en blauwe resistlagen van het kleurfilter volgens één uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding uit te richten.

Fig. 6 toont de stap van het vormen van een eerste richtlijntoetspatroon 22' en het uitrichten van het masker voor het belichten van een eerste resistlaag.

Met verwijzing naar fig. 6 is een lichtafschermend materiaal zoals chroom, afgezet tot een dikte van 1500 Angstrom, teneinde daardoor een chroomlaag te vormen, dat wil zeggen een lichtafschermingslaag op een substraat 21. Vervolgens wordt bovengenoemde chroomlaag gevormd tot een patroon door middel van een gebruikelijk fotolithografie-proces voor het vormen van het eerste richtlijntoetspatroon 22'. Hier wordt tegelijk een zwarte matrix (verwijzings-cijfer 22 van fig. 7), dat wil zeggen een lichtafschermings-patroon van het kleurfilter gevormd op het substraat 21, wanneer het eerste richtlijntoetspatroon 22' wordt gevormd. Vervolgens wordt een rode resist aangebracht tot een dikte van 1 tot 2 μια, bij voorkeur tot een dikte van ongeveer 1,6 μαι, waardoor een rode resistlaag 23 gevormd wordt als een eerste resistlaag, waarop een eerste antioxydatiefilm 26a wordt gevormd tot een dikte van 0,8 tot 1,0 μη. Daarna wordt het masker voor het belichten van rode resistlaag 23 uitgericht door het substraat 21 te bewegen door middel van laserbundel 27, waarvan de golflengte ongeveer 633 nm is, waarbij het eerste richtlijntoetspatroon 22' als target wordt gebruikt. Dat wil zeggen, laserbundel 27 wordt gestraald op het eerste richtlijntoetspatroon 22', en vervolgens wordt gereflecteerd licht van het eerste richtli jntoetspatroon 227 gedetecteerd voor het genereren van een signaal. Bovengenoemd masker wordt uitgericht in overeenstemming met het signaal. Daarna wordt de rode resistlaag 23 tot een patroon gevormd door middel van een gebruikelijk fotolithografisch proces, waardoor een rood resistpatroon (niet getoond) wordt gevormd. De eerste antioxydatiefilm 26a wordt verwijderd na de belichtingsstap en voor de ontwikkelingsstap tijdens het fotolithografische proces.

Op dit tijdstip wordt een tweede richtlijntoetspatroon (referentiecijfer 237 van fig. 7) gevormd in een gebied verschillend van het gebied, waarin het eerste richtlijntoetspatroon 227 gevormd is, teneinde een masker uit te richten, voor het belichten van een tweede resistlaag, die vervolgens wordt gevormd. Meer in het bijzonder wordt het tweede richtlijntoetspatroon 237, dat bestaat uit de rode resist, gelijktijdig gevormd in de lokatie, waar het richtlijntoetspatroon voor het uitrichten van het masker voor het belichten van de groene resistlaag moet worden gevormd, wanneer bovengenoemd rood resistpatroon wordt gevormd.

Fig. 7 illustreert de stap van het vormen van een tweede richtlijntoetspatroon 227 en het uitrichten van het masker voor het belichten van een tweede resistlaag. De doorsnee, getoond in fig. 7, illustreert een tweede richtlijntoetspatroon, gevormd in een gebied verschillend van het gebied, waarin het eerste richtlijntoetspatroon, getoond in fig. 6 is gevormd.

Met verwijzing naar fig. 7 bevindt zich een zwarte matrix 22, gevormd in de stap van fig. 6, op het substraat 21 en bevindt zich een tweede richtlijntoetspatroon 237, gevormd in de stap van fig. 6, op de zwarte matrix 22. Een groene resist is aangebracht op de resulterende struktuur, verkregen van de stap van fig. 6, waardoor een tweede resistlaag gevormd is, dat wil zeggen een groene resistlaag 24. Een tweede antioxydatiefilm 26b wordt gevormd op de groene resistlaag 24 tot een dikte van 0,6-1,0 μη, en vervolgens wordt de laserbundel 27, waarvan de golflengte ongeveer 600 nm - 700 nm bedraagt, ingestraald op het tweede richtlijntoetspatroon 23'. Afgebogen licht van het gehelde oppervlakdeel van de groene resistlaag 24, waar het stapverschil van het tweede richtlijntoetspatroon 23' gevormd is, wordt gedetecteerd voor het genereren van een signaal, en het masker voor het belichten van de groene resistlaag 24 wordt uitgericht volgens bovengenoemd signaal. Vervolgens wordt een groen resistpatroon (niet getoond) gevormd door de groene resistlaag 24 tot een patroon te vormen door middel van een vervolgens uitgevoerd foto-lithografisch proces. Op dit tijdstip wordt het derde richtlijntoetspatroon (verwijzingscijfer 24' van fig. 8), dat bestaat uit bovengenoemde groene resist, gevormd op de plaats, waar het richtlijntoetspatroon van de blauwe resistlaag moet worden gevormd. De tweede antioxydatie-film 26b wordt verwijderd na de belichtingsstap en vóór de ontwikkelingsstap tijdens het fotolithografische proces.

Met verwijzing naar fig. 8 bevindt zich de zwarte matrix 22, gevormd in de stap van fig. 6, op het substraat 21, en het eerste resistpatroon 23, gevormd in de stap van fig. 6, op de zwarte matrix 22, en het derde richtlijntoetspatroon 24', gevormd in de stap van fig. 7, bevindt zich op het eerste resistpatroon 23. Een derde resistlaag, dat wil zeggen een blauwe resistlaag 25, wordt gevormd door een blauwe resist aan te brengen op de resulterende struktuur, verkregen van de stap van fig. 7. Een derde antioxydatiefilm 26c wordt gevormd op de blauwe resistlaag 25 tot een dikte van 0,6-1,0 μη, en vervolgens wordt de laserbundel 27, waarvan de golflengte bij benadering 600 nm - 700 nm bedraagt, gestraald op het derde richtlijntoetspatroon 24'. Vervolgens wordt afgebogen licht van het gehelde oppervlak van de blauwe resistlaag 25, waar het stapverschil van het derde richtlijntoetspatroon 24' gevormd is, gedetecteerd voor het genereren van een signaal, en het masker voor het belichten van de blauwe resistlaag 25 wordt uitgericht volgens bovengenoemd signaal. Vervolgens wordt een blauw resistpatroon (niet getoond) gevormd door de blauwe resistlaag 25 tot een patroon te vormen door middel van een daarop volgend fotolithografisch proces.

Fig. 9 is een vlak aanzicht van het tweede richtlijn-toetspatroon van de onderhavige uitvinding, getoond in fig. 7, en een richtlijntoetspatroon op het masker. Fig. 10 toont de golfvormen, gedetecteerd van het gereflecteerde licht van de richtlijntoetspatronen, getoond in fig. 9.

Met verwijzing naar fig. 9 verwijzen alle verwijzings-cijfers naar dezelfde onderdelen als die van fig. 7, uitgezonderd, dat het verwijzingscijfer 30 het richtlijntoetspatroon aangeeft, gevormd op het masker. Fig. 10 toont golfvormdiagrammen verkregen van een groep van richtlijn-toetspatronen 23' en 30 van fig. 9 onder gebruikmaking van een oscilloscoop, wanneer het masker wordt uitgericht. Met verwijzing naar fig. 10 is golfvormdiagram A verkregen van een tweede richtlijntoetspatroon, en golfvormdiagram B is verkregen van een richtlijntoetspatroon op het masker. Zoals getoond in fig. 10, kan wanneer het richtlijntoetspatroon is gevormd volgens de methode van de onderhavige uitvinding, het zelf-uitrichten van het masker gemakkelijk worden uitgevoerd, aangezien de nauwkeurige golfvorm kan worden gedetecteerd.

Volgens de werkwijze van de onderhavige uitvinding voor het vervaardigen van een kleurfilter wordt het richtlijntoetspatroon gevormd onder gebruikmaking van bovengenoemde rode en groene resisten, teneinde te worden gebruikt respectievelijk voor het uitrichten van de groene en blauwe resistlagen, wanneer de rode en groene resistpatronen worden gevormd. Het signaal, getoond in fig. 10, kan worden verkregen door het afgebogen licht van de laserbundel, dat gereflecteerd is van het gehelde oppervlak van het stapverschil van de groene en blauwe resistlagen, verkregen door het richtlijntoetspatroon, te detecteren, waardoor een zelf uitrichten van het masker voor het belichten van de groene en blauwe resisten mogelijk wordt gemaakt.

Dienovereenkomstig is het uitrichtproces vereenvoudigd en de werktijd kan worden verminderd en de doorvoer kan worden verbeterd, aangezien het uitrichtproces automatisch kan worden uitgevoerd, dit in verschil met de gebruikelijke methode, waarbij de fotoresist van het toetspatroon met de hand moet worden verwijderd.

Het zal duidelijk zijn, dat, hoewel voorkeursuitvoeringen van de uitvinding in het bovenstaande in detail beschreven zijn, er tal van modificatie en variaties toe te passen zijn door de vakman zonder te treden buiten het kader en de beschermingsomvang van de uitvinding, zoals gedefinieerd door de conclusies.

Claims

1. KIeurfilter, omvattende: een substraat, en een richtlijntoetspatroon, gevormd op een voorbepaald deel van het substraat teneinde een masker uit te richten over het substraat, met het ke n m e r k, dat het richtlijntoetspatroon is voorzien van een voorbepaald, gedimensioneerd stapverschil, teneinde daardoor afgebogen licht voort te brengen, wanneer een laserbundel daarop gestraald wordt.

2. Kleurfilter volgens conclusie l,met het kenmerk, dat deze verder een eerste resistlaag heeft, die moet worden belicht door gebruik te maken van genoemd richtlijntoetspatroon, en genoemd richtlijntoetspatroon bedekt, welke eerste resistlaag is gevormd op het substraat.

3. Kleurfilter volgens conclusie 2,met het kenmerk, dat de eerste resistlaag bestaat uit een blauwe of een groene resist.

4. Kleurfilter, omvattende: een substraat, een eerste kleurresistpatroon, gevormd op een eerste gedeelte van het substraat, een eerste richtlijntoetspatroon, gevormd op een tweede gedeelte van het substraat, met het kenmerk, dat het eerste richtlijntoetspatroon een stapverschil heeft, teneinde afgebogen licht voort te brengen, wanneer een laserbundel daarop gestraald wordt, en genoemd eerste richtlijntoetspatroon bestaat uit hetzelfde materiaal als het eerste kleurresistpatroon, en dat op het substraat met genoemd eerste kleurresistpatroon en genoemd eerste richtlijntoetspatroon daarop gevormd een tweede kleurresistlaag gevormd is, elk tweede kleurresistpatroon genoemd eerste richtlijntoetspatroon bedekt.

5. Kleurfilter volgens conclusie 4, m e t het kenmerk, dat het eerste kleurresistpatroon bestaat uit een rode resist en de tweede kleurresist bestaat uit een blauwe resist.

6. Werkwij2e voor het vormen van een kleurfilter, gekenmerkt door de stappen van: het vormen van een eerste resistlaag op een substraat, en het tot een patroon vormen van genoemde resistlaag teneinde gelijktijdig een eerste resistpatroon en een eerste richtlijntoetspatroon met een stapverschil te vormen voor een daarop volgend maskeruitrichtproces.

7. Werkwijze voor het vormen van een kleurfilter volgens conclusie 6,met het kenmerk, dat de eerste resistlaag bestaat uit een rode resist.

8. Werkwijze voor het vormen van een kleurfilter volgens conclusie 6,met het kenmerk, dat deze verder de stappen omvat van: het vormen van een tweede resistlaag, die het eerste richtlijntoetspatroon na het vormen daarvan bedekt, en het uitrichten van een masker voor het belichten van de tweede resistlaag onder gebruikmaking van afgebogen licht van een laserbundel van een invalsvlak van genoemde tweede resistlaag, waarbij genoemd stapverschil als gevolg genoemd eerste richtlijntoetspatroon wordt gevormd.

9. Uitrichtmethode voor een belichtingsmasker, omvattende de stappen van: het vormen van een richtlijntoetspatroon, dat een stapverschil heeft, voor het genereren van afgebogen licht van een laserbundel op een substraat, het vormen van een eerste resistlaag, die genoemd richtlijntoetspatroon bedekt, het detecteren van afgebogen licht door een laserbundel te stralen op genoemd richtlijntoetspatroon voor het genereren van een signaal, en het uitrichten van een masker voor het belichten van genoemde eerste resistlaag in overeenstemming met genoemd signaal.

10. Werkwijze voor het vormen van een kleurfilter, gekenmerkt door de stappen van: het vormen van een lichtafschermende laag op een substraat, het tot een patroon vormen van de lichtafschermende laag, teneinde daardoor een eerste richtlijntoetspatroon en een lichtafschermingspatroon te vormen, het vormen van een rode resistlaag op het substraat, waarop genoemd eerste richtlijntoetspatroon en genoemd lichtafschermingspatroon gevormd zijn, het tot een patroon vormen van genoemde rode resistlaag onder gebruikmaking van genoemd eerste richtlijntoetspatroon voor het gelijktijdig vormen van een rood resistpatroon en een tweede richtlijntoetspatroon met een voorbepaald stapverschil op genoemd lichtafschermingspatroon, op de plaats waar een richtlijntoetspatroon voor het belichten van een groene resistlaag moet worden gevormd, het vormen van genoemde groene resistlaag op de resulterende struktuur, waarop genoemd tweede richtlijntoetspatroon gevormd is, het tot een patroon vormen van de groene resistlaag onder gebruikmaking van genoemd tweede richtlijntussen-patroon voor het vormen van een groen resistpatroon en een derde richtlijntoetspatroon met een voorbepaald stapverschil op genoemd rood resistpatroon ter plaatse, waar een richtlijntoetspatroon voor het belichten van een blauwe resistlaag moet worden gevormd, het vormen van genoemde blauwe resistlaag op de resulterende struktuur, waarop genoemd derde richtlijntoetspatroon gevormd is, en het tot een patroon vormen van genoemde blauwe resistlaag onder gebruikmaking van genoemd derde richtlijntoetspatroon voor het daardoor vormen van een blauw resistpatroon.

11. Werkwijze voor het vervaardigen van een kleurfilter volgens conclusie 9,met het kenmerk, dat genoemde patroonvormingsstap van genoemde rode resistlaag omvat de stappen van: het instralen van een kortgolvige laserbundel op genoemd eerste richtlijntoetspatroon, het detecteren van gereflecteerd licht van genoemde laserbundel van genoemd eerste richtlijntoetspatroon voor het genereren van een signaal, en het uitrichten van een masker voor het belichten van genoemde rode resistlaag in overeenstemming met genoemd signaal.

12. Werkwijze voor het vervaardigen van een kleurfilter volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat genoemde patroonvormingsstap van genoemde groene resistlaag omvat de stappen van: het instralen van een kortgolvige laserbundel op genoemd tweede richtlijntoetspatroon, het detecteren van afgebogen licht van genoemde laserbundel van genoemd tweede richtlijntoetspatroon voor het genereren van een signaal, en het uitrichten van een masker voor het belichten van genoemde groene resistlaag in overeenstemming met het signaal.

13. Werkwijze voor het vervaardigen van een kleurfilter volgens conclusie ll,met het kenmerk, dat het patroonvormen van genoemde blauwe resistlaag omvat de stappen van: het instralen van een kortgolvige laserbundel op genoemd derde richtlijntoetspatroon, en het detecteren van afgebogen licht van genoemde laserbundel van genoemd derde richtlijntoetspatroon voor het genereren van een signaal, en het uitrichten van een masker voor het belichten van genoemde blauwe resistlaag in overeenstemming met genoemd signaal.

14. Werkwijze voor het vervaardigen van een kleurfilter volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat genoemd eerste richtlijntoetspatroon bestaat uit chroom of een chroomoxyde.